JPH0737793A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0737793A JPH0737793A JP18287293A JP18287293A JPH0737793A JP H0737793 A JPH0737793 A JP H0737793A JP 18287293 A JP18287293 A JP 18287293A JP 18287293 A JP18287293 A JP 18287293A JP H0737793 A JPH0737793 A JP H0737793A
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- Japan
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- film
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- resist
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言え
ば、レジストパターンの寸法バラツキの抑止を目的とす
る。 【構成】被形成層（１１）上に屈折率ｎの感光性膜（１
２）を形成したのちに、膜厚がλ／４ｎの透明膜（１
３）を形成する工程と、波長がλの光線を用いて、前記
透明膜（１３）を介して前記感光性膜（１２）を露光す
る工程と、前記透明膜（１３）を除去する工程と、波長
がλの光線を用いて、再び前記感光性膜（１２）を露光
・現像して該感光性膜（１２）をパターニングしてレジ
ストパターン（１５）を形成する工程とを有すること。
ば、レジストパターンの寸法バラツキの抑止を目的とす
る。 【構成】被形成層（１１）上に屈折率ｎの感光性膜（１
２）を形成したのちに、膜厚がλ／４ｎの透明膜（１
３）を形成する工程と、波長がλの光線を用いて、前記
透明膜（１３）を介して前記感光性膜（１２）を露光す
る工程と、前記透明膜（１３）を除去する工程と、波長
がλの光線を用いて、再び前記感光性膜（１２）を露光
・現像して該感光性膜（１２）をパターニングしてレジ
ストパターン（１５）を形成する工程とを有すること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、更に詳しく言えば、レジストパターンの寸法バラ
ツキの抑止を目的とする。
関し、更に詳しく言えば、レジストパターンの寸法バラ
ツキの抑止を目的とする。
【０００２】
【従来の技術】以下で、従来例に係る半導体装置の製造
方法について図面を参照しながら説明する。まず、ＰＳ
Ｇ膜などの被形成層（１）上に、ポジ型のレジスト膜
（２）を形成して、所望のパターンが形成されたフォト
マスク（４）を介して露光する（図６）。
方法について図面を参照しながら説明する。まず、ＰＳ
Ｇ膜などの被形成層（１）上に、ポジ型のレジスト膜
（２）を形成して、所望のパターンが形成されたフォト
マスク（４）を介して露光する（図６）。
【０００３】次に、露光されたレジスト膜（２）を現像
して、露光領域（２Ａ）を除去して所望のパターンにパ
ターニングし、レジストパターン（３）を形成する（図
７）。この露光工程では、図８に示すように、レジスト
膜（２）の内部でレジスト膜（２）に入射される入射光
と、被形成層（１）から反射される反射光とが互いに干
渉して、節と腹の間隔がλ／４ｎの定在波を生じるの
で、レジスト膜（２）の底面からの深さによって、定在
波の節の部分で極小になり、腹の部分で極大になるよう
に周期的にレジスト膜（２）中の露光強度が変動する。
して、露光領域（２Ａ）を除去して所望のパターンにパ
ターニングし、レジストパターン（３）を形成する（図
７）。この露光工程では、図８に示すように、レジスト
膜（２）の内部でレジスト膜（２）に入射される入射光
と、被形成層（１）から反射される反射光とが互いに干
渉して、節と腹の間隔がλ／４ｎの定在波を生じるの
で、レジスト膜（２）の底面からの深さによって、定在
波の節の部分で極小になり、腹の部分で極大になるよう
に周期的にレジスト膜（２）中の露光強度が変動する。
【０００４】この定在波の節と腹の間隔はλ／４ｎなの
