JPH0740329B2 - 回転磁気ヘツド装置 - Google Patents
回転磁気ヘツド装置Info
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- JPH0740329B2 JPH0740329B2 JP60268286A JP26828685A JPH0740329B2 JP H0740329 B2 JPH0740329 B2 JP H0740329B2 JP 60268286 A JP60268286 A JP 60268286A JP 26828685 A JP26828685 A JP 26828685A JP H0740329 B2 JPH0740329 B2 JP H0740329B2
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- erasing
- rotary
- capacitor
- terminal
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/52—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with simultaneous movement of head and record carrier, e.g. rotation of head
- G11B5/53—Disposition or mounting of heads on rotating support
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
- G11B33/12—Disposition of constructional parts in the apparatus, e.g. of power supply, of modules
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ヘリカルスキヤン方式ビデオテープレコーダ
の回転磁気ヘツド装置に関わり、特に、消去用回転磁気
ヘツドを備えた回転磁気ヘツド装置に関する。
の回転磁気ヘツド装置に関わり、特に、消去用回転磁気
ヘツドを備えた回転磁気ヘツド装置に関する。
家庭用のヘリカルスキヤン方式ビデオテープレコーダ
（以下、VTRという）において、継ぎ撮りやインサート
を行なう場合、一般に、磁気テープ上に形成されている
トラツクに新たな信号を重ね書きする方法がとられる。
しかし、この方法によると、前に記録されていた信号の
消し残りがあり、再生信号のS/Nを劣化させるという問
題があつた。
（以下、VTRという）において、継ぎ撮りやインサート
を行なう場合、一般に、磁気テープ上に形成されている
トラツクに新たな信号を重ね書きする方法がとられる。
しかし、この方法によると、前に記録されていた信号の
消し残りがあり、再生信号のS/Nを劣化させるという問
題があつた。
かかる問題を解消する１つの方法として、回転磁気ヘツ
ド装置に映像信号記録再生用回転磁気ヘツド（以下、ビ
デオヘツドという）に先行して消去用回転磁気ヘツドを
設け、磁気テープ上のトラツクを直接消去しながら、こ
れによつて消去された部分にビデオヘツドによつて信号
の記録を行なうものが知られている。これによると、磁
気テープに前に記録されていた信号の消し残りをなくす
ことができるばかりでなく、従来用いられていた全幅消
去のための固定磁気ヘツドが不要となり、VTRの小形化
が促進されるという利点がある。
ド装置に映像信号記録再生用回転磁気ヘツド（以下、ビ
デオヘツドという）に先行して消去用回転磁気ヘツドを
設け、磁気テープ上のトラツクを直接消去しながら、こ
れによつて消去された部分にビデオヘツドによつて信号
の記録を行なうものが知られている。これによると、磁
気テープに前に記録されていた信号の消し残りをなくす
ことができるばかりでなく、従来用いられていた全幅消
去のための固定磁気ヘツドが不要となり、VTRの小形化
が促進されるという利点がある。
ところで、消去用磁気ヘツドによる消去性能は、（消去
後の信号再生レベル）／（消去前の信号再生レベル）で
定められた消去率で表わされ、消去電流の周波数と大き
さ、ヘツドの飽和磁束密度、磁気ギヤツプ長に関係す
る。そこで、映像信号を十分消去可能な消去率を得るた
めに、たとえば、消去用磁気ヘツドとして、飽和磁束密
度が大きい材料を用いて構成し、磁気ギヤツプ長さを３
μｍ程度とするとともに、消去信号の周波数を映像信号
の周波数以上とし、消去電流の大きさを映像信号の３〜
５倍としている。このような大きな消去電流を得る方法
としては、たとえば、特開昭57−117109号公報に開示さ
れるように、消去信号の信号源と記録アンプとの間にピ
