JPH0738208A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0738208A JPH0738208A JP5201863A JP20186393A JPH0738208A JP H0738208 A JPH0738208 A JP H0738208A JP 5201863 A JP5201863 A JP 5201863A JP 20186393 A JP20186393 A JP 20186393A JP H0738208 A JPH0738208 A JP H0738208A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 サブマウントにレーザペレットを搭載する際
に、ソルダがレーザ光出射部を塞ぐようにはみ出すこと
のないようにする。ウェハダイシング時のソルダ剥がれ
を防止する。 【構成】 Ｓｉサブマウント２の表面に凹凸を設ける。
サブマウント２上にＴｉＰｔ電極４、ＡｕＳｎソルダ４
を蒸着により形成する。ＬＤペレット１を融着する。 【効果】 ＬＤペレットの融着時に、余分のソルダはサ
ブマウント表面の凹部に沿って流れるため、ソルダがペ
レット１の端面を塞ぐようにはみ出すことはなくなる。
に、ソルダがレーザ光出射部を塞ぐようにはみ出すこと
のないようにする。ウェハダイシング時のソルダ剥がれ
を防止する。 【構成】 Ｓｉサブマウント２の表面に凹凸を設ける。
サブマウント２上にＴｉＰｔ電極４、ＡｕＳｎソルダ４
を蒸着により形成する。ＬＤペレット１を融着する。 【効果】 ＬＤペレットの融着時に、余分のソルダはサ
ブマウント表面の凹部に沿って流れるため、ソルダがペ
レット１の端面を塞ぐようにはみ出すことはなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理・光通信等
の用途に用いられる半導体レーザ装置に関し、特にレー
ザダイオード・ペレットの搭載されるサブマウントの構
造に関するものである。
の用途に用いられる半導体レーザ装置に関し、特にレー
ザダイオード・ペレットの搭載されるサブマウントの構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ装置は、ステム上にレーザ
ダイオード・ペレット（以下、ＬＤペレットと記す）お
よびレーザ光出力をモニタするためのホトディテクタ・
ペレットとを搭載し、キャップにて封止して構成したも
のである。この際、ステムとＬＤペレットとの熱膨張係
数の差を吸収するため、並びに、量産性向上のために、
ＬＤペレットは、通常ＬＤペレットと近い熱膨張係数を
もちかつ熱伝導率の高い材料からなるサブマウントを介
してステムにマウントされる。
ダイオード・ペレット（以下、ＬＤペレットと記す）お
よびレーザ光出力をモニタするためのホトディテクタ・
ペレットとを搭載し、キャップにて封止して構成したも
のである。この際、ステムとＬＤペレットとの熱膨張係
数の差を吸収するため、並びに、量産性向上のために、
ＬＤペレットは、通常ＬＤペレットと近い熱膨張係数を
もちかつ熱伝導率の高い材料からなるサブマウントを介
してステムにマウントされる。
【０００３】図８（ａ）は、従来のＬＤペレットの搭載
構造を示す正面図である。同図に示されるように、Ｓｉ
サブマウント２上にはＴｉＰｔ電極３が形成され、その
上にはさらにＡｕＳｎソルダ４が蒸着されている。Ｓｉ
サブマウント２は、ＰｂＳｎソルダ６を介してステム・
ポール７上に固着され、ＬＤペレット１は、ジャンクシ
ョンダウンの状態でＳｉサブマウント２上にＡｕＳｎソ
ルダ４を介して搭載される。
構造を示す正面図である。同図に示されるように、Ｓｉ
サブマウント２上にはＴｉＰｔ電極３が形成され、その
上にはさらにＡｕＳｎソルダ４が蒸着されている。Ｓｉ
サブマウント２は、ＰｂＳｎソルダ６を介してステム・
ポール７上に固着され、ＬＤペレット１は、ジャンクシ
ョンダウンの状態でＳｉサブマウント２上にＡｕＳｎソ
ルダ４を介して搭載される。
【０００４】上述した従来例で問題となるのは、第１
に、サブマウントをＳｉウェハから切り出す際に、ソル
ダが電極面から剥がれやすいことであり、第２に、ＬＤ
