JPH0737807A - 原子、分子線による表面処理方法およびその装置 - Google Patents

原子、分子線による表面処理方法およびその装置

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JPH0737807A
JPH0737807A JP5179593A JP17959393A JPH0737807A JP H0737807 A JPH0737807 A JP H0737807A JP 5179593 A JP5179593 A JP 5179593A JP 17959393 A JP17959393 A JP 17959393A JP H0737807 A JPH0737807 A JP H0737807A
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Katanobu Yokogawa
賢悦 横川
Yoshimi Kawanami
義実 川浪
Tatsumi Mizutani
巽 水谷
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 クリ−ニングやエッチング等に代表される半
導体基板の表面処理を行う方法およびその装置を提供す
るものである。特に気相中において高速で、高精度な表
面処理を被加工試料に損傷を与える事なく実現できる表
面処理方法およびその装置を提供する。 【構成】 被加工試料が設置された気相１と該気相とは
別の排気手段を有する反応領域３を設ける。該反応領域
と該気相中とは微小孔４により接続されている。該反応
領域には２種類以上のガスをそれぞれ任意の流量で導入
できるガス導入手段５と該反応領域に導入されたガスの
化学反応を誘起する点火手段８が付加される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板のクリ−ニン
グ、エッチング、膜形成等の表面処理を行う方法及びそ
の装置に係り、特に気相中での化学反応により形成され
た高速の原子あるいは分子（数ｅＶから十数ｅＶの並進
エネルギ−を有する）を用いる事で極低損傷かつ高精度
な表面処理を可能とするものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板の表面処理には主に２
種類の方法がある。まず１種類目は溶液による表面処理
である。この溶液による表面処理は、原理的に化学反応
のみで行うので半導体基板に導入される損傷が極めて小
さいと言う利点を持つ。しかし、微細な加工には適さ
ず、今日の超ＬＳＩ製造には基板表面のクリ−ニングを
除いてあまり使用されなくなってきている。
【０００３】２種類目は今日の超ＬＳＩ製造の主役であ
るプラズマを用いた表面処理である。プラズマを用いた
表面処理は前記の溶液による表面処理に比べ微細加工性
が格段に優れている。しかしプラズマ中には表面処理に
必要とするエネルギ−よりも高い運動エネルギ−を有す
る粒子や荷電粒子等を多く含むため、半導体基板に大量
の損傷を誘起すると言う問題がある。
【０００４】最近では溶液およびプラズマを用いた手段
とは別の手段として、気相中に反応性ガスを超音速で吹
き出させ半導体基板表面に照射して表面処理を行う方法
がある。しかし、この方法では粒子の持つ運動エネルギ
−が数ｍｅＶから最高で０．５ｅＶ程度である。この程
度の運動エネルギ−では反応に十分な活性化エネルギ−
が得にくく、必要な表面処理を行うのに大量の時間を有
するという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した（従
来の技術）では困難であった微細加工性と低損傷性そし
て高速で処理が行えると言う３の条件を同時に実現する
表面処理方法およびその装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では気相中で２種
類以上の気体原子あるいは分子を化学反応させ、該化学
反応の際放出される化学エネルギ−により高速化した原
子あるいは分子を用いて表面処理行う。本発明によれば
高速化した原子または分子の持つ運動エネルギ−は数ｅ
Ｖから十数ｅＶに達する。このような高速原子あるいは
分子は、その原子あるいは分子が反応性粒子であれば、
半導体表面に入射することで高い反応確立で反応するた
め高速な表面処理が可能となる。その際基板に入射する
エネルギ−は一般的な半導体材料に対し損傷を引き起こ
すのには不十分であるため低損傷な表面処理が可能であ
るといえる。また高速の原子あるいは分子が安定な粒子
