JPH10275585A - 真空ｓｔｍ用走査型電子顕微鏡 - Google Patents
真空ｓｔｍ用走査型電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPH10275585A JPH10275585A JP9078247A JP7824797A JPH10275585A JP H10275585 A JPH10275585 A JP H10275585A JP 9078247 A JP9078247 A JP 9078247A JP 7824797 A JP7824797 A JP 7824797A JP H10275585 A JPH10275585 A JP H10275585A
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- JP
- Japan
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- sample
- electron
- electron beam
- stm
- electron microscope
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １つの電子銃によりＳＥＭ像、ＲＨＥＥＤ像
も観察することができる真空ＳＴＭ用装置型電子顕微鏡
を提供する。 【解決手段】 真空容器内に走査トンネル顕微鏡および
走査電子顕微鏡が配置された装置において、試料に低い
角度で電子ビームを照射させる偏向器と、試料からの反
射電子を検出する検出器とを備え、前記走査電子顕微鏡
の電子銃からの電子ビームを前記偏向器に入射させて試
料に照射し、試料からの反射電子を前記検出器で検出し
て反射電子線回折像を観察可能にしたことを特徴とす
る。
も観察することができる真空ＳＴＭ用装置型電子顕微鏡
を提供する。 【解決手段】 真空容器内に走査トンネル顕微鏡および
走査電子顕微鏡が配置された装置において、試料に低い
角度で電子ビームを照射させる偏向器と、試料からの反
射電子を検出する検出器とを備え、前記走査電子顕微鏡
の電子銃からの電子ビームを前記偏向器に入射させて試
料に照射し、試料からの反射電子を前記検出器で検出し
て反射電子線回折像を観察可能にしたことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型トンネル顕微
鏡（ＳＴＭ）と走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）が組み込ま
れ、ＳＴＭ像、ＳＥＭ像を観察可能にした真空ＳＴＭ用
ＳＥＭに関するものである。
鏡（ＳＴＭ）と走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）が組み込ま
れ、ＳＴＭ像、ＳＥＭ像を観察可能にした真空ＳＴＭ用
ＳＥＭに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超高真空中で使用されるＳＴＭでは、同
時にＳＥＭにより試料および探針の状態を見たい、ある
いは反射型高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）で試料表面の
構造を見たいという要請があった。ところが、ＳＥＭで
は試料面に一次電子を照射し、そのとき放出される二次
電子を検出するのに対して、ＲＨＥＥＤでは試料に浅い
角度で電子線を照射し、そのとき反射される電子線と試
料面との相互作用による回折像を見ているため、ＳＥＭ
とＲＨＥＥＤでは互いに試料を見込む角が大きく異な
り、これらを同時に観測する場合は２個の電子銃を必要
としていた。
時にＳＥＭにより試料および探針の状態を見たい、ある
いは反射型高速電子線回折（ＲＨＥＥＤ）で試料表面の
構造を見たいという要請があった。ところが、ＳＥＭで
は試料面に一次電子を照射し、そのとき放出される二次
電子を検出するのに対して、ＲＨＥＥＤでは試料に浅い
角度で電子線を照射し、そのとき反射される電子線と試
料面との相互作用による回折像を見ているため、ＳＥＭ
とＲＨＥＥＤでは互いに試料を見込む角が大きく異な
り、これらを同時に観測する場合は２個の電子銃を必要
としていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の装置
では、ＳＴＭ像、ＳＥＭ像、ＲＨＥＥＤ像をそれぞれ観
察しようとすると、ＳＥＭ像、ＲＨＥＥＤ像を得るため
の電子銃をそれぞれ必要とし、極めて高価となり、スペ
ースも必要としていた。
では、ＳＴＭ像、ＳＥＭ像、ＲＨＥＥＤ像をそれぞれ観
察しようとすると、ＳＥＭ像、ＲＨＥＥＤ像を得るため
の電子銃をそれぞれ必要とし、極めて高価となり、スペ
ースも必要としていた。
【０００４】本発明は上記課題を解決するためのもの
で、１つの電子銃によりＳＥＭ像、ＲＨＥＥＤ像も観察
することができる真空ＳＴＭ用装置型電子顕微鏡を提供
することを目的とする。
で、１つの電子銃によりＳＥＭ像、ＲＨＥＥＤ像も観察
することができる真空ＳＴＭ用装置型電子顕微鏡を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空容器内に
走査トンネル顕微鏡および走査電子顕微鏡が配置された
装置において、試料に低い角度で電子ビームを照射させ
る偏向器と、試料からの反射電子を検出する検出器とを
備え、前記走査電子顕微鏡の電子銃からの電子ビームを
前記偏向器に入射させて試料に照射し、試料からの反射
電子を前記検出器で検出して反射電子線回折像を観察可
能にしたことを特徴とする。
走査トンネル顕微鏡および走査電子顕微鏡が配置された
装置において、試料に低い角度で電子ビームを照射させ
る偏向器と、試料からの反射電子を検出する検出器とを
備え、前記走査電子顕微鏡の電子銃からの電子ビームを
前記偏向器に入射させて試料に照射し、試料からの反射
電子を前記検出器で検出して反射電子線回折像を観察可
能にしたことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は本発明の実施の形態を示す図であ
る。図１において、真空容器１は超高真空に保持され、
この中に試料２に対向してＳＴＭスキャナ１０、ＳＴＭ
探針１１が配置され、また、ＳＴＭスキャナ１０の両側
にはＳＥＭ用の電子銃２０とＳＥＭ用の検出器２１がそ
れぞれ配置されている。電子銃２０はレンズや偏向系を
含んでおり、真空容器１にベローズ２２によって試料２
に対して接近あるいは後退できるように取り付けられて
いる。また、試料２に対して浅い角度で電子ビームを照
射させるための偏向器３０と電子ビームを曲げることに
よる歪みを補正するための非点補正器３１、また試料か
らの反射電子を検出するためのＲＨＥＥＤ検出器３２が
配置されている。
て説明する。図１は本発明の実施の形態を示す図であ
る。図１において、真空容器１は超高真空に保持され、
この中に試料２に対向してＳＴＭスキャナ１０、ＳＴＭ
探針１１が配置され、また、ＳＴＭスキャナ１０の両側
にはＳＥＭ用の電子銃２０とＳＥＭ用の検出器２１がそ
れぞれ配置されている。電子銃２０はレンズや偏向系を
含んでおり、真空容器１にベローズ２２によって試料２
に対して接近あるいは後退できるように取り付けられて
いる。また、試料２に対して浅い角度で電子ビームを照
射させるための偏向器３０と電子ビームを曲げることに
よる歪みを補正するための非点補正器３１、また試料か
らの反射電子を検出するためのＲＨＥＥＤ検出器３２が
配置されている。
【０００７】このような構成において、ＳＴＭスキャナ
１０によりＳＴＭ探針１１を駆動して試料面のＳＴＭ像
が観察される。ＳＥＭ像を観察する場合には電子銃２０
を照射位置２３まで移動させ、ＳＥＭ用電子ビーム経路
２５を通して電子ビームを試料２に照射し、その時試料
から放出される二次電子をＳＥＭ検出器２１で検出す
る。
１０によりＳＴＭ探針１１を駆動して試料面のＳＴＭ像
が観察される。ＳＥＭ像を観察する場合には電子銃２０
を照射位置２３まで移動させ、ＳＥＭ用電子ビーム経路
２５を通して電子ビームを試料２に照射し、その時試料
から放出される二次電子をＳＥＭ検出器２１で検出す
る。
【０００８】次に電子銃２０を試料から引き離し、図の
照射位置２４まで後退させる。この時の移動可能距離Ｌ
はベローズ２２によって確保される。この位置で電子銃
２０に設けられている走査コイル（図示せず）で電子ビ
ームを偏向し、電子銃外部に設けた別の偏向器３０に入
射させ、ここで偏向させて非点補正器３１を介して試料
に極めて浅い角度で電子ビームを照射すると、対向面に
配置した蛍光スクリーン等からなるＲＨＥＥＤ検出器３
２でＲＨＥＥＤ像が得られる。
照射位置２４まで後退させる。この時の移動可能距離Ｌ
はベローズ２２によって確保される。この位置で電子銃
２０に設けられている走査コイル（図示せず）で電子ビ
ームを偏向し、電子銃外部に設けた別の偏向器３０に入
射させ、ここで偏向させて非点補正器３１を介して試料
に極めて浅い角度で電子ビームを照射すると、対向面に
配置した蛍光スクリーン等からなるＲＨＥＥＤ検出器３
２でＲＨＥＥＤ像が得られる。
【０００９】このように大きな電子銃を２個使わなくて
も１個だけでＳＥＭ像とＲＨＥＥＤ像の両方の観察が可
能である。なお、試料を傾斜させれば同じことが容易に
できるが、ＳＴＭが配置されている場合、振動をできる
限り減らす必要があるので、試料またはＳＴＭステージ
に傾斜機構は付けにくい。従って、試料あるいはＳＴＭ
はそのままとし電子銃２０を移動可能としてその走査コ
イルを用いて電子ビームを偏向することによりＳＥＭ像
とＲＨＥＥＤ像の観察する方が有利である。
も１個だけでＳＥＭ像とＲＨＥＥＤ像の両方の観察が可
能である。なお、試料を傾斜させれば同じことが容易に
できるが、ＳＴＭが配置されている場合、振動をできる
限り減らす必要があるので、試料またはＳＴＭステージ
に傾斜機構は付けにくい。従って、試料あるいはＳＴＭ
はそのままとし電子銃２０を移動可能としてその走査コ
イルを用いて電子ビームを偏向することによりＳＥＭ像
とＲＨＥＥＤ像の観察する方が有利である。
【００１０】図２は本発明の他の実施の形態の例を示す
図である。この例も基本的構造は図１の場合と同じであ
るが、電子銃２０がベローズ２２により試料に対して接
近、後退可能であると共に、傾斜可能に構成されている
点が異なっている。このように電子銃の移動、傾斜機構
を設けることにより、電子銃の持つ走査コイルの偏向に
因らず、電子銃自体の角度を変えることにより、ＳＥＭ
の偏向系は使わずに、偏向器３０に電子ビームを入射さ
せることができるので、同様にＲＨＥＥＤ像の観察を行
うことが可能である。
図である。この例も基本的構造は図１の場合と同じであ
るが、電子銃２０がベローズ２２により試料に対して接
近、後退可能であると共に、傾斜可能に構成されている
点が異なっている。このように電子銃の移動、傾斜機構
を設けることにより、電子銃の持つ走査コイルの偏向に
因らず、電子銃自体の角度を変えることにより、ＳＥＭ
の偏向系は使わずに、偏向器３０に電子ビームを入射さ
せることができるので、同様にＲＨＥＥＤ像の観察を行
うことが可能である。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＳＥＭの
電子銃に移動または移動傾斜機構を設け、ＳＥＭ像観察
時には試料に接近させ、ＲＨＥＥＤ像観察時には引き離
し、ＳＥＭ走査コイルまたは電子銃の傾斜により別に配
置した偏向器に電子ビームを入射させて試料に浅い角度
で電子ビームを照射し、その反射電子を蛍光スクリーン
等で検出することができ、１つのＳＥＭの電子銃により
ＲＨＥＥＤ像を観察することも可能になる。
電子銃に移動または移動傾斜機構を設け、ＳＥＭ像観察
時には試料に接近させ、ＲＨＥＥＤ像観察時には引き離
し、ＳＥＭ走査コイルまたは電子銃の傾斜により別に配
置した偏向器に電子ビームを入射させて試料に浅い角度
で電子ビームを照射し、その反射電子を蛍光スクリーン
