JPH0737538A - 複合荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
複合荷電粒子ビーム装置Info
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- JPH0737538A JPH0737538A JP5177752A JP17775293A JPH0737538A JP H0737538 A JPH0737538 A JP H0737538A JP 5177752 A JP5177752 A JP 5177752A JP 17775293 A JP17775293 A JP 17775293A JP H0737538 A JPH0737538 A JP H0737538A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料の移動に伴う２つの光学系の調整を簡単
に行うことができる複合荷電粒子ビーム装置を実現す
る。 【構成】 焦点合わせ制御回路２２における焦点合わせ
用の信号と制御コンピュータ２５からの試料の基準高さ
における焦点合わせ信号に基づいて、高さ計算回路２４
は試料２の表面の高さ変化量を演算して求める。高さ変
化量は、電子ビームのアライメント回路２６と電子ビー
ムの焦点合わせ制御回路２３に供給される。アライメン
ト回路２６では、試料上のイオンビームの照射位置に電
子ビームの照射位置を一致させるための偏向信号を作成
する。アライメント回路２６で作成された信号は、偏向
電極１９に供給され、電子ビームはアライメントされ
る。また、電子ビームの焦点合わせ制御回路２３は、こ
の高さ変化量に基づき、電子ビームの焦点合わせ信号を
作成し、電子ビームの対物レンズ２０に供給する。その
結果、試料面に焦点合わせが行われた電子ビームが照射
される。
に行うことができる複合荷電粒子ビーム装置を実現す
る。 【構成】 焦点合わせ制御回路２２における焦点合わせ
用の信号と制御コンピュータ２５からの試料の基準高さ
における焦点合わせ信号に基づいて、高さ計算回路２４
は試料２の表面の高さ変化量を演算して求める。高さ変
化量は、電子ビームのアライメント回路２６と電子ビー
ムの焦点合わせ制御回路２３に供給される。アライメン
ト回路２６では、試料上のイオンビームの照射位置に電
子ビームの照射位置を一致させるための偏向信号を作成
する。アライメント回路２６で作成された信号は、偏向
電極１９に供給され、電子ビームはアライメントされ
る。また、電子ビームの焦点合わせ制御回路２３は、こ
の高さ変化量に基づき、電子ビームの焦点合わせ信号を
作成し、電子ビームの対物レンズ２０に供給する。その
結果、試料面に焦点合わせが行われた電子ビームが照射
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、同一試料に対して電子
ビームとイオンビームとを照射し、加工や観察を行うよ
うにした複合荷電粒子ビーム装置に関する。
ビームとイオンビームとを照射し、加工や観察を行うよ
うにした複合荷電粒子ビーム装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子ビームのカラムとイオンビー
ムのカラムとを同一の試料室上に設けた複合荷電粒子ビ
ーム装置が開発されている。この装置では、イオンビー
ムのカラムにおいて発生したイオンビームを試料の特定
領域に照射して加工し、この加工した領域に電子ビーム
のカラムにおいて発生した電子ビームを走査し、電子ビ
ームの走査に応じて発生した２次電子などを検出するこ
とにより、走査像を得るようにしている。
ムのカラムとを同一の試料室上に設けた複合荷電粒子ビ
ーム装置が開発されている。この装置では、イオンビー
ムのカラムにおいて発生したイオンビームを試料の特定
領域に照射して加工し、この加工した領域に電子ビーム
のカラムにおいて発生した電子ビームを走査し、電子ビ
ームの走査に応じて発生した２次電子などを検出するこ
とにより、走査像を得るようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１は試料面に対する
イオンビームと電子ビームの照射の様子を示しており、
試料の基準面Ｓ１に対して、イオンビームＩＢ１と電子
ビームＥＢ１とは試料の同一位置Ｐ１に照射されるよう
に調整されていると共に、位置Ｐ１において焦点が合わ
されている。この状態で試料を水平移動（図中左右方向
に移動）させると、試料には反りや傾斜があるため、試
料表面の高さは変化する。その結果、所定距離試料を水
平移動させると、例えば、試料面は図中Ｓ２のように基
準の試料面Ｓ１からずれてしまう。このような試料面の
高さ変化は、試料の反りや傾斜だけではなく、透過電子
顕微鏡試料などの特殊な試料の場合にも生ずる。
イオンビームと電子ビームの照射の様子を示しており、
試料の基準面Ｓ１に対して、イオンビームＩＢ１と電子
ビームＥＢ１とは試料の同一位置Ｐ１に照射されるよう
に調整されていると共に、位置Ｐ１において焦点が合わ
されている。この状態で試料を水平移動（図中左右方向
に移動）させると、試料には反りや傾斜があるため、試
料表面の高さは変化する。その結果、所定距離試料を水