であれば、半導体基板に入射することで低損傷な表面ク
リ−ニングを行う事ができる。さらに本発明による高速
の原子あるいは分子は反応領域から微小孔を通して被加
工試料表面に放出される。よって、被加工試料表面に達
する原子または分子は方向性をもっているため、高い微
細加工性も実現できる。
【０００７】
【作用】本発明の作用を簡単に説明する。まず被加工試
料が設置された気相中と微小孔により接続される反応領
域において、該反応領域に２種類以上のガスをガス導入
手段により導入し連鎖反応が持続する程度の圧力とす
る。つづいて、反応領域に設置された点火手段により反
応領域中のガスの化学反応を誘起する。誘起された化学
反応は連鎖反応により反応領域内に拡がり、持続する。
この化学反応の際放出される化学エネルギ−は反応領域
中の原子または分子の運動エネルギ−に変換され、この
運動エネルギ−を有した粒子は反応領域の微小孔から放
出され被加工試料表面に照射される。この被加工試料表
面に入射する粒子の運動エネルギ−は、反応種にもよる
が数ｅＶから十数ｅＶに達する。このような運動エネル
ギ−を有する粒子はその粒子が反応性粒子であれば被加
工試料表面での反応確立が非常に高く、エッチング等の
加工が高速でおこなえる。また高速化した粒子が安定な
粒子であれば並進エネルギ−による被加工試料表面のス
パッタクリ−ニングとして利用できる。本発明により形
成される原子または分子程度の運動エネルギ−は上記し
た表面処理を行うのに十分なエネルギ−であるが、被加
工対象となる半導体基板に対しては一般的に損傷を誘起
することはない。さらに反応領域から微小孔を通して放
出される原子または分子はビ−ム状となって被加工試料
表面に照射されるため、微細加工性にもすぐれている。
よって本発明により極低損傷で高精度な表面処理を高速
で実現することが可能となる。
【０００８】
【実施例】図１により本発明における装置の基本構成を
説明する。真空排気手段を有する気相１中に被加工試料
２が設置されている。気相１と反応領域３が微小孔４に
より接続されている。反応領域３は気相１とは別の排気
手段により排気されている。反応領域３には２種類のガ
ス導入手段５が設置されている。該２種類のガス導入手
段５にはそれぞれのガス流量調整機構６およびガス開閉
機構７が装着されている。また該２種類のガス導入手段
５の先端は、ガス吹き出し方向の延長線が互いに混じり
あう方向を向いている。このガス導入手段５の方向によ
り、該反応領域３の空間中にガス密度の高い領域を作る
ことができる。また図１の装置構成ではガス導入手段が
２種類だけだが反応の種類によっては２種類以上の複数
種もちいても同様であることは言うまでもない。反応領
域３中には点火手段８が設置されている。この点火手段
８は近接した電極で構成されており、該電極に高電圧を
印加することで放電を起こし、該反応領域３中に導入さ
れたガスの化学反応を誘起する。ここで、点火手段８は
放電によるものでなく、通電加熱によるフィラメントで
も同様の効果がある事は言うまでもない。該反応領域３
には水冷による冷却機構９が付加されており、該反応領
域内での化学反応による熱で該反応領域３を形成する壁
の温度が上昇するのを防いでいる。
【０００９】次に図１の構成による本発明の動作原理を
具体的例として、反応領域３に導入するガスに水素と酸
素を用いた場合を説明する。図１の２種類のガス導入手
段５からそれぞれ水素ガスと酸素ガスを導入する。導入
する水素と酸素の量は、水素と酸素の流量比が２対１に
なるようにし、かつ反応領域中のガス圧力が約１．５(T
orr)から５０(Torr)の間に入るようにする。この程度の
圧力にすることで水素と酸素の反応を連鎖的に誘起する
ことができる。ガス導入に伴い点火手段８で微小な放電
を発生させると反応領域３中で化１に示される反応が連
鎖的に起こり、大量のＨ2Ｏ分子が形成される。
【００１０】
【化１】
【００１１】化１に示す様に、この反応により６３．３
２(kcal/mol)の化学エネルギ−が発生する。化学エネル
ギ−は反応生成物であるＨ2Ｏ分子の運動エネルギ−に
変換される。よって理想的には、形成されたＨ2Ｏ分子
１個は約２．９６(eV)の運動エネルギ−を有することに
なる。この高速化したＨ2Ｏ分子は気相１と反応領域３
を結ぶ微小孔４より吹き出し、被加工試料３に照射され
る。この時、気相１中の真空度は差動排気により反応領
域３より１桁ないし２桁以上高く保たれている。よって
気相１中に飛び出したＨ2Ｏ分子はビ−ム状になり、方
向性をもって被加工試料２に照射される。照射されたＨ
2Ｏ分子は自らが持つ運動エネルギ−により被加工試料