等で検出することができ、１つのＳＥＭの電子銃により
ＲＨＥＥＤ像を観察することも可能になる。
【図１】 本発明の実施の形態を示す図である。
【図２】 本発明の他の実施の形態の例を示す図であ
る。
る。
１…真空容器、２…試料、１０…ＳＴＭスキャナ、１１
…ＳＴＭ探針、２０…電子銃、２１…検出器、２２…ベ
ローズ、２３…ＳＥＭ照射位置、２４…ＲＨＥＥＤ照射
位置、２５…ＳＥＭ用電子ビーム経路、３０…偏向器、
３１…非点補正器、３２…ＲＨＥＥＤ検出器、３３…Ｒ
ＨＥＥＤ電子ビーム経路。
…ＳＴＭ探針、２０…電子銃、２１…検出器、２２…ベ
ローズ、２３…ＳＥＭ照射位置、２４…ＲＨＥＥＤ照射
位置、２５…ＳＥＭ用電子ビーム経路、３０…偏向器、
３１…非点補正器、３２…ＲＨＥＥＤ検出器、３３…Ｒ
ＨＥＥＤ電子ビーム経路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 真空容器内に走査トンネル顕微鏡および
走査電子顕微鏡が配置された装置において、試料に低い
角度で電子ビームを照射させる偏向器と、試料からの反
射電子を検出する検出器とを備え、前記走査電子顕微鏡
の電子銃からの電子ビームを前記偏向器に入射させて試
料に照射し、試料からの反射電子を前記検出器で検出し
て反射電子線回折像を観察可能にしたことを特徴とする
真空ＳＴＭ用走査型電子顕微鏡。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子顕微鏡において、走
査型電子顕微鏡の電子銃を試料に対して接近、後退させ
る移動機構を備え、反射電子線回折像を観察時には前記
電子銃を後退させ、電子銃内で偏向させた電子ビームを
前記偏向器に入射させるようにしたことを特徴とする真
空ＳＴＭ用走査型電子顕微鏡。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子顕微鏡において、前
記電子銃を試料に対して接近、後退させると共に、傾斜
させる機構を備え、反射電子線回折像を観察時には前記
電子銃を後退かつ傾斜させ、電子銃からの電子ビームを
前記偏向器に入射させるようにしたことを特徴とする真
空ＳＴＭ用走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078247A JPH10275585A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 真空ｓｔｍ用走査型電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078247A JPH10275585A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 真空ｓｔｍ用走査型電子顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275585A true JPH10275585A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13656686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9078247A Withdrawn JPH10275585A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 真空ｓｔｍ用走査型電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275585A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210171A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビームの走査幅校正方法及び荷電粒子ビームを用いた顕微装置並びに荷電粒子ビーム校正用試料 |
| JP2008047523A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-28 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 試料を検査するための荷電粒子ビーム装置および方法 |
| KR20230141595A (ko) * | 2022-03-31 | 2023-10-10 | 주식회사 히타치하이테크 | 하전 입자빔 장치 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP9078247A patent/JPH10275585A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210171A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビームの走査幅校正方法及び荷電粒子ビームを用いた顕微装置並びに荷電粒子ビーム校正用試料 |
| JP2008047523A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-28 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 試料を検査するための荷電粒子ビーム装置および方法 |
| US8008629B2 (en) | 2006-07-24 | 2011-08-30 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device and method for inspecting specimen |
| KR20230141595A (ko) * | 2022-03-31 | 2023-10-10 | 주식회사 히타치하이테크 | 하전 입자빔 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |