JPH0740356B2 - 磁気デイスク用保護膜の製造装置 - Google Patents
磁気デイスク用保護膜の製造装置Info
- Publication number
- JPH0740356B2 JPH0740356B2 JP13032786A JP13032786A JPH0740356B2 JP H0740356 B2 JPH0740356 B2 JP H0740356B2 JP 13032786 A JP13032786 A JP 13032786A JP 13032786 A JP13032786 A JP 13032786A JP H0740356 B2 JPH0740356 B2 JP H0740356B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- protective film
- compound
- organic compound
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は強磁性金属薄膜を磁気層とする磁気記録媒体の
製造装置に係り、特に磁気ディスクなどの磁気記録層上
に保護膜を設ける装置に関するものである。
製造装置に係り、特に磁気ディスクなどの磁気記録層上
に保護膜を設ける装置に関するものである。
一般に強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録体は
金属ディスク基体或はテープ基体上に強磁性金属材料を
スパッタリングするとか或は樹脂マトリックスに強磁性
金属材料を分散させたエマルジョンをスピンコートする
ことにより製造しているものである。これらの強磁性金
属薄膜は高密度記録にすぐれた特性を有するが、ヘッド
の接触によって摩耗や損傷を受け易くヘッドの接触圧に
よって磁気特性の変化が見られるという欠点がある。
金属ディスク基体或はテープ基体上に強磁性金属材料を
スパッタリングするとか或は樹脂マトリックスに強磁性
金属材料を分散させたエマルジョンをスピンコートする
ことにより製造しているものである。これらの強磁性金
属薄膜は高密度記録にすぐれた特性を有するが、ヘッド
の接触によって摩耗や損傷を受け易くヘッドの接触圧に
よって磁気特性の変化が見られるという欠点がある。
このため強磁性金属薄膜の表面に有機化合物をプラズマ
重合法によりえた重合体による保護膜を形成することに
より耐久性を改善することが提案されているが、通常の
プラズマ重合に用いられるモノマー例えばフッ素，シリ
コーン系モノマーは気体又は液体であるため表面の潤滑
性、表面の耐摩耗性、基板との接着性に優れた保護膜を
容易にうることが出来なかった。
重合法によりえた重合体による保護膜を形成することに
より耐久性を改善することが提案されているが、通常の
プラズマ重合に用いられるモノマー例えばフッ素，シリ
コーン系モノマーは気体又は液体であるため表面の潤滑
性、表面の耐摩耗性、基板との接着性に優れた保護膜を
容易にうることが出来なかった。
本発明者等はかかる現状に鑑み鋭意研究を行った結果、
先に磁気ディスクの保護膜を形成させるにあたり、昇華
性固体有機化合物の共存下でキャリアーガスのプラズマ
を発生させることにより上記有機化合物が優れた性能を
有する重合体保護膜として磁気ディスク本体の表面に析
出する方法を提案した。
先に磁気ディスクの保護膜を形成させるにあたり、昇華
性固体有機化合物の共存下でキャリアーガスのプラズマ
を発生させることにより上記有機化合物が優れた性能を
有する重合体保護膜として磁気ディスク本体の表面に析
出する方法を提案した。
本発明はこの保護膜を具体的にうるための装置を開発し
たものである。
たものである。
本発明装置は磁気ディスク本体の表面に常温常圧下で固
体状態の有機化合物をプラズマ重合法により得た重合体
の保護膜を被着する装置において真空容器内に上記有機
化合物が高周波プラズマ領域にて被着する位置に磁気デ
ィスク本体を設け、その上部に所望間隔をおいて該有機
化合物を投入した加熱体及びキャリアーガス流出口を順
次配設し且つ真空容器の底部に真空排気口を取付け該有
機化合物を加熱体にて加熱蒸発せしめて磁気ディスク本
体の表面に保護膜を被着せしめることを特徴とするもの
である。
体状態の有機化合物をプラズマ重合法により得た重合体
の保護膜を被着する装置において真空容器内に上記有機
化合物が高周波プラズマ領域にて被着する位置に磁気デ