２表面の有機汚染物や微小なチリ等をはじき飛ばし、ク
リ−ニングを行う。該高速のＨ2Ｏ分子の運動エネルギ
−は上記した表面汚染物の除去には十分であるが、被加
工対象である半導体基板（例えば単結晶シリコン基板）
に損傷を誘起するには不十分である。よって本発明によ
る表面クリ−ニングは従来のスパッタクリ−ニングと異
なり、基板に対し極低損傷であるといえる。またＨ2Ｏ
分子そのものは被加工試料２を摂氏１００度程度の温度
にしておく事で表面に留まることもなく、化学的にも安
定なので表面の汚染源とはならない。
【００１２】上記の説明では高速なＨ2Ｏ分子を直接試
料に照射する場合を記した。その他にも、反応領域３中
に水素と酸素の他に、例えばハロゲン分子（塩素、フッ
素分子）あるいは該ハロゲン分子の化合物を同時に供給
してやることで、水素と酸素の反応でできた高速のＨ2
Ｏ分子により、該ハロゲン分子またはハロゲン分子の化
合物をシ−デイング効果により高速化することができ
る。この高速化したハロゲン分子またはハロゲン分子の
化合物で被加工試料表面のエッチングをおこなう事が可
能となる。
【００１３】上記の実施例では反応領域３へのガス導入
を連続的に行う場合について述べた。連続的にガスを供
給する場合は、反応領域３のガス圧と気相１中のガス圧
がある平衡状態となる。よって上記の方法では該平衡状
態において、反応領域３は連鎖反応を持続し、気相１中
は原子あるいは分子線に十分な平均自由行程を与えるガ
ス圧に保持しなくてはならない。この条件により、装置
の排気系の仕様および微小孔４の大きさが大きく制限さ
れる。特に反応領域３で爆発反応を誘起させる場合には
困難な場合がある。
【００１４】図２により前記した問題を解決する手段を
説明する。図２の装置構成ではガス開閉機構７と該ガス
開閉機構７に同期して点火手段８を動作させる制御機構
１０を付加した。反応領域３へのガス導入をガス開閉手
段１１によりパルス状に行う。このパルス状にガスを導
入する様子を図３に記す。図３に示される様に、ガスを
導入している時間は極短い。図１の装置構成におけるガ
スの連続導入時の場合とある一定時間内のガスの総導入
量が同程度になるようにすると、図３に記されたガス導
入時の流量はかなり多くすることができる。これによ
り、ガスを導入した直後の反応領域３のガス圧を高くす
ることができ、ガス導入に同期して点火手段８を動作さ
せれば連鎖反応を容易に引き起こすことが可能となる。
この時、気相１と反応領域３の容量と排気能力およびガ
ス導入の時間間隔を適切に調整することで気相１中の真
空度をさほど悪くせず、反応領域３で安定な連鎖反応を
おこさせることができる。
【００１５】図４に図２の装置構成を改良し、さらに安
定的な連鎖反応を起こさせる場合の装置構成を示す。図
４の構成では反応領域３と気相１中を結ぶ微小孔４にバ
ルブ１１と該バルブ１１のバルブ開閉機構１２を付加し
た。つぎに動作を説明する。最初、微小孔４はバルブ１
１により閉じられている。次にガス導入手段５によりパ
ルス状にガスが導入される。この段階で反応領域３は連
鎖反応に十分なガス圧力となり、一方気相１中は高真空
のままである。つづいて点火手段８により、反応領域３
中に連鎖反応あるいは爆発反応を引き起こさせ、該反応
と同期してバルブ１１を該バルブ開閉機構１２により開
く。このバルブ１１が開いている間高速の原子または分
子線が被加工試料２にむけ放出される。反応領域３での
連鎖反応がおさまるころにバルブ１１を閉じ、反応領域
３内の残留物を排気手段により排出する。この一連の動
作を繰り返す事で気相１中の真空度を必要以上に悪化さ
せず反応領域３中の連鎖反応を効率良く誘起することが
可能となる。図４の構成は特に反応領域３での爆発反応
を誘起するのに優れた構成であり、図１および図２の構
成に比べ、高エネルギ−で大量の原子または分子線を形
成する事ができる。図５は反応領域３と被加工試料２が
設置された気相１中の真空度の差をより大きくするため
の手段を説明した図である。図５の構成では、図１の装
置構成の反応領域３と気相２中の間に更に別の排気手段
を有する空間１３を配置し、微小孔４により反応領域３
と気相１を接続した。該排気手段を有する空間１３によ
り反応領域３と気相１中の真空度の差は格段に大きくな
る。図５の構成では反応領域３と気相１の間に設置され
る排気手段を有する空間を１段だけとしたが、このよう
な空間を複数段用いる事で更に効果を上げることができ
る事は言うまでもない。但し、複数段用いる場合は装置
コストが大きくなるので図５程度が実用的である。また
図５の構成は図１だけでなく、図２及び図４の装置構成