平移動させると、例えば、試料面は図中Ｓ２のように基
準の試料面Ｓ１からずれてしまう。このような試料面の
高さ変化は、試料の反りや傾斜だけではなく、透過電子
顕微鏡試料などの特殊な試料の場合にも生ずる。
【０００４】試料表面の高さが変化すると、試料位置Ｓ
２の観察に対し、イオンビームは試料高さに応じて焦点
調整を行わねばならず、この焦点合わせを行うことによ
ってイオンビームはＩＢ２のように調整される。また、
電子ビームは、斜めに試料位置Ｓ２に照射する必要性か
ら、試料面高さが変化すると、電子ビームのアライメン
トの調整を行うと共に、焦点調整を行わねばならない。
この電子ビームのアライメントと焦点調整を実行した後
の電子ビームの経路をＥＢ２として図に示した。このよ
うに、２つの光学系を有したシステムでは、試料の移動
に伴って両方の光学系の調整を実行しなければならな
ず、面倒な作業や機能が必要となる。
２の観察に対し、イオンビームは試料高さに応じて焦点
調整を行わねばならず、この焦点合わせを行うことによ
ってイオンビームはＩＢ２のように調整される。また、
電子ビームは、斜めに試料位置Ｓ２に照射する必要性か
ら、試料面高さが変化すると、電子ビームのアライメン
トの調整を行うと共に、焦点調整を行わねばならない。
この電子ビームのアライメントと焦点調整を実行した後
の電子ビームの経路をＥＢ２として図に示した。このよ
うに、２つの光学系を有したシステムでは、試料の移動
に伴って両方の光学系の調整を実行しなければならな
ず、面倒な作業や機能が必要となる。
【０００５】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、試料の移動に伴う２つの光学系の
調整を簡単に行うことができる複合荷電粒子ビーム装置
を実現するにある。
もので、その目的は、試料の移動に伴う２つの光学系の
調整を簡単に行うことができる複合荷電粒子ビーム装置
を実現するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
複合荷電粒子ビーム装置は、イオン源と、イオン源から
のイオンビームを試料上に細く集束するためのイオンビ
ーム集束手段と、イオンビームを偏向するためのイオン
ビーム偏向手段と、電子源と、電子源からの電子ビーム
を試料上に細く集束するための電子ビーム集束手段と、
電子ビームを偏向するための電子ビーム偏向手段と、一
方のビームの焦点合わせ用の集束手段の調整量に応じ
て、他方のビームの偏向手段を調整し、他方のビームの
アライメント調整を行う制御手段とを備えたことを特徴
としている。
複合荷電粒子ビーム装置は、イオン源と、イオン源から
のイオンビームを試料上に細く集束するためのイオンビ
ーム集束手段と、イオンビームを偏向するためのイオン
ビーム偏向手段と、電子源と、電子源からの電子ビーム
を試料上に細く集束するための電子ビーム集束手段と、
電子ビームを偏向するための電子ビーム偏向手段と、一
方のビームの焦点合わせ用の集束手段の調整量に応じ
て、他方のビームの偏向手段を調整し、他方のビームの
アライメント調整を行う制御手段とを備えたことを特徴
としている。
【０００７】請求項２の発明に基づく複合荷電粒子ビー
ム装置は、イオン源と、イオン源からのイオンビームを
試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段と、
イオンビームを偏向するためのイオンビーム偏向手段
と、電子源と、電子源からの電子ビームを試料上に細く
集束するための電子ビーム集束手段と、電子ビームを偏
向するための電子ビーム偏向手段と、一方のビームの焦
点合わせ用の集束手段の調整量に応じて、他方のビーム
の集束手段を調整し、他方のビームの焦点合わせを行う
制御手段とを備えたことを特徴としている。
ム装置は、イオン源と、イオン源からのイオンビームを
試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段と、
イオンビームを偏向するためのイオンビーム偏向手段
と、電子源と、電子源からの電子ビームを試料上に細く
集束するための電子ビーム集束手段と、電子ビームを偏
向するための電子ビーム偏向手段と、一方のビームの焦
点合わせ用の集束手段の調整量に応じて、他方のビーム
の集束手段を調整し、他方のビームの焦点合わせを行う
制御手段とを備えたことを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明に基づく複合荷電粒子ビーム装置は、一
方のビームの焦点合わせ用の集束レンズの調整量に応じ
て、他方のビームの偏向手段や集束手段を調整し、他方
のビームのアライメント調整や焦点合わせを自動的に行
う。
方のビームの焦点合わせ用の集束レンズの調整量に応じ
て、他方のビームの偏向手段や集束手段を調整し、他方
のビームのアライメント調整や焦点合わせを自動的に行
う。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図２は、本発明の一実施例を示しており、
この図では、半導体デバイスなどの試料をイオンビーム
で削り、削った試料部分で電子ビームを走査し、走査に
