JPH01156538U - - Google Patents

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JPH01156538U
JPH01156538U JP5209888U JP5209888U JPH01156538U JP H01156538 U JPH01156538 U JP H01156538U JP 5209888 U JP5209888 U JP 5209888U JP 5209888 U JP5209888 U JP 5209888U JP H01156538 U JPH01156538 U JP H01156538U
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laser
thin film
reactive gas
solid thin
laser beam
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の構成概略図、第２
図ａ〜ｄは本考案においてＣＶＤ時の膜の成長と
スリツトの開口の関係を時間を追つて表わす図、
第３図ａ〜ｄは従来の方法によるＣＶＤ膜の成長
とスリツトの開口の関係を時間を追つて表わす図
である。 記号の説明：１はレーザ光源、２はシヤツタ、
３は可変開口スリツト、４はレンズ、５は試料、
６はチヤンバ、７は反応ガス、８はスリツト開口
コントローラ、９はＣＶＤ膜をそれぞれあらわす
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板上に、反応ガスを流し、レーザ光を照射し
    反応ガスに化学反応を起させ固体薄膜を析出せし
    めるレーザＣＶＤ装置において、前記固体薄膜の
    形状を決定するためにレーザ光の通路に設けた可
    変スリツトの開口を、レーザ照射中にシーケンス
    に従つて変化させる手段を有することを特徴とす
    るレーザＣＶＤ装置。
JP1988052098U 1988-04-20 1988-04-20 レーザｃｖｄ装置 Expired - Lifetime JPH073632Y2 (ja)

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JPH01156538U true JPH01156538U (ja) 1989-10-27
JPH073632Y2 JPH073632Y2 (ja) 1995-01-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02260527A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Nec Corp レーザｃｖｄ方法およびレーザｃｖｄ装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6369979A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Nec Corp レ−ザ利用薄膜形成装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6369979A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Nec Corp レ−ザ利用薄膜形成装置

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02260527A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Nec Corp レーザｃｖｄ方法およびレーザｃｖｄ装置

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JPH073632Y2 (ja) 1995-01-30

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