JPH0737311Y2 - 処理装置の気泡発生防止装置 - Google Patents
処理装置の気泡発生防止装置Info
- Publication number
- JPH0737311Y2 JPH0737311Y2 JP1990032816U JP3281690U JPH0737311Y2 JP H0737311 Y2 JPH0737311 Y2 JP H0737311Y2 JP 1990032816 U JP1990032816 U JP 1990032816U JP 3281690 U JP3281690 U JP 3281690U JP H0737311 Y2 JPH0737311 Y2 JP H0737311Y2
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- Japan
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- discharge port
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- liquid
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Links
- 230000002265 prevention Effects 0.000 title description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 20
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】 《産業上の利用分野》 本考案は、液晶表示素子に使用するガラス基板やシリコ
ンウエハー、セラミックチップ(以下、基板という)等
を洗剤を使用して洗浄する洗浄ラインや現像液を基板に
あびせる(シャワーする)現像ライン等の処理装置の気
泡発生防止装置に関する。
ンウエハー、セラミックチップ(以下、基板という)等
を洗剤を使用して洗浄する洗浄ラインや現像液を基板に
あびせる(シャワーする)現像ライン等の処理装置の気
泡発生防止装置に関する。
《従来の技術》 従来、例えば液晶表示素子には基板(ガラス基板)が使
用されており、この基板にゴミ、ケバなどの不純物が付
着していると、製造工程のすべてにおいて、予期しない
トラブル(例えば液晶分子の配向むら、シール不良やセ
グメント電極とコモン電極間の短絡等)の原因となる。
用されており、この基板にゴミ、ケバなどの不純物が付
着していると、製造工程のすべてにおいて、予期しない
トラブル(例えば液晶分子の配向むら、シール不良やセ
グメント電極とコモン電極間の短絡等)の原因となる。
このため従来では液晶素子の製造工程の最初において例
えば第3図に示すような洗浄ラインを使用して基板の洗
浄を行なっている。
えば第3図に示すような洗浄ラインを使用して基板の洗
浄を行なっている。
すなわち、矢印a方向よりラインへ搬入されたガラス基
板は、まずローダbによりシャワー室cへ搬入されて基
板に処理液(洗浄液)がかけられ、次にブラシ洗浄室d
でブラシにより洗浄された後、液切室eで基板に付着し
た処理液の液切りが、例えば冷風等を利用して行なわれ
る。
板は、まずローダbによりシャワー室cへ搬入されて基
板に処理液(洗浄液)がかけられ、次にブラシ洗浄室d
でブラシにより洗浄された後、液切室eで基板に付着し
た処理液の液切りが、例えば冷風等を利用して行なわれ
る。
その後、ジェット洗浄室fで純水等のジェット流により
洗浄され、さらにシャワー室g、超音波洗浄室hを経て
乾燥室iで乾燥された後、アンローダjにより乾燥室i
より搬出されるようになっている。
洗浄され、さらにシャワー室g、超音波洗浄室hを経て
乾燥室iで乾燥された後、アンローダjにより乾燥室i
より搬出されるようになっている。
上記のような洗浄ラインでは、シャワー室cやブラシ洗
浄室dなどに第4図に示すような処理装置Bが使用され
ている。この処理装置は底部に排出口mを有する処理槽
kとタンクnから構成されている。前記処理槽k(ブラ
シ洗浄室の場合は、回転ブラシが追加される)は、ポン
プlより供給された処理液を基板oにノズルを介して上
下方向(必要に応じて一方向のみの場合もある)より吹
きつけることにより基板oを洗浄している。
浄室dなどに第4図に示すような処理装置Bが使用され
ている。この処理装置は底部に排出口mを有する処理槽
kとタンクnから構成されている。前記処理槽k(ブラ
シ洗浄室の場合は、回転ブラシが追加される)は、ポン
プlより供給された処理液を基板oにノズルを介して上
下方向(必要に応じて一方向のみの場合もある)より吹
きつけることにより基板oを洗浄している。
また、洗浄の終った処理液は、前記処理槽kの底部に設
けられた排出口mよりタンクn内へ落下して回収された
後、再びポンプlにより処理槽k内へ循環されるように
なっている。
けられた排出口mよりタンクn内へ落下して回収された
後、再びポンプlにより処理槽k内へ循環されるように
なっている。
《考案が解決しようとする課題》 上記従来の洗浄ラインの処理装置Bの処理槽kでは、洗
浄の終った処理液が排出口mよりタンクn内へ落下する
際、空気を巻き込んで処理液中に気泡pが発生し、この
気泡pが処理液と共にポンプlにより処理槽kへと循環
されたり、タンクn内で発生した気泡pがあふれて処理
槽kまで到達するため、洗浄むらが生じて基板oの不良
品発生の原因となったり、ポンプlの故障などの原因と
なる。
浄の終った処理液が排出口mよりタンクn内へ落下する
際、空気を巻き込んで処理液中に気泡pが発生し、この
気泡pが処理液と共にポンプlにより処理槽kへと循環
されたり、タンクn内で発生した気泡pがあふれて処理
槽kまで到達するため、洗浄むらが生じて基板oの不良
品発生の原因となったり、ポンプlの故障などの原因と