基づいて得られた信号により２次電子像などを表示する
ようにした複合荷電粒子ビーム加工観察装置が示されて
いる。この図で、試料室１内には観察すべき試料２が配
置される。試料室１上には、イオンビーム照射カラム３
と電子ビーム照射カラム４とが設けられている。
に説明する。図２は、本発明の一実施例を示しており、
この図では、半導体デバイスなどの試料をイオンビーム
で削り、削った試料部分で電子ビームを走査し、走査に
基づいて得られた信号により２次電子像などを表示する
ようにした複合荷電粒子ビーム加工観察装置が示されて
いる。この図で、試料室１内には観察すべき試料２が配
置される。試料室１上には、イオンビーム照射カラム３
と電子ビーム照射カラム４とが設けられている。
【００１０】イオンビーム照射カラム３内には、イオン
源５、イオン源５から電子を引き出すための引き出し電
極６、加速電極７、集束レンズ８、ビームブランキング
電極９、アパーチャ１０、ビーム偏向電極１１、対物レ
ンズ１２が含まれている。また、電子ビーム照射カラム
４内には、電子源１３、電子源１３からイオンを引き出
すための引き出し電極１４、アノード１５、集束レンズ
１６、ビームブランキング電極１７、アパーチャ１８、
ビーム偏向電極１９、対物レンズ２０が含まれている。
さらに、試料室１には試料２から発生した２次電子を検
出するための２次電子検出器２１が設けられている。
源５、イオン源５から電子を引き出すための引き出し電
極６、加速電極７、集束レンズ８、ビームブランキング
電極９、アパーチャ１０、ビーム偏向電極１１、対物レ
ンズ１２が含まれている。また、電子ビーム照射カラム
４内には、電子源１３、電子源１３からイオンを引き出
すための引き出し電極１４、アノード１５、集束レンズ
１６、ビームブランキング電極１７、アパーチャ１８、
ビーム偏向電極１９、対物レンズ２０が含まれている。
さらに、試料室１には試料２から発生した２次電子を検
出するための２次電子検出器２１が設けられている。
【００１１】２２はイオンビームの焦点合わせ制御回路
であり、この制御回路２２からの信号に基づいてイオン
ビームの対物レンズ１２が制御され、イオンビームの焦
点合わせが行われる。また、２３は電子ビームの焦点合
わせ制御回路であり、この制御回路２３からの信号に基
づいて電子ビームの対物レンズ２０が制御され、電子ビ
ームの焦点合わせが行われる。２４は高さ計算回路であ
り、制御コンピュータ２５からの信号と焦点合わせ制御
回路２２からの信号に基づいて試料２の高さの計算を行
う。２６は電子ビームのアライメント回路であり、この
アライメント回路２６からの信号は電子ビーム偏向電極
１９に供給される。このような構成における動作を次に
説明する。
であり、この制御回路２２からの信号に基づいてイオン
ビームの対物レンズ１２が制御され、イオンビームの焦
点合わせが行われる。また、２３は電子ビームの焦点合
わせ制御回路であり、この制御回路２３からの信号に基
づいて電子ビームの対物レンズ２０が制御され、電子ビ
ームの焦点合わせが行われる。２４は高さ計算回路であ
り、制御コンピュータ２５からの信号と焦点合わせ制御
回路２２からの信号に基づいて試料２の高さの計算を行
う。２６は電子ビームのアライメント回路であり、この
アライメント回路２６からの信号は電子ビーム偏向電極
１９に供給される。このような構成における動作を次に
説明する。
【００１２】まず、通常のイオンビームによる試料の加
工と電子ビームによる像観察の動作を説明する。試料室
１内の試料２に対し、イオンビーム照射カラム３からイ
オンビームが照射される。すなわち、イオン源５から引
き出し電極６によってイオンが引き出され、そのイオン
は加速電極７によって加速される。そして、加速された
イオンは集束レンズ８、対物レンズ１２によって試料２
上に細く集束される。試料２におけるイオンビームの照
射位置は、ビーム偏向電極１１に走査信号を供給するこ
とによって走査され、その結果、試料の所望部分がイオ
ンビームによって切削加工される。
工と電子ビームによる像観察の動作を説明する。試料室
１内の試料２に対し、イオンビーム照射カラム３からイ
オンビームが照射される。すなわち、イオン源５から引
き出し電極６によってイオンが引き出され、そのイオン
は加速電極７によって加速される。そして、加速された
イオンは集束レンズ８、対物レンズ１２によって試料２
上に細く集束される。試料２におけるイオンビームの照
射位置は、ビーム偏向電極１１に走査信号を供給するこ
とによって走査され、その結果、試料の所望部分がイオ
ンビームによって切削加工される。
【００１３】この加工によって試料の所望部分の断面が
現れることになり、次いでこの断面部分に電子ビーム照
射カラム４からの電子ビームが照射される。この電子ビ
ームが照射される際には、イオンビームはビームブラン
キング電極９へのブランキング信号の供給により偏向さ
れ、アパーチャ１０に照射されることから試料２へのイ
オンビームの照射は停止される。
現れることになり、次いでこの断面部分に電子ビーム照
射カラム４からの電子ビームが照射される。この電子ビ
ームが照射される際には、イオンビームはビームブラン
キング電極９へのブランキング信号の供給により偏向さ
れ、アパーチャ１０に照射されることから試料２へのイ
