JPH01102711A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に情報の磁気記録または再生を行
なう薄膜磁気ヘッドに関し、特に基板上に磁性薄膜から
なる磁気ヘッドの磁気回路が導体薄膜からなるコイルと
ともにトラック幅方向に並んで複数チャンネル設けられ
る薄膜磁気ヘッドに関するものである。

［従来の技術］ 近年、静止画像情報の磁気記録および再生を行なうスチ
ルビデオレコーダが開発されている。この装置では磁気
記録媒体として磁気ディスクを用いる。そして−秋分の
画像に相当する画像信号を磁気ディスクの１トラツクの
一周に記録することが望ましいが、装置の小型化等によ
り、磁気ディスクの直径が小さい場合には記録密度の関
係からトラック−周分内に一秋分の画情報を記録するこ
とが困難である。

このように小型の磁気ディスクを用いた場合にはトラッ
ク−周分に一秋分の画情報を記録しようとすると極めて
高密度の記録を行なわなければならず、しかも磁気ヘッ
ドとしては２トラツクを有してし〜ることが望ましい。

しかしこれを従来のバルクタイプの磁気ヘッドによって
行なおうとすると、隣り合うトラック問の互いの記録磁
界の影響によるクロストークが大きくなり実際に使用す
ることが困難である。

そこで高密度”の２トラツク磁気記録を行なうようにす
るために小型化が実現できる薄膜磁気ヘッドを用いるこ
とが考えられる。薄膜磁気ヘッドは周知のように基板上
に磁性薄膜からなる磁気ヘッドの磁気回路と導体薄膜か
らなるコイルを設けて磁気ヘッドを構成したものであり
、従来のバルクタイプのヘッドに比較して著しく小さな
寸法で構成することができ、クロストークが小さくなる
ことが知られている。

［発明が解決しようとする問題点コ しかしクロストークが小さいことが特徴である薄膜磁気
ヘッドでもクロストークが発生しない訳ではないので、
スチルビデオレコーダにおいて高密度の２トラツク磁気
記録を行なうためには薄膜磁気ヘッドでもクロストーク
が実際には問題となる。そして従来の薄膜磁気ヘッドに
おいてコイルを構成する導体薄膜のパターンの形状や磁
気回路を構成する磁性薄膜のパターンの形状を工夫する
ことによりクロストークを低減する方法が１是案されて
いるがこれらの方法による効果はまた不充分であった。

［問題点を解決するための手段コ このような問題点を解決するため本発明によれば、基板
上に磁性薄膜からなる磁気ヘッドの磁気回路が導体薄膜
からなるコイルとともにトラック幅方向に並んで複数チ
ャンネル設けられる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁性
薄膜の透磁率に異方性を付与し、該磁性薄膜の磁気ギャ
ップの深さ方向の透磁率をトラック幅方向の透磁率より
大幅に高くした構造を採用した。

［作　用コ このような構造によれば上記の透磁率の異方性による高
さの違いにより、記録時に薄膜磁気ヘッドの磁気回路か
ら漏洩する記録磁界がトラック幅方向に広がることが抑
えられ、クロストークを抑えることができる。

［実施例コ 以下、添付した図を参照して本発明の実施例の詳細を説
明する。

第１図は本発明の実施例としてスチルビデオレコーダ用
の２チヤンネルの薄膜磁気ヘッドの構造を示している。

図示の磁気ヘッドの図中右側面が不図示の磁気記録媒体
に摺動される媒体摺動面となっている。

第１図において符号３は薄膜磁気ヘッド全体を支持する
基板であり非磁性材から形成される。この基板３上には
まず２チヤンネルの磁気回路のそれぞれの半分を構成す
る下部磁性薄膜１が成膜される。下部磁性薄膜１は例え
ばセンダストから形成される。