ーキング回路を設けることが知られている。
後の信号再生レベル）／（消去前の信号再生レベル）で
定められた消去率で表わされ、消去電流の周波数と大き
さ、ヘツドの飽和磁束密度、磁気ギヤツプ長に関係す
る。そこで、映像信号を十分消去可能な消去率を得るた
めに、たとえば、消去用磁気ヘツドとして、飽和磁束密
度が大きい材料を用いて構成し、磁気ギヤツプ長さを３
μｍ程度とするとともに、消去信号の周波数を映像信号
の周波数以上とし、消去電流の大きさを映像信号の３〜
５倍としている。このような大きな消去電流を得る方法
としては、たとえば、特開昭57−117109号公報に開示さ
れるように、消去信号の信号源と記録アンプとの間にピ
ーキング回路を設けることが知られている。
一方、映像信号の記録アンプとビデオヘツドとの間と消
去信号の記録アンプと消去用回転磁気ヘツドとの間とで
は、夫々回転トランスを介して信号線が施こされてお
り、このために、直径が62mmあるいは40mmの回転磁気ヘ
ツド内では、映像信号用信号線と消去信号用信号線をほ
ぼ並行し、かつ数mm以下の間隔で極めて近接して配線さ
れている。
去信号の記録アンプと消去用回転磁気ヘツドとの間とで
は、夫々回転トランスを介して信号線が施こされてお
り、このために、直径が62mmあるいは40mmの回転磁気ヘ
ツド内では、映像信号用信号線と消去信号用信号線をほ
ぼ並行し、かつ数mm以下の間隔で極めて近接して配線さ
れている。
このために、消去信号を大電流とする上記従来技術で
は、消去電流が映像信号用信号線へ漏洩し、再生画面に
ビート妨害やS/Nの低下が生ずるという問題があつた。
は、消去電流が映像信号用信号線へ漏洩し、再生画面に
ビート妨害やS/Nの低下が生ずるという問題があつた。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消し、消去
信号の映像信号への干渉を防止して消去率を高めること
ができるようにした回転磁気ヘツド装置を提供するにあ
る。
信号の映像信号への干渉を防止して消去率を高めること
ができるようにした回転磁気ヘツド装置を提供するにあ
る。
この目的を達成するために、本発明は、消去用回転磁気
ヘツドの取付ベースを基板とこれに一体に形成されたコ
ンデンサとからなるようにし、該コンデンサが該消去用
回転磁気ヘツドと並列に接続されるようにして、該コン
デンサと該消去用回転磁気ヘツドのインダクタンスとで
消去信号をピーキングするようにした点に特徴がある。
ヘツドの取付ベースを基板とこれに一体に形成されたコ
ンデンサとからなるようにし、該コンデンサが該消去用
回転磁気ヘツドと並列に接続されるようにして、該コン
デンサと該消去用回転磁気ヘツドのインダクタンスとで
消去信号をピーキングするようにした点に特徴がある。
以下、本発明の実施例を図面によつて説明する。
第１図は本発明による回転磁気ヘツド装置の一実施例を
示す平面図であつて、１は回転シリンダ、2a,2bはビデ
オヘツド、３は消去用回転磁気ヘツド、4a,4b,5は取付
ベース、6a,6b,7a,7b,8a,8b,9a,9bは信号線、10はコン
デンサ、11a,11bは貫通孔である。
示す平面図であつて、１は回転シリンダ、2a,2bはビデ
オヘツド、３は消去用回転磁気ヘツド、4a,4b,5は取付
ベース、6a,6b,7a,7b,8a,8b,9a,9bは信号線、10はコン
デンサ、11a,11bは貫通孔である。
同図において、ビデオヘツド2a,2bおよび消去用回転磁
気ヘツド（以下、単に消去ヘツドという）３が、夫々取
付ベース4a,4b,5を介して回転シリンダ１に取りつけら
れている。ビデオヘツド2a,2bは回転シリンダ１の中心
０に関して対称な位置に配置されている。また、消去ヘ
ツド３は、回転シリンダが図面上反時計方向に回転する
ものとしてビデオヘツド2bに先行して配置され、磁気テ
ープ（図示せず）上のビデオヘツド2bが走査するトラツ
クと次いでビデオヘツド2aが走査するトラツクとの２つ
のトラツクを同時に消去可能に、磁気ギヤツプのトラツ
ク幅やビデオヘツド2b,2aに対する段差が設定されてい
る。
気ヘツド（以下、単に消去ヘツドという）３が、夫々取
付ベース4a,4b,5を介して回転シリンダ１に取りつけら
れている。ビデオヘツド2a,2bは回転シリンダ１の中心
０に関して対称な位置に配置されている。また、消去ヘ
ツド３は、回転シリンダが図面上反時計方向に回転する
ものとしてビデオヘツド2bに先行して配置され、磁気テ
ープ（図示せず）上のビデオヘツド2bが走査するトラツ
クと次いでビデオヘツド2aが走査するトラツクとの２つ
のトラツクを同時に消去可能に、磁気ギヤツプのトラツ
ク幅やビデオヘツド2b,2aに対する段差が設定されてい
る。
ビデオヘツド2aは取付ベース4aに貼付けられており、そ
の巻線（図示せず）の夫々の端子に接続された信号線6a
は、取付ベース4a上に形成されたクロスハツチして示す
パターン布線を介し、信号線9aに接続されている。この
信号線9aは貫通孔11aを通つて第２図を示す回転トラン
スに接続されている。ビデオヘツド2bについても同様で
あり、信号線9bは貫通孔11bを通つて回転トランスに接
続されている。
の巻線（図示せず）の夫々の端子に接続された信号線6a
は、取付ベース4a上に形成されたクロスハツチして示す
パターン布線を介し、信号線9aに接続されている。この
信号線9aは貫通孔11aを通つて第２図を示す回転トラン
スに接続されている。ビデオヘツド2bについても同様で
あり、信号線9bは貫通孔11bを通つて回転トランスに接
続されている。
消去ヘツド３も取付ベース５に貼付けられているが、こ
の取付ベース５にはコンデンサ10が設けられており、消
去ヘツド３の巻線（図示せず）の一方の端子は信号線7a
を介してこのコンデンサ10の一方の電極に、この巻線の
他方の端子は信号線7bを介してコンデンサ10の他方の電
極に夫々接続されている。また、コンデンサ10の両電極
は夫々信号線8a,8bにも接続され、これら信号線8a,8bは
貫通孔11aを通つて回転トランスに接続されている。し
たがつて、コンデンサ10は消去ヘツド３と並列に接続さ
れている。
の取付ベース５にはコンデンサ10が設けられており、消
去ヘツド３の巻線（図示せず）の一方の端子は信号線7a
を介してこのコンデンサ10の一方の電極に、この巻線の
他方の端子は信号線7bを介してコンデンサ10の他方の電
極に夫々接続されている。また、コンデンサ10の両電極
は夫々信号線8a,8bにも接続され、これら信号線8a,8bは
貫通孔11aを通つて回転トランスに接続されている。し
たがつて、コンデンサ10は消去ヘツド３と並列に接続さ
れている。
第２図は第１図のＸ−Ｏ−Ｘ′に沿う縦断面図であつ
て、12は軸受、13は回転軸、14はデイスク、15は固定シ
リンダ、16は回転トランス、16aはロータ、16bはステー
タ、17はねじ、18はシールド線であり、第１図に対応す
る部分には同一符号をつけている。
て、12は軸受、13は回転軸、14はデイスク、15は固定シ
リンダ、16は回転トランス、16aはロータ、16bはステー
タ、17はねじ、18はシールド線であり、第１図に対応す
る部分には同一符号をつけている。
第２図において、モータ（図示せず）によつて回転駆動
される回転軸13は、軸受12により、固定シリンダ15に回
転可能に支持されている。回転軸13の先端部にはデイス
ク14が固定されており、このデイスク14に一体に回転シ
リンダ１が取りつけられている。この回転シリンダ１の
底面に取付ベース4a,4b,5がねじ17によつて取りつけら
れている。
される回転軸13は、軸受12により、固定シリンダ15に回
転可能に支持されている。回転軸13の先端部にはデイス
ク14が固定されており、このデイスク14に一体に回転シ
リンダ１が取りつけられている。この回転シリンダ１の
底面に取付ベース4a,4b,5がねじ17によつて取りつけら
れている。
また、回転シリンダ１と固定シリンダ15との間にスペー
スが設けられ、これに回転トランス16が配置されてい
る。回転トランス16は対向したロータ16aとステータ16b
とからなり、ロータ16aはデイスク14に固定されてステ
ータ16bは固定シリンダ15に取りつけられている。この
ロータ16aは、第１図で示したように、貫通孔11a,11bを
通つて信号線8a,8b,9a,9bが接続され、ステータ16bに
は、図示しない記録アンプや再生アンプからのシールド
線18が接続されている。
スが設けられ、これに回転トランス16が配置されてい
る。回転トランス16は対向したロータ16aとステータ16b
とからなり、ロータ16aはデイスク14に固定されてステ
ータ16bは固定シリンダ15に取りつけられている。この
ロータ16aは、第１図で示したように、貫通孔11a,11bを
通つて信号線8a,8b,9a,9bが接続され、ステータ16bに
は、図示しない記録アンプや再生アンプからのシールド
線18が接続されている。
かかる構成において、取付ベース５に設けられたコンデ
ンサ10と消去ヘツド３のインダクタンスとでピーキング
回路が形成される。このピーキング回路は消去性能を高
めるための消去電流を増強する作用を有しており、これ
により、シールド線18から回転トランス16、信号線8a,8
bを通る消去電流は、ビデオヘツド2a,2bに供給される記
録信号に干渉しない程度に小さく設定することができ
る。
ンサ10と消去ヘツド３のインダクタンスとでピーキング
回路が形成される。このピーキング回路は消去性能を高
めるための消去電流を増強する作用を有しており、これ
により、シールド線18から回転トランス16、信号線8a,8
bを通る消去電流は、ビデオヘツド2a,2bに供給される記
録信号に干渉しない程度に小さく設定することができ
る。
第３図は第１図における取付ベース５の一具体例を示す
部分断面図であつて、19は電極層、20は誘電体層、21は
電極層、22a,22b,23a,23bは夫々電極端子、24は非磁性
基板、24aは突出部、25はレジスト、26は配線基板、27
はねじ穴、28は巻線であり、第１図に対応する部分には
同一符号をつけている。
部分断面図であつて、19は電極層、20は誘電体層、21は
電極層、22a,22b,23a,23bは夫々電極端子、24は非磁性
基板、24aは突出部、25はレジスト、26は配線基板、27
はねじ穴、28は巻線であり、第１図に対応する部分には
同一符号をつけている。
第３図において、取付ベース５は非磁性基板24と配線基
板26とからなり、この非磁性基板24に設けられた突出部
24aに消去ヘツド３が貼付けられている。この非磁性基
板24は、真鍮、BeCu、洋白、ステンレスなどやMnO−NiO
系、ZrO2系などの焼結可能で熱膨脹係数が低い材料で形
成されることが望ましい。
板26とからなり、この非磁性基板24に設けられた突出部
24aに消去ヘツド３が貼付けられている。この非磁性基
板24は、真鍮、BeCu、洋白、ステンレスなどやMnO−NiO
系、ZrO2系などの焼結可能で熱膨脹係数が低い材料で形
成されることが望ましい。
配線基板26は電極層19、誘電体層20および電極層21の積
層構造をなしており、これらによつてコンデンサ10（第
１図）が形成されている。また、電極層19には２つの電
極端子22b,23bが形成され（電極層21にも２つの電極端
子22a,22bが形成されている。そして、電極端子22aに
は、消去ヘツド３の巻線28の一端からの信号線7aが接続
され、電極端子22bには、巻線28の他端からの信号線7b
が接続されている。また、電極端子23a,23bには、夫々
信号線11a,11bが接続されている。これにより、電極層1
9,21と誘電体層20とからなるコンデンサ10は消去ヘツド
３に並列接続されていることになる。配線基板26の上面
には、各電極端子22a,22b,23a,23b間を分離するため
に、レジスト25が設けられている。
層構造をなしており、これらによつてコンデンサ10（第
１図）が形成されている。また、電極層19には２つの電
極端子22b,23bが形成され（電極層21にも２つの電極端
子22a,22bが形成されている。そして、電極端子22aに
は、消去ヘツド３の巻線28の一端からの信号線7aが接続
され、電極端子22bには、巻線28の他端からの信号線7b
が接続されている。また、電極端子23a,23bには、夫々
信号線11a,11bが接続されている。これにより、電極層1
9,21と誘電体層20とからなるコンデンサ10は消去ヘツド
３に並列接続されていることになる。配線基板26の上面
には、各電極端子22a,22b,23a,23b間を分離するため
に、レジスト25が設けられている。
電極層19,21としては、Cuなどの蒸着可能な材料を用
い、誘電体層20の材料としては、蒸着可能なAl2O3，SiO
2,SiO,SiNTiO,La（MgZr）O3，LaCrO2，BoTiO2，Bi2O3・
SnO2，TaO2などを用いることができる。
い、誘電体層20の材料としては、蒸着可能なAl2O3，SiO
2,SiO,SiNTiO,La（MgZr）O3，LaCrO2，BoTiO2，Bi2O3・
SnO2，TaO2などを用いることができる。
かかる取付ベース５は、ねじ穴27にねじ17を通し、第２
図に示したように、回転シリンダ１に固定される。
図に示したように、回転シリンダ１に固定される。
このように、第３図でのコンデンサ10をなす配線基板26
は非磁性基板24上に一体に形成されたものであるから、
これらは非常に堅固に結合しており、回転シリンダ１
（図１）が急激に高速回転を開始したり、急激に停止し
たりしても、取付ベースに単にコンデンサを載置する場
合に比べ、コンデンサ10が非磁性基板24からはずれてし
まう、ということがないし、また、コンデンサ10は最短
の伝送路で消去ヘツドと接続されるから、消去信号の伝
送損失を低減できる。
は非磁性基板24上に一体に形成されたものであるから、
これらは非常に堅固に結合しており、回転シリンダ１
（図１）が急激に高速回転を開始したり、急激に停止し
たりしても、取付ベースに単にコンデンサを載置する場
合に比べ、コンデンサ10が非磁性基板24からはずれてし
まう、ということがないし、また、コンデンサ10は最短
