JPH073632Y2 - レーザｃｖｄ装置 - Google Patents
レーザｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH073632Y2 JPH073632Y2 JP1988052098U JP5209888U JPH073632Y2 JP H073632 Y2 JPH073632 Y2 JP H073632Y2 JP 1988052098 U JP1988052098 U JP 1988052098U JP 5209888 U JP5209888 U JP 5209888U JP H073632 Y2 JPH073632 Y2 JP H073632Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- slit
- thin film
- opening
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はレーザCVD装置，すなわち半導体ウエーハやガ
ラスマスク上にレーザ光を照射し，表面に流された反応
ガスに活性エネルギを与えて分解した分子により，表面
に薄膜を形成するレーザCVD装置に関するものである。
ラスマスク上にレーザ光を照射し，表面に流された反応
ガスに活性エネルギを与えて分解した分子により，表面
に薄膜を形成するレーザCVD装置に関するものである。
従来，このレーザCVD装置においては，形成する薄膜の
形状を決めるため，対物レンズとレーザ発振器との間に
可変開口のXYスリットを設け，このスリットを対象に合
せて調整し，固定してから対物レンズによりそのスリッ
ト像を縮少して，基板上に照射する方法がとられてい
る。
形状を決めるため，対物レンズとレーザ発振器との間に
可変開口のXYスリットを設け，このスリットを対象に合
せて調整し，固定してから対物レンズによりそのスリッ
ト像を縮少して，基板上に照射する方法がとられてい
る。
この従来の方法では，レーザの横モードの分布の不均一
に起因する膜厚の部分的むらが発生したり，また熱伝導
の相違により薄膜の周囲は中心部に比べて膜厚が増す問
題点が発生する。
に起因する膜厚の部分的むらが発生したり，また熱伝導
の相違により薄膜の周囲は中心部に比べて膜厚が増す問
題点が発生する。
前記レーザの横モードの分布に起因するものは，可変ス
リットの直前に振動ミラー等を用いて，レーザ光を走査
してある程度平均化することが可能で，すでに，実現さ
れている。
リットの直前に振動ミラー等を用いて，レーザ光を走査
してある程度平均化することが可能で，すでに，実現さ
れている。
しかし，第３図（ａ）〜（ｄ）はその時間経過を示すよ
うに膜の周囲の部分は熱の伝導が良いので，照射するレ
ーザ光の密度を均一化しても，中央に比べて膜厚の成長
が速くなり薄膜の周囲部91は中央部92に比べて膜厚が増
すという問題点が残る。
うに膜の周囲の部分は熱の伝導が良いので，照射するレ
ーザ光の密度を均一化しても，中央に比べて膜厚の成長
が速くなり薄膜の周囲部91は中央部92に比べて膜厚が増
すという問題点が残る。
本考案は従来のもののこのような問題点を解決しようと
するもので，成長した薄膜の周囲部の盛り上りを押えて
中心部とほとんど変わらない均一な膜厚を得ることが可
能なレーザCVD装置を提供するものである。
するもので，成長した薄膜の周囲部の盛り上りを押えて
中心部とほとんど変わらない均一な膜厚を得ることが可
能なレーザCVD装置を提供するものである。
本考案によると半導体ウエーハやガラスマスク等の基板
上に反応ガスを流し，レーザ光を照射し反応ガスに化学
反応を起させ固体薄膜を析出せしめるレーザCVD装置に
おいて，前記固体薄膜の形状を決定するためにレーザ光
の通路に設けた可変スリットの開口をレーザ照射中にシ
ーケンスに従って徐々に拡大させる手段を有することを
特徴とするレーザCVD装置が得られる。
上に反応ガスを流し，レーザ光を照射し反応ガスに化学
反応を起させ固体薄膜を析出せしめるレーザCVD装置に
おいて，前記固体薄膜の形状を決定するためにレーザ光
の通路に設けた可変スリットの開口をレーザ照射中にシ
ーケンスに従って徐々に拡大させる手段を有することを
特徴とするレーザCVD装置が得られる。
次に本考案について図面を参照して説明する。
第１図は本考案の一実施例の構成概略図である。紫外光
を発振するレーザ光源１から出たレーザ光は，まずシャ
ッタ２を経て，可変開口スリット３へ入る。ここで開口
部分のみレーザ光が通過しレンズ４により，反応ガス７
が満たされたチャンバ６内の試料５の表面に集光され
る。
を発振するレーザ光源１から出たレーザ光は，まずシャ
ッタ２を経て，可変開口スリット３へ入る。ここで開口
部分のみレーザ光が通過しレンズ４により，反応ガス７
が満たされたチャンバ６内の試料５の表面に集光され
る。
このとき，可変開口スリット３とレンズ４の位置を試料
５の表面に可変開口スリット３の像が結像されるように
距離を合わせると，ほぼスリットの像に相似した形状の
CVD膜９を形成することができる。
５の表面に可変開口スリット３の像が結像されるように
距離を合わせると，ほぼスリットの像に相似した形状の
CVD膜９を形成することができる。
上記の場合において，可変開口スリット３はその開口動
作をスリット開口コントローラ８により制御されてい
る。ここでのスリット開口コントローラ８は可変開口ス
リット３を開閉してその大きさを調整した後は，第２図
