JPH0739721A - Ｎｆ▲３▼の処理方法 - Google Patents
Ｎｆ▲３▼の処理方法Info
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- JPH0739721A JPH0739721A JP5186241A JP18624193A JPH0739721A JP H0739721 A JPH0739721 A JP H0739721A JP 5186241 A JP5186241 A JP 5186241A JP 18624193 A JP18624193 A JP 18624193A JP H0739721 A JPH0739721 A JP H0739721A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＮＦ3 を含む排ガスの除去方法を提供する。
【構成】ＮＦ3 を含む排ガスと処理剤とを接触させて処
理する方法において、処理剤として、表面に重量比で
０．０１〜２．０ｗｔ％のＣｕをＳｉに添着したものを
用いる。
理する方法において、処理剤として、表面に重量比で
０．０１〜２．０ｗｔ％のＣｕをＳｉに添着したものを
用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】ＮＦ3 はロケット燃料のほか、近
年ＬＳＩのドライエッチング剤あるいはフッ素化剤とし
て注目されており、特にドライエッチング剤としてはＣ
Ｆ4 などのパーフロロカーボン系のエッチング剤にくら
べエッチングの際に生じるＬＳＩ基板の汚染が極めて少
ないことなどの利点を有している。一方、ＮＦ3 は大気
中で極めて安定であり、水にもわずかしか溶解せずＴＬ
Ｖ１０ｐｐｍの毒性ガスであり、これを使用する場合に
はその残ガス等の排気の際にその処理が常に必要とな
る。本発明はかかるＮＦ3 を含むガスの処理方法に関す
るものである。
年ＬＳＩのドライエッチング剤あるいはフッ素化剤とし
て注目されており、特にドライエッチング剤としてはＣ
Ｆ4 などのパーフロロカーボン系のエッチング剤にくら
べエッチングの際に生じるＬＳＩ基板の汚染が極めて少
ないことなどの利点を有している。一方、ＮＦ3 は大気
中で極めて安定であり、水にもわずかしか溶解せずＴＬ
Ｖ１０ｐｐｍの毒性ガスであり、これを使用する場合に
はその残ガス等の排気の際にその処理が常に必要とな
る。本発明はかかるＮＦ3 を含むガスの処理方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術および解決すべき問題点】我々はＮＦ3 の
処理方法として、Ｓｉを始めとする各種金属、およびこ
れらの非酸化物系化合物とＮＦ3 を２００℃〜８００℃
で反応させ、得られるフッ化物ガスを補集する方法を提
案した。（特公昭６３−４８５７０号）これらの反応薬
剤のうち特に金属Ｓｉは反応性がよい安価である
反応生成物（ＳｉＦ4 ）は常温で十分な蒸気圧を有し、
そのため系から容易に排出できるＳｉＦ4 はアルカリ
で完全に処理できるという特長があり、ＮＦ3 処理に最
も適しているといえる。
処理方法として、Ｓｉを始めとする各種金属、およびこ
れらの非酸化物系化合物とＮＦ3 を２００℃〜８００℃
で反応させ、得られるフッ化物ガスを補集する方法を提
案した。（特公昭６３−４８５７０号）これらの反応薬
剤のうち特に金属Ｓｉは反応性がよい安価である
反応生成物（ＳｉＦ4 ）は常温で十分な蒸気圧を有し、
そのため系から容易に排出できるＳｉＦ4 はアルカリ
で完全に処理できるという特長があり、ＮＦ3 処理に最
も適しているといえる。
【０００３】しかしながらこの処理方法はＮＦ3 に酸素
が共存する場合、酸素によりＳｉ表面が酸化されＮＦ3
処理速度が低下するため、必要な処理速度を得ようとす
れば反応温度を高くしなければならず処理に余分の熱エ
ネルギーを要する、反応器に要求される材質も高級品質
なものになるという問題があった。
が共存する場合、酸素によりＳｉ表面が酸化されＮＦ3
処理速度が低下するため、必要な処理速度を得ようとす
れば反応温度を高くしなければならず処理に余分の熱エ
