JPH0738295B2 - カラー受像管 - Google Patents
カラー受像管Info
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- JPH0738295B2 JPH0738295B2 JP58148843A JP14884383A JPH0738295B2 JP H0738295 B2 JPH0738295 B2 JP H0738295B2 JP 58148843 A JP58148843 A JP 58148843A JP 14884383 A JP14884383 A JP 14884383A JP H0738295 B2 JPH0738295 B2 JP H0738295B2
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- mask
- glass
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
- H01J29/07—Shadow masks for colour television tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
- H01J9/142—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of shadow-masks for colour television tubes
- H01J9/146—Surface treatment, e.g. blackening, coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/07—Shadow masks
- H01J2229/0727—Aperture plate
- H01J2229/0777—Coatings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はシヤドウマスク型カラー受像管に係わり、特に
そのシヤドウマスクに関するものである。
そのシヤドウマスクに関するものである。
一般にシヤドウマスク型カラー受像管は第１図に示すよ
うに典型的には硝子で形成された外囲器は、実質的に矩
形状のパネル（１）と漏斗状のフアンネル（２）とネツ
ク（３）とから構成される。そしてパネル（１）の内面
には赤，緑及び青に夫々発光する例えばストライプ状蛍
光体スクリーン（４）が設けられ、一方ネツク（３）に
はパネル（１）の水平軸線に沿つて一列に配列され赤，
緑及び青に対応する３本の電子ビーム（10）を射出する
いわゆるインライン型電子銃（６）が内設されている。
またスクリーン（４）に近接対向して多数の透孔の穿設
された主面を有するシヤドウマスク（５）が配設され
る。シヤドウマスク（５）の周辺部はパネル外形に対応
して折り曲げられたスカート部（８）を有し、このスカ
ート部（８）は断面Ｌ字型の枠からなるマスクフレーム
（７）によつて支持固定され、さらにマスクフレーム
（７）はスプリング（９）を介してパネル（１）内側壁
に埋め込まれたピン（図示せず）で係止めされている。
このようなカラー受像管において、電子銃（６）から射
出された３本の電子ビーム（10）はフアンネル（２）近
傍の外部に配置された偏向装置（図示せず）によつて偏
向され、実質的に矩形状のパネル（１）に対応する矩形
状の範囲を走査するように且つシヤドウマスク（５）の
透孔を介して色選別され、各色発光ストライプ状蛍光体
に正しく対応射突せしめてカラー映像を現出させる。こ
こでシヤドウマスク（５）の透孔を通過する有効電子ビ
ーム量はその機構上1/3以下であり、残りの電子ビーム
はシヤドウマスクに射突し熱エネルギーに変換され時と
して80℃程度迄シヤドウマスクを加熱させる。シヤドウ
マスク（５）は一般に０〜100℃での熱膨張係数が1.2×
10-5／℃と大きい鉄を主成分とするいわゆる冷間圧延鋼
からなる厚さ0.1mm〜0.3mmの薄板から形成されており、
このシヤドウマスク（５）のスカート部（８）を支持す
るマスクフレーム（７）は厚さ1mm前後の強固な断面Ｌ
型の黒化処理を施こされた同じく冷間圧延鋼から形成さ
れている。従つて加熱されたシヤドウマスク（５）は容
易に熱膨張を生ずるが、その周辺部は黒化処理を施こさ
れた熱容量の大きなマスクフレーム（７）に対接してい
るため輻射や伝導によりシヤドウマスク周辺からマスク
フレームに熱が移動し、シヤドウマスク周辺の温度が中
央部よりも低くなる。このためシヤドウマスク（５）の
中央部と周辺部に温度差を生じ相対的に中央部を主体と
して加熱膨張されたいわゆるドーミング現象を生ずる。
この結果シヤドウマスク（５）と蛍光体スクリーン
（４）との距離が変化し電子ビームの正確なランデイン
グが乱され色純度の劣化を生ずる。このような現象は特
にカラー受像管の動作初期において顕著である。また局
部的に高輝度の画像を映出する場合も同じくシヤドウマ
スクに局部的なドーミング現象を生ずる。
うに典型的には硝子で形成された外囲器は、実質的に矩
形状のパネル（１）と漏斗状のフアンネル（２）とネツ
ク（３）とから構成される。そしてパネル（１）の内面
には赤，緑及び青に夫々発光する例えばストライプ状蛍
光体スクリーン（４）が設けられ、一方ネツク（３）に
はパネル（１）の水平軸線に沿つて一列に配列され赤，
緑及び青に対応する３本の電子ビーム（10）を射出する
いわゆるインライン型電子銃（６）が内設されている。
またスクリーン（４）に近接対向して多数の透孔の穿設
された主面を有するシヤドウマスク（５）が配設され
る。シヤドウマスク（５）の周辺部はパネル外形に対応
して折り曲げられたスカート部（８）を有し、このスカ
ート部（８）は断面Ｌ字型の枠からなるマスクフレーム
（７）によつて支持固定され、さらにマスクフレーム
（７）はスプリング（９）を介してパネル（１）内側壁
に埋め込まれたピン（図示せず）で係止めされている。