オンビームの照射は停止される。
【００１４】電子ビーム照射カラム４においては、電子
源１３から引き出し電極１４によって電子が引き出さ
れ、その電子は加速電極７によって加速される。そし
て、加速された電子は集束レンズ１６、対物レンズ２０
によって試料２上に細く集束される。試料２における電
子ビームの照射位置は、ビーム偏向電極１９に走査信号
を供給することによって走査され、その結果、イオンビ
ームによって削られ、露出された試料部分で２次元的に
走査される。
源１３から引き出し電極１４によって電子が引き出さ
れ、その電子は加速電極７によって加速される。そし
て、加速された電子は集束レンズ１６、対物レンズ２０
によって試料２上に細く集束される。試料２における電
子ビームの照射位置は、ビーム偏向電極１９に走査信号
を供給することによって走査され、その結果、イオンビ
ームによって削られ、露出された試料部分で２次元的に
走査される。
【００１５】電子ビームの走査に伴って試料から発生し
た２次電子は、２次電子検出器２１によって検出され
る。この検出器２１の検出信号は図示していないが、電
子ビームの走査信号が供給されている陰極線管に供給さ
れ、その陰極線管上に試料の断面の２次電子像が表示さ
れる。
た２次電子は、２次電子検出器２１によって検出され
る。この検出器２１の検出信号は図示していないが、電
子ビームの走査信号が供給されている陰極線管に供給さ
れ、その陰極線管上に試料の断面の２次電子像が表示さ
れる。
【００１６】さて、ここで、試料２の別の部分の加工や
観察を行う場合には、試料２を図示していない駆動機構
で水平方向に移動させる。この移動に伴って、試料２の
表面の高さが変化するので、まず、イオンビームの焦点
合わせを行う。この焦点合わせは、焦点合わせ制御回路
２２を調整することによって行うが、この調整は手動で
行っても良く、あるいは、既知の自動的な焦点合わせ機
能を働かせることによっても行うことができる。この調
整によってイオンビームは焦点のあった状態で試料２に
照射される。
観察を行う場合には、試料２を図示していない駆動機構
で水平方向に移動させる。この移動に伴って、試料２の
表面の高さが変化するので、まず、イオンビームの焦点
合わせを行う。この焦点合わせは、焦点合わせ制御回路
２２を調整することによって行うが、この調整は手動で
行っても良く、あるいは、既知の自動的な焦点合わせ機
能を働かせることによっても行うことができる。この調
整によってイオンビームは焦点のあった状態で試料２に
照射される。
【００１７】この実施例では、焦点合わせ制御回路２２
における焦点合わせ用の信号が高さ計算回路２４に供給
される。高さ計算回路２４には更に制御コンピュータ２
５から試料の基準高さにおける焦点合わせ信号も供給さ
れており、この両信号に基づいて高さ計算回路２４は試
料２の表面の高さ変化量を演算して求める。
における焦点合わせ用の信号が高さ計算回路２４に供給
される。高さ計算回路２４には更に制御コンピュータ２
５から試料の基準高さにおける焦点合わせ信号も供給さ
れており、この両信号に基づいて高さ計算回路２４は試
料２の表面の高さ変化量を演算して求める。
【００１８】高さ計算回路２４で求めた高さ変化量は、
電子ビームのアライメント回路２６に供給される。この
アライメント回路２６では、高さ変化量に基づいて、試
料上のイオンビームの照射位置に電子ビームの照射位置
を一致させるための偏向信号（アライメント信号）を作
成する。アライメント回路２６で作成されたアライメン
ト信号は、電子ビームの偏向電極１９に供給され、電子
ビームはアライメントされる。なお、この偏向電極１９
は便宜上一対の電極としたが、実際には、Ｘ，Ｙ方向の
アライメントを行うため、２対の電極がある。また、電
子ビームの走査のためとアライメントのために単一の偏
向電極１９を用意したが、実際には走査用の電極とアラ
イメント用の電極とは別々に用意することが望ましい。
電子ビームのアライメント回路２６に供給される。この
アライメント回路２６では、高さ変化量に基づいて、試
料上のイオンビームの照射位置に電子ビームの照射位置
を一致させるための偏向信号（アライメント信号）を作
成する。アライメント回路２６で作成されたアライメン
ト信号は、電子ビームの偏向電極１９に供給され、電子
ビームはアライメントされる。なお、この偏向電極１９
は便宜上一対の電極としたが、実際には、Ｘ，Ｙ方向の
アライメントを行うため、２対の電極がある。また、電
子ビームの走査のためとアライメントのために単一の偏
向電極１９を用意したが、実際には走査用の電極とアラ
イメント用の電極とは別々に用意することが望ましい。
【００１９】高さ計算回路２４で求めた高さ変化量は、
更に、電子ビームの焦点合わせ制御回路２３にも供給さ
れる。電子ビームの焦点合わせ制御回路２３は、この高
さ変化量に基づき、電子ビームの焦点合わせ信号を作成
し、電子ビームの対物レンズ２０に供給する。その結
果、試料面に正確に焦点合わせが行われた電子ビームが
照射される。
更に、電子ビームの焦点合わせ制御回路２３にも供給さ
れる。電子ビームの焦点合わせ制御回路２３は、この高
さ変化量に基づき、電子ビームの焦点合わせ信号を作成
し、電子ビームの対物レンズ２０に供給する。その結