ィスク本体を設け、その上部に所望間隔をおいて該有機
化合物を投入した加熱体及びキャリアーガス流出口を順
次配設し且つ真空容器の底部に真空排気口を取付け該有
機化合物を加熱体にて加熱蒸発せしめて磁気ディスク本
体の表面に保護膜を被着せしめることを特徴とするもの
である。
本発明装置において磁気ディスクとしては基体となるア
ルミニウム基板上にNi-Pなどの科学メッキ層を被着せし
めて研磨仕上げなどの後処理を施した後、その表面に物
理的又は化学的方法により強磁性金属薄膜を形成するも
のである。
ルミニウム基板上にNi-Pなどの科学メッキ層を被着せし
めて研磨仕上げなどの後処理を施した後、その表面に物
理的又は化学的方法により強磁性金属薄膜を形成するも
のである。
又本発明装置において固体の有機化合物とは、常温、常
圧下で固体を呈し昇華性を有する低融点化合物であり、
その融点は示差熱測定偏光顕微鏡観察により知ることが
出来る。その値は通常20℃〜250℃を有し望ましくは40
℃〜150℃に分布するものである。具体的な化合物とし
てはナフタレン，アントラセン，ジフェニルメタン，ジ
フェニルエタン，ジベンジル，ビフェニールなどの芳香
族化合物、ジフェニル化合物である。又これらの化合物
から誘導される昇華性化合物の誘導体も含まれる。
圧下で固体を呈し昇華性を有する低融点化合物であり、
その融点は示差熱測定偏光顕微鏡観察により知ることが
出来る。その値は通常20℃〜250℃を有し望ましくは40
℃〜150℃に分布するものである。具体的な化合物とし
てはナフタレン，アントラセン，ジフェニルメタン，ジ
フェニルエタン，ジベンジル，ビフェニールなどの芳香
族化合物、ジフェニル化合物である。又これらの化合物
から誘導される昇華性化合物の誘導体も含まれる。
これらの有機化合物を真空容器内で加熱したり或は常温
に保持したまま気化させるための加熱体としては例えば
蒸着用金属ボートを使用するものであり、この金属ボー
トは気化した有機化合物が均一に真空容器内に分布する
ように中ぶたを取付けたタイプのものが望ましい。
に保持したまま気化させるための加熱体としては例えば
蒸着用金属ボートを使用するものであり、この金属ボー
トは気化した有機化合物が均一に真空容器内に分布する
ように中ぶたを取付けたタイプのものが望ましい。
なお蒸着用金属ボート内に投入する有機化合物は被着面
積１cm2あたり通常0.03mg〜0.17mgの量である。
積１cm2あたり通常0.03mg〜0.17mgの量である。
又本発明装置におけるキャリアーガスとはアルゴン，窒
素などの不活性ガスあるいは水素であり、必要に応じて
CF4，CH4，C2H4などの炭化水素系ガスを混合してもよ
い。これらのガスを真空容器内に導入し10-3〜1.5Torr
の範囲に保持する。
素などの不活性ガスあるいは水素であり、必要に応じて
CF4，CH4，C2H4などの炭化水素系ガスを混合してもよ
い。これらのガスを真空容器内に導入し10-3〜1.5Torr
の範囲に保持する。
このキャリアーガスの流出口は磁気ディスクの表面に直
接該ガスが接触せしめることなく、均一な保護膜をうる
ため該ガスを均一拡散後に磁気ディスク表面に到達する
ことが必要である。従ってキャリアーガス流出口と真空
排気口との配置は相互に隔離しておくことが必要であ
り、この両者の間に有機化合物を気化するための加熱体
とプラズマ領域並に磁気ディスクを順次配設するもので
ある。このような配置によりたとえ、昇華性物質が一時
的に上方に拡散しても、プラズマ領域に引き寄せられる
結果、高圧側電極表面に載置した磁気ディスク表面に
は、均一な重合膜が得られる。
接該ガスが接触せしめることなく、均一な保護膜をうる
ため該ガスを均一拡散後に磁気ディスク表面に到達する
ことが必要である。従ってキャリアーガス流出口と真空
排気口との配置は相互に隔離しておくことが必要であ
り、この両者の間に有機化合物を気化するための加熱体
とプラズマ領域並に磁気ディスクを順次配設するもので
ある。このような配置によりたとえ、昇華性物質が一時
的に上方に拡散しても、プラズマ領域に引き寄せられる
結果、高圧側電極表面に載置した磁気ディスク表面に
は、均一な重合膜が得られる。
プラズマ領域においた磁気ディスクの配置は、モノマー
蒸発源から拡散してくるモノマー蒸気が、直接、ディス
ク面に照射されるようにすることが重要であり、電極下
部、電極間等に、これを配置することは好ましくない。