の伝送路で消去ヘツドと接続されるから、消去信号の伝
送損失を低減できる。
第４図はこの実施例の信号伝送系を示した回路図であつ
て、前出図面に対応する部分には同一符号をつけてい
る。
て、前出図面に対応する部分には同一符号をつけてい
る。
同図において、破線でかこんだ部分が取付ベース５の部
分であり、この部分でのコンデンサ10と消去ヘツド３の
インダクタンスとでピーキング回路が形成される。
分であり、この部分でのコンデンサ10と消去ヘツド３の
インダクタンスとでピーキング回路が形成される。
第３図における電極層19,21および誘電体層20とによる
コンデンサ10の容量は、電極層19,21の厚さｔ、誘電体
層20の厚さＴ、誘電体層20の面積Ｓによつて決まり、誘
電体層20の材料として先にあげたものを用い、かつ とした場合、コンデンサ10の容量Cpは1000〜6000pFとな
る。そこで、このコンデンサ10の容量Cp＝1000pF、消去
ヘツド３のインダクタンスＬ＝0.5μＨ、回転トランス1
6での消去電流を60mAとすると、消去ヘツド３の巻線28
には、１ターン当り2000mAの消去電流が流れ、−35dB
（カラー信号）の消去率が可能となる。この消去率は、
家庭用VTRでは、画質性能上充分なものである。
コンデンサ10の容量は、電極層19,21の厚さｔ、誘電体
層20の厚さＴ、誘電体層20の面積Ｓによつて決まり、誘
電体層20の材料として先にあげたものを用い、かつ とした場合、コンデンサ10の容量Cpは1000〜6000pFとな
る。そこで、このコンデンサ10の容量Cp＝1000pF、消去
ヘツド３のインダクタンスＬ＝0.5μＨ、回転トランス1
6での消去電流を60mAとすると、消去ヘツド３の巻線28
には、１ターン当り2000mAの消去電流が流れ、−35dB
（カラー信号）の消去率が可能となる。この消去率は、
家庭用VTRでは、画質性能上充分なものである。
ところで、第１図，第２図で説明したように各信号線を
配置した場合、消去信号の信号線と映像信号の信号線と
の間の浮遊容量は、各ベース4a,4b,5から記録あるいは
再生アンプまでのものが最大となる。これを、第４図で
は、回転トランス16からヘツド側の浮遊容量CK1とアン
プ側の浮遊容量CK2とにわけて示している。
配置した場合、消去信号の信号線と映像信号の信号線と
の間の浮遊容量は、各ベース4a,4b,5から記録あるいは
再生アンプまでのものが最大となる。これを、第４図で
は、回転トランス16からヘツド側の浮遊容量CK1とアン
プ側の浮遊容量CK2とにわけて示している。
いま、これら浮遊容量CK1，CK2による消去信号の映像信
号へのクロストーク量をK1，K2とすると、これらは次式
のように表わされる。
号へのクロストーク量をK1，K2とすると、これらは次式
のように表わされる。
ただし、 ω：映像信号の周波数、ω′：消去信号の周波数 LV：映像信号側ロータ16aのインダクタンス Ｌ′Ｖ：映像信号側ステータ16bのインダクタンス IV：映像信号１次電流、Ｉ′Ｖ：映像信号２次電流 LF：消去信号側ロータ16aのインダクタンス Ｌ′Ｆ：消去信号側ステータ16bのインダクタンス IF：消去信号１次電流、１′Ｆ：消去信号２次電流 第４図における浮遊容量CK1，CK2は、第１図，第２図に
示した構成の場合、10〜30pFであり、 Ｌ′Ｖ,L′Ｆ＝10〜40μＨ Ｉ′Ｖ,I′Ｆ＝10〜50mA であつて、IV，IFは回転トランス16の巻線比1:2〜1:4に
よつて決まる。これらの条件から式（１），（２）によ
つてクロストーク量K1，K2を求めると、これらは−50dB
以内であつて、画質性能上充分なものである。
示した構成の場合、10〜30pFであり、 Ｌ′Ｖ,L′Ｆ＝10〜40μＨ Ｉ′Ｖ,I′Ｆ＝10〜50mA であつて、IV，IFは回転トランス16の巻線比1:2〜1:4に
よつて決まる。これらの条件から式（１），（２）によ
つてクロストーク量K1，K2を求めると、これらは−50dB
以内であつて、画質性能上充分なものである。
第５図はベース５の製造方法の一具体例を示す工程図で
あつて、第３図に対応する部分には同一符号をつけてい
る。
あつて、第３図に対応する部分には同一符号をつけてい
る。
まず、焼結性セラミツク（MnONiO,ZrO2，MgOSiO2）で非
磁性基板24を形成した。（第５図（ａ））。真鍮、ステ
ンレスなど、上面に所定の材料を蒸着可能なものであれ
ば、他の非磁性材料を用いることができる。この場合、
ねじ穴27も形成されている。
磁性基板24を形成した。（第５図（ａ））。真鍮、ステ
ンレスなど、上面に所定の材料を蒸着可能なものであれ
ば、他の非磁性材料を用いることができる。この場合、
ねじ穴27も形成されている。
次に、ねじ穴27に円柱状のPIQ40をさし込み、Cu、Ｗな