このようなカラー受像管において、電子銃（６）から射
出された３本の電子ビーム（10）はフアンネル（２）近
傍の外部に配置された偏向装置（図示せず）によつて偏
向され、実質的に矩形状のパネル（１）に対応する矩形
状の範囲を走査するように且つシヤドウマスク（５）の
透孔を介して色選別され、各色発光ストライプ状蛍光体
に正しく対応射突せしめてカラー映像を現出させる。こ
こでシヤドウマスク（５）の透孔を通過する有効電子ビ
ーム量はその機構上1/3以下であり、残りの電子ビーム
はシヤドウマスクに射突し熱エネルギーに変換され時と
して80℃程度迄シヤドウマスクを加熱させる。シヤドウ
マスク（５）は一般に０〜100℃での熱膨張係数が1.2×
10-5／℃と大きい鉄を主成分とするいわゆる冷間圧延鋼
からなる厚さ0.1mm〜0.3mmの薄板から形成されており、
このシヤドウマスク（５）のスカート部（８）を支持す
るマスクフレーム（７）は厚さ1mm前後の強固な断面Ｌ
型の黒化処理を施こされた同じく冷間圧延鋼から形成さ
れている。従つて加熱されたシヤドウマスク（５）は容
易に熱膨張を生ずるが、その周辺部は黒化処理を施こさ
れた熱容量の大きなマスクフレーム（７）に対接してい
るため輻射や伝導によりシヤドウマスク周辺からマスク
フレームに熱が移動し、シヤドウマスク周辺の温度が中
央部よりも低くなる。このためシヤドウマスク（５）の
中央部と周辺部に温度差を生じ相対的に中央部を主体と
して加熱膨張されたいわゆるドーミング現象を生ずる。
この結果シヤドウマスク（５）と蛍光体スクリーン
（４）との距離が変化し電子ビームの正確なランデイン
グが乱され色純度の劣化を生ずる。このような現象は特
にカラー受像管の動作初期において顕著である。また局
部的に高輝度の画像を映出する場合も同じくシヤドウマ
スクに局部的なドーミング現象を生ずる。
このようなカラー受像管のドーミング現象に対しては、
シヤドウマスクの中央部からの熱の放射の促進やシヤド
ウマスクへの熱伝導の阻止という観点より多数の提案が
なされている。例えば、米国特許第2826538号ではシヤ
ドウマスクの熱放射を促進すべくシヤドウマスクの表面
に黒鉛よりなる黒色層を設ける提案がなされている。こ
のようなカラー受像管ではこの黒鉛層が良好な放熱器と
して作用するのでシヤドウマスクの温度は低下する。し
かし、この黒鉛より成る黒色層は、一面次のような欠点
も有している。すなわち、カラー受像管の製造工程中の
熱工程での熱サイクルにより黒色層の密着性が劣化し、
カラー受像管に振動が与えられると一部が剥離して微小
片が脱落することがある。このようにして生じた脱落黒
色層はシヤドウマスクに付着すると孔詰りを生じてけい
光面における画像特性を劣化させ、また電子銃に付着す
ると、電極間のスパークを誘発して耐電圧特性を劣化さ
せるなどカラー受像管の品質を著しく低下させる。また
第二の例として特開昭50-44771号公報（米国特許第3887
828号）ではシヤドウマスクの電子銃側に、たとえば二
酸化マンガンで構成される多孔質層を堆積し、その上に
アルミニウム層を、更にこのアルミニウム層上に酸化ニ
ツケルまたはニツケル鉄層をそれぞれ真空蒸着する構造
のものが提案されている。このような構成のものを採用
すると、多孔質層の熱伝導率係数は極めて小さいので電
子ビームの衝突面で発生した熱はマスクに伝達されずマ
スクから遠ざかる方向に放射される。このため、シヤド
ウマスクの温度の上昇を効果的に抑制することができ
る。しかし、このシヤドウマスク面上に三重の層を設け
るためには、膨大な設備と作業時間が必要となり工業的
量産性に著しく欠けると云う欠点がある。
シヤドウマスクの中央部からの熱の放射の促進やシヤド
ウマスクへの熱伝導の阻止という観点より多数の提案が
なされている。例えば、米国特許第2826538号ではシヤ
ドウマスクの熱放射を促進すべくシヤドウマスクの表面
に黒鉛よりなる黒色層を設ける提案がなされている。こ
のようなカラー受像管ではこの黒鉛層が良好な放熱器と
して作用するのでシヤドウマスクの温度は低下する。し
かし、この黒鉛より成る黒色層は、一面次のような欠点
も有している。すなわち、カラー受像管の製造工程中の
熱工程での熱サイクルにより黒色層の密着性が劣化し、
カラー受像管に振動が与えられると一部が剥離して微小
片が脱落することがある。このようにして生じた脱落黒
色層はシヤドウマスクに付着すると孔詰りを生じてけい
光面における画像特性を劣化させ、また電子銃に付着す
ると、電極間のスパークを誘発して耐電圧特性を劣化さ
せるなどカラー受像管の品質を著しく低下させる。また
第二の例として特開昭50-44771号公報（米国特許第3887
828号）ではシヤドウマスクの電子銃側に、たとえば二
酸化マンガンで構成される多孔質層を堆積し、その上に
アルミニウム層を、更にこのアルミニウム層上に酸化ニ
ツケルまたはニツケル鉄層をそれぞれ真空蒸着する構造
のものが提案されている。このような構成のものを採用
すると、多孔質層の熱伝導率係数は極めて小さいので電
子ビームの衝突面で発生した熱はマスクに伝達されずマ
スクから遠ざかる方向に放射される。このため、シヤド
ウマスクの温度の上昇を効果的に抑制することができ
る。しかし、このシヤドウマスク面上に三重の層を設け
るためには、膨大な設備と作業時間が必要となり工業的
量産性に著しく欠けると云う欠点がある。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、動作初期及
びスクリーンの局所に明るい画像が映出された場合にお
けるシヤドウマスクのドーミングを小さくし画像の色ず
れ等による色純度の劣化を防止した工業的量産性に富む
カラー受像管を提供することを目的とする。
びスクリーンの局所に明るい画像が映出された場合にお
けるシヤドウマスクのドーミングを小さくし画像の色ず
れ等による色純度の劣化を防止した工業的量産性に富む
カラー受像管を提供することを目的とする。
本発明はスクリーンに近接しその主面に多数の透孔を有
するシヤドウマスクとこのシヤドウマスクを介してスク
リーン上の蛍光体を発光せしめる電子ビームを射出する
電子銃を少なくとも備えたカラー受像管において、結晶
化ガラスが高温加熱処理によつてこのシヤドウマスクの
主面の少なくとも一方に封着接合され、常温においては
常にシヤドウマスクに残留引張応力が存在してシヤドウ
マスクの温度上昇時の熱膨張によるドーミングを抑制す
るカラー受像管である。
するシヤドウマスクとこのシヤドウマスクを介してスク
リーン上の蛍光体を発光せしめる電子ビームを射出する
電子銃を少なくとも備えたカラー受像管において、結晶
化ガラスが高温加熱処理によつてこのシヤドウマスクの
主面の少なくとも一方に封着接合され、常温においては
常にシヤドウマスクに残留引張応力が存在してシヤドウ
マスクの温度上昇時の熱膨張によるドーミングを抑制す
るカラー受像管である。
以下本発明について実施例に基き詳細に説明する。尚、
本発明のカラー受像管の部材構成自体は第１図に示すも
のと同様であるので詳細な説明は省略する。
本発明のカラー受像管の部材構成自体は第１図に示すも
のと同様であるので詳細な説明は省略する。
第１図に示すようなカラー受像管に於いて、スクリーン
（４）に近接対向して配設されるシヤドウマスク（５）
の電子銃側の主面に結晶化ガラスを主体とする、例えば
結晶性鉛ほう酸塩ガラス（例えば旭硝子社製ASF-1307）
からなる層が高温加熱処理によつて封着接合されてい
る。この結晶性鉛ほう酸塩ガラス層は、パネル（１）と
フアンネル（２）とが封着される前に、ニトロセルロー
スを数％溶かした酢酸ブチルアルコール溶液で溶かされ
た鉛ほう酸塩ガラスをシヤドウマスク（５）の電子銃側
に塗布，乾燥後このシヤドウマスク（５）をパネル
（１）内に装着する。そして、その後、パネル（１）と
フアンネル（２）を所定の枠台に乗せて、最高温度が約
440℃でその保持時間が35分以上ある炉を通過させる
と、シヤドウマスク（５）の電子銃側に結晶化された鉛
ほう酸塩ガラス層が封着接合される。この結晶性鉛ほう
酸塩ガラスはPbOの重量パーセントが44〜93％の範囲で
ガラス化するが、結晶化に対し安定なのは70〜85％であ
り、この範囲が量産に適している。特に前記実施例の如
くガラス層を電子ビームが射突するシヤドウマスクの電
子銃側に形成した場合、ガラスの表面は電子ビームの射
突により300℃以上の高温となるため軟化点（鉛ほう酸
塩ガラスでは350〜600℃程度）以上となると体積流動を
生じる非晶質ガラスは好ましくなく、この観点からも再
融化温度が高い結晶化ガラスを使用することが好まし
い。
（４）に近接対向して配設されるシヤドウマスク（５）
の電子銃側の主面に結晶化ガラスを主体とする、例えば
結晶性鉛ほう酸塩ガラス（例えば旭硝子社製ASF-1307）
からなる層が高温加熱処理によつて封着接合されてい
る。この結晶性鉛ほう酸塩ガラス層は、パネル（１）と
フアンネル（２）とが封着される前に、ニトロセルロー
スを数％溶かした酢酸ブチルアルコール溶液で溶かされ
た鉛ほう酸塩ガラスをシヤドウマスク（５）の電子銃側
に塗布，乾燥後このシヤドウマスク（５）をパネル
（１）内に装着する。そして、その後、パネル（１）と
フアンネル（２）を所定の枠台に乗せて、最高温度が約
440℃でその保持時間が35分以上ある炉を通過させる
と、シヤドウマスク（５）の電子銃側に結晶化された鉛
ほう酸塩ガラス層が封着接合される。この結晶性鉛ほう
酸塩ガラスはPbOの重量パーセントが44〜93％の範囲で
ガラス化するが、結晶化に対し安定なのは70〜85％であ
り、この範囲が量産に適している。特に前記実施例の如
くガラス層を電子ビームが射突するシヤドウマスクの電
子銃側に形成した場合、ガラスの表面は電子ビームの射
突により300℃以上の高温となるため軟化点（鉛ほう酸
塩ガラスでは350〜600℃程度）以上となると体積流動を
生じる非晶質ガラスは好ましくなく、この観点からも再
融化温度が高い結晶化ガラスを使用することが好まし
い。
また、このような鉛ほう酸塩ガラスを結晶化するために
は、600〜400℃の最高温度とそれを30分以上保持できる
炉が必要となり工業的に若干不利となるが、前述の通り
パネル（１）とフアンネル（２）との封着時に同時に封
着炉で結晶化できれば、或はシヤドウマスクとマスクフ
レームを主体とするシヤドウマスク構体のスタビライズ
工程で結晶化できれば工業的に非常に有利となる。この
ように従来の封着炉条件で最適化結晶させるため必要に
応じて、ZnOやCuOを鉛ほう酸塩ガラスに添加してもよ
い。ところで、一般に冷間圧延鋼板よりなるシヤドウマ
スク（５）の熱膨張係数は前記封着温度近傍では約1.2
×10-5／℃であるが、一方前記PbOの重量パーセントが7
0〜85％の鉛ほう酸塩ガラスの熱膨張係数は同じく前記
封着温度近傍で0.7〜1.2×10-5／℃でありこのように封
着温度近傍でのシヤドウマスクの熱膨張係数がガラスよ
り大きいと、封着後にシヤドウマスクに残留引張り応
力、逆にガラスには残留圧縮応力が発生する。
は、600〜400℃の最高温度とそれを30分以上保持できる
炉が必要となり工業的に若干不利となるが、前述の通り
パネル（１）とフアンネル（２）との封着時に同時に封
着炉で結晶化できれば、或はシヤドウマスクとマスクフ
レームを主体とするシヤドウマスク構体のスタビライズ
工程で結晶化できれば工業的に非常に有利となる。この
ように従来の封着炉条件で最適化結晶させるため必要に
応じて、ZnOやCuOを鉛ほう酸塩ガラスに添加してもよ
い。ところで、一般に冷間圧延鋼板よりなるシヤドウマ
スク（５）の熱膨張係数は前記封着温度近傍では約1.2
×10-5／℃であるが、一方前記PbOの重量パーセントが7
0〜85％の鉛ほう酸塩ガラスの熱膨張係数は同じく前記
封着温度近傍で0.7〜1.2×10-5／℃でありこのように封
着温度近傍でのシヤドウマスクの熱膨張係数がガラスよ
り大きいと、封着後にシヤドウマスクに残留引張り応
力、逆にガラスには残留圧縮応力が発生する。
すなわち、第２図（ａ）に示すように、マスク（12）と
ガラス（11）が高温、例えば440℃に加熱された封着前
の状態では両者の長さＬは同一であつたとする。この状
態から第２図（ｂ）に示すように両者を封着しない尽で
常温まで戻した場合は、ガラスの熱膨張よりもマスクの
それがわずかに大きく選択してあるので、両者の長さの
関係はlg＞lmとなる。一方、第２図（ｃ）に示すように
マスク（12）とガラス（11）を高温で封着結合し常温ま
で冷却した場合は、ガラスはマスクのためにより縮み、
逆にマスクはガラスがあるが故にその熱による収縮が途
中で妨たげられる。従つて結局封着結合後の常温での長
さは、lg＞ｌ＞lmとなる。この結果ガラス内部には圧縮
応力PCが、マスク内部には引張応力PTが残留歪力として
常に残ることになる。
ガラス（11）が高温、例えば440℃に加熱された封着前
の状態では両者の長さＬは同一であつたとする。この状
態から第２図（ｂ）に示すように両者を封着しない尽で
常温まで戻した場合は、ガラスの熱膨張よりもマスクの
それがわずかに大きく選択してあるので、両者の長さの
関係はlg＞lmとなる。一方、第２図（ｃ）に示すように
マスク（12）とガラス（11）を高温で封着結合し常温ま
で冷却した場合は、ガラスはマスクのためにより縮み、
逆にマスクはガラスがあるが故にその熱による収縮が途
中で妨たげられる。従つて結局封着結合後の常温での長
さは、lg＞ｌ＞lmとなる。この結果ガラス内部には圧縮
応力PCが、マスク内部には引張応力PTが残留歪力として
常に残ることになる。
ところで、ガラスではその圧縮強度が引つ張り強度の約
10倍であり、従つて封着後ガラスにわずかに圧縮応力が
加わつている状態にすることが好ましく、前記PbOの重
量％が70〜85％の鉛ほう酸塩ガラスは熱膨張係数が0.7
〜1.2×10-5／℃で熱膨張係数が約1.2×10-5／℃の冷間
圧延鋼板に接合するには好適である。また鉛ほう酸塩ガ
ラスの膜厚は、あまり厚いとマスクに加わる応力が過度
となりマスクが変形する恐れがあるので20μｍ乃至30μ
ｍとすることが好ましい。
10倍であり、従つて封着後ガラスにわずかに圧縮応力が
加わつている状態にすることが好ましく、前記PbOの重
量％が70〜85％の鉛ほう酸塩ガラスは熱膨張係数が0.7
〜1.2×10-5／℃で熱膨張係数が約1.2×10-5／℃の冷間
圧延鋼板に接合するには好適である。また鉛ほう酸塩ガ
ラスの膜厚は、あまり厚いとマスクに加わる応力が過度
となりマスクが変形する恐れがあるので20μｍ乃至30μ
ｍとすることが好ましい。
以上のような構成によるカラー受像管を動作させた場
合、電子ビームが射突する鉛ほう酸塩ガラスで発生した
熱でシヤドウマスクの温度が上昇するがシヤドウマスク
には残留引張り応力が作用しているため、シヤドウマス
クの温度上昇初期の熱膨張は大幅に抑制される。この機
構を第３図を用いて説明する。第３図は物質の原子間隔
の関数（横軸）としてあたえられた固体中のポテンシヤ
ルエネルギー（縦軸）を示す図である。一般にある温度
における原子の振動は調和的でないため、ポテンシヤル
曲線も絶対零度におけるポテンシヤルエネルギー点Ｚを
中心に非対称となる。従つて第３図において、常温でＡ
とＢに対応する位置のあいだで振動している原子間の平
均距離はaRであるが、温度が上昇するにしたがつてエネ
ルギーが増加しＣとＤに対応する位置を振動するとポテ
ンシヤル曲線の非対称性のため原子間の平均距離はaHと
なり振動の振巾が増加するにしたがつて移動する。この
ような固体中の原子の平均位置の移動Δｌ＝aH−aRが熱
膨張であることはよく知られている。
合、電子ビームが射突する鉛ほう酸塩ガラスで発生した
熱でシヤドウマスクの温度が上昇するがシヤドウマスク
には残留引張り応力が作用しているため、シヤドウマス
クの温度上昇初期の熱膨張は大幅に抑制される。この機
構を第３図を用いて説明する。第３図は物質の原子間隔
の関数（横軸）としてあたえられた固体中のポテンシヤ
ルエネルギー（縦軸）を示す図である。一般にある温度
における原子の振動は調和的でないため、ポテンシヤル
曲線も絶対零度におけるポテンシヤルエネルギー点Ｚを
中心に非対称となる。従つて第３図において、常温でＡ
とＢに対応する位置のあいだで振動している原子間の平
均距離はaRであるが、温度が上昇するにしたがつてエネ
ルギーが増加しＣとＤに対応する位置を振動するとポテ
ンシヤル曲線の非対称性のため原子間の平均距離はaHと
なり振動の振巾が増加するにしたがつて移動する。この
ような固体中の原子の平均位置の移動Δｌ＝aH−aRが熱
膨張であることはよく知られている。
ここで本発明による常温においてシヤドウマスクに残留
応力をかけた場合の熱膨張を考える。この場合残留引張
応力によりシヤドウマスクを構成する原子の間隔は拡が
るが、これを第３図上で表現すれば縦軸すなわちポテン
シヤルエネルギーの大きさは不変で、横軸すなわち原子
間隔を表わす単位長さがｕからuTに拡大されたことと等
価になる（新しい横軸は点線で示す）。従つて、従来は
電子ビームによるシヤドウマスクの温度上昇で、aH−aR
＝Δｌだけ熱膨張したものが（実線で示す横軸）本発明
によるシヤドウマスクでは残留引張り応力が存在するた
め、第３図の点線で示した横軸上のAH−AR＝ΔlTだけ熱
膨張する。ところが、前述した如く実線で示す横軸の単
位長さｕは点線で示す横軸の単位長さuTより小さく表現
されているため、従来の熱膨張量Δｌと本発明による熱
膨張ΔlTとの関係は、ΔlT＝（u/uT）×Δｌとなり、明
らかに本発明によりシヤドウマスクの熱膨張量ΔlTは従
来より小さくなる。
応力をかけた場合の熱膨張を考える。この場合残留引張
応力によりシヤドウマスクを構成する原子の間隔は拡が
るが、これを第３図上で表現すれば縦軸すなわちポテン
シヤルエネルギーの大きさは不変で、横軸すなわち原子
間隔を表わす単位長さがｕからuTに拡大されたことと等
価になる（新しい横軸は点線で示す）。従つて、従来は
電子ビームによるシヤドウマスクの温度上昇で、aH−aR
＝Δｌだけ熱膨張したものが（実線で示す横軸）本発明
によるシヤドウマスクでは残留引張り応力が存在するた
め、第３図の点線で示した横軸上のAH−AR＝ΔlTだけ熱
膨張する。ところが、前述した如く実線で示す横軸の単
位長さｕは点線で示す横軸の単位長さuTより小さく表現
されているため、従来の熱膨張量Δｌと本発明による熱
膨張ΔlTとの関係は、ΔlT＝（u/uT）×Δｌとなり、明
らかに本発明によりシヤドウマスクの熱膨張量ΔlTは従
来より小さくなる。
更に本実施例の如く鉛ほう酸ガラス層をシヤドウマスク
の電子銃側に形成すると鉛ほう酸塩ガラスの熱伝導率が
非常に小さいため、鉛ほう酸塩ガラス層の表面で電子ビ
ームの射突により発生した熱がシヤドウマスクへ伝達さ
れる前に鉛ほう酸塩ガラス層表面より放散される割合が
従来より多くなり結果としてシヤドウマスクの温度上昇
を抑制することが可能になる。
の電子銃側に形成すると鉛ほう酸塩ガラスの熱伝導率が
非常に小さいため、鉛ほう酸塩ガラス層の表面で電子ビ
ームの射突により発生した熱がシヤドウマスクへ伝達さ
れる前に鉛ほう酸塩ガラス層表面より放散される割合が
従来より多くなり結果としてシヤドウマスクの温度上昇
を抑制することが可能になる。
次に本発明を21吋型カラー受像管に適用した例について
説明する。厚さ0.22mmの冷間圧延鋼板よりなるシヤドウ
マスクの電子銃側主面に軟化点近傍で約1.0×10-5／℃
の熱膨張係数を有する鉛ほう酸塩ガラスを主体とする旭
硝子社製ASF-1307を前述の方法により塗布結晶化し約25
μｍの膜厚を得た。適用したシヤドウマスクの水平方向
曲率半径は約1000mm、螢光面のストライプ型蛍光体細条
の水平方向ピツチは約260μｍで各蛍光体細条間には約1
20μｍの光吸収帯を有している。
説明する。厚さ0.22mmの冷間圧延鋼板よりなるシヤドウ
マスクの電子銃側主面に軟化点近傍で約1.0×10-5／℃
の熱膨張係数を有する鉛ほう酸塩ガラスを主体とする旭
硝子社製ASF-1307を前述の方法により塗布結晶化し約25
μｍの膜厚を得た。適用したシヤドウマスクの水平方向
曲率半径は約1000mm、螢光面のストライプ型蛍光体細条
の水平方向ピツチは約260μｍで各蛍光体細条間には約1
20μｍの光吸収帯を有している。
このようなカラー受像管を陽極電圧25KV、陽極平均電流
1500μＡで動作させ、動作開始５分後の電子ビームの水
平方向最大移動量をチエツクした。測定箇所は画面中心
から水平方向に約140mmの最もドーミングの生じ易い部
分である。またこのカラー受像管の場合、電子ビームは
１本の蛍光体細条を含めて両隣の光吸収帯にまたがるよ
うにランデイングする、いわゆるネガテイブランデイン
グであるが、ランデイング地点が隣の蛍光体細条まで移
動しないまでも一定量の移動により輝度が低下する。特
に輝度に最も影響を及ぼす縁蛍光体を基準とするとこの
カラー受像管の電子ビーム移動量の許容値は約75μｍで
ある。このようなカラー受像管において、従来の本発明
を適用しない場合の電子ビーム移動量が約85μｍである
のに対し、本実施例の場合の電子ビーム移動量は約66μ
ｍを示し充分許容値の範囲内にあることが確認された。
即ち結晶化ガラス層によるシヤドウマスクの残留引張り
応力の増加に伴なう熱膨張の抑制と、結晶化ガラス層に
よる熱伝導率の低減に伴なう温度上昇の抑制とが効果的
に作用しているものである。
1500μＡで動作させ、動作開始５分後の電子ビームの水
平方向最大移動量をチエツクした。測定箇所は画面中心
から水平方向に約140mmの最もドーミングの生じ易い部
分である。またこのカラー受像管の場合、電子ビームは
１本の蛍光体細条を含めて両隣の光吸収帯にまたがるよ
うにランデイングする、いわゆるネガテイブランデイン
グであるが、ランデイング地点が隣の蛍光体細条まで移
動しないまでも一定量の移動により輝度が低下する。特
に輝度に最も影響を及ぼす縁蛍光体を基準とするとこの
カラー受像管の電子ビーム移動量の許容値は約75μｍで
ある。このようなカラー受像管において、従来の本発明
を適用しない場合の電子ビーム移動量が約85μｍである
のに対し、本実施例の場合の電子ビーム移動量は約66μ
ｍを示し充分許容値の範囲内にあることが確認された。
即ち結晶化ガラス層によるシヤドウマスクの残留引張り
応力の増加に伴なう熱膨張の抑制と、結晶化ガラス層に
よる熱伝導率の低減に伴なう温度上昇の抑制とが効果的
に作用しているものである。
このようなカラー受像管を動作させた場合、ドーミング
現象は効果的に抑制されるが、シヤドウマスクの主面に
比重の大きいガラス層を形成した場合振動し易くなる場
合も考えられる。即ち、シヤドウマスクのスカート部を
固定端として外部からの振動、例えばテレビジヨンセツ
トのスピーカーの特に低周波の大出力が振動の要因とな
ることがある。
現象は効果的に抑制されるが、シヤドウマスクの主面に
比重の大きいガラス層を形成した場合振動し易くなる場
合も考えられる。即ち、シヤドウマスクのスカート部を
固定端として外部からの振動、例えばテレビジヨンセツ
トのスピーカーの特に低周波の大出力が振動の要因とな
ることがある。
一般に単純支持された梁の圧力による最大変位Ｊは、 ここで L:固定端間の梁の長さ W:梁の単位長さあたりの重さ E:ヤング率 I:梁断面の２次モーメント で表わされる。従つてシヤドウマスクの主面の重量が増
加すれば振動による変位Ｊが増加することも考えられ
る。
加すれば振動による変位Ｊが増加することも考えられ
る。
このような場合は、例えば鉛ほう酸塩ガラスからなる層
をシヤドウマスクの主面から周縁部のスカート部にまで
延在して形成することにより、シヤドウマスク全体の剛
性を大きくすることができる。このようにすることによ
つて、スピーカー出力等に起因するシヤドウマスクの振
