JPH0737532B2 - オルガノポリシラン、SiC−繊維、多孔性SiC−セラミック及び保護被覆の製法 - Google Patents
オルガノポリシラン、SiC−繊維、多孔性SiC−セラミック及び保護被覆の製法Info
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- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
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Description
【0001】
【産業上の利用分】本発明は、オルガノポリシランの製
法及びその使用に関する。
法及びその使用に関する。
【0002】
【従来の技術】オルガノポリシランの製法は公知であ
る。W.H.アトウエル(Atwell)及びD.R.
ウエインベルク(Weyenberg)は、例えばJ.
Am.Chem.Soc.90(1963)、3438
頁に、ジメトキシテトラメチルジシランからオルガノポ
リシランを製造する方法を記載している。しかしなが
ら、この方法では、僅かな鎖長のオルガノポリシランが
得られるだけである。米国再発行特許(US Re)第
31447号明細書(Baney等;Dow Corn
ing Corporation,1983年11月2
2日公告)から、SiOC−結合メトキシ基を有するオ
ルガノポリシランを製造する2工程法が公知である。米
国特許(US−PS)第4667046号(B.Pac
haly, Wacker−Chemie GmbH;
1987年5月19日公告)明細書には、メトキシジシ
ラン及アルカリ金属化合物と共にSi−結合水素原子を
有するオルガノシラン少なくとも1種を含有するオルガ
ノポリシランの製法が公知である。更に、米国特許第4
889904号(G.Burns,Dow Corni
ng Corp;1989年12月26日公告)明細書
中には、メチルポリシランの製法が記載されており、こ
の方法では、反応混合物がアルコキシ官能ジシランと共
に、少なくとも1個の不飽和置換基を有するアルコキシ
官能シランを含有している。
る。W.H.アトウエル(Atwell)及びD.R.
ウエインベルク(Weyenberg)は、例えばJ.
Am.Chem.Soc.90(1963)、3438
頁に、ジメトキシテトラメチルジシランからオルガノポ
リシランを製造する方法を記載している。しかしなが
ら、この方法では、僅かな鎖長のオルガノポリシランが
得られるだけである。米国再発行特許(US Re)第
31447号明細書(Baney等;Dow Corn
ing Corporation,1983年11月2
2日公告)から、SiOC−結合メトキシ基を有するオ
ルガノポリシランを製造する2工程法が公知である。米
国特許(US−PS)第4667046号(B.Pac
haly, Wacker−Chemie GmbH;
1987年5月19日公告)明細書には、メトキシジシ
ラン及アルカリ金属化合物と共にSi−結合水素原子を
有するオルガノシラン少なくとも1種を含有するオルガ
ノポリシランの製法が公知である。更に、米国特許第4
889904号(G.Burns,Dow Corni
ng Corp;1989年12月26日公告)明細書
中には、メチルポリシランの製法が記載されており、こ
の方法では、反応混合物がアルコキシ官能ジシランと共
に、少なくとも1個の不飽和置換基を有するアルコキシ
官能シランを含有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、オル
ガノポリシランを製造するための簡単な方法を提供する
ことであった。
ガノポリシランを製造するための簡単な方法を提供する
ことであった。
【0004】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
り解決される。
り解決される。
【0005】本発明の目的は、オルガノポリシランの製
法であり、これは、一般式: RkR3 mSi2(OR1)6−k−m (I) [式中Rは同一又は異なるものであってよく、水素又は
1価の飽和有機基を表わし、R3は同一又は異なるもの
であってよく、1価の不飽和有機基を表わし、R1は同
一又は異なるものであってよく、1価のアルキル基を表
わし、kは0、1、2又は3であり、mは1、2、3又
は4であり、ここでkとmの合計は4以下である]のジ
シラン少なくとも1種を、場合により、式: RnSi2(OR1)6−n (II) [式中R及びR1は同一又は異なるものであってよく、
前記のものを表わし、nは0、1、2又は3である]の
化合物と混合して、一般式: MOR2 (III) [式中R2は1価の炭化水素基であり、Mはアルカリ金
属原子を表わす]の化合物少なくとも1種の存在下に、
反応させることよりなる。
法であり、これは、一般式: RkR3 mSi2(OR1)6−k−m (I) [式中Rは同一又は異なるものであってよく、水素又は
1価の飽和有機基を表わし、R3は同一又は異なるもの
であってよく、1価の不飽和有機基を表わし、R1は同
一又は異なるものであってよく、1価のアルキル基を表
わし、kは0、1、2又は3であり、mは1、2、3又
は4であり、ここでkとmの合計は4以下である]のジ
シラン少なくとも1種を、場合により、式: RnSi2(OR1)6−n (II) [式中R及びR1は同一又は異なるものであってよく、
前記のものを表わし、nは0、1、2又は3である]の
化合物と混合して、一般式: MOR2 (III) [式中R2は1価の炭化水素基であり、Mはアルカリ金
属原子を表わす]の化合物少なくとも1種の存在下に、
反応させることよりなる。
【0006】基Rは、有利に水素原子及び炭素原子数1
〜12の飽和炭化水素基である。
〜12の飽和炭化水素基である。
【0007】基Rの例は、次のものである:アルキル基
例えばメチル−、エチル−、n−プロピル−、イソ−プ
ロピル−、n−ブチル−、イソ−ブチル−、t−ブチル
−、n−ペンチル−、イソ−ペンチル−、ネオ−ペンチ
ル−、t−ペンチル基、ヘキシル基例えばn−ヘキシル
基、ヘプチル基例えばn−ヘプチル基、オクチル基例え
ばn−オクチル基及びイソ−オクチル基、例えば2,
2,4−トリメチルペンチル基、ノニル基例えばn−ノ
ニル基、デシル基例えばn−デシル基、ドデシル基例え
ばn−ドデシル基及びシクロアルキル基例えばシクロペ
ンチル−、シクロヘキシル−、シクロヘプチル基及びメ
チルシクロヘキシル基。
例えばメチル−、エチル−、n−プロピル−、イソ−プ
ロピル−、n−ブチル−、イソ−ブチル−、t−ブチル
−、n−ペンチル−、イソ−ペンチル−、ネオ−ペンチ
ル−、t−ペンチル基、ヘキシル基例えばn−ヘキシル
基、ヘプチル基例えばn−ヘプチル基、オクチル基例え
ばn−オクチル基及びイソ−オクチル基、例えば2,
2,4−トリメチルペンチル基、ノニル基例えばn−ノ
ニル基、デシル基例えばn−デシル基、ドデシル基例え
ばn−ドデシル基及びシクロアルキル基例えばシクロペ
ンチル−、シクロヘキシル−、シクロヘプチル基及びメ
チルシクロヘキシル基。
【0008】基Rは、メチル−及びエチル基殊にメチル
基が特に有利である。
基が特に有利である。
【0009】基R3は、炭素原子数1〜12を有する不
飽和炭化水素基が有利である。
飽和炭化水素基が有利である。
【0010】基R3の例は次のものである:アルケニル
基、例えばビニル−及びアリル基;アリール基例えばフ
エニル−及びナフチル基;アルカリール基例えばo−、
m−、p−トリル基、キシリル基及びエチルフエニル基
及びアラルキル基例えばベンジル基、α−及びβ−フエ
ニルエチル基。
基、例えばビニル−及びアリル基;アリール基例えばフ
エニル−及びナフチル基;アルカリール基例えばo−、
m−、p−トリル基、キシリル基及びエチルフエニル基
及びアラルキル基例えばベンジル基、α−及びβ−フエ
ニルエチル基。
【0011】基R3は、特にビニル−、アリル−、フエ
ニル−及びナフチル基殊にビニル−及びフエニル基が有
利である。
ニル−及びナフチル基殊にビニル−及びフエニル基が有
利である。
【0012】基R1は、有利に、炭素原子数1〜4を有
するアルキル基であり、特にメチル−及びエチル基殊に
メチル基である。
するアルキル基であり、特にメチル−及びエチル基殊に
メチル基である。
【0013】基R1の例はRに関して炭素原子数1〜4
のアルキル基として挙げられている例である。
のアルキル基として挙げられている例である。
【0014】kは有利に2及び3特に2が有利である。
【0015】mは、1、2及び3特に1及び2が有利で
ある。
ある。
【0016】kとmの合計は、3及び4であるのが有利
である。
である。
【0017】nは2及び3であるのが有利である。
【0018】本発明方法で使用される式(I)によるジ
シランの例は次のものである:1,1,2−トリメチル
−1,2−ジメトキシフエニルジシラン、1,1,2−