どの導電材を蒸着し、所定の膜厚になつたときに、マス
クをかけてさらに蒸着を継続する。これにより、第５図
（ｂ）に示すように、電極層19と電極端子22b,23bが形
成される。そして、電極層19の全面に誘電体を蒸着して
誘電体層20を形成する（第５図（ｃ））。誘電体の材料
としては、電極層19との親和性、熱膨脹係数、誘電率な
どから定められ、非磁性基板24の材料をZrO2とすると、
ランタン系、バリウムチタニア系の材料が好ましい。
どの導電材を蒸着し、所定の膜厚になつたときに、マス
クをかけてさらに蒸着を継続する。これにより、第５図
（ｂ）に示すように、電極層19と電極端子22b,23bが形
成される。そして、電極層19の全面に誘電体を蒸着して
誘電体層20を形成する（第５図（ｃ））。誘電体の材料
としては、電極層19との親和性、熱膨脹係数、誘電率な
どから定められ、非磁性基板24の材料をZrO2とすると、
ランタン系、バリウムチタニア系の材料が好ましい。
次に、誘電体層20の全面に、電極層19を形成した場合と
同様にして、電極層21と電極端子22a,22aとを形成する
（第５図（ｄ））。この場合、電極21が既に形成されて
いる電極端子22b,23bと接触しないように、第５図
（ｃ）の工程で電極端子22b,23bの側面も誘電体層20で
覆われるようにする。
同様にして、電極層21と電極端子22a,22aとを形成する
（第５図（ｄ））。この場合、電極21が既に形成されて
いる電極端子22b,23bと接触しないように、第５図
（ｃ）の工程で電極端子22b,23bの側面も誘電体層20で
覆われるようにする。
そして、電極層21の全面を電極端子22a,22b,23a,23bの
面までレジスト25の層を設け、PIQ40を引き抜く（第５
図（ｅ））。
面までレジスト25の層を設け、PIQ40を引き抜く（第５
図（ｅ））。
以上の工程によつてベース５が得られ、これに消去ヘツ
ド３を貼付けてさらに電極端子22a,22b,23a,23bに各信
号線を接続する。
ド３を貼付けてさらに電極端子22a,22b,23a,23bに各信
号線を接続する。
第６図は第１図における取付ベース５の他の具体例を示
す部分断面図であり、19a,19b,21a,21bは内部電極層で
あり、第３図に対応する部分には同一符号をつけてい
る。
す部分断面図であり、19a,19b,21a,21bは内部電極層で
あり、第３図に対応する部分には同一符号をつけてい
る。
この具体例では、一方の電極層19にさらに２つの内部電
極層19a,19bを所定の間隔で設け、他方の電極層を２つ
の内部電極層21a,21bで構成し、電極層19上に夫々誘電
体層を介して内部電極層19a,19bと内部電極21a,21bとを
互い違いに積層したものである。
極層19a,19bを所定の間隔で設け、他方の電極層を２つ
の内部電極層21a,21bで構成し、電極層19上に夫々誘電
体層を介して内部電極層19a,19bと内部電極21a,21bとを
互い違いに積層したものである。
これによつて多層構造のコンデンサ10が得られ、層数を
選択することにより、所定容量のコンデンサ10を得るこ
とができる。
選択することにより、所定容量のコンデンサ10を得るこ
とができる。
その他の点については、第３図に示した具体例と同様で
ある。
ある。
第７図は第１図における取付ベース５のさらに他の具体
例を示す斜視図であつて、29,30は電極端子、31,32は電
極、31a〜31d,32a〜32dは電極層、34は誘電体層であ
り、前出図面に対応する部分には同一符号をつけてい
る。
例を示す斜視図であつて、29,30は電極端子、31,32は電
極、31a〜31d,32a〜32dは電極層、34は誘電体層であ
り、前出図面に対応する部分には同一符号をつけてい
る。
この具体例では、非磁性基板24の上面の両縁部に短冊状
に電極端子29,30を設け、これら電極端子29,30間に電極
31,32からなるコンデンサ10を設けたものである。電極3
1は鋸歯状に配列された電極層31a〜31dからなり、ま
た、電極32も鋸歯状に配列された電極層32a〜31dからな
つており、これら電極層31a〜31d、32a〜32dの一方の間
に他方がさし込まれたように配置され、これら電極層間
に誘電体層33が設けられている。
に電極端子29,30を設け、これら電極端子29,30間に電極
31,32からなるコンデンサ10を設けたものである。電極3
1は鋸歯状に配列された電極層31a〜31dからなり、ま
た、電極32も鋸歯状に配列された電極層32a〜31dからな
つており、これら電極層31a〜31d、32a〜32dの一方の間
に他方がさし込まれたように配置され、これら電極層間
に誘電体層33が設けられている。
この具体例では、第３図，第６図で示した具体例と同様
の効果が得られるとともに、取付ベース５を回転シリン
ダ１に取りつけたときには、ねじ17の頭17aが非磁性基
板24の表面に接するから、これが、第３図や第６図に示
した具体例のように、配線基板26の上面からねじ17の頭
17aが突出することはない。したがつて、コンデンサ10
の高さをねじ17の頭17aの高さと同程度以下とすれば、
取付ベース５の回転シリンダ１への取付けスペースは、
コンデンサを有しない従来の取付ベースに必要なスペー
スと同程度となり、回転磁気ヘツド装置の大型化が防止
できる。
の効果が得られるとともに、取付ベース５を回転シリン
ダ１に取りつけたときには、ねじ17の頭17aが非磁性基
板24の表面に接するから、これが、第３図や第６図に示
した具体例のように、配線基板26の上面からねじ17の頭
17aが突出することはない。したがつて、コンデンサ10
の高さをねじ17の頭17aの高さと同程度以下とすれば、
取付ベース５の回転シリンダ１への取付けスペースは、
コンデンサを有しない従来の取付ベースに必要なスペー
スと同程度となり、回転磁気ヘツド装置の大型化が防止
できる。
なお、この実施例において、電極31,32を非磁性基板24
に一体に形成してもよいが、別途形成して電極端子29,3
0に貼付けるようにしてもよい。
に一体に形成してもよいが、別途形成して電極端子29,3
0に貼付けるようにしてもよい。
以上説明したように、本発明によれば、消去ヘツド側で
消去電流をピーキングするものであるから、記録信号の
信号線と消去信号の信号線とが近接する部分での消去電
流を充分小さくでき、消去信号の記録信号への干渉を充
分に低減することができるし、ピーキングのための回路
が別個に設けられるのではなく、消去ヘツドの巻線のイ
ンダクタンスを利用し、消去ヘツドの取付ベースに形成
したコンデンサとでピーキングを行なうものであるか
ら、ピーキング手段を設けたことによるスペースの増大
化を抑圧することができるし、また、消去ヘツドの取付
ベースは、基板にこの消去ヘツドに並列に接続されるコ
ンデンサが一体に形成されたものであるから、衝撃によ
つてこのコンデンサがはずれてしまうといったような障
害が生ずることもなく、さらに、消去ヘツドと該コンデ
ンサとを同一取付ベースに一体に設けていることから、
消去信号の伝送損失を低減できて低電力化を達成できる
などの優れた効果を得ることができる。
消去電流をピーキングするものであるから、記録信号の
信号線と消去信号の信号線とが近接する部分での消去電
流を充分小さくでき、消去信号の記録信号への干渉を充
分に低減することができるし、ピーキングのための回路
が別個に設けられるのではなく、消去ヘツドの巻線のイ
ンダクタンスを利用し、消去ヘツドの取付ベースに形成
したコンデンサとでピーキングを行なうものであるか
ら、ピーキング手段を設けたことによるスペースの増大
化を抑圧することができるし、また、消去ヘツドの取付
ベースは、基板にこの消去ヘツドに並列に接続されるコ
ンデンサが一体に形成されたものであるから、衝撃によ
つてこのコンデンサがはずれてしまうといったような障
害が生ずることもなく、さらに、消去ヘツドと該コンデ
ンサとを同一取付ベースに一体に設けていることから、
消去信号の伝送損失を低減できて低電力化を達成できる
などの優れた効果を得ることができる。
第１図は本発明による回転磁気ヘツド装置の一実施例を
示す平面図、第２図は第１図の分断線Ｘ−Ｏ−Ｘ′に沿
う縦断面図、第３図は第１図における消去用回転磁気ヘ
ツドの取付ベースの一具体例を示す部分断面図、第４図
は第１図における信号伝送系を示す回路図、第５図は第
３図に示した取付ベースの製造方法の一具体例を示す工
程図、第６図は第１図における消去用回転磁気ヘツドの
他の具体例を示す部分断面図、第７図は第１図における
消去用回転磁気ヘツドのさらに他の具体例を示す斜視図
である。 １……回転シリンダ、2a,2b……映像信号記録再生用回
転磁気ヘツド、３……消去用回転磁気ヘツド、５……取
付ベース、10……コンデンサ。
示す平面図、第２図は第１図の分断線Ｘ−Ｏ−Ｘ′に沿
う縦断面図、第３図は第１図における消去用回転磁気ヘ
ツドの取付ベースの一具体例を示す部分断面図、第４図
は第１図における信号伝送系を示す回路図、第５図は第
３図に示した取付ベースの製造方法の一具体例を示す工
程図、第６図は第１図における消去用回転磁気ヘツドの
他の具体例を示す部分断面図、第７図は第１図における
消去用回転磁気ヘツドのさらに他の具体例を示す斜視図
である。 １……回転シリンダ、2a,2b……映像信号記録再生用回
転磁気ヘツド、３……消去用回転磁気ヘツド、５……取