動も充分防止することができる。
をシヤドウマスクの主面から周縁部のスカート部にまで
延在して形成することにより、シヤドウマスク全体の剛
性を大きくすることができる。このようにすることによ
つて、スピーカー出力等に起因するシヤドウマスクの振
動も充分防止することができる。
また他の実施例として鉛ほう酸塩ガラス層をシヤドウマ
スク（５）のスクリーン（４）側に形成させても封着接
合温度近傍における熱膨張係数の差が適切であれば同様
な効果が得られることは云うまでもない。
スク（５）のスクリーン（４）側に形成させても封着接
合温度近傍における熱膨張係数の差が適切であれば同様
な効果が得られることは云うまでもない。
一般にシャドウマスクの表面は黒色の酸化被膜で覆われ
ているがこの黒色の酸化膜はシャドウマスクからの熱放
散性を高めるばかりか、結晶化ガラスとの封着の際にそ
の結合をより高める効果がある。一方シャドウマスク用
素材として酸化膜の形成し難い材料、例えばアンバー材
（36％Ni-Fe合金）の表面に鉛ほう酸塩ガラス層を形成
させた場合、その表面に黒色層が少なく熱放散性が悪い
が、鉛ほう酸塩ガラスに予めMnO2やCo2O3の黒色顔料を
添加すれば黒色の鉛ほう酸塩ガラス層が形成されるた
め、熱放散性が改善される。上記実施例では、結晶化ガ
ラスを主体とした材料で説明したが、本発明はこの実施
例のみに限られるものではなく、シャドウマスクより低
熱膨張率あるいは低熱伝導性を有していれば所期の目的
は十分に達成できることはいうまでもない。更に、結晶
化ガラスと金属の封着は、強固な化学結合となるため、
結晶化ガラスのシャドウマスクからの脱落は非常に少な
くなる。
ているがこの黒色の酸化膜はシャドウマスクからの熱放
散性を高めるばかりか、結晶化ガラスとの封着の際にそ
の結合をより高める効果がある。一方シャドウマスク用
素材として酸化膜の形成し難い材料、例えばアンバー材
（36％Ni-Fe合金）の表面に鉛ほう酸塩ガラス層を形成
させた場合、その表面に黒色層が少なく熱放散性が悪い
が、鉛ほう酸塩ガラスに予めMnO2やCo2O3の黒色顔料を
添加すれば黒色の鉛ほう酸塩ガラス層が形成されるた
め、熱放散性が改善される。上記実施例では、結晶化ガ
ラスを主体とした材料で説明したが、本発明はこの実施
例のみに限られるものではなく、シャドウマスクより低
熱膨張率あるいは低熱伝導性を有していれば所期の目的
は十分に達成できることはいうまでもない。更に、結晶
化ガラスと金属の封着は、強固な化学結合となるため、
結晶化ガラスのシャドウマスクからの脱落は非常に少な
くなる。
以上のように本発明によれば、大規模な製造設備や作業
時間の増加を伴うことなく、シヤドウマスクのドーミン
グを効果的に軽減して色ずれや色むら等の色純度劣化を
改善することができ、工業的価値は極めて高い。
時間の増加を伴うことなく、シヤドウマスクのドーミン
グを効果的に軽減して色ずれや色むら等の色純度劣化を
改善することができ、工業的価値は極めて高い。
第１図はシヤドウマスク型カラー受像管の構成を示す概
略断面図、第２図（ａ）乃至第２図（ｃ）はガラスと金
属の封着現象を説明するための模式図、第３図は固体の
熱膨張現象を説明するための模式図である。 （１）……パネル、（２）……フアンネル （３）……ネツク、（４）……スクリーン （５）……シヤドウマスク、（６）……電子銃 （７）……マスクフレーム
略断面図、第２図（ａ）乃至第２図（ｃ）はガラスと金
属の封着現象を説明するための模式図、第３図は固体の
熱膨張現象を説明するための模式図である。 （１）……パネル、（２）……フアンネル （３）……ネツク、（４）……スクリーン （５）……シヤドウマスク、（６）……電子銃 （７）……マスクフレーム
Claims (8)
- 【請求項１】スクリーンに近接し多数の透孔の穿設され
た主面と前記主面の周縁部に延在するスカート部とから
なり、その表面に黒色被膜を形成したシャドウマスク
と、このシャドウマスクを介して前記スクリーン上の蛍
光体を選択発光せしめる電子ビームを射出する電子銃と
を少なくとも備えたカラー受像管において、前記黒色被
膜を有するシャドウマスクの少なくとも一方の主面に結
晶化ガラスを主体とする材料が高温加熱処理により封着
接合されていることを特徴とするカラー受像管。 - 【請求項２】前記結晶化ガラスを主体とする層が前記ス
カート部の少なくとも一部まで延在して形成されてなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のカラー受
像管。 - 【請求項３】前記結晶化ガラスを主体とする層の封着接
合温度における熱膨張係数が前記シャドウマスクの封着
接合温度における熱膨張係数より小さいことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項及び第２項記載のカラー受像
管。 - 【請求項４】前記結晶化ガラスを主体とする層が結晶性
半田ガラスからなることを特徴とする特許請求の範囲第
３項記載のカラー受像管。 - 【請求項５】前記ガラスが鉛ほう酸塩ガラスよりなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のカラー受像
管。 - 【請求項６】前記鉛ほう酸塩ガラス中に含まれるPbOが7
0重量％乃至85重量％であることを特徴とする特許請求
の範囲第５項記載のカラー受像管。 - 【請求項７】前記結晶化ガラスに黒色顔料を添加したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第６項記載の
カラー受像管。 - 【請求項８】前記黒色顔料がMnO2またはCo2O3であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載のカラー受像
管。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58148843A JPH0738295B2 (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | カラー受像管 |
| US06/640,390 US4716333A (en) | 1983-08-16 | 1984-08-13 | Shadow mask for a color cathode ray tube |
| KR1019840004883A KR890003989B1 (ko) | 1983-08-16 | 1984-08-14 | 컬러 수상관 |
| EP84305554A EP0139379B1 (en) | 1983-08-16 | 1984-08-15 | A colour cathode ray tube |
| DE8484305554T DE3472184D1 (en) | 1983-08-16 | 1984-08-15 | A colour cathode ray tube |
| HK800/90A HK80090A (en) | 1983-08-16 | 1990-10-03 | A colour cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58148843A JPH0738295B2 (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | カラー受像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054139A JPS6054139A (ja) | 1985-03-28 |
| JPH0738295B2 true JPH0738295B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=15461978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58148843A Expired - Lifetime JPH0738295B2 (ja) | 1983-08-16 | 1983-08-16 | カラー受像管 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4716333A (ja) |
| EP (1) | EP0139379B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0738295B2 (ja) |
| KR (1) | KR890003989B1 (ja) |
| DE (1) | DE3472184D1 (ja) |
| HK (1) | HK80090A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6072143A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Toshiba Corp | カラ−受像管 |
| JPS60109145A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Toshiba Corp | カラ−受像管 |
| NL8400806A (nl) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Philips Nv | Kleurenbeeldbuis. |
| JPS61273835A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | シヤドウマスクの製造方法 |
| US4734615A (en) * | 1985-07-17 | 1988-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Color cathode ray tube |
| JP2746946B2 (ja) * | 1988-10-27 | 1998-05-06 | 株式会社東芝 | カラー受像管 |
| US5000711A (en) * | 1990-07-02 | 1991-03-19 | Rca Licensing Corporation | Method of making color picture tube shadow mask having improved tie bar locations |
| US5451833A (en) * | 1993-10-28 | 1995-09-19 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Shadow mask damping for color CRT |
| JPH07254373A (ja) * | 1994-01-26 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | カラー受像管及びその製造方法 |
| JP2816099B2 (ja) * | 1994-08-09 | 1998-10-27 | メタルエンジニアリング株式会社 | 多層構成鋳物の製造方法 |
| KR100393656B1 (ko) * | 1995-11-08 | 2003-10-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라수상관용새도우마스크와그제조방법 |
| KR100373840B1 (ko) * | 1995-11-08 | 2003-05-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 칼라수상관용새도우마스크의그제조방법 |
| JP2000011911A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | シャドウマスクを備えたカラー陰極線管 |