トリメチル−1,2−ジメトキシビニルジシラン、1,
1,2−トリメチル−1,2−ジエトキシフエニルジシ
ラン、1,1,2−トリメチル−1,2−ジエトキシビ
ニルジシラン、1−フエニル−1,2−ジメチルトリメ
トキシジシラン、1−フエニル−1,2−ジメチルトリ
エトキシジシラン、1−ビニル−1,2−ジメチルトリ
メトキシジシラン、1−ビニル−1,2−ジメチルトリ
エトキシジシラン、1,2−ジメチル−1,2−ジメト
キシジフエニルジシラン、1,2−ジメチル−1,2−
ジメトキシジビニルジシラン、1,2−ジメチル−1,
2−ジエトキシジフエニルジシラン、1,2−ジメチル
−1,2−ジエトキシジビニルジシラン、1,1,2,
2−テトラフエニルジメトキシジシラン、1,1,2,
2−テトラビニルジメトキシジシラン、1,1,2,2
−テトラフエニルジエトキシジシラン、1,1,2,2
−テトラビニルジエトキシジシラン、1,2−ジメチル
−1,1,2−トリメトキシナフチルジシラン、1,2
−ジメチル−1,1,2−トリエトキシナフチルジシラ
ン、1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシジナフチル
ジシラン及び1,2−ジメチル−1,2−ジエトキシジ
ナフチルジシラン。
シランの例は次のものである:1,1,2−トリメチル
−1,2−ジメトキシフエニルジシラン、1,1,2−
トリメチル−1,2−ジメトキシビニルジシラン、1,
1,2−トリメチル−1,2−ジエトキシフエニルジシ
ラン、1,1,2−トリメチル−1,2−ジエトキシビ
ニルジシラン、1−フエニル−1,2−ジメチルトリメ
トキシジシラン、1−フエニル−1,2−ジメチルトリ
エトキシジシラン、1−ビニル−1,2−ジメチルトリ
メトキシジシラン、1−ビニル−1,2−ジメチルトリ
エトキシジシラン、1,2−ジメチル−1,2−ジメト
キシジフエニルジシラン、1,2−ジメチル−1,2−
ジメトキシジビニルジシラン、1,2−ジメチル−1,
2−ジエトキシジフエニルジシラン、1,2−ジメチル
−1,2−ジエトキシジビニルジシラン、1,1,2,
2−テトラフエニルジメトキシジシラン、1,1,2,
2−テトラビニルジメトキシジシラン、1,1,2,2
−テトラフエニルジエトキシジシラン、1,1,2,2
−テトラビニルジエトキシジシラン、1,2−ジメチル
−1,1,2−トリメトキシナフチルジシラン、1,2
−ジメチル−1,1,2−トリエトキシナフチルジシラ
ン、1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシジナフチル
ジシラン及び1,2−ジメチル−1,2−ジエトキシジ
ナフチルジシラン。
【0019】本発明方法で使用される式(I)のジシラ
ンは、有利に次のものである:1−フエニル−1,2−
ジメチルトリメトキシジシラン、1−フエニル−1,2
−ジメチルトリエトキシジシラン、1−ビニル−1,2
−ジメチルトリメトキシジシラン、1−ビニル−1,2
−ジメチルトリエトキシジシラン、1,2−ジメチル−
1,2−ジメトキシジフエニルジシラン、1,2−ジメ
チル−1,2−ジメトキシジビニルジシラン、1,2−
ジメチル−1,2−ジエトキシジフエニルジシラン及び
1,2−ジメチル−1,2−ジエトキシジビニルジシラ
ン、ここで1−フエニル−1,2−ジメチルトリメトキ
シジシラン、1−ビニル−1,2−ジメチルトリメトキ
シジシラン、1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシジ
フエニルジシラン及び1,2−ジメチル−1,2−ジメ
トキシジビニルジシランは特に有利である。
ンは、有利に次のものである:1−フエニル−1,2−
ジメチルトリメトキシジシラン、1−フエニル−1,2
−ジメチルトリエトキシジシラン、1−ビニル−1,2
−ジメチルトリメトキシジシラン、1−ビニル−1,2
−ジメチルトリエトキシジシラン、1,2−ジメチル−
1,2−ジメトキシジフエニルジシラン、1,2−ジメ
チル−1,2−ジメトキシジビニルジシラン、1,2−
ジメチル−1,2−ジエトキシジフエニルジシラン及び
1,2−ジメチル−1,2−ジエトキシジビニルジシラ
ン、ここで1−フエニル−1,2−ジメチルトリメトキ
シジシラン、1−ビニル−1,2−ジメチルトリメトキ
シジシラン、1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシジ
フエニルジシラン及び1,2−ジメチル−1,2−ジメ
トキシジビニルジシランは特に有利である。
【0020】本発明方法で使用される式(II)のジシ
ランの例は次のものである:1,1,2−トリメチルメ
トキシジシラン、1,1,2−トリメチルトリエトキシ
ジシラン、1,1,2−トリエチルトリメトキシジシラ
ン、1,1,2−トリエチルトリエトキシジシラン、
1,2−ジメチルテトラメトキシジシラン、1,2−ジ
メチルテトラエトキシジラン、メチルペンタメトキシジ
シラン、メチルペンタエトキシジシラン、メチルペンタ
−イソ−プロポキシジシラン、ヘキサメトキシジシラ
ン、ヘキサエトキシジシラン及びヘキサ−イソ−プロポ
キシジシラン。
ランの例は次のものである:1,1,2−トリメチルメ
トキシジシラン、1,1,2−トリメチルトリエトキシ
ジシラン、1,1,2−トリエチルトリメトキシジシラ
ン、1,1,2−トリエチルトリエトキシジシラン、
1,2−ジメチルテトラメトキシジシラン、1,2−ジ
メチルテトラエトキシジラン、メチルペンタメトキシジ
シラン、メチルペンタエトキシジシラン、メチルペンタ
−イソ−プロポキシジシラン、ヘキサメトキシジシラ
ン、ヘキサエトキシジシラン及びヘキサ−イソ−プロポ
キシジシラン。
【0021】本発明方法で使用される式(II)ジシラ
ンは、有利に、1,1,2−トリメチルトリメトキシジ
シラン、1,1,2−トリメチルトリエトキシジシラ
ン、1,2−ジメチルテトラメトキシジシラン及び1,
2−ジメチルテトラエトキシジシランである。
ンは、有利に、1,1,2−トリメチルトリメトキシジ
シラン、1,1,2−トリメチルトリエトキシジシラ
ン、1,2−ジメチルテトラメトキシジシラン及び1,
2−ジメチルテトラエトキシジシランである。
【0022】本発明方法で使用される式(I)もしくは
式(II)ジシランは、それぞれ、この種のジシランの
個々のものであっても、この種のジシランの少なくとも
2種の混合物であってもよい。
式(II)ジシランは、それぞれ、この種のジシランの
個々のものであっても、この種のジシランの少なくとも
2種の混合物であってもよい。
【0023】本発明の方法の有利な1実施形では、式
(II)のジシランを共用する。
(II)のジシランを共用する。
【0024】本発明の方法で式(II)のジシランとし
て式: R3Si2(OR1)3 (IV) [式中R及びR1は前記のものを表わす]のジシラン及
び式: R2Si2(OR1)4 (V) [式中R及びR1は前記のものを表わす]のジシランか
らの混合物を使用するのが特に有利であり、この際、こ
の混合物中の式(IV)のジシランと式(V)のジシラ
ンとのモル比は、有利に30:70〜90:10特に4
0:60〜80:20である。
て式: R3Si2(OR1)3 (IV) [式中R及びR1は前記のものを表わす]のジシラン及
び式: R2Si2(OR1)4 (V) [式中R及びR1は前記のものを表わす]のジシランか
らの混合物を使用するのが特に有利であり、この際、こ
の混合物中の式(IV)のジシランと式(V)のジシラ
ンとのモル比は、有利に30:70〜90:10特に4
0:60〜80:20である。
【0025】ジシランの製造は、多様に公知である。こ
れに関しては、例えばE.ヘンゲ(Hengge)等に
よるモナ−ツヘフテ・フユア・ヘミー(Monatsh
efte fuer Chemie、105(197
4)、671〜83及び99(1968)、340〜6
並びにW.H.アトウエル(Atwell)等のJ.O
rganomet.Chem.7(1967)、71〜
8及びH.ワタナベ(Watanbe)等のJ.Org
anomet.Chem.128(1977)173〜
5を参照できる。
れに関しては、例えばE.ヘンゲ(Hengge)等に
よるモナ−ツヘフテ・フユア・ヘミー(Monatsh
efte fuer Chemie、105(197
4)、671〜83及び99(1968)、340〜6
並びにW.H.アトウエル(Atwell)等のJ.O
rganomet.Chem.7(1967)、71〜
8及びH.ワタナベ(Watanbe)等のJ.Org
anomet.Chem.128(1977)173〜
5を参照できる。
【0026】本発明の方法では、式(II)のジシラン
を、有利に100〜3000重量%特に有利に500〜
2000重量%(それぞれ式(I)のジシランの使用量
に対する)の量で使用する。
を、有利に100〜3000重量%特に有利に500〜
2000重量%(それぞれ式(I)のジシランの使用量
に対する)の量で使用する。