なる。
本考案は、上記不具合を改善するためになされたもの
で、処理槽内で気泡が発生するのを防止する処理装置の
気泡発生防止装置を提供することを目的とするものであ
る。
で、処理槽内で気泡が発生するのを防止する処理装置の
気泡発生防止装置を提供することを目的とするものであ
る。
《課題を解決するための手段》 本考案は、上記目的を達成するために、処理槽と、この
処理槽の底部に設けられた排出口と、前記処理槽の下方
に設けられ前記排出口からの処理液を回収するタンクか
らなる処理装置において、前記排出口内に螺旋板を設け
た構成にしてある。
処理槽の底部に設けられた排出口と、前記処理槽の下方
に設けられ前記排出口からの処理液を回収するタンクか
らなる処理装置において、前記排出口内に螺旋板を設け
た構成にしてある。
《作用》 かかる構成にすることにより、基板の洗浄を終えた処理
液が処理槽より排出口を経てタンク内へ回収される際、
処理液中に空気が巻き込まれることが少なくなるため、
処理液中に気泡が発生するのを最小限に防止することが
できる。
液が処理槽より排出口を経てタンク内へ回収される際、
処理液中に空気が巻き込まれることが少なくなるため、
処理液中に気泡が発生するのを最小限に防止することが
できる。
《実施例》 以下、本考案の実施例を第1図及び第2図に示す図面を
参照して詳述する。
参照して詳述する。
第1図は洗浄ラインのシャワー室やブラシ洗浄室、現像
ラインのシャワー室などの処理装置Aの断面図を示す。
上記処理装置Aは、処理槽1と、この処理槽1の底部に
設けられた排出口7と、この排出口7からの処理液を回
収するタンク8と、前記排出口7の内に設けられた螺旋
板13等からなる気泡発生防止装置10とから構成されてい
る。
ラインのシャワー室などの処理装置Aの断面図を示す。
上記処理装置Aは、処理槽1と、この処理槽1の底部に
設けられた排出口7と、この排出口7からの処理液を回
収するタンク8と、前記排出口7の内に設けられた螺旋
板13等からなる気泡発生防止装置10とから構成されてい
る。
前記処理槽1は上面が開口し、この開口部は基板面に対
して傾斜するように構成されていて、上記開口部は開閉
自在な蓋体2により閉鎖されている。
して傾斜するように構成されていて、上記開口部は開閉
自在な蓋体2により閉鎖されている。
また処理槽1内には洗浄すべき基板3を搬送する搬送装
置4が設けられていて、この搬送装置4の上方及び下方
にシャワーノズル5(必要に応じてどちらか一方の場合
もある)が設置されている。上記シャワーノズル5は処
理槽1の外側に設けられたポンプ6に接続されていて、
このポンプ6より供給された処理液は、シャワーノズル
5より搬送装置4上の基板3に上下方向から噴出され、
基板3を洗浄するようになっている。
置4が設けられていて、この搬送装置4の上方及び下方
にシャワーノズル5(必要に応じてどちらか一方の場合
もある)が設置されている。上記シャワーノズル5は処
理槽1の外側に設けられたポンプ6に接続されていて、
このポンプ6より供給された処理液は、シャワーノズル
5より搬送装置4上の基板3に上下方向から噴出され、
基板3を洗浄するようになっている。
一方、基板3の洗浄を終えた処理液は、処理槽1の底部
に設けられた排出口7に集められて、この排出口7より
処理槽1の下方に設置されたタンク8内へ落下するよう
になっている。
に設けられた排出口7に集められて、この排出口7より
処理槽1の下方に設置されたタンク8内へ落下するよう
になっている。
上記排出口7は筒状に形成されていて、下端はタンク8
の底部近傍に達していると共に、排出口7内に気泡発生
防止装置10が設けられている。この気泡発生防止装置10
は排出口7の中心に位置し、かつ上下端が排出口7の上
端及び下端にブラケット11により固定された芯棒12と、
この芯棒12に螺旋状に設けられた、処理液の落下衝撃を
緩和する手段としての螺旋板13より構成され、螺旋板13
の外周部は排出口7の内周面に近接または接している。
の底部近傍に達していると共に、排出口7内に気泡発生
防止装置10が設けられている。この気泡発生防止装置10
は排出口7の中心に位置し、かつ上下端が排出口7の上
端及び下端にブラケット11により固定された芯棒12と、
この芯棒12に螺旋状に設けられた、処理液の落下衝撃を
緩和する手段としての螺旋板13より構成され、螺旋板13
の外周部は排出口7の内周面に近接または接している。
そして上記気泡発生防止装置10の螺旋板13を経てタンク
8内へ落下回収された処理液は再びポンプ6により処理
槽1内へ循環されるようになっている。
8内へ落下回収された処理液は再びポンプ6により処理
槽1内へ循環されるようになっている。
次に作用を説明すると、ポンプ6により処理槽1内へ供
給された処理液は、シャワーノズル5より基板3へ上下
方向より吹きかけられ、基板3の洗浄に供せられる。ま
た、この際処理液は気泡が混入する。
給された処理液は、シャワーノズル5より基板3へ上下
方向より吹きかけられ、基板3の洗浄に供せられる。ま
た、この際処理液は気泡が混入する。
基板3を洗浄した処理液は、処理槽1底部の排出口7よ
りタンク8内へ落下する際、気泡発生防止装置10の螺旋
板13に案内されて矢印に示すように旋回されながら、タ
ンク8内へ達するため、空気を巻き込むことにより生じ
る泡立ちがほとんどなく、これによって処理液中に気泡
が発生するのを最小限に防止することができる。また、
第1図からも明らかなように排出口7の下端はタンク8
の底部近傍まで達しているので、処理液の上下の変動に
対しても落下衝撃を緩和する効果に影響を受けることが
ない。さらに、気泡を含んだ処理液でも螺旋板13により
旋回しながら長い流路を時間をかけてゆっくりと処理液
が落下するので気泡が消滅する。
りタンク8内へ落下する際、気泡発生防止装置10の螺旋
