JPH0737109A - ラインテキスチャ発生方法 - Google Patents
ラインテキスチャ発生方法Info
- Publication number
- JPH0737109A JPH0737109A JP5181694A JP18169493A JPH0737109A JP H0737109 A JPH0737109 A JP H0737109A JP 5181694 A JP5181694 A JP 5181694A JP 18169493 A JP18169493 A JP 18169493A JP H0737109 A JPH0737109 A JP H0737109A
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- Japan
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- vector
- texture
- drawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 見かけ上のテキスチャパターンを、ベクトル
の傾きによらず一定とする。 【構成】 対応する傾き角度で描画した場合に見かけ上
同一のテキスチャパターンとなるテキスチャパターン
を、各傾き角度に対応したテキスチャパターンメモリ1
2−1〜12−n上にデータとして格納する。ドットク
ロックをカウンタ10により計数して得られるアドレス
によって各テキスチャパターンメモリ12−1〜12−
nを参照し、その結果データとして得られるイネーブル
信号をn→1セレクタ14に入力する。n→1セレクタ
14は、ベクトルの傾き角度を示す角度情報をSEL端
子から入力していずれかのイネーブル信号を選択する。
このイネーブル信号は、ベクトルの傾き角度に応じて変
形されたテキスチャパターンを示すイネーブル信号であ
るため、見かけ上のテキスチャパターンがベクトルの傾
き角度に応じて変化することがなくなる。
の傾きによらず一定とする。 【構成】 対応する傾き角度で描画した場合に見かけ上
同一のテキスチャパターンとなるテキスチャパターン
を、各傾き角度に対応したテキスチャパターンメモリ1
2−1〜12−n上にデータとして格納する。ドットク
ロックをカウンタ10により計数して得られるアドレス
によって各テキスチャパターンメモリ12−1〜12−
nを参照し、その結果データとして得られるイネーブル
信号をn→1セレクタ14に入力する。n→1セレクタ
14は、ベクトルの傾き角度を示す角度情報をSEL端
子から入力していずれかのイネーブル信号を選択する。
このイネーブル信号は、ベクトルの傾き角度に応じて変
形されたテキスチャパターンを示すイネーブル信号であ
るため、見かけ上のテキスチャパターンがベクトルの傾
き角度に応じて変化することがなくなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ディジタル微分解析
(DDA)によりベクトルを描画する際、ドットクロッ
クに同期したイネーブル信号によってラインテキスチャ
を発生させるラインテキスチャ発生方法に関する。
(DDA)によりベクトルを描画する際、ドットクロッ
クに同期したイネーブル信号によってラインテキスチャ
を発生させるラインテキスチャ発生方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ディスプレイ装置のフレームメモリ上に
ベクトルを書き込む(描画する)際、当該ベクトルの始
点座標及び終点座標を用いたDDAが実行される。DD
Aは、周知のとおり、始点座標及び終点座標を初期的に
与え、ベクトルを構成すべきフレームメモリ上の各ドッ
トの座標値を所定タイミングで生成する方式である。各
ドットの座標値を生成する際、DDAにおいては、始点
座標及び終点座標によって定まるベクトルの傾き角度が
勘案される。例えば図3に示されるように、始点として
P1、終点としてP8が与えられた場合、始点P1と終
点P8を結ぶ直線から大きく離れないよう、ベクトルを
構成する各ドットP2〜P7が決定される。その際、各
ドットP1〜P8のX座標(フレームメモリのXアドレ
ス)及びY座標(フレームメモリのYアドレス)は、ド
ットクロック(Dot Clock)に同期して生成さ
れる。なお、以下の図中、左右方向がX、上下方向がY
座標である。
ベクトルを書き込む(描画する)際、当該ベクトルの始
点座標及び終点座標を用いたDDAが実行される。DD
Aは、周知のとおり、始点座標及び終点座標を初期的に
与え、ベクトルを構成すべきフレームメモリ上の各ドッ
トの座標値を所定タイミングで生成する方式である。各