【0027】基R2は、炭素原子1〜12を有する炭化
水素基が有利である。
水素基が有利である。
【0028】基R2の例は、基R及びR3に関して挙げた
例のものから水素原子を除いたものである。
例のものから水素原子を除いたものである。
【0029】基R2は特にメチル−、エチル−及びt−
ブチル基、殊にメチル−及びt−ブチル基が有利であ
る。
ブチル基、殊にメチル−及びt−ブチル基が有利であ
る。
【0030】式(III)中のMは、リチウム、ナトリ
ウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムであり、特に
ナトリウム及びカリウムが有利である。
ウム、カリウム、ルビジウム又はセシウムであり、特に
ナトリウム及びカリウムが有利である。
【0031】本発明の方法で触媒として使用されている
式(III)の化合物の例は、ナトリウムメチレート、
ナトリウム−t−ブチレート、カリウムt−ブチレート
及びカリウムメチレートである。
式(III)の化合物の例は、ナトリウムメチレート、
ナトリウム−t−ブチレート、カリウムt−ブチレート
及びカリウムメチレートである。
【0032】本発明の方法では、触媒として、有利にナ
トリウムメチレート、ナトリウムエチレート、ナトリウ
ム−t−ブチレート及びカリウム−t−ブチレート特に
有利にナトリウムメチレート及びカリウム−t−ブチレ
ートが使用される。
トリウムメチレート、ナトリウムエチレート、ナトリウ
ム−t−ブチレート及びカリウム−t−ブチレート特に
有利にナトリウムメチレート及びカリウム−t−ブチレ
ートが使用される。
【0033】本発明の方法では、触媒を、有利に0.0
3〜2.50重量%特に有利に0.05〜0.80重量
%(それぞれ、使用ジシランの合計重量に対する)の量
で使用する。
3〜2.50重量%特に有利に0.05〜0.80重量
%(それぞれ、使用ジシランの合計重量に対する)の量
で使用する。
【0034】本発明方法で使用される触媒は、この種の
触媒単独でもこの種の触媒の異なる種類少なくとも2種
の混合物であってもよい。
触媒単独でもこの種の触媒の異なる種類少なくとも2種
の混合物であってもよい。
【0035】本発明方法では、反応を、有利に、不活性
雰囲気中、例えばアルゴン、ヘリウム又は窒素雰囲気下
に、反応成分と触媒との混合の後に、20〜250℃特
に有利に40〜210℃の温度で、かつ900〜110
0hpaの圧力で行なう。しかしながら、所望の場合に
は、より高い又はより低い圧力を使用することができ、
この際、反応混合物がビニル−及び/又はアリル基含有
ジシランを含有する場合は、低い圧力が有利である、本
発明の方法で、揮発性成分例えば生成するモノマーシラ
ンを、反応の間又は後に、特に有利には反応の間に、反
応混合物から溜去するのが有利である。
雰囲気中、例えばアルゴン、ヘリウム又は窒素雰囲気下
に、反応成分と触媒との混合の後に、20〜250℃特
に有利に40〜210℃の温度で、かつ900〜110
0hpaの圧力で行なう。しかしながら、所望の場合に
は、より高い又はより低い圧力を使用することができ、
この際、反応混合物がビニル−及び/又はアリル基含有
ジシランを含有する場合は、低い圧力が有利である、本
発明の方法で、揮発性成分例えば生成するモノマーシラ
ンを、反応の間又は後に、特に有利には反応の間に、反
応混合物から溜去するのが有利である。
【0036】本発明の方法では、有利に、平均8〜30
個の珪素原子を有し、平均分子量1000〜2000を
有し、分子量分布は充分に単1様相及び対称的であるオ
ルガノポリシランが得られる。
個の珪素原子を有し、平均分子量1000〜2000を
有し、分子量分布は充分に単1様相及び対称的であるオ
ルガノポリシランが得られる。
【0037】この本発明の方法は、1工程で、かつ比較
的容易に実施できる利点を有し、その際、Si−結合ハ
ロゲン原子を含有しないオルガノポリシランが得られ
る。
的容易に実施できる利点を有し、その際、Si−結合ハ
ロゲン原子を含有しないオルガノポリシランが得られ
る。
【0038】この本発明の方法は、更に、オルガノポリ
シラン中に、簡単な方法で官能基例えばフエニル−、ビ
ニル−及びアリル基又は付加的な分枝位置を所望により
導入することができ、これにより、このオルガノポリシ
ランの化学的及び物理的特性を広い範囲で制御すること
ができる利点を有する。
シラン中に、簡単な方法で官能基例えばフエニル−、ビ
ニル−及びアリル基又は付加的な分枝位置を所望により
導入することができ、これにより、このオルガノポリシ
ランの化学的及び物理的特性を広い範囲で制御すること
ができる利点を有する。
【0039】本発明により製造されたオルガノポリシラ
ンは、従来もオルガノポリシランが使用するこのできた
全ての目的に使用できる。
ンは、従来もオルガノポリシランが使用するこのできた
全ての目的に使用できる。
【0040】本発明により製造されたオルガノポリシラ
ンを炭化珪素(SiC)−繊維の製造のために使用する
のが特に有利である。
ンを炭化珪素(SiC)−繊維の製造のために使用する
のが特に有利である。
【0041】SiC−繊維及びその製法は多様に公知で
ある。SiC−繊維は、主として、ポリシラン又はポリ
カルボシランから製造される。全ての方法は、共通し
て、引続く架橋及び不活性ガス又は真空下での高熱分解
を伴なう適当なポリマーの紡糸である。
ある。SiC−繊維は、主として、ポリシラン又はポリ
カルボシランから製造される。全ての方法は、共通し
て、引続く架橋及び不活性ガス又は真空下での高熱分解
を伴なう適当なポリマーの紡糸である。
【0042】SiC−繊維の有利な1製法では、本発明
により製造されたオルガノポリシランを紡糸して繊維に
し、不活性雰囲気中又は真空中で、800〜1400℃
の範囲の温度で反応させる。
により製造されたオルガノポリシランを紡糸して繊維に
し、不活性雰囲気中又は真空中で、800〜1400℃
の範囲の温度で反応させる。
【0043】有利な温度は、1000〜1300℃の範
囲内にあり、有利な不活性ガスは、アルゴン及び窒素で
ある。
囲内にあり、有利な不活性ガスは、アルゴン及び窒素で
ある。
【0044】紡糸して繊維にすることは、公知方法例え
ば乾式紡糸、湿式紡糸又は融解紡糸により、有利には融
解紡糸により実施される。この場合、融液から平均直径
10〜50μmの繊維を紡糸し、熱、光、例えばUV−
線、水蒸気及び/又は酸素殊に空気の作用により架橋さ
せる。この架橋された繊維は、不活性ガス又は空気下
で、50〜400℃の温度で延伸することができる。
ば乾式紡糸、湿式紡糸又は融解紡糸により、有利には融
解紡糸により実施される。この場合、融液から平均直径
10〜50μmの繊維を紡糸し、熱、光、例えばUV−
線、水蒸気及び/又は酸素殊に空気の作用により架橋さ
せる。この架橋された繊維は、不活性ガス又は空気下
で、50〜400℃の温度で延伸することができる。
【0045】SiC−繊維を製造する方法で、本発明に
より製造されたオルガノポリシランに、一般式: R5O[(R5O)2TiO]pTi(OR5)3 (VI) [式中R5は同一又は異なるものであってよく、1価の
アルキル基を表わし、pは0〜1000有利に50〜5
00である]の化合物0〜30重量%、有利に1〜10
重量%(使用オルガノポリシランの重量に対して)を添
加することができる。基R5の例は、基Rに関するアル
キル基として挙げられた例のものである。R5はn−プ
ロピル−及びn−ブチル基であるのが有利である。
より製造されたオルガノポリシランに、一般式: R5O[(R5O)2TiO]pTi(OR5)3 (VI) [式中R5は同一又は異なるものであってよく、1価の
アルキル基を表わし、pは0〜1000有利に50〜5
00である]の化合物0〜30重量%、有利に1〜10
重量%(使用オルガノポリシランの重量に対して)を添
加することができる。基R5の例は、基Rに関するアル
キル基として挙げられた例のものである。R5はn−プ
ロピル−及びn−ブチル基であるのが有利である。
【0046】一般式(VI)の化合物の製造は公知であ
り、例えばD.C.ブランドル(Brandle)、
R.C.メロトラ(Mehrotra)及びD.P.ガ
ウア(Gaur)によるメタル・アルコキシズ(Met
all Alkoxides、Academic Pr
ess Inc.London,1978)中に記載さ
れている。
り、例えばD.C.ブランドル(Brandle)、
R.C.メロトラ(Mehrotra)及びD.P.ガ
ウア(Gaur)によるメタル・アルコキシズ(Met
all Alkoxides、Academic Pr
ess Inc.London,1978)中に記載さ
れている。
【0047】一般式(VI)の化合物の添加の際に、本
発明により製造されたオルガノポリシランを有機溶剤中
に溶かし、一般式(VI)の化合物を添加し、溶剤を再
び除去するのが有利である。
発明により製造されたオルガノポリシランを有機溶剤中
に溶かし、一般式(VI)の化合物を添加し、溶剤を再
び除去するのが有利である。
【0048】有利な溶剤は、芳香族又は脂肪族の炭化水
素、例えば、有利に50〜300重量%特に有利に70
〜150重量%(それぞれ使用オルガノポリシランの重
量に対して)の量のトルオール、キシロール、ベンゾー
ル及び種々の沸点留分の石油エーテルである。
素、例えば、有利に50〜300重量%特に有利に70
〜150重量%(それぞれ使用オルガノポリシランの重
量に対して)の量のトルオール、キシロール、ベンゾー
ル及び種々の沸点留分の石油エーテルである。
【0049】この際、溶剤の除去は、有利に、80〜2
50℃の温度及び10〜1000paの範囲内の圧力で
行なう。
50℃の温度及び10〜1000paの範囲内の圧力で
行なう。
【0050】SiC−繊維は、主として、繊維複合材料
中、有利に、そのマトリックスがセラミック例えばSi
C及びSi3N4、ガラス又は金属例えばアルミニウム
及びチタンより成る繊維複合材料中で使用される。
中、有利に、そのマトリックスがセラミック例えばSi
C及びSi3N4、ガラス又は金属例えばアルミニウム
及びチタンより成る繊維複合材料中で使用される。
【0051】本発明によるオルガノポリシランは、更
に、本発明により製造されたオルガノポリシランを60
0℃を越える温度で不活性雰囲気中例えばアルゴン−、
ヘリウム−又は窒素雰囲気中又は真空中で加熱すること
による炭化珪素(SiC)もしくはSiC−セラミック
の製造法で使用される。
に、本発明により製造されたオルガノポリシランを60
0℃を越える温度で不活性雰囲気中例えばアルゴン−、
ヘリウム−又は窒素雰囲気中又は真空中で加熱すること
による炭化珪素(SiC)もしくはSiC−セラミック
の製造法で使用される。
【0052】多孔性SiC−セラミックを製造する有利
な方法では、本発明により製造されたオルガノポリシラ
ンをSiC−粉末と混合し、圧縮して成形体にし、かつ
不活性雰囲気中又は真空中で700〜2200℃の範囲
の温度で反応させる。
な方法では、本発明により製造されたオルガノポリシラ
ンをSiC−粉末と混合し、圧縮して成形体にし、かつ
不活性雰囲気中又は真空中で700〜2200℃の範囲
の温度で反応させる。
【0053】有利な温度は900〜1500℃の範囲内
にあり、有利なSiC−粉末は、平均粒径0.1〜10
0μm殊に0.4〜50μmを有する。使用オルガノポ
リシランの重量に対して25〜95重量%殊に50〜8
0重量%のSiC−粉末を使用するのが有利である。
にあり、有利なSiC−粉末は、平均粒径0.1〜10
0μm殊に0.4〜50μmを有する。使用オルガノポ
リシランの重量に対して25〜95重量%殊に50〜8
0重量%のSiC−粉末を使用するのが有利である。
【0054】オルガノポリシラン及びSiC−粉末より
成る混合物に、なお圧縮助剤殊に流動助剤を、使用Si
C−粉末の重量に対して0.01〜5重量%。殊に0.
2〜1重量%の量で添加するのが有利である。流動助剤
は、例えばアルディンガー、カルツ(Aldinger
Kalz)によるAngew.Chemie5、38
1、1987に記載されている。殊に、グリセリン、ス
テアリン酸アンモニウム及びポリエチレングリコールが
使用される。
成る混合物に、なお圧縮助剤殊に流動助剤を、使用Si
C−粉末の重量に対して0.01〜5重量%。殊に0.
2〜1重量%の量で添加するのが有利である。流動助剤
は、例えばアルディンガー、カルツ(Aldinger
Kalz)によるAngew.Chemie5、38
1、1987に記載されている。殊に、グリセリン、ス
テアリン酸アンモニウム及びポリエチレングリコールが
使用される。
【0055】本発明によるオルガノポリシランとSiC
−粉末及び場合によっては圧縮助剤とを混合する際に、
このオルガノポリシランを有機溶剤中に溶かし、他の成
分と混合するのが有利である。有利な溶剤は、芳香族又
は脂肪族の炭化水素例えば、混合物に対して有利に10
〜99重量%殊に35〜55重量%(それぞれ混合物に
対して)の量のトルオール、キシロール及び種々の沸点
留分の石油エーテルである。
−粉末及び場合によっては圧縮助剤とを混合する際に、
このオルガノポリシランを有機溶剤中に溶かし、他の成
分と混合するのが有利である。有利な溶剤は、芳香族又
は脂肪族の炭化水素例えば、混合物に対して有利に10
〜99重量%殊に35〜55重量%(それぞれ混合物に
対して)の量のトルオール、キシロール及び種々の沸点
留分の石油エーテルである。
【0056】引続き、溶剤を50〜200℃の温度、1
0〜1000paの圧力で除去する。残分を粉砕し、篩
別する。こうして得られた、最大粒径有利に500μm
殊に200μmを有する粉末を、プレスを用いて、場合
によっては温度の作用下に、圧縮して成形体にする。こ
のことは、不活性雰囲気中、空気中又は真空下に行なう
ことができる。
0〜1000paの圧力で除去する。残分を粉砕し、篩
別する。こうして得られた、最大粒径有利に500μm
殊に200μmを有する粉末を、プレスを用いて、場合
によっては温度の作用下に、圧縮して成形体にする。こ
のことは、不活性雰囲気中、空気中又は真空下に行なう
ことができる。
【0057】本発明による多孔性珪素セラミックは、殊
にフイルター工業で使用される。使用SiC−粉末の粒
径及び粒度分布により、かつSiC−粉末対オルガノポ
リシランの割合によっても、セラミック中の孔寸法及び
孔寸法分布を調節することができる。SiC−フイルタ
プレートの利点は、有機濾過残分を酸化により容易に除
去することができ、この際、セラミックフイルターは破
壊されない。
にフイルター工業で使用される。使用SiC−粉末の粒
径及び粒度分布により、かつSiC−粉末対オルガノポ
リシランの割合によっても、セラミック中の孔寸法及び
孔寸法分布を調節することができる。SiC−フイルタ
プレートの利点は、有機濾過残分を酸化により容易に除
去することができ、この際、セラミックフイルターは破
壊されない。
【0058】更に、本発明により製造されたオルガノポ
リシロキサンは、炭化珪素をベースとする保護被覆を製
造する方法で使用することができる。金属表面及び非金
属表面上のこの被覆は、熱的及び化学的に安定である。
リシロキサンは、炭化珪素をベースとする保護被覆を製
造する方法で使用することができる。金属表面及び非金
属表面上のこの被覆は、熱的及び化学的に安定である。
【0059】炭化珪素をベースとする保護被覆を製造す
るための有利な1方法では、本発明により製造されたオ
ルガノポリシランを、有利にSiC−粉末及び有機溶剤
と混合して、保護すべき基材上に施与し、不活性雰囲気
中、例えばアルゴン−又は窒素雰囲気下に、又は真空中
で、700〜1500℃の範囲の温度で、もしくは、反
応性雰囲気下、例えば酸素含有ガス混合物中で、200
〜700℃の温度で反応させる。この場合、特に有利
に、本発明により製造されたオルガノポリシラン10〜
80重量%特に15〜40重量%、平均粒度分布0.1
〜20μm特に0.3〜5μmのSiC−粉末10〜8
0重量%特に20〜50重量%及び有機溶剤例えば脂肪
族及び芳香族炭化水素有利にトルオール、キシロール及
び種々の沸点留分の石油エーテル10〜80重量%特に
15〜60重量%よりなる混合物を使用するのが有利で
ある。
るための有利な1方法では、本発明により製造されたオ
ルガノポリシランを、有利にSiC−粉末及び有機溶剤
と混合して、保護すべき基材上に施与し、不活性雰囲気
中、例えばアルゴン−又は窒素雰囲気下に、又は真空中
で、700〜1500℃の範囲の温度で、もしくは、反
応性雰囲気下、例えば酸素含有ガス混合物中で、200
〜700℃の温度で反応させる。この場合、特に有利
に、本発明により製造されたオルガノポリシラン10〜
80重量%特に15〜40重量%、平均粒度分布0.1
〜20μm特に0.3〜5μmのSiC−粉末10〜8
0重量%特に20〜50重量%及び有機溶剤例えば脂肪
族及び芳香族炭化水素有利にトルオール、キシロール及
び種々の沸点留分の石油エーテル10〜80重量%特に
15〜60重量%よりなる混合物を使用するのが有利で
ある。
【0060】この被覆の施与は、液状又はペースト状物
質を基材上に施与するために好適な任意の方法で、例え
ば浸漬、スプレー、塗布、注型又はローラがけにより行
なうことができる。
質を基材上に施与するために好適な任意の方法で、例え
ば浸漬、スプレー、塗布、注型又はローラがけにより行
なうことができる。
【0061】この施与の後に、この被覆を、不活性又は
反応性雰囲気中、有利に10〜200℃の温度で15分
〜2時間乾燥させるのが有利である。
反応性雰囲気中、有利に10〜200℃の温度で15分
〜2時間乾燥させるのが有利である。
【0062】本発明により製造された保護被覆は、2〜
2000μm殊に2〜50μmの厚さを有するのが有利
である。これは、殊に、熱的又は化学的に安定な表面被
覆が、金属、セラミック、ガラスセラミック、繊維材料
及び炭素上に認められる。
2000μm殊に2〜50μmの厚さを有するのが有利
である。これは、殊に、熱的又は化学的に安定な表面被
覆が、金属、セラミック、ガラスセラミック、繊維材料
及び炭素上に認められる。
【0063】本発明によるオルガノポリシランは、更
に、ネガチブなフオトレジスト被覆の製造のために、例
えば導体板又は半導体構造部材を得る際に、オルガノポ
リシランからのネガチブフオトレジスト被覆の製造のた
めに自体公知の方法で使用することができ、この際、本
発明により製造されたオルガノポリシランを適当な平滑
又は平坦な基板例えば半導体板上に施こし、マスクを通
して露光し、その後、オルガノポリシラン被覆の非露光
部分を、溶剤例えばトルオールを用いて、被覆の露光さ
れ架橋された場所から除去する。
に、ネガチブなフオトレジスト被覆の製造のために、例
えば導体板又は半導体構造部材を得る際に、オルガノポ
リシランからのネガチブフオトレジスト被覆の製造のた
めに自体公知の方法で使用することができ、この際、本
発明により製造されたオルガノポリシランを適当な平滑
又は平坦な基板例えば半導体板上に施こし、マスクを通
して露光し、その後、オルガノポリシラン被覆の非露光
部分を、溶剤例えばトルオールを用いて、被覆の露光さ
れ架橋された場所から除去する。
【0064】
【実施例】次に記載の例中で、「部」及び「%」は他に
ことわりのないかぎり「重量部」及び「重量%」であ
る。他のことわりのないかぎり、次の例は、環境圧即ち
約1000hpaで、かつ室温で即ち約23℃もしくは
室温で反応成分を一緒にする際に付加的な加熱又は冷却
をしないで現われる温度で実施する。
ことわりのないかぎり「重量部」及び「重量%」であ
る。他のことわりのないかぎり、次の例は、環境圧即ち
約1000hpaで、かつ室温で即ち約23℃もしくは
室温で反応成分を一緒にする際に付加的な加熱又は冷却
をしないで現われる温度で実施する。
【0065】I)、II)及びIII)並びに例1〜4
に記載の反応は、アルゴン雰囲気下に、かつ約1000
hPaの圧力で実施する。
に記載の反応は、アルゴン雰囲気下に、かつ約1000
hPaの圧力で実施する。
【0066】平均分子量Mw及び数平均重合度Mnの測
定は、相応するGPC−クロマトグラムから、ポリスチ
ロール標準を用いて行なう。
定は、相応するGPC−クロマトグラムから、ポリスチ
ロール標準を用いて行なう。
【0067】略字は次のものを意味する: Me−メチル基 Ph−フエニル基 Vi−ビニル基 I) 1,1,2−トリメチル−1,2−ジメトキシフ
エニルジシランの製造マグネシウム屑24.1g、無水
テトラヒドロフラン5ml及びブロムベンゾール5ml
を還流冷却器を備えたフラスコ中に予め装入する。引続
き、テトラヒドロフラン125ml中のブロムベンゾー
ル150gを、反応混合物が外部熱供給なしに沸騰還流
する程度の速度で添加する。反応終了後にマグネシウム
は完全に消費されており、こうして得られたグリニアル
化合物を濾過する。
エニルジシランの製造マグネシウム屑24.1g、無水
テトラヒドロフラン5ml及びブロムベンゾール5ml
を還流冷却器を備えたフラスコ中に予め装入する。引続
き、テトラヒドロフラン125ml中のブロムベンゾー
ル150gを、反応混合物が外部熱供給なしに沸騰還流
する程度の速度で添加する。反応終了後にマグネシウム
は完全に消費されており、こうして得られたグリニアル
化合物を濾過する。
【0068】1,1,2−トリメチルトリメトキシジシ
ラン(97%)194g及びトルオール200mlをフ
ラスコ中に予め装入し、6〜10℃に冷却し、先に得ら
れたグリニアル化合物を徐々に加える。引続き、沈殿し
たマグネシウム塩を濾去し、液状の反応成分をヘキサン
で振出し、再度濾過する。蒸溜後処理を77〜100℃
及び100paの圧力で行なうと、1,1,2−トリメ
チル−1,2−ジメトキシフエニルジシラン75gが得
られる。
ラン(97%)194g及びトルオール200mlをフ
ラスコ中に予め装入し、6〜10℃に冷却し、先に得ら
れたグリニアル化合物を徐々に加える。引続き、沈殿し
たマグネシウム塩を濾去し、液状の反応成分をヘキサン
で振出し、再度濾過する。蒸溜後処理を77〜100℃
及び100paの圧力で行なうと、1,1,2−トリメ
チル−1,2−ジメトキシフエニルジシラン75gが得
られる。
【0069】II) 1,2−ジメチル−1,2−ジメ
トキシジフエニルジシランの製造1,2−ジメチルテト
ラメトキシジシラン105g及びトルオール100gを
フラスコ中に予め装入し、4時間かかって、前記I)で
得られたグリニアル化合物を室温で加える。引続き、更
に16時間撹拌する。溶剤の溜去の後に、残分を沸点留
分170〜200℃の石油エーテル600ml中に入
れ、濾過する。引続き、石油エーテルを、真空中、12
0℃で溜去し、残留分から1,2−ジメチル−1,2−
ジメトキシジフエニルジシラン175gを晶出させる。
トキシジフエニルジシランの製造1,2−ジメチルテト
ラメトキシジシラン105g及びトルオール100gを
フラスコ中に予め装入し、4時間かかって、前記I)で
得られたグリニアル化合物を室温で加える。引続き、更
に16時間撹拌する。溶剤の溜去の後に、残分を沸点留
分170〜200℃の石油エーテル600ml中に入
れ、濾過する。引続き、石油エーテルを、真空中、12
0℃で溜去し、残留分から1,2−ジメチル−1,2−
ジメトキシジフエニルジシラン175gを晶出させる。
【0070】III) 1,2−ジメチル−1,2−ジ
メトキシジビニルジシランの製造1,2−ジメチルテト
ラメトキシジシラン105g及びテトラヒドロフラン2
50mlをフラスコ中に予め装入し、15〜25℃の温
度で、ビニルグリニアル化合物(15%;Firma
Chemetall社から購入)620mlを徐々に加
える。引続き、16時間撹拌する。テトラヒドロフラン
を30℃及び120hPaの圧力で溜去し、残分をヘキ
サン1 l中に入れ、濾過する。85〜100℃及び3
6paの圧力での溶剤の溜去の後に、1,2−ジメチル
−1,2−ジメトキシジビニルジシランが得られるが、
これは、なお、1,2−ジメチルテトラメトキシジシラ
ン及び1,2−ジメチル−1,1,2−トリメトキシビ
ニルジシランで不純化されている。
メトキシジビニルジシランの製造1,2−ジメチルテト
ラメトキシジシラン105g及びテトラヒドロフラン2
50mlをフラスコ中に予め装入し、15〜25℃の温
度で、ビニルグリニアル化合物(15%;Firma
Chemetall社から購入)620mlを徐々に加
える。引続き、16時間撹拌する。テトラヒドロフラン
を30℃及び120hPaの圧力で溜去し、残分をヘキ
サン1 l中に入れ、濾過する。85〜100℃及び3
6paの圧力での溶剤の溜去の後に、1,2−ジメチル
−1,2−ジメトキシジビニルジシランが得られるが、
これは、なお、1,2−ジメチルテトラメトキシジシラ
ン及び1,2−ジメチル−1,1,2−トリメトキシビ
ニルジシランで不純化されている。
【0071】例1 A) 1,1,2−トリメチルトリメトキシジシラン6
50g、1,2−ジメチルテトラメトキシジシラン35
0g及び1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシジフエ
ニルジシラン41gよりなる混合物は、ナトリウムメチ
レート1gの添加の後に、外部からの熱供給なしに23
℃から96℃まで昇温する。引続き、この混合物を21
0℃まで加熱すると、メチルメトキシシラン及びジメチ
ルジメトキシシランよりなる混合物758gが溜出す
る。残分292gが得られるから、これを、不所望のオ
リゴマーの分離のために、沸点範囲170〜200℃の
石油エーテル300g中に溶かす。引続き溶剤及びオリ
ゴマーを230℃及び10paで溜去する。こうして得
られた263gの残分は、平均式: [MeSi]a[MeSi(OMe)]b[MeSiP
h]c[Me2Si]d [式中それぞれ平均で、aは8.9、bは2.7、cは
0.8、dは9.0であり、メチル基対メトキシ基対フ
エニル基のモル比は100:9.0:3.0であり、数
平均重合度Mnと平均分子量Mwとの比は、1000/
4500であり、軟化温度は70℃である]で表わされ
るオルガノポリシランである。
50g、1,2−ジメチルテトラメトキシジシラン35
0g及び1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシジフエ
ニルジシラン41gよりなる混合物は、ナトリウムメチ
レート1gの添加の後に、外部からの熱供給なしに23
℃から96℃まで昇温する。引続き、この混合物を21
0℃まで加熱すると、メチルメトキシシラン及びジメチ
ルジメトキシシランよりなる混合物758gが溜出す
る。残分292gが得られるから、これを、不所望のオ
リゴマーの分離のために、沸点範囲170〜200℃の
石油エーテル300g中に溶かす。引続き溶剤及びオリ
ゴマーを230℃及び10paで溜去する。こうして得