ペレットをサブマウントに装着（融着）するために用い
られるソルダ材が、図８（ｂ）に示すように、融着時に
ペレット前方にはみ出してソルダボール４ｂを形成し、
ＬＤペレットから出射される光を妨げやすいことであ
る。ソルダ剥がれを防止しはみ出すソルダ量を少なくす
るために融着材の厚さを薄くすると、十分な接着性を確
保することができなくなり、信頼性が低下する。そこ
で、従来のサブマウントの場合、図９に示すように、Ａ
ｕＳｎソルダ４をサブマウントの縁から後退したパター
ンに蒸着することが行われてきた。
に、サブマウントをＳｉウェハから切り出す際に、ソル
ダが電極面から剥がれやすいことであり、第２に、ＬＤ
ペレットをサブマウントに装着（融着）するために用い
られるソルダ材が、図８（ｂ）に示すように、融着時に
ペレット前方にはみ出してソルダボール４ｂを形成し、
ＬＤペレットから出射される光を妨げやすいことであ
る。ソルダ剥がれを防止しはみ出すソルダ量を少なくす
るために融着材の厚さを薄くすると、十分な接着性を確
保することができなくなり、信頼性が低下する。そこ
で、従来のサブマウントの場合、図９に示すように、Ａ
ｕＳｎソルダ４をサブマウントの縁から後退したパター
ンに蒸着することが行われてきた。
【０００５】ＬＤペレット側面へのソルダの盛り上がり
を防止するためのサブマウント構造として、特開昭６１
−１８１９０号公報には図１０に示すもの提案されてい
る。同図に示されるように、Ｓｉサブマウント２の表面
にはＶ字形の溝８が形成されており、その表面には、Ｃ
ｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉからなる下地金属層３ａが形成さ
れ、その上にはＳｎ等からなるソルダ４ｃが蒸着されて
いる。このサブマウント構造では、ＬＤペレットの融着
時にはソルダ材は溝８に流れ込むように流動するので、
ソルダの盛り上がりやソルダボールの発生は防止され
る。
を防止するためのサブマウント構造として、特開昭６１
−１８１９０号公報には図１０に示すもの提案されてい
る。同図に示されるように、Ｓｉサブマウント２の表面
にはＶ字形の溝８が形成されており、その表面には、Ｃ
ｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉからなる下地金属層３ａが形成さ
れ、その上にはＳｎ等からなるソルダ４ｃが蒸着されて
いる。このサブマウント構造では、ＬＤペレットの融着
時にはソルダ材は溝８に流れ込むように流動するので、
ソルダの盛り上がりやソルダボールの発生は防止され
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図９に示す従来例で
は、サブマウント製造時にサブマウントの端から融着材
までの距離Ｌを正確に制御しなければならない。この距
離が小さすぎるとソルダボールができやすくなり、大き
すぎると融着後にサブマウントの端までソルダが行きわ
たらずレーザの放熱性が悪化することになるからであ
る。そのため、この従来例では、製作するのに調整等に
余分の人手がかかり、歩留まりが低下することになりや
すい。また、図１０に示したサブマウントの場合、サブ
マウントとＬＤペレットとの接触面積が小さく、放熱性
が悪化するという問題があった。さらに、サブマウント
をウェハのダイシングによって切り出すとき、ソルダ４
が溝に沿って剥がれやすいという問題があった。
は、サブマウント製造時にサブマウントの端から融着材
までの距離Ｌを正確に制御しなければならない。この距
離が小さすぎるとソルダボールができやすくなり、大き
すぎると融着後にサブマウントの端までソルダが行きわ
たらずレーザの放熱性が悪化することになるからであ
る。そのため、この従来例では、製作するのに調整等に
余分の人手がかかり、歩留まりが低下することになりや
すい。また、図１０に示したサブマウントの場合、サブ
マウントとＬＤペレットとの接触面積が小さく、放熱性
が悪化するという問題があった。さらに、サブマウント
をウェハのダイシングによって切り出すとき、ソルダ４
が溝に沿って剥がれやすいという問題があった。
【０００７】したがって、この発明の目的とするところ
は、上記の問題点に鑑み、製作に当たってサブマウント