ドットの座標値を生成する際、DDAにおいては、始点
座標及び終点座標によって定まるベクトルの傾き角度が
勘案される。例えば図3に示されるように、始点として
P1、終点としてP8が与えられた場合、始点P1と終
点P8を結ぶ直線から大きく離れないよう、ベクトルを
構成する各ドットP2〜P7が決定される。その際、各
ドットP1〜P8のX座標(フレームメモリのXアドレ
ス)及びY座標(フレームメモリのYアドレス)は、ド
ットクロック(Dot Clock)に同期して生成さ
れる。なお、以下の図中、左右方向がX、上下方向がY
座標である。
【0003】また、このような方法を用いてラインテキ
スチャ、例えば破線、一点鎖線等を発生させる場合に
は、描画を許可/禁止するイネーブル信号を用いる。こ
のイネーブル信号は、例えば図4に示されるようにドッ
トクロックと同期した信号であり、描画すべきドットの
描画タイミングにおいてはH値を、描画すべきでないド
ットの描画タイミングにおいてはL値をとる。イネーブ
ル信号がH値の場合当該ドットは描画され、L値の場合
描画されない。従って、イネーブル信号によって定まる
ラインテキスチャパターンで、ラインテキスチャが生成
されることとなる。
スチャ、例えば破線、一点鎖線等を発生させる場合に
は、描画を許可/禁止するイネーブル信号を用いる。こ
のイネーブル信号は、例えば図4に示されるようにドッ
トクロックと同期した信号であり、描画すべきドットの
描画タイミングにおいてはH値を、描画すべきでないド
ットの描画タイミングにおいてはL値をとる。イネーブ
ル信号がH値の場合当該ドットは描画され、L値の場合
描画されない。従って、イネーブル信号によって定まる
ラインテキスチャパターンで、ラインテキスチャが生成
されることとなる。
【0004】イネーブル信号は、例えば図5に示される
ような回路によって生成される。この図に示される回路
はカウンタ10及びテキスチャパターンメモリ12から
構成されている。
ような回路によって生成される。この図に示される回路
はカウンタ10及びテキスチャパターンメモリ12から
構成されている。
【0005】カウンタ10は、前述の所定周波数を有す
るドットクロックを計数するカウンタであり、カウンタ
10によるドットクロックの計数値はテキスチャパター
ンメモリ12に対してアドレスとして供給される。テキ
スチャパターンメモリ12は、発生させるべきラインテ
キスチャのテキスチャパターンをデータとして格納する
メモリである。テキスチャパターンメモリ12にカウン
タ10の計数値がアドレスとして与えられると、テキス
チャパターンメモリ12からは、発生させるべきライン
テキスチャのパターン、すなわちテキスチャパターンに
対応したイネーブル信号がデータとして出力される。こ
のイネーブル信号は、DDA後段のゲートに供給され、
これによって各ドットの描画の許可/禁止制御が実行さ
れる。
るドットクロックを計数するカウンタであり、カウンタ
10によるドットクロックの計数値はテキスチャパター
ンメモリ12に対してアドレスとして供給される。テキ
スチャパターンメモリ12は、発生させるべきラインテ
キスチャのテキスチャパターンをデータとして格納する
メモリである。テキスチャパターンメモリ12にカウン
タ10の計数値がアドレスとして与えられると、テキス
チャパターンメモリ12からは、発生させるべきライン
テキスチャのパターン、すなわちテキスチャパターンに
対応したイネーブル信号がデータとして出力される。こ
のイネーブル信号は、DDA後段のゲートに供給され、
これによって各ドットの描画の許可/禁止制御が実行さ
れる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法によってラインテキスチャを発生させると、同
一のテキスチャパターンによりラインテキスチャを発生
させた場合であっても、描画すべきベクトルの傾き角度
によって異なるテキスチャパターンに見えるという問題
点が発生する。例えば、図6に示されるように、A方向
にベクトルを描画する場合に比べ、A方向に対して45
°異なる方向のB方向にベクトルを描画する場合には、
テキスチャパターンは1.414倍長く見えてしまう。
うな方法によってラインテキスチャを発生させると、同
一のテキスチャパターンによりラインテキスチャを発生
させた場合であっても、描画すべきベクトルの傾き角度
によって異なるテキスチャパターンに見えるという問題
点が発生する。例えば、図6に示されるように、A方向
にベクトルを描画する場合に比べ、A方向に対して45
°異なる方向のB方向にベクトルを描画する場合には、
テキスチャパターンは1.414倍長く見えてしまう。
【0007】本発明はこのような問題点を解決すること