にも適用できることは言うまでもない。
【００１６】今までは具体的実施例として、導入するガ
スが水素と酸素の場合について説明してきた。しかし図
１、図２、図４および図５の構成は同様の構成で、導入
するガス種を変えるだけで前記実施例以外の表面処理が
行える事は言うまでもない。例えば有機分子と酸素の燃
焼または爆発反応により形成される炭酸ガス分子等を用
いる事も可能である。またハロゲン元素同士（塩素分子
とフッ素分子）またはハロゲン元素を含む分子と酸素ま
たは水素との燃焼または爆発反応を利用することで反応
性の高い高速粒子が形成でき、被加工試料のエッチング
を行う事も可能である。
【００１７】図１、図２、図４、図５の装置構成では一
つの被加工試料に対し、一つの原子、分子線源を設置し
た場合の実施例を示したが、一つの被加工試料に対し、
図１、図２、図４、図５に示された原子、分子線源を複
数個配置することにより加工範囲を広げ大面積の被加工
試料を加工できることは言うまでもない。
【００１８】図６は本発明による原子、分子線源１４と
被加工試料１５の間に回転機構１６とスリット１７を有
する２枚の円板１８を設置した場合の実施例である。該
２枚の円板を一定速度で回転させると、原子、分子線は
該円板の回転速度とスリット幅および１枚目と２枚目の
円板のスリット位置のずれできまる速度範囲の原子、分
子線しか被加工試料１５位置に到達できなくなる。これ
により特定並進エネルギ−を有する原子、分子線を選択
して被加工試料１５に照射することが可能となり、表面
反応の選択性等加工精度を向上させることが可能とな
る。
【００１９】図７は本発明による原子、分子線源２０と
被加工試料２１の間に冷却機構２２と複数の微小孔２３
を有するコリメ−タ２４を設置した場合を示す。本実施
例の場合のコリメ−タは銅で形成され該コリメ−タの外
周部が水冷されている。原子、分子線源２０の微小穴か
ら放出された高速原子、分子線は該コリメ−タ２４を通
過することにより被加工試料２０に垂直に入射する成分
を増加させる事ができる。また図８に示すように、コリ
メ−タ２６は本発明による原子、分子線源２５を一つの
被加工試料に対し複数配置した場合にも有効で、広い加
工範囲に垂直に原子、分子線を照射することを可能とす
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明を用いた表面処理では従来のプラ
ズマでは困難であった極低損傷な表面処理が比較的高速
に行うことができ、また本発明による高速原子または分
子線は被加工試料表面に方向性をもって入射するため微
細加工性もすぐれている。またエッチングやクリ−ニン
グの他にシラン系のガスと酸素の燃焼または爆発を用い
ることで高速のシリコンまたは酸化シリコン分子を形成
でき、被加工試料表面に堆積させることも可能である。
【００２１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基本構成を示す図。
【図２】本発明の一実施例に係る装置構成を示す図（そ
の１）。
【図３】図２の装置の動作を説明するための図。
【図４】本発明の一実施例に係る装置構成を示す図（そ
の２）。
【図５】本発明の一実施例に係る装置構成を示す図（そ
の３）。
【図６】本発明にエネルギ−分析機能を付加した場合の
実施例を説明するための図。
【図７】本発明にコリメ−タを付加した場合の実施例を
説明するための図（その１）。
【図８】本発明にコリメ−タを付加した場合の実施例を
説明するための図（その２）。
【符号の説明】
１…気相、２…被加工試料、３…反応領域、４…微小
孔、５…ガス導入手段、６…ガス流量調整機構、７…ガ
ス開閉機構、８…点火手段、９…冷却機構、１０…制御
機構、１１…バルブ、１２…バルブ開閉機構、１３…排
気手段を有する空間、１４…本発明による原子、分子線
源、１５…被加工試料、１６…回転機構、１７…スリッ
ト、１８…円板、１９…エネルギ−分析された原子、分
子線、２０…本発明による原子、分子線源、２１…被加
工試料、２２…冷却機構、２３…微小孔、２４…コリメ
−タ、２５…本発明による原子、分子線源、２６…コリ
メ−タ、２７…被測定試料

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】原子または分子線をもちいて表面処理を行
    う方法において、該原子または分子線が２種類以上の原
    子または分子を反応領域で化学反応させ、該化学反応に
    伴なう化学エネルギ−により高速化した原子または分子
    である事を特徴とする原子、分子線による表面処理方
    法。