で、露光強度の強弱はこの間隔ごとに繰り返される。レ
ジスト膜（２）の膜厚は、成膜箇所によって常に均一で
あるとは限らないので、膜厚の異なる箇所では、定在波
の影響によって露光強度が異なってしまう。従って、そ
の後形成されるレジストパターン（３）の寸法が形成箇
所によってばらついてしまう。この寸法のバラツキは、
パターンの微細化とともに無視できないほどになる。
で、露光強度の強弱はこの間隔ごとに繰り返される。レ
ジスト膜（２）の膜厚は、成膜箇所によって常に均一で
あるとは限らないので、膜厚の異なる箇所では、定在波
の影響によって露光強度が異なってしまう。従って、そ
の後形成されるレジストパターン（３）の寸法が形成箇
所によってばらついてしまう。この寸法のバラツキは、
パターンの微細化とともに無視できないほどになる。
【０００５】よってそれを解決すべく、露光吸収性の
色素が添加されたレジストを用いて定在波の影響を低減
する方法や、レジスト膜の下層に低反射率の反射抑止
膜（５）を形成して反射光を弱めて定在波の影響を低減
する方法（図９）や、屈折率ｎ0 のレジスト膜上に、
屈折率ｎがｎ＝√ｎ0 であって、膜厚Ｔ＝λ／４ｎの透
明膜（６）を形成するＡＲＣＯＲ（Anti-Refective Coa
ting On Resist) 法（図１０）などが提案されている。
色素が添加されたレジストを用いて定在波の影響を低減
する方法や、レジスト膜の下層に低反射率の反射抑止
膜（５）を形成して反射光を弱めて定在波の影響を低減
する方法（図９）や、屈折率ｎ0 のレジスト膜上に、
屈折率ｎがｎ＝√ｎ0 であって、膜厚Ｔ＝λ／４ｎの透
明膜（６）を形成するＡＲＣＯＲ（Anti-Refective Coa
ting On Resist) 法（図１０）などが提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法によると、まずの色素が添加されたレジスト
を用いる方法では、定在波の影響は確かに抑止されるも
のの、レジストの感度の低下，耐熱性の低下，解像度の
劣化などが生じてしまう。の反射抑止膜を用いる方法
では、反射抑止膜の下層の基板が、例えばAlなどのよう
に、高反射率のものである場合に限られ、例えばSiO2／
ＷSiなどの構造では実施できない。また、のＡＲＣＯ
Ｒ法では、ｎ＝√ｎ0 なる屈折率を有する理想的な透明
膜を得るのが非常に困難であって、かつ、透明膜の塗布
膜厚のバラツキが寸法バラツキに反映してしまい、問題
となっていた。
来の方法によると、まずの色素が添加されたレジスト
を用いる方法では、定在波の影響は確かに抑止されるも
のの、レジストの感度の低下，耐熱性の低下，解像度の
劣化などが生じてしまう。の反射抑止膜を用いる方法
では、反射抑止膜の下層の基板が、例えばAlなどのよう
に、高反射率のものである場合に限られ、例えばSiO2／
ＷSiなどの構造では実施できない。また、のＡＲＣＯ
Ｒ法では、ｎ＝√ｎ0 なる屈折率を有する理想的な透明
膜を得るのが非常に困難であって、かつ、透明膜の塗布
膜厚のバラツキが寸法バラツキに反映してしまい、問題
となっていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点
に鑑み成されたもので、図１〜図４に示すように、被形
成層（１１）上に感光性膜（１２）を形成したのちに、
屈折率がｎ膜厚がλ／４ｎの透明膜（１３）を形成する
工程と、波長がλの光線を用いて、前記透明膜（１３）
を介して前記感光性膜（１２）を露光する工程と、前記
透明膜（１３）を除去する工程と、波長がλの光線を用
いて、再び前記感光性膜（１２）を露光・現像して該感
光性膜（１２）をパターニングしてレジストパターン
（１５）を形成する工程とを有することにより、レジス
トパターンの寸法のバラツキを抑止することが可能にな
る半導体装置の製造方法を提供するものである。
に鑑み成されたもので、図１〜図４に示すように、被形
成層（１１）上に感光性膜（１２）を形成したのちに、
屈折率がｎ膜厚がλ／４ｎの透明膜（１３）を形成する
工程と、波長がλの光線を用いて、前記透明膜（１３）
を介して前記感光性膜（１２）を露光する工程と、前記
透明膜（１３）を除去する工程と、波長がλの光線を用