そして下部磁性薄膜１上には不図示の絶縁層を介して、
それぞれ導体薄膜パターンからなるコイル２．２が矢印
Ｂで示すトラック幅方向に並んで設けられる。

更にコイル２．２上には不図示の絶縁層を介して夫々２
チヤンネルの磁気回路の上半分を構成する上部磁性薄膜
４．４と、コイル２．２のそれぞれの外部導出用の電極
７．７が設けられる。上部磁性薄膜４．４は例えばセン
ダストから形成され、その図中右端部は磁気ギャップ５
のギャップスペーサを介して下部磁性薄膜１に重ねられ
る。

また上部磁性薄膜４，４の図中左端部は下部磁性薄膜１
上の不図示の絶縁層に形成された不図示のコンタクトホ
ールを介して下部磁性薄膜１に接触し、磁気的に接続さ
れる。

なお基板３上の上述した各構成要素は薄膜堆積法とホト
リソグラフィ技術によって形成される。

そしてこれらの全体の上に不図示の接着剤層を介して不
図示の保護板を接合して薄膜磁気ヘッド夙構成される。

このような構造のもとに記録時には、コイル２に記録信
号電流を流すことにより発生する記録（ｉｍ界が磁気ギ
ャップ５から漏洩し、磁気ギャップ５に摺動する不図示
の磁気記録媒体を磁化し、記録が行なわれる。

一方、再生時には磁気ギャップ５の近傍に位置する磁気
記録媒体の記録磁化部分から発生する磁束が下部磁性薄
ｌ１ｉ１と上部磁性薄膜４からなる磁気回路を通ってコ
イル２と鎖交し、この磁束が磁気記録媒体の移動に伴っ
て変化することによりコイル２に再生信号電圧が誘起さ
れる。

ところで本発明の薄膜６ｎ気ヘツドについて以上上述べ
たことは従来の薄膜磁気ヘッドと同様であるが、本実施
例の磁気ヘッドでは従来と異なる点として上述の構造に
おいて下部と上部の磁性薄膜１．４の透磁率に強い異方
性を付与し、第１図に矢印Ａで示す両辺性薄膜１．４の
磁気ギャップ５の深さ方向の透磁率をＡ方向に直交する
Ｂ方向すなわちトラック幅方向の透磁率より大幅に高く
するものとする。好ましくはＡ方向の透磁率の高さをＢ
方向の透磁率のほぼ５倍以上とする。

ここでこのような透磁率の異方性は、両辺性薄膜１．４
をセンダスト薄膜として成膜するものとしてその成膜方
法により与えることができる。以下にその方法を説明し
ておく。

まず第２図は従来の磁気ヘッドにおけるセンダスト薄膜
の成膜方法を示している。センダスト薄膜をスパッタリ
ングにより成膜するものとして第２図に示すように従来
ではスパッタ装置の真空槽９内において、薄膜６ｎ気ヘ
ツドの基板３をセンダストのスパッタ用のターゲット８
の真上に対向して配置し、成膜を行なっていた。この場
合第２図中に矢印で示すように基板３に飛込むセンダス
ト粒子の飛翔方向すなわちセンダスト薄膜の結晶成長方
向は基板３の成膜面に対してほぼ垂直になる。このよう
にして成膜されたセンダスト薄膜の透６１１率の異方性
は小さく、第３図に示すように先述したＡ方向の透磁率
μえとＢ方向の透磁率μ。

の値は大差ない。

これに対して本実施例の場合の成膜方法では第４図に示
すように、スパッタ装置の真空［９内において基板３を
ターゲット８の斜め上方にずれた位置に配置して成膜を
行なう。これによると矢印で示すように基板３に飛込む
センダストの粒子の飛翔方向、すなわちセンダスト薄膜
の結晶成長方向は基・板３の表面に対して大きく傾斜す
る。なおここで先述した基板３のＡ方向をセンダスト薄
膜の結晶成長方向に合わせ、Ｂ方向はその垂直方向に合
わせるものとする。

このようにセンダスト薄膜の結晶成長方向を傾斜させて
成膜を行なうことにより、結晶成長方向の傾斜に関係し
てセンダスト薄膜に強い透磁率の異方性を与えることが
でき、第５図に示すようにＡ方向の透磁率μえがＢ方向
の透磁率μ３よりも大幅に高くなる。