上のソルダの位置を正確に制御する必要がなく、ダイシ
ング時にソルダ剥がれが生じにくく、かつ良好な放熱性
も有するサブマウントを提供することにある。
は、上記の問題点に鑑み、製作に当たってサブマウント
上のソルダの位置を正確に制御する必要がなく、ダイシ
ング時にソルダ剥がれが生じにくく、かつ良好な放熱性
も有するサブマウントを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、表面に金属層（３）が形成された
サブマウント（２）と、該サブマウント上にろう材
（４）を介して搭載されたＬＤペレット（１）と、を備
える半導体レーザ装置において、前記サブマウント
（２）の前記ＬＤペレットの搭載部の少なくとも一部は
凹凸に加工されており、その凸部（３）はその頂部が平
坦になされておりかつＬＤペレットの寸法より十分細か
いピッチでマトリックス状に配列されていることを特徴
とする半導体レーザ装置が提供される。
め、本発明によれば、表面に金属層（３）が形成された
サブマウント（２）と、該サブマウント上にろう材
（４）を介して搭載されたＬＤペレット（１）と、を備
える半導体レーザ装置において、前記サブマウント
（２）の前記ＬＤペレットの搭載部の少なくとも一部は
凹凸に加工されており、その凸部（３）はその頂部が平
坦になされておりかつＬＤペレットの寸法より十分細か
いピッチでマトリックス状に配列されていることを特徴
とする半導体レーザ装置が提供される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例のＳｉサブ
マウントにＬＤペレットを搭載するときの状態を示す斜
視図である。同図に示されるように、Ｓｉサブマウント
２の表面には、ＴｉＰｔ電極３とＡｕＳｎソルダ４が設
けられるが、ここでＳｉ基板表面は凹凸に加工されてお
り、それに倣ってソルダ４にも突起部４ａが形成されて
いる。このように構成されたＳｉサブマウント２では、
ＬＤペレット１の融着時にソルダ４はサブマウント表面
の凹部に沿って流れるため、ソルダボールの形成は抑制
される。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例のＳｉサブ
マウントにＬＤペレットを搭載するときの状態を示す斜
視図である。同図に示されるように、Ｓｉサブマウント
２の表面には、ＴｉＰｔ電極３とＡｕＳｎソルダ４が設
けられるが、ここでＳｉ基板表面は凹凸に加工されてお
り、それに倣ってソルダ４にも突起部４ａが形成されて
いる。このように構成されたＳｉサブマウント２では、
ＬＤペレット１の融着時にソルダ４はサブマウント表面
の凹部に沿って流れるため、ソルダボールの形成は抑制
される。
【００１０】次に、図２（ａ）〜（ｃ）を参照して第１
の実施例のサブマウントの製造方法について説明する。
まず、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング
工程によりＳｉウェハ表面を加工して、図２（ａ）に示
すように、突起部２ａを形成する。ここで、突起部２ａ
の高さを４μｍ、その平面寸法を１０μｍ×１０μｍと
し、凹部の幅を１０μｍとする。
の実施例のサブマウントの製造方法について説明する。
まず、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング
工程によりＳｉウェハ表面を加工して、図２（ａ）に示
すように、突起部２ａを形成する。ここで、突起部２ａ
の高さを４μｍ、その平面寸法を１０μｍ×１０μｍと
し、凹部の幅を１０μｍとする。
【００１１】その上に、ＴｉとＰｔとをそれぞれ膜厚１
０００Åに蒸着してＴｉＰｔ電極３を形成する。さらに
その上に、Ａｕを４０００Åの厚さに、続いてＡｕＳｎ
ソルダ４を３μｍの厚さに蒸着する。このとき、ソルダ
面には突起部４ａが形成される〔図２（ｂ）〕。次に、
ウェハを切断部５に沿ってフルダイシングして、個々の
サブマウントに分離する〔図２（ｃ）〕。
０００Åに蒸着してＴｉＰｔ電極３を形成する。さらに
その上に、Ａｕを４０００Åの厚さに、続いてＡｕＳｎ
ソルダ４を３μｍの厚さに蒸着する。このとき、ソルダ
面には突起部４ａが形成される〔図２（ｂ）〕。次に、