を課題としてなされたものであり、描画の傾き角度に起
因したラインテキスチャの見かけ上の相違を防止するこ
とを目的とする。
を課題としてなされたものであり、描画の傾き角度に起
因したラインテキスチャの見かけ上の相違を防止するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のラインテキスチャ発生方法は、ベク
トルの傾き角度によらず見かけ上一定のテキスチャパタ
ーンとなるよう、描画すべきベクトルの傾き角度に応じ
てテキスチャパターンを選択し、選択したテキスチャパ
ターンを表すイネーブル信号を発生させることを特徴と
する。
るために、本発明のラインテキスチャ発生方法は、ベク
トルの傾き角度によらず見かけ上一定のテキスチャパタ
ーンとなるよう、描画すべきベクトルの傾き角度に応じ
てテキスチャパターンを選択し、選択したテキスチャパ
ターンを表すイネーブル信号を発生させることを特徴と
する。
【0009】また、本発明のイネーブル信号発生方法
は、テキスチャパターンメモリが複数種類の傾き角度に
対応して複数個使用されると共に、各テキスチャパター
ンメモリに予め格納されるテキスチャパターンが、対応
する傾き角度でベクトルを描画した場合に見かけ上同一
のテキスチャパターンとなる互いに異なるテキスチャパ
ターンであり、複数個のテキスチャパターンメモリから
それぞれ出力されるイネーブル信号のいずれかを、描画
すべきベクトルの傾き角度に応じて選択することを特徴
とする。
は、テキスチャパターンメモリが複数種類の傾き角度に
対応して複数個使用されると共に、各テキスチャパター
ンメモリに予め格納されるテキスチャパターンが、対応
する傾き角度でベクトルを描画した場合に見かけ上同一
のテキスチャパターンとなる互いに異なるテキスチャパ
ターンであり、複数個のテキスチャパターンメモリから
それぞれ出力されるイネーブル信号のいずれかを、描画
すべきベクトルの傾き角度に応じて選択することを特徴
とする。
【0010】更に、本発明のイネーブル信号発生回路
は、対応する傾き角度でベクトルを描画した場合に見か
け上同一のテキスチャパターンとなる互いに異なるテキ
スチャパターンがそれぞれ格納されるよう、テキスチャ
パターンメモリを複数種類の傾き角度に対応して複数個
設けると共に、複数個のテキスチャパターンメモリから
それぞれ出力されるイネーブル信号のいずれかを、描画
すべきベクトルの傾き角度に応じて選択する手段を備え
ることを特徴とする。
は、対応する傾き角度でベクトルを描画した場合に見か
け上同一のテキスチャパターンとなる互いに異なるテキ
スチャパターンがそれぞれ格納されるよう、テキスチャ
パターンメモリを複数種類の傾き角度に対応して複数個
設けると共に、複数個のテキスチャパターンメモリから
それぞれ出力されるイネーブル信号のいずれかを、描画
すべきベクトルの傾き角度に応じて選択する手段を備え
ることを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明のラインテキスチャ発生方法において
は、描画すべきベクトルの傾き角度に応じてイネーブル
信号が生成される。従って、このイネーブル信号を用い
て描画制御を行うに当たって、見かけ上のテキスチャパ
ターンが、ベクトルの傾き角度によらず一定となるよう
当該制御を行うことが可能となる。これにより、ベクト
ルの傾き角度によるテキスチャパターンの見かけ上の相
違が防止される。
は、描画すべきベクトルの傾き角度に応じてイネーブル
信号が生成される。従って、このイネーブル信号を用い
て描画制御を行うに当たって、見かけ上のテキスチャパ
ターンが、ベクトルの傾き角度によらず一定となるよう
当該制御を行うことが可能となる。これにより、ベクト
ルの傾き角度によるテキスチャパターンの見かけ上の相
違が防止される。
【0012】また、本発明のイネーブル信号発生方法及
び回路においては、複数種類の傾き角度に対応して、テ
キスチャパターンメモリが複数個使用される。このテキ
スチャパターンメモリ上には、それぞれ、異なるテキス
チャパターンが格納される。各テキスチャパターンは、
対応する傾き角度で描画した場合に見かけ上同一のテキ
スチャパターンとなるパターンである。また、本発明に
おいては、複数個のテキスチャパターンメモリからそれ
ぞれ出力されるイネーブル信号のいずれかが、描画すべ
きベクトルの傾き角度に応じて選択される。従って、本
発明においては、生成出力されるイネーブル信号を用い
て各ドットの描画制御を行った場合にベクトルの傾き角
度によらず見かけ上のテキスチャパターンが一定とな
る。
び回路においては、複数種類の傾き角度に対応して、テ
キスチャパターンメモリが複数個使用される。このテキ