いて、再び前記感光性膜（１２）を露光・現像して該感
光性膜（１２）をパターニングしてレジストパターン
（１５）を形成する工程とを有することにより、レジス
トパターンの寸法のバラツキを抑止することが可能にな
る半導体装置の製造方法を提供するものである。
【０００８】
【作 用】本発明に係る半導体装置の製造方法によれ
ば、図１〜図４に示すように、被形成層（１１）上に感
光性膜（１２）を形成した後に、屈折率がｎ膜厚がλ／
４ｎの透明膜（１３）を形成し、波長がλの光線を用い
て、透明膜（１３）を介して感光性膜（１２）を露光し
〔以下これを第１の露光と称する〕、透明膜（１３）を
除去し、波長がλの光線を用いて、再び感光性膜（１
２）を露光し〔以下これを第２の露光と称する〕、現像
して該感光性膜（１２）をパターニングしてレジストパ
ターン（１５）を形成している。
ば、図１〜図４に示すように、被形成層（１１）上に感
光性膜（１２）を形成した後に、屈折率がｎ膜厚がλ／
４ｎの透明膜（１３）を形成し、波長がλの光線を用い
て、透明膜（１３）を介して感光性膜（１２）を露光し
〔以下これを第１の露光と称する〕、透明膜（１３）を
除去し、波長がλの光線を用いて、再び感光性膜（１
２）を露光し〔以下これを第２の露光と称する〕、現像
して該感光性膜（１２）をパターニングしてレジストパ
ターン（１５）を形成している。
【０００９】このため、膜厚がλ／４ｎの透明膜（１
３）を介して第１の露光をしたのちに透明膜（１３）を
除去して第２の露光をすることにより、入射光の位相が
λ／４ｎだけシフトし、例えば第１の露光のときに定在
波の腹であった箇所が第２の露光では節になり、第１の
露光のときに定在波の節であった箇所が第２の露光では
腹になるというように、定在波が原因で生じていたレジ
スト膜の深度による露光強度の変動がキャンセルされ
る。
３）を介して第１の露光をしたのちに透明膜（１３）を
除去して第２の露光をすることにより、入射光の位相が
λ／４ｎだけシフトし、例えば第１の露光のときに定在
波の腹であった箇所が第２の露光では節になり、第１の
露光のときに定在波の節であった箇所が第２の露光では
腹になるというように、定在波が原因で生じていたレジ
スト膜の深度による露光強度の変動がキャンセルされ
る。
【００１０】従って、場所によってレジスト膜の膜厚が
異なっても、それらの露光状態はほぼ均一に保たれるの
で、形成箇所によるレジスト膜の露光状態のバラツキが
抑止でき、形成されるレジストパターンの寸法のバラツ
キを抑止することが可能になる。
異なっても、それらの露光状態はほぼ均一に保たれるの
で、形成箇所によるレジスト膜の露光状態のバラツキが
抑止でき、形成されるレジストパターンの寸法のバラツ
キを抑止することが可能になる。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例に係る半導体装置の製
造方法を図面を参照しながら説明する。図１〜図５は、
本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を示す断面
図である。本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法
によれば、まず図１に示すように、例えばSiO2などから
なる被形成層（１１）上に、レジストを回転塗布法など
によって塗布し、ソフトベークしてレジスト膜（１２）
を形成し、その上に屈折率がｎ膜厚λ／４ｎのポリビニ
ルアルコール（以下ＰＶＡと称する）膜（１３）を形成
する。 なお、上記のλは露光波長であって、ｎはＰＶ
Ａ膜（１３）の屈折率であることから、 ｎ＝１．４８ となり、本実施例では露光光にｇ線を用いるとすると、
ｇ線の波長λは λ＝４３６（ｎｍ） なので、この場合のＰＶＡ膜（１３）の膜厚Ｔは、 Ｔ＝λ／４ｎ ＝（４３６〔ｎｍ〕／４）×１．４８ ＝７３．６〔ｎｍ〕 ＝７３６〔Å〕 となる。
造方法を図面を参照しながら説明する。図１〜図５は、
本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を示す断面
図である。本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法