られた263gの残分は、平均式: [MeSi]a[MeSi(OMe)]b[MeSiP
h]c[Me2Si]d [式中それぞれ平均で、aは8.9、bは2.7、cは
0.8、dは9.0であり、メチル基対メトキシ基対フ
エニル基のモル比は100:9.0:3.0であり、数
平均重合度Mnと平均分子量Mwとの比は、1000/
4500であり、軟化温度は70℃である]で表わされ
るオルガノポリシランである。
【0072】前記の指示と同様にして、第1表に記載の
反応を実施する。ここで記号は次のものを意味する: A− 実験の連続番号 B− 1,1,2−トリメチルトリメトキシジシラン
の量(g) C− 1,2−ジメチルテトラメトキシジシランの量
(g) D− 1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシジフエニ
ルジシランの量(g) E− 溜出物の量(g) F− 得られたオルガノポリシランの量(g) G− Mn/Mw−値 H− 軟化温度(℃) I− メチル基対メトキシ基対フエニル基のモル比 第1表 A B C D E F G H I 1.2 600 400 41 785 255 900/2200 130 100:4.8:3.1 1.3 610 390 83 802 292 970/2250 110 100:5.8:4.8 1.4 600 400 124 827 308 930/1850 80 100:5.4:6.3 1.5 600 400 166 837 350 1250/2500 85 100:6.1:7.9 1.6 510 490 83 837 250 950/1950 175 100:5.6:4.8 B) こうして得たオルガノポリシランの沸点範囲17
0〜200℃の石油エーテル中の溶液に、ポリ−n−ブ
チルチタネート(Johnson Matthey G
mbH,Alfa Productsから購入)25g
を加え、130℃で1時間撹拌する。引続き、230
℃、10paで、溶剤及びオリゴマーを溜去する。灰青
色樹脂が得られる。この反応に関する記載を第2表に示
す。ここで記号は次のものを意味する: K− 使用オルガノポリシランの量(g) L− 石油エーテルの量(g) M− Mn/Mw−値 N− 軟化点(℃) O− メチル基対メトキシ基対フエニル基のモル比 第2表 A K K M N O 1.1 270 300 925/4000 70 100:8.7:3.0 1.2 270 300 870/1920 130 100:4.4:3.1 1.3 270 300 920/1940 110 100:5.3:4.7 1.4 270 300 870/1600 80 100:5.0:6.3 1.5 270 300 1220/2330 85 100:5.6:7.7 1.6 270 300 912/1760 175 100:5.1:4.7 例2 A)1,1,2−トリメチルトリメトキシジシラン61
0g、1,2−ジメチルテトラメトキシジシラン390
g及び1,1,2−トリメチル−1,2−ジメトキシフ
エニルジシラン132gからなる混合物を38℃に加温
し、ナトリウムメチレート1.5gを加えると、この混
合物の混度は95℃まで上昇する。引続き、混合物を1
50℃まで加熱し、ジメチルジメトキシシランとメチル
トリメトキシシランとの20:20の比の混合物727
gを溜去する。この混合物を75℃まで冷却の後に、こ
れに80paの圧力をかけると、更に先に詳述したモノ
シラン混合物43gが溜去される。残分330gが得ら
れるから、これを不所望のオリゴマーの分離のために沸
点範囲170〜200℃の石油エーテル400g中に溶
かす。引続き、溶剤及びオリゴマーを230℃及び10
paで溜去する。こうして得た300gの残分は、例1
に記載の平均式のオルガノポリシランであり、ここで、
メチル基対メトキシ基対フエニル基のモル比は100:
5.7:7.0であり、数平均重合度Mnと平均分子量
Mwとの比は870/1850であり、軟化温度は11
5℃である。
反応を実施する。ここで記号は次のものを意味する: A− 実験の連続番号 B− 1,1,2−トリメチルトリメトキシジシラン
の量(g) C− 1,2−ジメチルテトラメトキシジシランの量
(g) D− 1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシジフエニ
ルジシランの量(g) E− 溜出物の量(g) F− 得られたオルガノポリシランの量(g) G− Mn/Mw−値 H− 軟化温度(℃) I− メチル基対メトキシ基対フエニル基のモル比 第1表 A B C D E F G H I 1.2 600 400 41 785 255 900/2200 130 100:4.8:3.1 1.3 610 390 83 802 292 970/2250 110 100:5.8:4.8 1.4 600 400 124 827 308 930/1850 80 100:5.4:6.3 1.5 600 400 166 837 350 1250/2500 85 100:6.1:7.9 1.6 510 490 83 837 250 950/1950 175 100:5.6:4.8 B) こうして得たオルガノポリシランの沸点範囲17
0〜200℃の石油エーテル中の溶液に、ポリ−n−ブ
チルチタネート(Johnson Matthey G
mbH,Alfa Productsから購入)25g
を加え、130℃で1時間撹拌する。引続き、230
℃、10paで、溶剤及びオリゴマーを溜去する。灰青
色樹脂が得られる。この反応に関する記載を第2表に示
す。ここで記号は次のものを意味する: K− 使用オルガノポリシランの量(g) L− 石油エーテルの量(g) M− Mn/Mw−値 N− 軟化点(℃) O− メチル基対メトキシ基対フエニル基のモル比 第2表 A K K M N O 1.1 270 300 925/4000 70 100:8.7:3.0 1.2 270 300 870/1920 130 100:4.4:3.1 1.3 270 300 920/1940 110 100:5.3:4.7 1.4 270 300 870/1600 80 100:5.0:6.3 1.5 270 300 1220/2330 85 100:5.6:7.7 1.6 270 300 912/1760 175 100:5.1:4.7 例2 A)1,1,2−トリメチルトリメトキシジシラン61
0g、1,2−ジメチルテトラメトキシジシラン390
g及び1,1,2−トリメチル−1,2−ジメトキシフ
エニルジシラン132gからなる混合物を38℃に加温
し、ナトリウムメチレート1.5gを加えると、この混
合物の混度は95℃まで上昇する。引続き、混合物を1
50℃まで加熱し、ジメチルジメトキシシランとメチル
トリメトキシシランとの20:20の比の混合物727
gを溜去する。この混合物を75℃まで冷却の後に、こ
れに80paの圧力をかけると、更に先に詳述したモノ
シラン混合物43gが溜去される。残分330gが得ら
れるから、これを不所望のオリゴマーの分離のために沸
点範囲170〜200℃の石油エーテル400g中に溶
かす。引続き、溶剤及びオリゴマーを230℃及び10
paで溜去する。こうして得た300gの残分は、例1
に記載の平均式のオルガノポリシランであり、ここで、
メチル基対メトキシ基対フエニル基のモル比は100:
5.7:7.0であり、数平均重合度Mnと平均分子量
Mwとの比は870/1850であり、軟化温度は11
5℃である。
【0073】B) こうして得たオルガノポリシラン2
70gを、キシロール300g中に溶かし、テトラ−n
−ブチルチタネート(Fluka Feinchemi
kalien GmbH,D7910Neu−Ulmよ
り購入)50gを加え、130℃で1時間撹拌する。引
続き、溶剤を230℃、10paで溜去する。灰青色樹
脂が得られ、これは、120℃で軟化し、数平均重合度
Mnと平均分子量Mwとの比800/2000を有す
る。メチル基対メトキシ基対フエニル基のモル比は10
0:5.6:7.0である。
70gを、キシロール300g中に溶かし、テトラ−n
−ブチルチタネート(Fluka Feinchemi
kalien GmbH,D7910Neu−Ulmよ
り購入)50gを加え、130℃で1時間撹拌する。引
続き、溶剤を230℃、10paで溜去する。灰青色樹
脂が得られ、これは、120℃で軟化し、数平均重合度
Mnと平均分子量Mwとの比800/2000を有す
る。メチル基対メトキシ基対フエニル基のモル比は10
0:5.6:7.0である。
【0074】C)テトラ−n−ブチルチタネート50g
の代りにテトラ−イソ−プロピルチタネート(Fluk
a Feinchemikalien,D−7910、
Neu−Ulmから購入)50gを用いることで変更し
て、B)に記載の方法を繰り返す。灰青色樹脂が得ら
れ、これは、120℃で軟化し、数平均重合度Mnと平
均分子量Mwとの比800/2000を有する。メチル
基対メトキシ基対フエニル基のモル比は100:5.