スチャパターンメモリ上には、それぞれ、異なるテキス
チャパターンが格納される。各テキスチャパターンは、
対応する傾き角度で描画した場合に見かけ上同一のテキ
スチャパターンとなるパターンである。また、本発明に
おいては、複数個のテキスチャパターンメモリからそれ
ぞれ出力されるイネーブル信号のいずれかが、描画すべ
きベクトルの傾き角度に応じて選択される。従って、本
発明においては、生成出力されるイネーブル信号を用い
て各ドットの描画制御を行った場合にベクトルの傾き角
度によらず見かけ上のテキスチャパターンが一定とな
る。
【0013】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面に
基づき説明する。なお、図3乃至図6に示される従来例
と同様の構成には同一の符号を付し説明を省略する。
基づき説明する。なお、図3乃至図6に示される従来例
と同様の構成には同一の符号を付し説明を省略する。
【0014】図1には本発明の一実施例に係るイネーブ
ル信号発生回路の構成が、図2にはこの回路を用いて実
現したラインテキスチャ発生方法が、それぞれ示されて
いる。
ル信号発生回路の構成が、図2にはこの回路を用いて実
現したラインテキスチャ発生方法が、それぞれ示されて
いる。
【0015】図1に示されるように、本実施例の回路
は、テキスチャパターンメモリ12をn個(12−1〜
12−n)設けている。各テキスチャパターンメモリ1
2−1〜12−nには、同一のテキスチャパターンを、
描画すべきベクトルの傾き角度に応じて変形したテキス
チャパターンがデータとして格納されている。従って、
カウンタ10の計数値をアドレスとして各テキスチャパ
ターンメモリ12−1〜12−nを参照した場合、各テ
キスチャパターンメモリ12−1〜12−nからデータ
として出力されるイネーブル信号は、それぞれ異なるパ
ターンとなる。また、テキスチャパターンメモリ12−
1〜12−nの後段にはn→1セレクタ14が設けられ
ている。このn→1セレクタ14は描画すべきベクトル
の傾き角度を示す角度情報をSEL端子から入力し、入
力した角度情報に応じていずれかのイネーブル信号を選
択出力する。
は、テキスチャパターンメモリ12をn個(12−1〜
12−n)設けている。各テキスチャパターンメモリ1
2−1〜12−nには、同一のテキスチャパターンを、
描画すべきベクトルの傾き角度に応じて変形したテキス
チャパターンがデータとして格納されている。従って、
カウンタ10の計数値をアドレスとして各テキスチャパ
ターンメモリ12−1〜12−nを参照した場合、各テ
キスチャパターンメモリ12−1〜12−nからデータ
として出力されるイネーブル信号は、それぞれ異なるパ
ターンとなる。また、テキスチャパターンメモリ12−
1〜12−nの後段にはn→1セレクタ14が設けられ
ている。このn→1セレクタ14は描画すべきベクトル
の傾き角度を示す角度情報をSEL端子から入力し、入
力した角度情報に応じていずれかのイネーブル信号を選
択出力する。
【0016】例えば図2に示されるように、ベクトルを
A方向に描画する場合を考える。方向Aの傾き角度、す
なわち0に対応するテキスチャパターンが複数個のテキ
スチャパターンメモリ12−1〜12−nのいずれか
(例えば12−1)に格納されており、当該テキスチャ
パターンメモリ12−1からデータとして読み出したイ
ネーブル信号(すなわち傾き角度0に対応するテキスチ
ャパターン)が図2においてイネーブル信号Aで示され
るような信号であるとすると、A方向に沿って描画され
るベクトルのテキスチャパターンは、5個描画、4個非
描画、1個描画といったテキスチャパターンとなる。こ
れに対し、B方向に相当する傾き角度45°のテキスチ
ャパターンが、上述したテキスチャパターンメモリ12
−1〜12−nのいずれか(例えば12−3)に格納さ
れており、当該テキスチャパターンメモリ12−3から
データとして読み出したイネーブル信号が図2において
イネーブル信号Bで表わされるようなパターンであると
すると、B方向に沿って描画されるベクトルのパターン
は4個描画、3個非描画、1個描画といったパターンと
なる。
A方向に描画する場合を考える。方向Aの傾き角度、す
なわち0に対応するテキスチャパターンが複数個のテキ
スチャパターンメモリ12−1〜12−nのいずれか
(例えば12−1)に格納されており、当該テキスチャ
パターンメモリ12−1からデータとして読み出したイ
ネーブル信号(すなわち傾き角度0に対応するテキスチ
ャパターン)が図2においてイネーブル信号Aで示され
るような信号であるとすると、A方向に沿って描画され
るベクトルのテキスチャパターンは、5個描画、4個非
描画、1個描画といったテキスチャパターンとなる。こ
れに対し、B方向に相当する傾き角度45°のテキスチ
ャパターンが、上述したテキスチャパターンメモリ12
−1〜12−nのいずれか(例えば12−3)に格納さ
れており、当該テキスチャパターンメモリ12−3から
データとして読み出したイネーブル信号が図2において
イネーブル信号Bで表わされるようなパターンであると
すると、B方向に沿って描画されるベクトルのパターン
は4個描画、3個非描画、1個描画といったパターンと
なる。
【0017】このようにして得られる2種類のラインテ
キスチャを比較した場合、見かけ上のテキスチャパター
ンはほぼ同一となる。すなわち、図6に示されるような
見かけ上のテキスチャパターンの相違は発生していな
い。本実施例の特徴は、テキスチャパターンメモリ12
を複数個設けるとともに、見かけ上のテキスチャパター
ンが一定となるよう、各テキスチャパターンメモリ12
−1〜12−nに格納するテキスチャパターンを設定し
たことにある。
キスチャを比較した場合、見かけ上のテキスチャパター
ンはほぼ同一となる。すなわち、図6に示されるような
見かけ上のテキスチャパターンの相違は発生していな
い。本実施例の特徴は、テキスチャパターンメモリ12
を複数個設けるとともに、見かけ上のテキスチャパター
ンが一定となるよう、各テキスチャパターンメモリ12
−1〜12−nに格納するテキスチャパターンを設定し
たことにある。
【0018】従って、本実施例によれば、ラインテキス
チャを発生させる際、ベクトルの傾き角度によらず見か
け上同一のテキスチャパターンが得られる。
チャを発生させる際、ベクトルの傾き角度によらず見か
け上同一のテキスチャパターンが得られる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のラインテ
キスチャ発生方法によれば、描画すべきベクトルの傾き
角度に応じてイネーブル信号を発生させ、このイネーブ
ル信号を用いて各ドットの描画可否を制御するようにし
たため、ラインテキスチャを発生するに当たってベクト
ルの傾きによらず見かけ上一定のテキスチャパターンと
なる。
キスチャ発生方法によれば、描画すべきベクトルの傾き
角度に応じてイネーブル信号を発生させ、このイネーブ
ル信号を用いて各ドットの描画可否を制御するようにし
たため、ラインテキスチャを発生するに当たってベクト
ルの傾きによらず見かけ上一定のテキスチャパターンと
なる。
【0020】また、本発明のイネーブル信号発生方法及
び回路によれば、テキスチャパターンメモリを複数個使
用すると共に、各テキスチャパターンメモリに格納する
テキスチャパターンを対応する傾き角度で描画した場合
に見かけ上同一のテキスチャパターンとなるテキスチャ
パターンとしたため、各テキスチャパターンメモリから
出力されるイネーブル信号のうちいずれかを描画すべき
ベクトルの傾き角度に応じて選択することにより、見か
け上のテキスチャパターンがベクトルの傾きによらず一
定となる。従って、このようにして生成したイネーブル
信号を各ドットの描画可否の制御に用いることにより、
好適なラインテキスチャ生成を実現することができる。
び回路によれば、テキスチャパターンメモリを複数個使
用すると共に、各テキスチャパターンメモリに格納する
テキスチャパターンを対応する傾き角度で描画した場合
に見かけ上同一のテキスチャパターンとなるテキスチャ
パターンとしたため、各テキスチャパターンメモリから
出力されるイネーブル信号のうちいずれかを描画すべき
ベクトルの傾き角度に応じて選択することにより、見か
け上のテキスチャパターンがベクトルの傾きによらず一
定となる。従って、このようにして生成したイネーブル
信号を各ドットの描画可否の制御に用いることにより、
好適なラインテキスチャ生成を実現することができる。
【図1】本発明の一実施例に係るイネーブル信号発生回
路の構成を示すブロック図である。
路の構成を示すブロック図である。
【図2】この実施例におけるラインテキスチャの一例を
示す図である。
示す図である。
【図3】DDAによるベクトルの描画を説明するための
図である。
図である。
【図4】イネーブル信号を用いたテキスチャパターンの
実現方法を示す図である。
実現方法を示す図である。
【図5】従来例に係るイネーブル信号発生回路の構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図6】従来における問題点を示す図である。
10 カウンタ 12−1〜12−n テキスチャパターンメモリ 14 n→1セレクタ
Claims (3)
- 【請求項1】 その始点座標及び終点座標を用いてベク
トルをディジタル微分解析することにより当該ベクトル