板13に案内されて矢印に示すように旋回されながら、タ
ンク8内へ達するため、空気を巻き込むことにより生じ
る泡立ちがほとんどなく、これによって処理液中に気泡
が発生するのを最小限に防止することができる。また、
第1図からも明らかなように排出口7の下端はタンク8
の底部近傍まで達しているので、処理液の上下の変動に
対しても落下衝撃を緩和する効果に影響を受けることが
ない。さらに、気泡を含んだ処理液でも螺旋板13により
旋回しながら長い流路を時間をかけてゆっくりと処理液
が落下するので気泡が消滅する。
なお上記実施例では、螺旋板13により処理液がタンク8
内へ落ちる速度を遅くしたが、第2図に示すように排出
口7内に邪魔板14を斜めに交互に設けて、処理液の落ち
る速度を遅くしても同様な気泡発生防止効果が得られ
る。
内へ落ちる速度を遅くしたが、第2図に示すように排出
口7内に邪魔板14を斜めに交互に設けて、処理液の落ち
る速度を遅くしても同様な気泡発生防止効果が得られ
る。
また、処理槽1の開口部を基板面に対して傾斜するよう
に構成しているので、蓋体2の内面についた水滴等は基
板3に落ちることがないので、水滴による処理むら等が
起こらない。
に構成しているので、蓋体2の内面についた水滴等は基
板3に落ちることがないので、水滴による処理むら等が
起こらない。
《考案の効果》 本考案は、以上詳述したように、基板の洗浄を終えて排
出口よりタンク内へ落下する処理液の落下衝撃を螺旋板
により緩和したことから、空気の巻き込みによる気泡の
発生が最小限に防止できる。
出口よりタンク内へ落下する処理液の落下衝撃を螺旋板
により緩和したことから、空気の巻き込みによる気泡の
発生が最小限に防止できる。
これによって処理液中に混入した気泡処理装置の処理槽
内へ循環されることがないため、気泡による基板の洗浄
むら、ポンプの故障、タンクよりの気泡の流出、処理槽
内への気泡の侵入などの不都合を解消することができる
内へ循環されることがないため、気泡による基板の洗浄
むら、ポンプの故障、タンクよりの気泡の流出、処理槽
内への気泡の侵入などの不都合を解消することができる
第1図は本考案の一実施例による処理装置及び気泡発生
防止装置の断面図、第2図は気泡発生防止装置の他の実
施例を示す説明図、第3図は洗浄ラインの説明図、第4
図は同処理装置の説明図である。 1……処理槽、3……基板、7……排出口、8……タン
ク、10……気泡発生防止装置、A、B……処理装置。
防止装置の断面図、第2図は気泡発生防止装置の他の実
施例を示す説明図、第3図は洗浄ラインの説明図、第4
図は同処理装置の説明図である。 1……処理槽、3……基板、7……排出口、8……タン
ク、10……気泡発生防止装置、A、B……処理装置。
Claims (1)
- 【請求項1】処理槽と、この処理槽の底部に設けられた
排出口と、前記処理槽の下方に設けられ前記排出口から
の処理液を回収するタンクからなる処理装置において、
前記排出口内に螺旋板を設けたことを特徴とする処理装
置の気泡発生防止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990032816U JPH0737311Y2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 処理装置の気泡発生防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990032816U JPH0737311Y2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 処理装置の気泡発生防止装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124635U JPH03124635U (ja) | 1991-12-17 |
| JPH0737311Y2 true JPH0737311Y2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=31536016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990032816U Expired - Lifetime JPH0737311Y2 (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 処理装置の気泡発生防止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737311Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009032217A1 (de) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Substraten |
| JP2011106888A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Aloka Co Ltd | 液体計量容器および液体計量装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319331U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-08 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP1990032816U patent/JPH0737311Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03124635U (ja) | 1991-12-17 |
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