6:7.0である。
の代りにテトラ−イソ−プロピルチタネート(Fluk
a Feinchemikalien,D−7910、
Neu−Ulmから購入)50gを用いることで変更し
て、B)に記載の方法を繰り返す。灰青色樹脂が得ら
れ、これは、120℃で軟化し、数平均重合度Mnと平
均分子量Mwとの比800/2000を有する。メチル
基対メトキシ基対フエニル基のモル比は100:5.
6:7.0である。
【0075】比較例1 1,1,2−トリメチル−1,2−ジメトキシフエニル
ジシラン132gの代りに、フエニルメチルジメトキシ
シラン100gを用いることで変更して、例2のA)に
記載の操作を繰り返す。メチル基対メトキシ基対フエニ
ル基のモル比100:4.6:3.6を有するオルガノ
ポリシランが得られる。
ジシラン132gの代りに、フエニルメチルジメトキシ
シラン100gを用いることで変更して、例2のA)に
記載の操作を繰り返す。メチル基対メトキシ基対フエニ
ル基のモル比100:4.6:3.6を有するオルガノ
ポリシランが得られる。
【0076】例3 A)1,1,2−トリメチル−1,2−ジメトキシフエ
ニルジシラン132gの代りに1,2−ジメチル−1,
2−ジメトキシジビニルジシラン100gを使用し、後
処理(蒸溜)時の最大温度を150℃にすることで変更
して、例2のA)に記載の操作を繰り返す。オルガノポ
リシラン330gが得られ、この際、メチル基対メトキ
シ基対ビニル基のモル比は100:5.7:1.3であ
り、数平均重合度Mnと平均分子量Mwとの比は830
/1950であり、軟化点105℃のオルガノポリシラ
ン330gが得られる。
ニルジシラン132gの代りに1,2−ジメチル−1,
2−ジメトキシジビニルジシラン100gを使用し、後
処理(蒸溜)時の最大温度を150℃にすることで変更
して、例2のA)に記載の操作を繰り返す。オルガノポ
リシラン330gが得られ、この際、メチル基対メトキ
シ基対ビニル基のモル比は100:5.7:1.3であ
り、数平均重合度Mnと平均分子量Mwとの比は830
/1950であり、軟化点105℃のオルガノポリシラ
ン330gが得られる。
【0077】B)後処理(蒸溜)時の最大温度を150
℃とすることで変更して、例2のB)に記載の操作法
を、前記A)で得られたオルガノポリシランを用いて繰
り返す。灰青色の樹脂が得られ、これは、125℃で軟
化し、数平均重合度Mnと平均分子量Mwとの比850
/2100を有する。メチル基対メトキシ基対ビニル基
のモル比は100:5.7:0.9である。
℃とすることで変更して、例2のB)に記載の操作法
を、前記A)で得られたオルガノポリシランを用いて繰
り返す。灰青色の樹脂が得られ、これは、125℃で軟
化し、数平均重合度Mnと平均分子量Mwとの比850
/2100を有する。メチル基対メトキシ基対ビニル基
のモル比は100:5.7:0.9である。
【0078】例4 A)1,1,2−トリメチル−1,2−ジメトキシフエ
ニルジシラン132gの代りに、1,1,2−トリメチ
ル−1,2−ジメトキシフエニルジシラン66g及び
1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシビニルジシラン
66g混合物を用い、後処理(蒸溜)時の最大温度を1
50℃にすることで変更して、例2のA)に記載の方法
を繰り返す。オルガノポリシラン330gが得られ、こ
の際、メチル基対メトキシ基対ビニル基対フエニル基の
モル比は100:5.6:0.9:0.3であり、数平
均重合度Mn対平均分子量Mwの比は790/3500
であり、軟化温度は105℃である。
ニルジシラン132gの代りに、1,1,2−トリメチ
ル−1,2−ジメトキシフエニルジシラン66g及び
1,2−ジメチル−1,2−ジメトキシビニルジシラン
66g混合物を用い、後処理(蒸溜)時の最大温度を1
50℃にすることで変更して、例2のA)に記載の方法
を繰り返す。オルガノポリシラン330gが得られ、こ
の際、メチル基対メトキシ基対ビニル基対フエニル基の
モル比は100:5.6:0.9:0.3であり、数平
均重合度Mn対平均分子量Mwの比は790/3500
であり、軟化温度は105℃である。
【0079】B)後処理(蒸溜)時の最大温度を150
℃にすることで変更して、前記A)で得られたオルガノ
ポリシランを用いて、例2のB)に記載の操作法を繰り
返す。灰青色樹脂が得れられ、これは120℃軟化し、
数平均重合度Mn対平均分子量Mwの比800/400
0を有する。メチル基対メトキシ基対フエニル基対ビニ
ル基のモル比は100:5.6:3.0:0.5であ
る。
℃にすることで変更して、前記A)で得られたオルガノ
ポリシランを用いて、例2のB)に記載の操作法を繰り
返す。灰青色樹脂が得れられ、これは120℃軟化し、
数平均重合度Mn対平均分子量Mwの比800/400
0を有する。メチル基対メトキシ基対フエニル基対ビニ
ル基のモル比は100:5.6:3.0:0.5であ
る。
【0080】例5 例1B)、3B)及び4B)並びに例2のA)、B)及
びC)で製造された樹脂各150gをアルゴン雰囲気下
に、20℃/Minの加熱速度で1250℃まで加熱す
る。室温まで冷却の後に、第3表に記載の組成の黒色の
炭化珪素が得られる。
びC)で製造された樹脂各150gをアルゴン雰囲気下
に、20℃/Minの加熱速度で1250℃まで加熱す
る。室温まで冷却の後に、第3表に記載の組成の黒色の
炭化珪素が得られる。
【0081】
【表1】
【0082】例6 例1B、2B、2C、3B及び4Bで製造されたオルガ
ノポリシランを、それぞれフラスコ−融解紡糸装置中
で、ビニル基含有オルガノポリシランが最大150℃ま
で加熱されることを条件として、それぞれの軟化点より
25〜65℃高い温度まで加熱し、10〜100バール
でそれぞれ100μm−ノズル孔及び300μm−ノズ
ル孔を通して紡糸し、この際、引出し速度は、35〜2
50m/minの範囲で変動させる。紡糸ノズルの出口
で、繊維は青灰色及び不透明であり、紡糸条件に応じ
て、10〜150μmの範囲の繊維直径を示す。この繊
維は、光及び空気に3〜20日露呈すると、これは無色
透明になる。こうして得られた繊維束は、良好な引裂強
度及び可撓性を示す。これを、0.5〜2.0gの引張
り下に、連続的に、アルゴン注入され、加熱距離0.2
5mを有する1250℃の熱い管状炉を通して0.5m
/minの速度で引き出す。
ノポリシランを、それぞれフラスコ−融解紡糸装置中
で、ビニル基含有オルガノポリシランが最大150℃ま
で加熱されることを条件として、それぞれの軟化点より
25〜65℃高い温度まで加熱し、10〜100バール
でそれぞれ100μm−ノズル孔及び300μm−ノズ
ル孔を通して紡糸し、この際、引出し速度は、35〜2
50m/minの範囲で変動させる。紡糸ノズルの出口
で、繊維は青灰色及び不透明であり、紡糸条件に応じ
て、10〜150μmの範囲の繊維直径を示す。この繊
維は、光及び空気に3〜20日露呈すると、これは無色
透明になる。こうして得られた繊維束は、良好な引裂強
度及び可撓性を示す。これを、0.5〜2.0gの引張
り下に、連続的に、アルゴン注入され、加熱距離0.2
5mを有する1250℃の熱い管状炉を通して0.5m
/minの速度で引き出す。
【0083】こうして得られたSiC−繊維は、平均し
て次の組成を有する: 珪素: 45〜54重量% 炭素: 23〜28重量% 酸素: 15〜25重量% チタン: 0〜2.5重量% 水素: <0.5重量% こうして得られたSiC−繊維の引張強度は、その直径
に応じて次のとうりである: 100μmで 0.45〜0.6GPa 50μmで 0.6〜0.8GPa 30μmで 0.7〜1.1GPa 10μmで 2.5〜3.2GPa 電気的比抵抗は103Ω・cmである。
て次の組成を有する: 珪素: 45〜54重量% 炭素: 23〜28重量% 酸素: 15〜25重量% チタン: 0〜2.5重量% 水素: <0.5重量% こうして得られたSiC−繊維の引張強度は、その直径
に応じて次のとうりである: 100μmで 0.45〜0.6GPa 50μmで 0.6〜0.8GPa 30μmで 0.7〜1.1GPa 10μmで 2.5〜3.2GPa 電気的比抵抗は103Ω・cmである。
【0084】その引張り強度は、空気中約1200℃ま
での温度で残留し、不活性雰囲気下、約1300℃まで
で最低1時間保持される。
での温度で残留し、不活性雰囲気下、約1300℃まで
で最低1時間保持される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルッツ レーシュ ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン フォ ン−バイエル−シュトラーセ 16
Claims (5)
- 【請求項1】 オルガノポリシランを製造する方法にお
いて、一般式:R k R 3 m Si 2 (OR 1 ) 6−k−m (I) [式中Rは同一又は異なるものであってよく、水素又は
1価の飽和有機基を表わし、R3は同一又は異なるもの
であってよく、1価の不飽和有機基を表わし、R1は同
一又は異なるものであってよく、1価のアルキル基を表
わし、kは0、1、2又は3であり、mは1、2、3又
は4であり、ここでkとmの合計は4以下である]のジ
シラン少なくとも1種を、一般式: MOR2 (III) [式中R2は1価の炭化水素基であり、Mはアルカリ金
属原子を表わす]の化合物少なくとも1種の存在下に、
反応させることを特徴とするオルガノポリシランの製
法。 - 【請求項2】 オルガノポリシランを製造する方法にお
いて、一般式:R k R 3 m Si 2 (OR 1 ) 6−k−m (I) [式中Rは同一又は異なるものであってよく、水素又は
1価の飽和有機基を表わし、R3は同一又は異なるもの
であってよく、1価の不飽和有機基を表わし、R1は同
一又は異なるものであってよく、1価のアルキル基を表
わし、kは0、1、2又は3であり、mは1、2、3又
は4であり、ここでkとmの合計は4以下である]のジ
シラン少なくとも1種を、式:R n Si 2 (OR 1 ) 6−n (II) [式中R及びR1は同一又は異なるものであってよく、