によれば、まず図１に示すように、例えばSiO2などから
なる被形成層（１１）上に、レジストを回転塗布法など
によって塗布し、ソフトベークしてレジスト膜（１２）
を形成し、その上に屈折率がｎ膜厚λ／４ｎのポリビニ
ルアルコール（以下ＰＶＡと称する）膜（１３）を形成
する。 なお、上記のλは露光波長であって、ｎはＰＶ
Ａ膜（１３）の屈折率であることから、 ｎ＝１．４８ となり、本実施例では露光光にｇ線を用いるとすると、
ｇ線の波長λは λ＝４３６（ｎｍ） なので、この場合のＰＶＡ膜（１３）の膜厚Ｔは、 Ｔ＝λ／４ｎ ＝（４３６〔ｎｍ〕／４）×１．４８ ＝７３．６〔ｎｍ〕 ＝７３６〔Å〕 となる。
【００１２】次に、所望のパターンが形成されたフォト
マスク（１４）を介して露光波長が４３６ｎｍであるｇ
線をレジスト膜（１２）に８０ｍｓ照射し、レジスト膜
（１２）を露光する〔以下これを第１の露光と称す
る〕。次いでＰＶＡ膜（１３）を水洗して除去し、１０
０℃の温度で３０秒基板を加熱してレジスト膜（１２）
の表面の水分を蒸発・除去する（図２）。
マスク（１４）を介して露光波長が４３６ｎｍであるｇ
線をレジスト膜（１２）に８０ｍｓ照射し、レジスト膜
（１２）を露光する〔以下これを第１の露光と称す
る〕。次いでＰＶＡ膜（１３）を水洗して除去し、１０
０℃の温度で３０秒基板を加熱してレジスト膜（１２）
の表面の水分を蒸発・除去する（図２）。
【００１３】次に、第１の露光の際に用いたパターンと
同一パターンのフォトマスク（１４）を介して露光波長
が４３６ｎｍのｇ線をレジスト膜（１２）に８０ｍｓ照
射して、レジスト膜（１２）を露光する〔以下これを第
２の露光と称する〕。その後、２．３８ｗｔ％のＴＭＡ
Ｈ（Tetramethyl Ammonium Hydrooxide:テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド) でレジスト膜（１２）
を現像して露光領域（１２Ａ）を除去してレジストパタ
ーン（１５）を形成する。
同一パターンのフォトマスク（１４）を介して露光波長
が４３６ｎｍのｇ線をレジスト膜（１２）に８０ｍｓ照
射して、レジスト膜（１２）を露光する〔以下これを第
２の露光と称する〕。その後、２．３８ｗｔ％のＴＭＡ
Ｈ（Tetramethyl Ammonium Hydrooxide:テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド) でレジスト膜（１２）
を現像して露光領域（１２Ａ）を除去してレジストパタ
ーン（１５）を形成する。
【００１４】このため、膜厚がλ／４ｎ〔７３６
（Å）〕のＰＶＡ膜（１３）を介して第１の露光をした
のちにＰＶＡ膜（１３）を除去して第２の露光をするこ
とにより、入射光の位相がλ／４ｎだけシフトし、例え
ば第１の露光のときに定在波の腹であった箇所が第２の
露光では節になり、第１の露光のときに定在波の節であ
った箇所が第２の露光では腹になるというように、定在
波が原因で生じていたレジスト膜の深度による露光強度
の変動がキャンセルされ、レジスト膜の深度によらず、
露光状態がほぼ均一になる。
（Å）〕のＰＶＡ膜（１３）を介して第１の露光をした
のちにＰＶＡ膜（１３）を除去して第２の露光をするこ
とにより、入射光の位相がλ／４ｎだけシフトし、例え
ば第１の露光のときに定在波の腹であった箇所が第２の
露光では節になり、第１の露光のときに定在波の節であ
った箇所が第２の露光では腹になるというように、定在
波が原因で生じていたレジスト膜の深度による露光強度
の変動がキャンセルされ、レジスト膜の深度によらず、
露光状態がほぼ均一になる。
【００１５】従って、場所によってレジスト膜の膜厚が
異なっても、それらの露光状態はほぼ均一に保たれるの
で、形成箇所によるレジスト膜の露光状態のバラツキが
抑止でき、形成されるレジストパターンの寸法のバラツ
キを抑止することが可能になる。図５は、レジストの膜
厚の変化によってその線幅がどのように変化するかを確
認する実験結果のグラフであって、横軸はレジスト膜の
膜厚であり、縦軸は該レジスト膜を露光・現像して得ら
れるレジストパターンの線幅である。