果、試料面に正確に焦点合わせが行われた電子ビームが
照射される。
【００２０】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、前記実施例にお
いては、イオンビームの照射位置に電子ビームの照射位
置を一致させるための偏向信号（アライメント信号）を
走査用の電子ビームの偏向電極１９に供給するようにし
たが、該走査用の電子ビームの偏向電極に供給する代わ
りに、アライメント専用の偏向電極を別に設けて該電極
に供給するように成しても良いし、前記実施例で示され
ているような走査型の電子ビーム装置には、通常イメー
ジシフトコイルが備えられているので、該イメージシフ
トコイルに供給するように成しても良い。
はこの実施例に限定されない。例えば、前記実施例にお
いては、イオンビームの照射位置に電子ビームの照射位
置を一致させるための偏向信号（アライメント信号）を
走査用の電子ビームの偏向電極１９に供給するようにし
たが、該走査用の電子ビームの偏向電極に供給する代わ
りに、アライメント専用の偏向電極を別に設けて該電極
に供給するように成しても良いし、前記実施例で示され
ているような走査型の電子ビーム装置には、通常イメー
ジシフトコイルが備えられているので、該イメージシフ
トコイルに供給するように成しても良い。
【００２１】また、イオンビームの焦点を調整して試料
面の高さ変化量を求め、その高さ変化量に基づいて電子
ビームのアライメントや焦点合わせを自動的に行うよう
にしたが、逆に、電子ビームの焦点を合わせ、それによ
って試料面の高さ変化量を求め、その高さ変化量に基づ
いてイオンビームのアライメントや焦点を合わせるよう
に構成しても良い。また、対物レンズによって焦点合わ
せを行うようにしたが、対物レンズの補助レンズを設
け、この補助レンズによって焦点合わせを行うようにし
ても良い。
面の高さ変化量を求め、その高さ変化量に基づいて電子
ビームのアライメントや焦点合わせを自動的に行うよう
にしたが、逆に、電子ビームの焦点を合わせ、それによ
って試料面の高さ変化量を求め、その高さ変化量に基づ
いてイオンビームのアライメントや焦点を合わせるよう
に構成しても良い。また、対物レンズによって焦点合わ
せを行うようにしたが、対物レンズの補助レンズを設
け、この補助レンズによって焦点合わせを行うようにし
ても良い。
【００２２】更に、イオンビームで加工を行い、電子ビ
ームにより像観察を行う例を説明したが、イオンビーム
を用いて像の観察を行う場合にも本発明を適用すること
ができる。更にまた、像観察のために２次電子を検出し
たが、反射電子を検出しても、２次イオンや反射イオン
を検出するようにしても良い。
ームにより像観察を行う例を説明したが、イオンビーム
を用いて像の観察を行う場合にも本発明を適用すること
ができる。更にまた、像観察のために２次電子を検出し
たが、反射電子を検出しても、２次イオンや反射イオン
を検出するようにしても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく複
合荷電粒子ビーム装置は、一方のビームの焦点合わせ用
の集束レンズの調整量に応じて、他方のビームの偏向手
段や集束手段を調整し、他方のビームのアライメント調
整や焦点合わせを自動的に行うように構成したので、試
料の移動に伴う２つの光学系の調整を簡単に行うことが
できる。
合荷電粒子ビーム装置は、一方のビームの焦点合わせ用
の集束レンズの調整量に応じて、他方のビームの偏向手
段や集束手段を調整し、他方のビームのアライメント調
整や焦点合わせを自動的に行うように構成したので、試
料の移動に伴う２つの光学系の調整を簡単に行うことが
できる。
【図１】試料面に対するイオンビームと電子ビームの照
射の様子を示す図である。
射の様子を示す図である。
【図２】本発明の一実施例である複合荷電粒子ビーム装
置を示す図である。
置を示す図である。
１ 試料室 ２ 試料 ３ イオンビーム照射カラム ４ 電子ビーム照射カラム １１ イオンビーム偏向電極 １２ イオンビーム対物レンズ １９ 電子ビーム偏向電極 ２０ 電子ビーム対物レンズ ２１ ２次電子検出器 ２２ イオンビームの焦点合わせ制御回路 ２３ 電子ビームの焦点合わせ制御回路 ２４ 高さ計算回路 ２５ 制御コンピュータ ２６ 電子ビームのアライメント回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｚ (72)発明者 細田 治 東京都昭島市武蔵野３丁目１番２号 日本 電子株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 イオン源と、イオン源からのイオンビー
ムを試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段
と、イオンビームを偏向するためのイオンビーム偏向手
段と、電子源と、電子源からの電子ビームを試料上に細
く集束するための電子ビーム集束手段と、電子ビームを
偏向するための電子ビーム偏向手段と、一方のビームの
焦点合わせ用の集束手段の調整量に応じて、他方のビー
ムの偏向手段を調整し、他方のビームのアライメント調