ネルギーを要する、反応器に要求される材質も高級品質
なものになるという問題があった。
【０００４】本発明はこの様な点に着目してなされたも
ので酸素が共存していてもＮＦ3 処理速度の低下がない
ＮＦ3 の処理方法を提供することを目的とする。
ので酸素が共存していてもＮＦ3 処理速度の低下がない
ＮＦ3 の処理方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】上述の問題について検
討を重ねた結果、本発明者らはＳｉの長所を生かしつつ
酸素の共存したＮＦ3 ガスを処理することのできる薬剤
としてＳｉ表面に少量の金属Ｃｕを触媒として添着した
ものが有効であることをを見いだして本発明に至った。
討を重ねた結果、本発明者らはＳｉの長所を生かしつつ
酸素の共存したＮＦ3 ガスを処理することのできる薬剤
としてＳｉ表面に少量の金属Ｃｕを触媒として添着した
ものが有効であることをを見いだして本発明に至った。
【０００６】金属Ｃｕはそれ自身だけでも加熱下でＮＦ
3 を分解し得るが、Ｃｕ単味をＮＦ 3 の処理剤として用
いるには問題がある。例えばＣｕ単味ではＮＦ3 と反応
しとたときに固体フッ化物（ＣｕＦ2 ）を生成しこれが
Ｃｕの表面を覆うのでＮＦ3の拡散が妨げられ反応の効
率が下がる。またＣｕＦ2 の粉末が反応器を閉塞する恐
れがあるなどである。一方ＳｉはＮＦ3 を処理した後の
反応生成物がガス状のＳｉＦ4 となり、Ｃｕ単味にみら
れるような問題はないもののＮＦ3 に酸素が共存する場
合には前項で述べた問題点を含んでいる。この様にいず
れもそれ自身、単味では完璧なＮＦ3 処理ができなかっ
たＳｉとＣｕであるが本発明者らはこれらをうまく組み
合わせることにより新たな機能を創出することに成功し
た。
3 を分解し得るが、Ｃｕ単味をＮＦ 3 の処理剤として用
いるには問題がある。例えばＣｕ単味ではＮＦ3 と反応
しとたときに固体フッ化物（ＣｕＦ2 ）を生成しこれが
Ｃｕの表面を覆うのでＮＦ3の拡散が妨げられ反応の効
率が下がる。またＣｕＦ2 の粉末が反応器を閉塞する恐
れがあるなどである。一方ＳｉはＮＦ3 を処理した後の
反応生成物がガス状のＳｉＦ4 となり、Ｃｕ単味にみら
れるような問題はないもののＮＦ3 に酸素が共存する場
合には前項で述べた問題点を含んでいる。この様にいず
れもそれ自身、単味では完璧なＮＦ3 処理ができなかっ
たＳｉとＣｕであるが本発明者らはこれらをうまく組み
合わせることにより新たな機能を創出することに成功し
た。
【０００７】Ｃｕを表面に添着したＳｉのＮＦ3 分解反
応のメカニズムの詳細は分からないが、少なくともＣｕ
は触媒として作用しているということは次の二点から言
える。即ち、該薬剤でＮＦ3 を分解した時、添着してい
るＣｕの化学当量の何百倍、何千倍ものＮＦ3 が処理さ
れるということ、またその時の分解生成物がＳｉＦ4で
あり反応する主剤はＳｉであるという点である。またこ
のＣｕの触媒効果は実質的にＳｉの全量が消費されてし
まうまで持続するという非常に効率の高いものである。
Ｏ2 共存ＮＦ3 排ガスに対する該薬剤の処理能力の大小
は、例えば後述の (a)〜 (d)の様なＣｕの添着方法には
あまり依存せず、ともかくＳｉ表面に金属Ｃｕが接触し
ている状態にあればばその効果が発現する。
応のメカニズムの詳細は分からないが、少なくともＣｕ
は触媒として作用しているということは次の二点から言
える。即ち、該薬剤でＮＦ3 を分解した時、添着してい
るＣｕの化学当量の何百倍、何千倍ものＮＦ3 が処理さ
れるということ、またその時の分解生成物がＳｉＦ4で
あり反応する主剤はＳｉであるという点である。またこ
のＣｕの触媒効果は実質的にＳｉの全量が消費されてし
まうまで持続するという非常に効率の高いものである。
Ｏ2 共存ＮＦ3 排ガスに対する該薬剤の処理能力の大小
は、例えば後述の (a)〜 (d)の様なＣｕの添着方法には
あまり依存せず、ともかくＳｉ表面に金属Ｃｕが接触し
ている状態にあればばその効果が発現する。
【０００８】Ｏ2 共存ＮＦ3 排ガスに対する該薬剤の処
理能力はＳｉ単位量当りに添着しているＣｕ量に左右さ
れるので次に示す最適添着量の範囲内に調整すべきであ
る。即ち、Ｓｉ表面に添着すべきＣｕの量は重量割合で
少なくとも０．０１ｗｔ％でありこれ以下では酸素共存
ＮＦ3 排ガスの処理に充分な効果が期待できない。一方
本質的にはＣｕ量の上限は無いとも言えるが本明細書に
示した方法でＣｕを添着した場合には２．０ｗｔ％を越
えるとＣｕがＳｉ表面を覆うようになりＮＦ3とＳｉの
接触が妨げられ処理効果が低下する。酸素共存ＮＦ3 排
ガスを処理するにあたって処理速度が最大となるＣｕの
添着量は０．０５〜０．４ｗｔ％であり、むやみに多く
のＣｕを付けてもそれに見合う効果は期待できず不経済
であるのでＣｕの添着量としては実用上は２．０％を上
限とすべきである。重量比で表したＣｕの添着量はＮＦ
3 と反応してＳｉが消費されてくるに従って（Ｃｕは消
費されないので）その値が次第に大きくなるが、ここで
言うＣｕの添着量とは初期状態の薬剤についてのもので
あることはいうまでもない。
理能力はＳｉ単位量当りに添着しているＣｕ量に左右さ
れるので次に示す最適添着量の範囲内に調整すべきであ
る。即ち、Ｓｉ表面に添着すべきＣｕの量は重量割合で
少なくとも０．０１ｗｔ％でありこれ以下では酸素共存
ＮＦ3 排ガスの処理に充分な効果が期待できない。一方
本質的にはＣｕ量の上限は無いとも言えるが本明細書に
示した方法でＣｕを添着した場合には２．０ｗｔ％を越
えるとＣｕがＳｉ表面を覆うようになりＮＦ3とＳｉの
接触が妨げられ処理効果が低下する。酸素共存ＮＦ3 排
ガスを処理するにあたって処理速度が最大となるＣｕの
添着量は０．０５〜０．４ｗｔ％であり、むやみに多く
のＣｕを付けてもそれに見合う効果は期待できず不経済
であるのでＣｕの添着量としては実用上は２．０％を上
限とすべきである。重量比で表したＣｕの添着量はＮＦ
3 と反応してＳｉが消費されてくるに従って（Ｃｕは消
費されないので）その値が次第に大きくなるが、ここで
言うＣｕの添着量とは初期状態の薬剤についてのもので
あることはいうまでもない。
【０００９】Ｓｉ表面にＣｕを付着せしめるには一般に
知られている各種の方法が適用可能である。例えば、
(a) 無電解法によりＳｉ表面にＣｕをメッキする方法、
(b) 金属ＣｕとＳｉとを混合しＮ2 等の不活性雰囲気中
で熱処理しＳｉ表面にＣｕとの合金をつくる方法、(c)
塩化第一銅とＳｉを混合しＮ2 雰囲気４００〜５００℃
で焼成しＳｉ表面に還元生成したＣｕとの合金をつくる
方法、(d) Ｓｉ表面にＣｕを溶射する方法等があるがい
ずれの方法でも効果がある。
知られている各種の方法が適用可能である。例えば、
(a) 無電解法によりＳｉ表面にＣｕをメッキする方法、
(b) 金属ＣｕとＳｉとを混合しＮ2 等の不活性雰囲気中
で熱処理しＳｉ表面にＣｕとの合金をつくる方法、(c)
塩化第一銅とＳｉを混合しＮ2 雰囲気４００〜５００℃
で焼成しＳｉ表面に還元生成したＣｕとの合金をつくる
方法、(d) Ｓｉ表面にＣｕを溶射する方法等があるがい
ずれの方法でも効果がある。
【００１０】また本発明の実施態様としては、反応器の
内部空間を有効に利用すべきという観点から主剤である
Ｓｉの表面に必要十分なだけのＣｕを触媒として付着せ
しめる方法を望ましいものとするが、ＳｉとＣｕを単に
同時に反応器に充填するという方法においてもＳｉ粒と
Ｃｕ粒の接触部に(b) の様に活性な触媒領域を形成する
のでＯ2 共存ＮＦ3 排ガスの処理に有効であることには
変わりはない。
内部空間を有効に利用すべきという観点から主剤である
Ｓｉの表面に必要十分なだけのＣｕを触媒として付着せ
しめる方法を望ましいものとするが、ＳｉとＣｕを単に
同時に反応器に充填するという方法においてもＳｉ粒と
Ｃｕ粒の接触部に(b) の様に活性な触媒領域を形成する
のでＯ2 共存ＮＦ3 排ガスの処理に有効であることには
変わりはない。
【００１１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に
説明するが、係る実施例に限定されるものではない。
説明するが、係る実施例に限定されるものではない。
【００１２】比較例１ １／２インチのＮｉパイプを反応器としこれを環状炉内
に水平に固定した。反応薬剤はＳｉ粒をふるい分けして
粒径を３ｍｍ〜５ｍｍに揃えたものを用いた。反応器の
１００ｍｍ程の長さのゾーンに該反応薬剤約１１ｇを充
填しヒーターで加熱した。模擬排ガスとして（ＮＦ3 ＝
２％、Ｎ2 ＝９８％）および（ＮＦ3 ＝２％、Ｏ2 ＝２
％、Ｎ2 ＝９６％）に調合した混合ガスをそれぞれ１リ
ットル／ｍｉｎで流し、処理を開始して１０分後の出口
ガスのＮＦ3 濃度を分析した。（ガス濃度は体積割合。
以下同じ） この結果を表１に示す。なお出口ガスのＮＦ3 以外の成
分には分解したＮＦ3に相当する濃度のＳｉＦ4 が検出
された。
に水平に固定した。反応薬剤はＳｉ粒をふるい分けして
粒径を３ｍｍ〜５ｍｍに揃えたものを用いた。反応器の
１００ｍｍ程の長さのゾーンに該反応薬剤約１１ｇを充
填しヒーターで加熱した。模擬排ガスとして（ＮＦ3 ＝
２％、Ｎ2 ＝９８％）および（ＮＦ3 ＝２％、Ｏ2 ＝２
％、Ｎ2 ＝９６％）に調合した混合ガスをそれぞれ１リ
ットル／ｍｉｎで流し、処理を開始して１０分後の出口
ガスのＮＦ3 濃度を分析した。（ガス濃度は体積割合。
以下同じ） この結果を表１に示す。なお出口ガスのＮＦ3 以外の成
分には分解したＮＦ3に相当する濃度のＳｉＦ4 が検出
された。
【００１３】Ｏ2 ＝０％であればＮＦ3 はＳｉで容易に
分解されるが、ＮＦ3 にＯ2 が共存するとＴＬＶ値の１
０ｐｐｍ以下まで処理するのは非常に困難になり本比較
例では温度８００℃でも達成されなかった。もし処理後
のガスのＮＦ3 を１０ｐｐｍ以下にしようとするなら反
応時間を確保するために反応器が大型になってしまい設
置スペース、製作コスト、ランニングコストとも不経済
になる。
分解されるが、ＮＦ3 にＯ2 が共存するとＴＬＶ値の１
０ｐｐｍ以下まで処理するのは非常に困難になり本比較
例では温度８００℃でも達成されなかった。もし処理後
のガスのＮＦ3 を１０ｐｐｍ以下にしようとするなら反
応時間を確保するために反応器が大型になってしまい設
置スペース、製作コスト、ランニングコストとも不経済
になる。
【００１４】実施例１ 反応薬剤として種々の条件でＣｕを添着したＳｉを用い
た以外は比較例１と同様の方法で行った実験の結果を表
１に示す。Ｃｕの添着法は、前述したところに従い次の
(a)〜(d) によった。
た以外は比較例１と同様の方法で行った実験の結果を表
１に示す。Ｃｕの添着法は、前述したところに従い次の
(a)〜(d) によった。
【００１５】添着法(a) ：ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏとロッ
セル塩の浴をＮａＯＨでＰＨ＝１２．３に調整し、Ｓｉ
粒を浸漬した後ＨＣＨＯを加えて還元しＣｕをメッキし
た。Ｓｉ粒を取り出し水洗し乾燥して用いた。
セル塩の浴をＮａＯＨでＰＨ＝１２．３に調整し、Ｓｉ
粒を浸漬した後ＨＣＨＯを加えて還元しＣｕをメッキし
た。Ｓｉ粒を取り出し水洗し乾燥して用いた。
【００１６】添着法(b) ：Ｓｉ粒とＣｕ粉末を同量混合
し、Ｎ2 雰囲気で９００℃，１Ｈｒ熱処理しＳｉ表面に
Ｃｕ合金層を形成した。余剰のＣｕ粉末をふるい分けし
て除いたものを用いた。
し、Ｎ2 雰囲気で９００℃，１Ｈｒ熱処理しＳｉ表面に
Ｃｕ合金層を形成した。余剰のＣｕ粉末をふるい分けし
て除いたものを用いた。
【００１７】添着法(c) ：Ｓｉ粒とＣｕＣｌを同量混合
しＮ2 雰囲気で４５０℃，１Ｈｒ熱処理しＳｉ表面に還
元Ｃｕの層を形成した。余剰のＣｕＣｌ粉末をふるい分
けして除いたものを用いた。
しＮ2 雰囲気で４５０℃，１Ｈｒ熱処理しＳｉ表面に還
元Ｃｕの層を形成した。余剰のＣｕＣｌ粉末をふるい分
けして除いたものを用いた。
【００１８】添着法(d) ：Ｓｉ粒にＣｕをプラズマ溶射
したものを用いた。
したものを用いた。
【００１９】
【表１】
【００２０】比較例２ Ｓｉ単味の粒を薬剤とし比較例１と同じ装置にて供給ガ
ス組成：（ＮＦ3 ＝２％、Ｎ2 ＝９８％）、供給ガス流
量：１リットル／ｍｉｎ、温度：７００℃の条件で薬剤
の約８割が消費されるまで出口ガスのＮＦ3 を継続して
分析した。この結果を図１に示す。
ス組成：（ＮＦ3 ＝２％、Ｎ2 ＝９８％）、供給ガス流
量：１リットル／ｍｉｎ、温度：７００℃の条件で薬剤
の約８割が消費されるまで出口ガスのＮＦ3 を継続して
分析した。この結果を図１に示す。
【００２１】Ｏ2 ＝０％の本比較例ではＮＦ3 がＳｉ単
味で容易に分解されて初めのうちは出口ガス中ＮＦ3 は
検出されなかった（３ｐｐｍ＞）。Ｓｉが消費されてゆ
くにしたがって水平に配置した反応器の薬剤充填部の上
部に空間を生じこの空間をショートパスしたＮＦ3 が出
口ガス中に検出されるようになりその濃度が次第に高く
なった。しかしながら供給されたＮＦ3 （入口濃度＝２
００００ｐｐｍ）は、処理開始後８時間でＳｉが仕込量
の８割が消費された時点においてさえも依然その大部分
が分解されており、小量のＳｉでＮＦ3 が効率よく分解
処理されることを示している。
味で容易に分解されて初めのうちは出口ガス中ＮＦ3 は
検出されなかった（３ｐｐｍ＞）。Ｓｉが消費されてゆ
くにしたがって水平に配置した反応器の薬剤充填部の上
部に空間を生じこの空間をショートパスしたＮＦ3 が出
口ガス中に検出されるようになりその濃度が次第に高く
なった。しかしながら供給されたＮＦ3 （入口濃度＝２
００００ｐｐｍ）は、処理開始後８時間でＳｉが仕込量
の８割が消費された時点においてさえも依然その大部分
が分解されており、小量のＳｉでＮＦ3 が効率よく分解
処理されることを示している。
【００２２】比較例３ Ｓｉ単味の粒を薬剤とし比較例１と同じ装置にて供給ガ
ス組成：（ＮＦ3 ＝２％、Ｏ2 ＝２％、Ｎ2 ＝９６
％）、供給ガス流量：１リットル／ｍｉｎ、温度：７０
０℃の条件で薬剤の約８割が消費されるまで出口ガスの
ＮＦ3 を継続して分析した。この結果を図１に示す。
ス組成：（ＮＦ3 ＝２％、Ｏ2 ＝２％、Ｎ2 ＝９６
％）、供給ガス流量：１リットル／ｍｉｎ、温度：７０
０℃の条件で薬剤の約８割が消費されるまで出口ガスの
ＮＦ3 を継続して分析した。この結果を図１に示す。
【００２３】ＮＦ3 にＯ2 が共存した本比較例では出口
ガス中のＮＦ3 濃度は最初から２００ｐｐｍ以上もあり
Ｓｉ単味ではＯ2 の共存するＮＦ3 を完全に分解処理す
るのは困難であることを示している。
ガス中のＮＦ3 濃度は最初から２００ｐｐｍ以上もあり
Ｓｉ単味ではＯ2 の共存するＮＦ3 を完全に分解処理す
るのは困難であることを示している。
【００２４】実施例２ Ｃｕ添着法(a) （メッキ法）で調整した実施例１で用い
た薬剤を比較例１と同じ装置にて供給ガス組成：（ＮＦ
3 ＝２％、Ｏ2 ＝２％、Ｎ2 ＝９６％）、供給ガス流
量：１リットル／ｍｉｎ、温度：７００℃の条件で薬剤
の約８割が消費されるまで出口ガスのＮＦ3 を継続して
分析した。この結果を図１に示す。
た薬剤を比較例１と同じ装置にて供給ガス組成：（ＮＦ
3 ＝２％、Ｏ2 ＝２％、Ｎ2 ＝９６％）、供給ガス流
量：１リットル／ｍｉｎ、温度：７００℃の条件で薬剤
の約８割が消費されるまで出口ガスのＮＦ3 を継続して
分析した。この結果を図１に示す。
【００２５】本実施例から、本発明におけるＣｕ添着Ｓ
ｉの効果はＯ2 ＝２％共存の場合でも、Ｏ2 ＝０％でＳ
ｉ単味の場合（比較例２）と同程度に効率よくＮＦ3 を
分解処理できることがわかる。しかもこのＣｕ触媒効果
はＳｉの少なくとも８割以上（おそらく全量）が消費さ
れるまで継続する。
ｉの効果はＯ2 ＝２％共存の場合でも、Ｏ2 ＝０％でＳ
ｉ単味の場合（比較例２）と同程度に効率よくＮＦ3 を
分解処理できることがわかる。しかもこのＣｕ触媒効果
はＳｉの少なくとも８割以上（おそらく全量）が消費さ
れるまで継続する。
【００２６】
【発明の効果】本発明により酸素が共存するＮＦ3 の排
ガスを低温で処理速度を低下させることなく除去処理す
ることを可能にした。
ガスを低温で処理速度を低下させることなく除去処理す
ることを可能にした。
【図１】実施例２、比較例２、３のＮＦ3 排ガスの処理
結果を示す。
結果を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 53/34 １２８
Claims (1)
- 【請求項１】 有害成分としてＮＦ3 を含む排ガスと処