以上のようにして本実施例の薄膜磁気ヘッドでは両辺性
薄膜１．４の透磁率に強い異方性を一付与し、両辺性薄
膜１．４のＡ方向の透磁率をＢ方向の透磁率より大幅に
高くしているので、クロストークを効果的に抑え低減す
ることができる。これは記録時において上記の透磁率の
違いにより薄膜磁気ヘッドの磁気ギャップ５から漏洩す
る記録磁界においてへ方向への指向性が強くなり、Ｂ方
向すなわちトラック幅方向への磁束の広がりが抑えられ
、隣りのチャンネルに漏洩する磁束が低減”されるから
である。

なお第６図は上述したＡ方向とＢ方向の透磁率の比μＡ
／μ３とクロストークとの関係を示している。この図か
ら分かるように透磁率比μＡ／μ、を大きくする程クロ
ストークを小さくできる。そして透磁率比を５以上にす
ることによりクロストークを３ｄＢ以上小さくすること
ができる。実用上の要請からクロストークを３ｄＢ以上
小さくするために透磁率比μＡ／μ８は約５以上に設定
するのが好ましい。

ところで以上の本実施例の薄膜磁気ヘッドの構造におい
て両辺性薄膜１．４はセンダスト薄膜に限らず、例えば
アモルファス磁性合金薄膜としても良い。アモルファス
磁性合金薄膜の場合は成膜後に磁場中熱処理を施すこと
により第７図にＡ。

Ｂ方向への透磁率特性を示すようにセンダスト薄膜の場
合と同様に透磁率の異方性を与えることができる。そし
てこのように異方性を与えることにより上述と全く同様
の作用効果が得られる。

［発明の効果］ 以上・の説明から明らかなように、本発明にょれＧス、
基板上に磁性薄膜からなる磁気ヘッドの磁気回路が導体
薄膜からなるコイルとともにトラック幅方向に並んで複
数チャンネル設けられる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
磁性薄膜の透磁率に異方性を付与し、該磁性薄膜の磁気
ギャップの深さ方向の透磁率をトラック幅方向の透磁率
より大幅に高くした構造を採用したので、クロストーク
を効果的に大幅に低減でき、良好に記録再生を行なえ、
記録の高密度化が図れるという優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例による薄膜磁気ヘッドの構造を
示す斜視図、第２図は従来の薄膜磁気ヘッドにおける磁
性薄膜の成膜方法の説明図、第３図は第２図の方法で成
膜されたセンダスト薄膜の六方向とＢ方向の透磁率特性
を示す線図、第４図は本発明の実施例による薄膜磁気ヘ
ッドにおける磁性薄膜の成膜方法の説明図、第５図は第
４図の方法で成膜されたセンダスト薄膜のＡ方向とＢ方
向への透磁率特性を示す線図、第６図は磁性薄膜のＡ、
Ｂ方向の透磁率比とクロストークの関係を示す線図、第
７図は磁場中熱処理により透ｔｎ率の異方性を与えたア
モルファス磁性合金薄膜の透磁率特性を示す線図である
。 １・・・下部磁性薄膜　　２・・・コイル３・・・基板
　　　　　　４・・・上部１ｉｉｉ性薄膜５・・・磁気
ギャップ　　７・・・電極８・・・ターゲット　　　　
９・・・真空槽特許出願人　キャノン電子株式会社 匍嗜降ミ ベ　　　　　　ｋ ■の 噸１柵ミ ｈｓＫニーさの Ｓ 墾″＠４−棗

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板上に磁性薄膜からなる磁気ヘッドの磁気回路が
   導体薄膜からなるコイルとともにトラック幅方向に並ん
   で複数チャンネル設けられる薄膜磁気ヘッドにおいて、
   前記磁性薄膜の透磁率に異方性を付与し、該磁性薄膜の
   磁気ギャップの深さ方向の透磁率をトラック幅方向の透
   磁率より大幅に高くしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
   ド。 ２）前記磁性薄膜の磁気ギャップの深さ方向の透磁率の
   高さをトラック幅方向の透磁率のほぼ５倍以上の高さに
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の薄
   膜磁気ヘッド。