付ベース、10……コンデンサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 昭 茨城県勝田市大字稲田1410番地 株式会社 日立製作所東海工場内 (56)参考文献 実開 昭60−146902（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】ロータリトランスを備え、映像信号記録再
生用回転磁気ヘツドと消去用回転磁気ヘツドとが夫々取
付ベースを介して載置された回転磁気ヘツド装置におい
て、 該消去用回転磁気ヘツドの該取付ベースは、 平板状をなし、該消去用回転磁気ヘツドを載置するため
の突出部を有する基板と、 該基板の表面の該突出部以外の部分のほぼ全体に一体に
形成されたコンデンサとからなり、 該コンデンサは、 互いに誘電体層によって隔離された2n個（但し、ｎは１
以上の整数）の電極層と、 １つおきのｎ個の該電極層に一体となった第１の電極端
子と、 他の１つおきのｎ個の該電極層に一体となった第２の電
極端子と からなり、該第１の電極端子は該消去用回転磁気ヘツド
の巻線の一方の端子と該ロータリトランスからの一方の
信号線とが接続される該コンデンサの一方の端子であ
り、該第２の電極端子には該消去用回転磁気ヘツドの巻
線の他方の端子と該ロータリトランスからの他方の信号
線とが接続される該コンデンサの他方の端子であること
を特徴とする回転磁気ヘツド装置。 - 【請求項２】ロータリトランスを備え、映像信号記録再
生用回転磁気ヘツドと消去用回転磁気ヘツドとが夫々取
付ベースを介して載置された回転磁気ヘツド装置におい
て、 該消去用回転磁気ヘツドの該取付ベースは、 平板状をなし、該消去用回転磁気ヘツドを載置するため
の突出部と取付用ネジ穴とを有する基板と、 該基板の表面の該突出部及び該取付用ネジ穴以外の部分
に一体に、かつ該取付用ネジ穴に挿入されたときのネジ
の頭の高さと同等もしくはそれ以下の高さに形成された
コンデンサとからなり、 該コンデンサは、 互いに誘電体層によって隔離された2n個（但し、ｎは１
以上の整数）の電極層と、 １つおきのｎ個の該電極層に一体となった第１の電極端
子と、 他の１つおきのｎ個の該電極層に一体となった第２の電
極端子と、 からなり、該第１の電極端子は該消去用回転磁気ヘツド
の巻線の一方の端子と該ロータリトランスからの一方の
信号線とが接続される該コンデンサの一方の端子であ
り、該第２の電極端子は該消去用回転磁気ヘツドの巻線
の他方の端子と該ロータリトランスからの他方の信号線
とが接続される該コンデンサの他方の端子であることを
特徴とする回転磁気ヘツド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268286A JPH0740329B2 (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 回転磁気ヘツド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60268286A JPH0740329B2 (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 回転磁気ヘツド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62129902A JPS62129902A (ja) | 1987-06-12 |
| JPH0740329B2 true JPH0740329B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17456423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60268286A Expired - Lifetime JPH0740329B2 (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 回転磁気ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740329B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60146902U (ja) * | 1984-03-06 | 1985-09-30 | ソニー株式会社 | 回転型磁気消去装置 |
-
1985
- 1985-11-30 JP JP60268286A patent/JPH0740329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62129902A (ja) | 1987-06-12 |
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