を構成する各ドットの座標値を発生させ、発生させた座
標値に基づきかつドットクロックに同期して各ドットを
描画する際、ドットクロックに同期しかつテキスチャパ
ターンを表すイネーブル信号によって描画可否を制御す
ることにより、ラインテキスチャを発生させるラインテ
キスチャ発生方法において、 ベクトルの傾き角度によらず見かけ上一定のテキスチャ
パターンとなるよう、描画すべきベクトルの傾き角度に
応じてテキスチャパターンを選択し、選択したテキスチ
ャパターンを表すイネーブル信号を発生させることを特
徴とするラインテキスチャ発生方法。 - 【請求項2】 描画すべきベクトルのテキスチャパター
ンをデータとしてテキスチャパターンメモリ上の一連の
アドレスに予め格納しておき、アドレス順にテキスチャ
パターンメモリを参照し、これによりテキスチャパター
ンメモリから出力されるデータを、上記ベクトルの各ド
ットの描画可否を示すイネーブル信号として出力するイ
ネーブル信号発生方法において、 テキスチャパターンメモリが複数種類の傾き角度に対応
して複数個使用されると共に、 各テキスチャパターンメモリに予め格納されるテキスチ
ャパターンが、対応する傾き角度でベクトルを描画した
場合に見かけ上同一のテキスチャパターンとなる互いに
異なるテキスチャパターンであり、 複数個のテキスチャパターンメモリからそれぞれ出力さ
れるイネーブル信号のいずれかを、描画すべきベクトル
の傾き角度に応じて選択することを特徴とするイネーブ
ル信号発生方法。 - 【請求項3】 描画すべきベクトルのテキスチャパター
ンがデータとして一連のアドレスに予め格納されるテキ
スチャパターンメモリと、ドットクロックを計数し計数
値を用いてアドレス順にテキスチャパターンメモリを参
照する手段と、を備え、テキスチャパターンメモリから
出力されるデータを、上記ベクトルの各ドットの描画可
否を示すイネーブル信号として出力するイネーブル信号
発生回路において、 対応する傾き角度でベクトルを描画した場合に見かけ上
同一のテキスチャパターンとなる互いに異なるテキスチ
ャパターンがそれぞれ格納されるよう、テキスチャパタ
ーンメモリを複数種類の傾き角度に対応して複数個設け
ると共に、 複数個のテキスチャパターンメモリからそれぞれ出力さ
れるイネーブル信号のいずれかを、描画すべきベクトル
の傾き角度に応じて選択する手段を備えることを特徴と
するイネーブル信号発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5181694A JPH0737109A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | ラインテキスチャ発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5181694A JPH0737109A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | ラインテキスチャ発生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737109A true JPH0737109A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16105239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5181694A Pending JPH0737109A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | ラインテキスチャ発生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737109A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10124692A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Nec Corp | 描画回路 |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP5181694A patent/JPH0737109A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10124692A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-15 | Nec Corp | 描画回路 |
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