異なっても、それらの露光状態はほぼ均一に保たれるの
で、形成箇所によるレジスト膜の露光状態のバラツキが
抑止でき、形成されるレジストパターンの寸法のバラツ
キを抑止することが可能になる。図５は、レジストの膜
厚の変化によってその線幅がどのように変化するかを確
認する実験結果のグラフであって、横軸はレジスト膜の
膜厚であり、縦軸は該レジスト膜を露光・現像して得ら
れるレジストパターンの線幅である。
【００１６】図５に示すように、従来の方法では、レジ
ストの膜厚の変動によっておよそ０．１５０μｍ程度の
線幅寸法の変動がみられ、サブミクロンレベルでは無視
できないほどの寸法のバラツキがあったが、本実施例の
方法によれば、レジストの膜厚による線幅寸法の変動は
０．０２０μｍ程度と、ほぼ１／７程度に抑止され、絶
大なる効果が確認された。
ストの膜厚の変動によっておよそ０．１５０μｍ程度の
線幅寸法の変動がみられ、サブミクロンレベルでは無視
できないほどの寸法のバラツキがあったが、本実施例の
方法によれば、レジストの膜厚による線幅寸法の変動は
０．０２０μｍ程度と、ほぼ１／７程度に抑止され、絶
大なる効果が確認された。
【００１７】なお、本実施例において、被形成層（１
１）としてSiO2膜を用いているが、本発明の被形成層
（１１）はこれに限らず、およそどのような反射率を有
する被形成層でも実施可能である。また透明膜（１３）
としてＰＶＡ膜（１３）を用いているが本発明はこれに
限らず、どのような屈折率の透明膜でもよく、透明膜で
あって、除去が容易である膜なら同様の効果を奏する。
１）としてSiO2膜を用いているが、本発明の被形成層
（１１）はこれに限らず、およそどのような反射率を有
する被形成層でも実施可能である。また透明膜（１３）
としてＰＶＡ膜（１３）を用いているが本発明はこれに
限らず、どのような屈折率の透明膜でもよく、透明膜で
あって、除去が容易である膜なら同様の効果を奏する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の製造方法によれば、膜厚がλ／４ｎの透明膜
（１３）を形成し、波長がλの光線を用いて、透明膜
（１３）を介して第１の露光をし、透明膜（１３）を除
去したのちに第２の露光をして感光性膜（１２）を露光
・現像してレジストパターン（１５）を形成している。
体装置の製造方法によれば、膜厚がλ／４ｎの透明膜
（１３）を形成し、波長がλの光線を用いて、透明膜
（１３）を介して第１の露光をし、透明膜（１３）を除
去したのちに第２の露光をして感光性膜（１２）を露光
・現像してレジストパターン（１５）を形成している。
【００１９】このため、屈折率がｎ膜厚がλ／４ｎの透
明膜（１３）を介して第１の露光をしたのちに透明膜
（１３）を除去して第２の露光をすることにより、定在
波が原因で生じていたレジスト膜の深度による露光強度
の変動がキャンセルされて、レジスト膜の深度によら
ず、その露光状態がほぼ均一となる。従って、場所によ
ってレジスト膜の膜厚が異なっても、それらの露光状態
はほぼ均一に保たれるので、形成箇所によるレジスト膜
の露光状態のバラツキが抑止でき、形成されるレジスト
パターンの寸法のバラツキを抑止することが可能にな
る。
明膜（１３）を介して第１の露光をしたのちに透明膜
（１３）を除去して第２の露光をすることにより、定在
波が原因で生じていたレジスト膜の深度による露光強度
の変動がキャンセルされて、レジスト膜の深度によら
ず、その露光状態がほぼ均一となる。従って、場所によ
ってレジスト膜の膜厚が異なっても、それらの露光状態
はほぼ均一に保たれるので、形成箇所によるレジスト膜
の露光状態のバラツキが抑止でき、形成されるレジスト
パターンの寸法のバラツキを抑止することが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する第１の断面図である。
説明する第１の断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する第２の断面図である。
説明する第２の断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する第３の断面図である。