ウェハを切断部５に沿ってフルダイシングして、個々の
サブマウントに分離する〔図２（ｃ）〕。
【００１２】このフルダイシング工程において、サブマ
ウントの凹部に形成されたソルダ４は、網目状に電極上
に被着しているため剥離されにくくなっている。突起部
４ａのＡｕＳｎソルダ４については、ダイシング部分に
かかった部分が剥がれることがあるが、図２（ｃ）に示
されるように、突起部の端部でソルダ膜が薄くなってい
るために、剥離はここで止まる。すなわち、突起の寸法
が１０μｍ×１０μｍであることにより、剥離は、サブ
マウントの縁からせいぜい１０μｍ中に入ったところま
でであり、実用上無視できる。
ウントの凹部に形成されたソルダ４は、網目状に電極上
に被着しているため剥離されにくくなっている。突起部
４ａのＡｕＳｎソルダ４については、ダイシング部分に
かかった部分が剥がれることがあるが、図２（ｃ）に示
されるように、突起部の端部でソルダ膜が薄くなってい
るために、剥離はここで止まる。すなわち、突起の寸法
が１０μｍ×１０μｍであることにより、剥離は、サブ
マウントの縁からせいぜい１０μｍ中に入ったところま
でであり、実用上無視できる。
【００１３】半導体ＬＤペレット１のサブマウントへの
融着は、従来と同様にＮ2 雰囲気中で３００℃に加熱す
ることにより行う。融着後の状態を正面図にて図３に示
す。この融着時にＬＤペレット１下の余分のＡｕＳｎソ
ルダ４はサブマウントの凹部を埋めるように流動するの
で、ソルダによるボールは生じない。ＬＤペレットをサ
ブマウントに融着するにあたり、ＬＤペレットをサブマ
ウントの端から１５μｍ出っ張らせてマウントする場
合、ソルダボールの発生率を従来のサブマウント（図９
に示されたもの）と本発明のサブマウントで比較する
と、従来のサブマウントで、ＡｕＳｎソルダがサブマウ
ントの縁から１０μｍ後退して蒸着されている場合、ソ
ルダボールの発生率は５％であったのに対し、本実施例
のサブマウントでは０％であった。また、ＬＤペレット
とサブマウントとは面接触にて密着するため、放熱性は
良好である。
融着は、従来と同様にＮ2 雰囲気中で３００℃に加熱す
ることにより行う。融着後の状態を正面図にて図３に示
す。この融着時にＬＤペレット１下の余分のＡｕＳｎソ
ルダ４はサブマウントの凹部を埋めるように流動するの
で、ソルダによるボールは生じない。ＬＤペレットをサ
ブマウントに融着するにあたり、ＬＤペレットをサブマ
ウントの端から１５μｍ出っ張らせてマウントする場
合、ソルダボールの発生率を従来のサブマウント（図９
に示されたもの）と本発明のサブマウントで比較する
と、従来のサブマウントで、ＡｕＳｎソルダがサブマウ
ントの縁から１０μｍ後退して蒸着されている場合、ソ
ルダボールの発生率は５％であったのに対し、本実施例
のサブマウントでは０％であった。また、ＬＤペレット
とサブマウントとは面接触にて密着するため、放熱性は
良好である。
【００１４】図４は、本発明の第２の実施例において用
いられるサブマウントの平面図である。この実施例では
突起部２ｂは、円柱状に形成されている。本実施例にお
いて、円柱の高さは３．５μｍ、直径は１０μｍであ
る。また、突起部２ｂのピッチは２０μｍである。この
実施例によっても先の実施例の場合と同様の効果を享受
することができる。
いられるサブマウントの平面図である。この実施例では
突起部２ｂは、円柱状に形成されている。本実施例にお
いて、円柱の高さは３．５μｍ、直径は１０μｍであ
る。また、突起部２ｂのピッチは２０μｍである。この
実施例によっても先の実施例の場合と同様の効果を享受
することができる。
【００１５】図５は、本発明の第３の実施例を説明する
ためのＳｉサブマウントの斜視図である。このサブマウ
ント２では、突起部２ａ（４ａ）はＬＤペレットがマウ
ントされる部分のみに形成されまたＡｕＳｎソルダ４も
その近傍のみにパターン蒸着されている。これにより、
ＡｕＳｎソルダの溶融度のばらつきによるレーザ光のモ
ニター用ホト・ディテクタ側への光量のばらつきを低減
することができる。
ためのＳｉサブマウントの斜視図である。このサブマウ
ント２では、突起部２ａ（４ａ）はＬＤペレットがマウ
ントされる部分のみに形成されまたＡｕＳｎソルダ４も