| US7214477B1 (en) | 1999-07-26 | 2007-05-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Department Of Health And Human Services | Layered device with capture regions for cellular analysis |
| US6717342B2 (en) | 2000-08-29 | 2004-04-06 | Lg Electronics Inc. | Shadow mask in color CRT |
| JP7753857B2 (ja) * | 2020-12-22 | 2025-10-15 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 板体補強用積層体 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL126780C (ja) * | 1960-05-02 | |||
| FR1294970A (fr) * | 1960-05-02 | 1962-06-01 | Philips Nv | Procédé de fabrication de plaques de grille et produits obtenus |
| US4002941A (en) * | 1966-10-27 | 1977-01-11 | Rca Corporation | Shadow mask cathode ray tube shield |
| US3668002A (en) * | 1968-07-01 | 1972-06-06 | Hitachi Ltd | Shadow mask having focusing function and method of making same |
| US3792300A (en) * | 1972-07-15 | 1974-02-12 | Gte Sylvania Inc | Cathode ray tube having a conductive metallic coating therein |
| NL7310372A (nl) * | 1973-07-26 | 1975-01-28 | Philips Nv | Kathodestraalbuis voor het weergeven van gekleurde beelden. |
| JPS579184B2 (ja) * | 1973-12-10 | 1982-02-19 | ||
| US4173729A (en) * | 1977-06-24 | 1979-11-06 | Rca Corporation | Cathode-ray tube having a stepped shadow mask |
| JPS54139463A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-29 | Toshiba Corp | Color braun tube |
| JPS6043621B2 (ja) * | 1980-04-25 | 1985-09-28 | 三菱電機株式会社 | カラ−陰極線管 |
| US4339687A (en) * | 1980-05-29 | 1982-07-13 | General Electric Company | Shadow mask having a layer of high atomic number material on gun side |
| DE3125075C2 (de) * | 1980-07-16 | 1987-01-15 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven | Farbbildröhre |
| NL8004076A (nl) * | 1980-07-16 | 1982-02-16 | Philips Nv | Kleurenbeeldbuis. |
| US4317749A (en) * | 1980-08-22 | 1982-03-02 | Ferro Corporation | Thick film conductor employing cobalt oxide |
| JPS6072143A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Toshiba Corp | カラ−受像管 |
-
1983
- 1983-08-16 JP JP58148843A patent/JPH0738295B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-08-13 US US06/640,390 patent/US4716333A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-08-14 KR KR1019840004883A patent/KR890003989B1/ko not_active Expired
- 1984-08-15 EP EP84305554A patent/EP0139379B1/en not_active Expired
- 1984-08-15 DE DE8484305554T patent/DE3472184D1/de not_active Expired
-
1990
- 1990-10-03 HK HK800/90A patent/HK80090A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| EP0139379A1 (en) | 1985-05-02 |
| EP0139379B1 (en) | 1988-06-15 |
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