説明する第３の断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法を
説明する第４の断面図である。
説明する第４の断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る半導体装置の製造方法の
作用効果を説明するグラフである。
作用効果を説明するグラフである。
【図６】従来の半導体装置の第１の製造方法を説明する
第１の断面図である。
第１の断面図である。
【図７】従来の半導体装置の第１の製造方法を説明する
第２の断面図である。
第２の断面図である。
【図８】従来例に係る半導体装置の製造方法の問題点を
説明する図である。
説明する図である。
【図９】従来例に係る半導体装置の第２の製造方法を説
明する断面図である。
明する断面図である。
【図１０】従来例に係る半導体装置の第３の製造方法を
説明する断面図である。
説明する断面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 被形成層（１１）上に感光性膜（１２）
を形成したのちに、屈折率がｎ膜厚がλ／４ｎの透明膜
（１３）を形成する工程と、 波長がλの光線を用いて、前記透明膜（１３）を介して
前記感光性膜（１２）を露光する工程と、 前記透明膜（１３）を除去する工程と、 波長がλの光線を用いて、再び前記感光性膜（１２）を
露光・現像して該感光性膜（１２）をパターニングして
レジストパターン（１５）を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 被形成層（１１）上に感光性膜（１２）
を形成したのちに、屈折率がｎ膜厚がλ／４ｎであっ
て、ポリビニルアルコールからなる透明膜（１３）を形
成する工程と、 波長がλの光線を用いて、前記透明膜（１３）を介して
前記感光性膜（１２）を露光する工程と、 前記透明膜（１３）を水洗して除去する工程と、 波長がλの光線を用いて、再び前記感光性膜（１２）を
露光・現像して該感光性膜（１２）をパターニングして
レジストパターン（１５）を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18287293A JPH0737793A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18287293A JPH0737793A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737793A true JPH0737793A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16125907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18287293A Pending JPH0737793A (ja) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737793A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009516859A (ja) * | 2005-11-21 | 2009-04-23 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | １９３ｎｍ浸漬リソグラフィのための水でキャスト可能で水で剥離可能なトップコート |
-
1993
- 1993-07-23 JP JP18287293A patent/JPH0737793A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009516859A (ja) * | 2005-11-21 | 2009-04-23 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | １９３ｎｍ浸漬リソグラフィのための水でキャスト可能で水で剥離可能なトップコート |
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