その近傍のみにパターン蒸着されている。これにより、
ＡｕＳｎソルダの溶融度のばらつきによるレーザ光のモ
ニター用ホト・ディテクタ側への光量のばらつきを低減
することができる。
【００１６】図６は、本発明の第４の実施例を説明する
ための、ウェハのダイシング前の状態を示す斜視図であ
る。この実施例におけるサブマウントでは、突起部４ａ
はダイシングされる切断部に沿った部分のみであり、サ
ブマウントの中央部は平坦になされている。そして、Ｌ
Ｄペレットは一部中央の平坦部にかけてマウントされ
る。これにより、ＬＤペレットと電極面との密着する面
積がより広がり、放熱性の向上を図ることができる。こ
こで、凸凹面の領域の幅を５０μｍ程度とすれば、ダイ
シング時に余分の調整等を行う必要はない。
ための、ウェハのダイシング前の状態を示す斜視図であ
る。この実施例におけるサブマウントでは、突起部４ａ
はダイシングされる切断部に沿った部分のみであり、サ
ブマウントの中央部は平坦になされている。そして、Ｌ
Ｄペレットは一部中央の平坦部にかけてマウントされ
る。これにより、ＬＤペレットと電極面との密着する面
積がより広がり、放熱性の向上を図ることができる。こ
こで、凸凹面の領域の幅を５０μｍ程度とすれば、ダイ
シング時に余分の調整等を行う必要はない。
【００１７】図７は、本発明の第５の実施例を説明する
ための、ウェハのダイシング前の状態を示す斜視図であ
る。この実施例では、切断部５は突起部４ａの行、列に
対し斜めに交わるように設定されている。本実施例によ
れば、フルダイシング時に、ダイサーの刃がＡｕＳｎソ
ルダ４層に対して斜めに当たるため、ソルダの剥離はよ
り抑制される。
ための、ウェハのダイシング前の状態を示す斜視図であ
る。この実施例では、切断部５は突起部４ａの行、列に
対し斜めに交わるように設定されている。本実施例によ
れば、フルダイシング時に、ダイサーの刃がＡｕＳｎソ
ルダ４層に対して斜めに当たるため、ソルダの剥離はよ
り抑制される。
【００１８】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。例えば、サブマウントの
材料をシリコンに代え、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ等
を用いることができ、また、電極材料、ろう材について
も実施例で示されたものに代え通常用いられている他の
材料を用いることができる。
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨内にお
いて各種の変更が可能である。例えば、サブマウントの
材料をシリコンに代え、ダイヤモンド、ＢＮ、ＳｉＣ等
を用いることができ、また、電極材料、ろう材について
も実施例で示されたものに代え通常用いられている他の
材料を用いることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるサブ
マウントは、ＬＤペレットの搭載部に頂部が平坦な突起
部をマトリックス状に配置したものであるので、本発明
によれば、マウント時にソルダはサブマウントの凹部に
沿って流動するため、ソルダボールの発生は抑制され
る。また、レーザペレットとサブマウントとを面接触を
もって密着させることができるため、レーザの放熱性を
向上させることができる。また、ウェハのダイシング工
程において、サブマウントの凹部に形成されたソルダ
は、網目状に電極上に被着しているため剥離されにくく
なっており、突起部のソルダについては剥がれることが
あっても、剥離はダイシング部の突起部のみに限定され
るため、ソルダ材の剥離を実用上問題のない程度に抑え
ることができる。さらに、サブマウントの製作上の利点
として、ウェハをダイシングするにあたり細かな位置制
御をする必要がないことが挙げられる。
マウントは、ＬＤペレットの搭載部に頂部が平坦な突起
部をマトリックス状に配置したものであるので、本発明
によれば、マウント時にソルダはサブマウントの凹部に
沿って流動するため、ソルダボールの発生は抑制され
る。また、レーザペレットとサブマウントとを面接触を
もって密着させることができるため、レーザの放熱性を
向上させることができる。また、ウェハのダイシング工