（ａ）〜（ｄ）に示すように，スリットの開口径を，目
標とする膜厚，周囲の形状，基板の材質等に応じ，シー
ケンスに従って時間とともに変化させて制御を行う。例
えば（ａ）〜（ｄ）まで４段階にスリットの開口を少し
づつ拡げて目的とする（ｄ）の大きさ及び膜厚を得てい
る。
作をスリット開口コントローラ８により制御されてい
る。ここでのスリット開口コントローラ８は可変開口ス
リット３を開閉してその大きさを調整した後は，第２図
（ａ）〜（ｄ）に示すように，スリットの開口径を，目
標とする膜厚，周囲の形状，基板の材質等に応じ，シー
ケンスに従って時間とともに変化させて制御を行う。例
えば（ａ）〜（ｄ）まで４段階にスリットの開口を少し
づつ拡げて目的とする（ｄ）の大きさ及び膜厚を得てい
る。
以上説明したように本考案は，可変スリットの開口をレ
ーザ照射中に変化させることにより，成長した薄膜の周
囲の盛上りを押えて，中心部とほとんど変わらない，均
一な膜厚を得ることが可能となり，積み重ねや後工程で
の問題発生を防ぎ，不要部への回り込みによる成長（主
に熱CVDによる）も制御ができるという効果がある。
ーザ照射中に変化させることにより，成長した薄膜の周
囲の盛上りを押えて，中心部とほとんど変わらない，均
一な膜厚を得ることが可能となり，積み重ねや後工程で
の問題発生を防ぎ，不要部への回り込みによる成長（主
に熱CVDによる）も制御ができるという効果がある。
第１図は本考案の一実施例の構成概略図，第２図（ａ）
〜（ｄ）は本考案においてCVD時の膜の成長とスリット
の開口の関係を時間を追って表わす図，第３図（ａ）〜
（ｄ）は従来の方法によるCVD膜の成長とスリットの開
口の関係を時間を追って表わす図である。 記号の説明:1はレーザ光源,2はシャッタ,3は可変開口ス
リット,4はレンズ,5は試料,6はチャンバ,7は反応ガス,8
はスリット開口コントローラ,9はCVD膜をそれぞれあら
わす。
〜（ｄ）は本考案においてCVD時の膜の成長とスリット
の開口の関係を時間を追って表わす図，第３図（ａ）〜
（ｄ）は従来の方法によるCVD膜の成長とスリットの開
口の関係を時間を追って表わす図である。 記号の説明:1はレーザ光源,2はシャッタ,3は可変開口ス
リット,4はレンズ,5は試料,6はチャンバ,7は反応ガス,8
はスリット開口コントローラ,9はCVD膜をそれぞれあら
わす。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、反応ガスを流し、レーザ光を照
射し反応ガスに化学反応を起させ固体薄膜を析出せしめ
るレーザCVD装置において、前記固体薄膜の形状を決定
するためにレーザ光の通路に設けた可変スリットの開口
を、レーザ照射中にシーケンスに従って徐々に拡大させ
る手段を有することを特徴とするレーザCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988052098U JPH073632Y2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | レーザｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988052098U JPH073632Y2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | レーザｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01156538U JPH01156538U (ja) | 1989-10-27 |
| JPH073632Y2 true JPH073632Y2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=31278107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988052098U Expired - Lifetime JPH073632Y2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | レーザｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073632Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0834188B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1996-03-29 | 日本電気株式会社 | レーザｃｖｄ方法およびレーザｃｖｄ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627334B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1994-04-13 | 日本電気株式会社 | レ−ザ利用薄膜形成装置 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP1988052098U patent/JPH073632Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01156538U (ja) | 1989-10-27 |
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