前記のものを表わし、nは0、1、2又は3である]の
ジシランと混合して、一般式: MOR2 (III) [式中R2は1価の炭化水素基であり、Mはアルカリ金
属原子を表わす]の化合物少なくとも1種の存在下に、
反応させることを特徴とするオルガノポリシランの製
法。 - 【請求項3】 SiC−繊維を製造するために、請求項
1又は2に記載の方法で製造されたオルガノポリシラン
1種以上を紡糸して繊維にし、不活性雰囲気下に又は真
空中で、800〜1400℃の範囲の温度で反応させる
ことを特徴とする、SiC−繊維の製法。 - 【請求項4】 多孔性SiC−セラミックを製造するた
めに、請求項1又は2に記載の方法で製造されたオルガ
ノポリシランを、SiC−粉末と混合し、圧縮して成形
体にし、不活性雰囲気下に、又は真空中で、700〜2
200℃の範囲の温度で反応させることを特徴とする、
多孔性SiC−セラミックの製法。 - 【請求項5】 炭化珪素をベースとする保護被覆を製造
するために、請求項1又は2に記載の方法で製造された
オルガノポリシランを、保護すべき基材上に施与し、不
活性雰囲気下に、700〜1500℃の範囲の温度で、
もしくは反応性雰囲気下に、200〜700℃の温度で
反応させることを特徴とする、炭化珪素をベースとする
保護被覆を製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4020828A DE4020828A1 (de) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | Verfahren zur herstellung von organopolysilanen |
| DE4020828.1 | 1990-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04270730A JPH04270730A (ja) | 1992-09-28 |
| JPH0737532B2 true JPH0737532B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=6409389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3154266A Ceased JPH0737532B2 (ja) | 1990-06-29 | 1991-06-26 | オルガノポリシラン、SiC−繊維、多孔性SiC−セラミック及び保護被覆の製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP0463624A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0737532B2 (ja) |
| DE (1) | DE4020828A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4036988A1 (de) * | 1990-11-20 | 1992-05-21 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von metallopolysilanen und deren verwendung |
| JP2682324B2 (ja) * | 1992-01-21 | 1997-11-26 | 信越化学工業株式会社 | 両末端ヒドロキシポリシラン及びその製造方法 |
| JP3596910B2 (ja) * | 1993-06-14 | 2004-12-02 | 新原 ▲晧▼一 | セラミックス多孔体及びその製造方法 |
| JP2718620B2 (ja) * | 1993-09-01 | 1998-02-25 | 東芝シリコーン株式会社 | ポリオルガノシランの製造方法 |
| JP5241242B2 (ja) | 2005-02-16 | 2013-07-17 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 強化シリコーン樹脂フィルムおよびその製造方法 |
| US8092910B2 (en) | 2005-02-16 | 2012-01-10 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Reinforced silicone resin film and method of preparing same |
| JP2009503230A (ja) | 2005-08-04 | 2009-01-29 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 強化シリコーン樹脂フィルムおよびその製造方法 |
| WO2007025565A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device |
| CN101356237B (zh) * | 2005-12-21 | 2011-06-29 | 陶氏康宁公司 | 有机硅树脂膜,其制备方法和纳米材料填充的有机硅组合物 |
| KR101426316B1 (ko) | 2006-01-19 | 2014-08-06 | 다우 코닝 코포레이션 | 실리콘 수지 필름, 이의 제조방법, 및 나노물질로 충전된실리콘 조성물 |
| WO2007092118A2 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition |
| US8084097B2 (en) * | 2006-02-20 | 2011-12-27 | Dow Corning Corporation | Silicone resin film, method of preparing same, and nanomaterial-filled silicone composition |
| US7803719B2 (en) | 2006-02-24 | 2010-09-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device |
| CN101626893B (zh) | 2007-02-22 | 2013-07-03 | 道康宁公司 | 增强硅树脂膜 |
| JP5377334B2 (ja) | 2007-02-22 | 2013-12-25 | ダウ コーニング コーポレーション | 強化シリコーン樹脂フィルム |
| EP2142588A1 (en) * | 2007-05-01 | 2010-01-13 | Dow Corning Corporation | Nanomaterial-filled silicone composition and reinforced silicone resin film |
| KR20100017503A (ko) * | 2007-05-01 | 2010-02-16 | 다우 코닝 코포레이션 | 강화 실리콘 수지 필름 |
| CN110903090B (zh) * | 2019-12-03 | 2021-02-02 | 西安交通大学 | 一种面向SiC/高温合金一体化构件的强韧化碳化硅陶瓷基体及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE31447E (en) * | 1980-07-23 | 1983-11-22 | Dow Corning Corporation | High yield silicon carbide pre-ceramic polymers |
| US4783516A (en) * | 1983-03-31 | 1988-11-08 | Union Carbide Corporation | Polysilane precursors containing olefinic groups for silicon carbide |
| DE3532128A1 (de) * | 1985-09-10 | 1987-03-12 | Wacker Chemie Gmbh | Organopolysilane, verfahren zu ihrer herstellung und verwendung dieser organopolysilane |
| US4841083A (en) * | 1987-06-03 | 1989-06-20 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Ladder polysilanes |
| DE3811567A1 (de) * | 1988-04-07 | 1989-10-19 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von organopolysilanen |
| US5025075A (en) * | 1988-07-22 | 1991-06-18 | Dow Corning Corporation | Methylpolysilanes and method for their preparation |
| US4889904A (en) * | 1988-07-22 | 1989-12-26 | Dow Corning Corporation | Process for the preparation of methylpolysilanes having controlled carbon content |
-
1990
- 1990-06-29 DE DE4020828A patent/DE4020828A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-06-26 US US07/721,073 patent/US5166287A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-26 JP JP3154266A patent/JPH0737532B2/ja not_active Ceased
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