程において、サブマウントの凹部に形成されたソルダ
は、網目状に電極上に被着しているため剥離されにくく
なっており、突起部のソルダについては剥がれることが
あっても、剥離はダイシング部の突起部のみに限定され
るため、ソルダ材の剥離を実用上問題のない程度に抑え
ることができる。さらに、サブマウントの製作上の利点
として、ウェハをダイシングするにあたり細かな位置制
御をする必要がないことが挙げられる。
【図１】本発明の第１の実施例のＬＤペレットの搭載時
の状況を示す斜視図。
の状況を示す斜視図。
【図２】本発明の第１の実施例のサブマウントの製造方
法を説明するための斜視図と断面図。
法を説明するための斜視図と断面図。
【図３】本発明の第１の実施例の正面図。
【図４】本発明の第２の実施例を説明するためのサブマ
ウントの平面図。
ウントの平面図。
【図５】本発明の第３の実施例を説明するためのサブマ
ウントの斜視図。
ウントの斜視図。
【図６】本発明の第４の実施例を説明するためのサブマ
ウント用ウェハの斜視図。
ウント用ウェハの斜視図。
【図７】本発明の第５の実施例を説明するためのサブマ
ウント用ウェハの斜視図。
ウント用ウェハの斜視図。
【図８】従来例の正面図と側面図。
【図９】従来例において用いられるサブマウントの斜視
図。
図。
【図１０】他の従来例において用いられるサブマウント
の斜視図。
の斜視図。
１ レーザダイオード・ペレット（ＬＤペレット） ２ Ｓｉサブマウント ２ａ、２ｂ、４ａ 突起部 ３ ＴｉＰｔ電極 ３ａ 下地金属層 ４ ＡｕＳｎソルダ ４ｂ ソルダボール ４ｃ ソルダ ５ 切断部 ６ ＰｂＳｎソルダ ７ ステム・ポール ８ 溝
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に金属層が形成されているサブマウ
ントと、該サブマウント上にろう材を介して搭載された
レーザダイオード・ペレットと、を備える半導体レーザ
装置において、前記サブマウントの前記レーザダイオー
ド・ペレットの搭載部の少なくとも一部は凹凸に加工さ
れており、その凸部はその頂部が平坦になされておりか
つレーザダイオード・ペレットの寸法より十分細かいピ
ッチでマトリックス状に配列されていることを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記凸部の横断面形状が円形であること
を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記凸部の列が、前記サブマウントの辺
に非平行であることを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザ装置。 - 【請求項４】 前記レーザダイオード・ペレットの前方
側部分下のサブマウントの表面は凹凸になされており、
前記レーザダイオード・ペレットの後方側部分下のサブ
マウントの表面は平坦になされていることを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記凸部は、サブマウント表面の４辺の
縁に沿った部分にのみ形成されていることを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201863A JPH0738208A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5201863A JPH0738208A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738208A true JPH0738208A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16448143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5201863A Pending JPH0738208A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738208A (ja) |
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