理剤とを接触させて当該排ガスからＮＦ3 を除去する排
ガスの処理方法において、処理剤として、表面に重量比
で０．０１〜２．０ｗｔ％のＣｕを添着させたＳｉを用
いることを特徴とするＮＦ3 の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5186241A JP2823486B2 (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | Ｎｆ▲３▼の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5186241A JP2823486B2 (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | Ｎｆ▲３▼の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0739721A true JPH0739721A (ja) | 1995-02-10 |
| JP2823486B2 JP2823486B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=16184825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5186241A Expired - Fee Related JP2823486B2 (ja) | 1993-07-28 | 1993-07-28 | Ｎｆ▲３▼の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2823486B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6921519B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-07-26 | Ineos Fluor Holdings Limited | Decomposition of fluorine containing compounds |
| JP2021164904A (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | セントラル硝子株式会社 | Ｎ２ｏの処理方法及びｎ２ｏの除害装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6146606A (en) * | 1999-02-09 | 2000-11-14 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Reactive agent and process for decomposing nitrogen fluoride |
| JP2008086913A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Central Glass Co Ltd | フッ素含有ガス中のフッ素の除去方法 |
-
1993
- 1993-07-28 JP JP5186241A patent/JP2823486B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6921519B2 (en) | 2001-01-24 | 2005-07-26 | Ineos Fluor Holdings Limited | Decomposition of fluorine containing compounds |
| JP2021164904A (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | セントラル硝子株式会社 | Ｎ２ｏの処理方法及びｎ２ｏの除害装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2823486B2 (ja) | 1998-11-11 |
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