整を行う制御手段とを備えた複合荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項２】 イオン源と、イオン源からのイオンビー
ムを試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段
と、イオンビームを偏向するためのイオンビーム偏向手
段と、電子源と、電子源からの電子ビームを試料上に細
く集束するための電子ビーム集束手段と、電子ビームを
偏向するための電子ビーム偏向手段と、一方のビームの
焦点合わせ用の集束手段の調整量に応じて、他方のビー
ムの集束手段を調整し、他方のビームの焦点合わせを行
う制御手段とを備えた複合荷電粒子ビーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05177752A JP3101130B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 複合荷電粒子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05177752A JP3101130B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 複合荷電粒子ビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737538A true JPH0737538A (ja) | 1995-02-07 |
| JP3101130B2 JP3101130B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=16036511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05177752A Expired - Fee Related JP3101130B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 複合荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP2006236836A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Sii Nanotechnology Inc | 試料高さ調整方法と試料観察方法と試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
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| JP2008198405A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査形電子顕微鏡 |
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| US6326318B1 (en) | 1995-09-14 | 2001-12-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Process for producing semiconductor devices including an insulating layer with an impurity |
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| US6288438B1 (en) | 1996-09-06 | 2001-09-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device including insulation film and fabrication method thereof |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08241691A (ja) * | 1995-03-06 | 1996-09-17 | Natl Res Inst For Metals | 減速集束イオンビーム装置 |
| JP2006236836A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Sii Nanotechnology Inc | 試料高さ調整方法と試料観察方法と試料加工方法および荷電粒子ビーム装置 |
| JP2006313704A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム装置 |
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| JP2013211280A (ja) * | 2007-08-08 | 2013-10-10 | Hitachi High-Tech Science Corp | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法 |
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