  2. 【請求項２】請求項１記載の反応領域が被加工試料を設
    置する被加工試料室とは独立に排気され、該反応領域と
    該被加工試料室は微小孔により接続されている事を特徴
    とする原子、分子線による表面処理方法。
  3. 【請求項３】請求項１記載の化学反応に伴う化学エネル
    ギ−により高速化した原子または分子で、被加工試料表
    面のクリ−ニングを行う事を特徴とする原子、分子線に
    よる表面処理方法。
  4. 【請求項４】請求項１記載の化学反応に伴う化学エネル
    ギ−により高速化した原子または分子が反応性の高い粒
    子であり、被加工試料表面のエッチングを行う事を特徴
    とする原子、分子線による表面処理方法。
  5. 【請求項５】請求項１記載の化学反応に伴う化学エネル
    ギ−により高速化した原子または分子で、被加工試料表
    面に膜形成を行う事を特徴とする原子、分子線による表
    面処理方法。
  6. 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一つに記載の２
    種類以上の原子または分子の化学反応が酸化による燃焼
    反応である事を特徴とする原子、分子線による表面処理
    方法。
  7. 【請求項７】請求項１乃至６のいずれか一つに記載の２
    種類以上の原子または分子の化学反応が爆発反応である
    事を特徴とする原子、分子線による表面処理方法。
  8. 【請求項８】請求項１、３、６又は７記載の化学反応が
    酸素と水素の反応である事を特徴とする原子、分子線に
    よる表面処理方法。
  9. 【請求項９】請求項１、３、５、６又は７記載の化学反
    応が有機分子と酸素の反応である事を特徴とする原子、
    分子線による表面処理方法。
  10. 【請求項１０】請求項１、４、５、６又は７記載の化学
    反応がハロゲン元素またはハロゲン元素を含む分子と酸
    素の反応である事を特徴とする原子、分子線による表面
    処理方法。
  11. 【請求項１１】請求項１、４、５、６又は７記載の化学
    反応がハロゲン元素またはハロゲン元素を含む反応性分
    子と水素の反応である事を特徴とする原子、分子線によ
    る表面処理方法。
  12. 【請求項１２】請求項１、４、５、６又は７記載の化学
    反応がシラン系分子と酸素の反応である事を特徴とする
    原子、分子線による表面処理方法。
  13. 【請求項１３】請求項１乃至１２のいずれか一つに記載
    の化学反応は連鎖反応により進行する事を特徴とする原
    子、分子線による表面処理方法。
  14. 【請求項１４】請求項１、４、５、６又は７記載の化学
    反応が塩素分子とフッ素分子の反応である事を特徴とす
    る原子、分子線による表面処理方法。
  15. 【請求項１５】請求項２記載の被加工試料を設置する被
    加工試料室と接続された反応領域を１つの被加工試料を
    設置する被加工試料室に対し複数個配置することにより
    広い加工範囲を有する被加工試料全面の加工を行なうこ
    とが可能な事を特徴とする原子、分子線による表面処理
    方法。
  16. 【請求項１６】請求項２記載の反応領域と被加工試料を
    設置する被加工試料室を接続する微小孔と被加工試料の
    間にスリッットと回転機能を有する円板を２枚設置し、
    該２枚のスリット付円板を回転させることにより該スリ
    ットを通過する特定並進エネルギ−帯の原子、分子線の
    みを被加工試料に照射する事が可能な事を特徴とする原
    子、分子線による表面処理方法。
  17. 【請求項１７】請求項１記載の反応領域に反応させる２
    種類のガスとは別のガスを導入し、該２種類のガスが反
    応し、高速の粒子線を形成することで該高速粒子線によ
    るシ−デイング効果で別に導入したガス粒子を加速し被
    加工試料に照射することを特徴とする原子、分子線によ
    る表面処理方法。
  18. 【請求項１８】請求項１乃至１７のいずれか一つに記載
    の原子、分子線の発生手段と被加工試料試料の間にコリ
    メ−タを設置した事を特徴とする原子、分子線による表
    面処理方法。
  19. 【請求項１９】原子または分子線により表面処理を行う
    表面処理装置において、真空排気手段を有する被加工試
    料室中に、被加工試料を設置する手段と該被加工試料室
    中とは微小孔により接続された反応領域を有し、該反応
    領域には２種以上のガスを導入するガス導入手段と該２
    種以上のガスを反応させるための点火手段を有し、該反
    応領域に導入したガスの化学反応により形成された高速
    の原子、分子線を該反応領域の微小孔から放出し、該被
    加工試料室中の被加工試料の表面処理を行う事を特徴と
    する原子、分子線による表面処理装置。
  20. 【請求項２０】請求項１９記載の反応領域は被加工試料
    の設置された被加工試料室中とは独立の真空排気手段に
    より排気されている事を特徴とする原子、分子線による
    表面処理装置。
  21. 【請求項２１】請求項１９記載の反応領域と被加工試料
    の設置された被加工試料室中とを接続する微小孔に該微
    小孔を開閉する手段と、該反応領域へのガス導入および
    点火を時分割で行う手段を有し、該反応領域へのガス導
    入および点火に同期し該微小孔を開閉させる事を特徴と
    する原子、分子線による表面処理装置。
  22. 【請求項２２】請求項１９記載の反応領域を冷却する手
    段を有する事を特徴とする原子、分子線による表面処理
    装置。
  23. 【請求項２３】請求項１９記載のガスを反応させるため
    の点火手段が放電発生手段である事を特徴とする原子、
    分子線による表面処理装置。
  24. 【請求項２４】請求項１９記載のガスを反応させるため
    の点火手段がフィラメントを通電加熱したものである事
    を特徴とする原子、分子線による表面処理装置。
  25. 【請求項２５】請求項１９記載の反応領域に導入する２
    種以上のガスが請求項８乃至１２および１４記載の組合
    せである事を特徴とする原子、分子線による表面処理装
    置。
  26. 【請求項２６】請求項１９記載の２種類以上のガス導入
    手段が、該ガス導入手段の先端の向きが、ガス吹き出し
    方向の延長線上で交わる方向を向いている事を特徴とす
    る原子、分子線による表面処理装置。
  27. 【請求項２７】請求項１９記載の被加工試料に照射する
    原子または分子、あるいは照射する原子または分子と被
    加工試料とが反応してできた反応生成物が、該被加工試
    料表面より脱離する程度に該被加工試料の温度を保つ事
    を特徴とする原子、分子線による表面処理装置。
  28. 【請求項２８】請求項１９記載の被加工試料を設置する
    被加工試料室中の真空度は反応領域の真空度に比べ１桁
    以上高いことを特徴とする原子、分子線による表面処理
    装置。
  29. 【請求項２９】請求項１９記載の被加工試料を設置する
    被加工試料室中と反応領域は複数段の差動排気された領
    域を介し、微小孔により空間的に接続されている事を特
    徴とする原子、分子線による表面処理装置。
  30. 【請求項３０】請求項１９記載の微小孔により被加工試
    料を設置する被加工試料室と接続された反応領域を１つ
    の被加工試料を設置する被加工試料室に対し複数個配置
    することにより広い加工範囲を有する被加工試料全面の
    加工を行なうことが可能な事を特徴とする原子、分子線
    による表面処理装置。
  31. 【請求項３１】請求項１９記載の反応領域と被加工試料
    を設置する被加工試料室を接続する微小孔と被加工試料
    の間にスリッットと回転機能を有する円板を２枚設置
    し、該２枚のスリット付円板を回転させることにより該
    スリットを通過する特定並進エネルギ−帯の原子、分子
    線のみを被加工試料に照射する事が可能な事を特徴とす
    る原子、分子線による表面処理装置。
  32. 【請求項３２】請求項１９記載の反応領域に反応させる
    ２種類のガスとは別のガスを導入し、該２種類のガスが
    反応し、高速の粒子線を形成することで該高速粒子線に
    よるシ−デイングで別に導入したガス粒子を加速し被加
    工試料に照射することを特徴とする原子、分子線による
    表面処理装置。
  33. 【請求項３３】請求項１９記載の原子、分子線の発生手
    段と被加工試料試料の間にコリメ−タを設置した事を特
    徴とする原子、分子線による表面処理装置。
  34. 【請求項３４】請求項３３記載のコリメ−タに水冷によ
    る冷却機構を有する事を特徴とする請求項１９記載の原
    子、分子線による表面処理装置。
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