蒸発源から拡散してくるモノマー蒸気が、直接、ディス
ク面に照射されるようにすることが重要であり、電極下
部、電極間等に、これを配置することは好ましくない。
プラズマ重合膜と、モノマー蒸発源は通常、40ｍ／ｍ〜
200ｍ／ｍの間隔を保つことが望ましい。
200ｍ／ｍの間隔を保つことが望ましい。
本発明装置において高周波によりプラズマ重合を行う場
合、高周波出力と電極面積との大きさからエネルギー密
度を0.3〜4W/cm2の範囲に入るよう設定する。又この電
源は通常13.56MHzの短波長域の発振周波数をもち可変容
量タイプのマッチングボックスを備えている。
合、高周波出力と電極面積との大きさからエネルギー密
度を0.3〜4W/cm2の範囲に入るよう設定する。又この電
源は通常13.56MHzの短波長域の発振周波数をもち可変容
量タイプのマッチングボックスを備えている。
又プラズマ重合の反応時についてもモノマーの種類、該
モノマーのガス分圧、電極配置、温度によって左右され
るものであり、これを規定することが出来ないが、通常
５〜10sec望ましくは10〜70secにて所望の膜厚の保護膜
がえられるように反応条件及びモノマー量を選定する。
モノマーのガス分圧、電極配置、温度によって左右され
るものであり、これを規定することが出来ないが、通常
５〜10sec望ましくは10〜70secにて所望の膜厚の保護膜
がえられるように反応条件及びモノマー量を選定する。
而して本発明装置により得られる保護膜の厚さは通常10
0Å〜1000Å程度のものであり、膜厚が薄すぎると耐久
性のものが得られず、又膜厚が厚すぎるとスペーシング
ロスが大きくなり記録と読み出し特性に悪影響をもたら
すものであると共に場合によっては強固な膜がえられな
いことも考えられる。
0Å〜1000Å程度のものであり、膜厚が薄すぎると耐久
性のものが得られず、又膜厚が厚すぎるとスペーシング
ロスが大きくなり記録と読み出し特性に悪影響をもたら
すものであると共に場合によっては強固な膜がえられな
いことも考えられる。
又プラズマ重合時には電極周辺と磁気ディスクとの温度
上昇ならびに、スパッタ現象がおこるが、磁気ディスク
の保護膜を得ようとする場合、高温であることが望まし
く付加的に、前処理としてスパッタ処理を施こすと共に
予備的及び積極的に加熱することが有効である。
上昇ならびに、スパッタ現象がおこるが、磁気ディスク
の保護膜を得ようとする場合、高温であることが望まし
く付加的に、前処理としてスパッタ処理を施こすと共に
予備的及び積極的に加熱することが有効である。
なお本発明装置は主に磁気ディスクの製造に適用するも
のであるが、その他磁気記録体例えば磁気テープ，フロ
ッピーディスク，磁気カードなどの製造にも有効に適用
する。
のであるが、その他磁気記録体例えば磁気テープ，フロ
ッピーディスク，磁気カードなどの製造にも有効に適用
する。
（１）第１図に示す如くベルジャ３の内部に直径130ｍ
／ｍの２枚のステンレス円板電極2A,2Bを約30ｍ／ｍ間
隔に対向せしめて固定し、高圧側電極2Bの上面にNi-P板
の基板に強磁性金属薄膜を形成した５インチの磁気ディ
スク10を載置し、磁気ディスク10の上部約50ｍ／ｍの位
置に小型タングステンボートの内部に20mgのジフェニー
ルを投入した加熱源１を固定した。又加熱源１の上方約
50ｍ／ｍの位置にベルジャ３の壁と対向させてアルゴン
ガスが吹き出す導入口８を固定した。更にベルジャ３の
底部の基板４に真空排気口5Bを設け真空ポンプ5Aに接続
した。
／ｍの２枚のステンレス円板電極2A,2Bを約30ｍ／ｍ間
隔に対向せしめて固定し、高圧側電極2Bの上面にNi-P板
の基板に強磁性金属薄膜を形成した５インチの磁気ディ
スク10を載置し、磁気ディスク10の上部約50ｍ／ｍの位
置に小型タングステンボートの内部に20mgのジフェニー
ルを投入した加熱源１を固定した。又加熱源１の上方約
50ｍ／ｍの位置にベルジャ３の壁と対向させてアルゴン
ガスが吹き出す導入口８を固定した。更にベルジャ３の
底部の基板４に真空排気口5Bを設け真空ポンプ5Aに接続
した。
而して加熱源８を電源11により80℃に加熱せしめてジフ
ェニールを蒸発し、ガス導入口８よりアルゴンガスを吹
き込み、高周波プラズマ（約400W）を40sec間発生させ
て磁気ディスク10面に470Åの保護膜を被着せしめた。
ェニールを蒸発し、ガス導入口８よりアルゴンガスを吹
き込み、高周波プラズマ（約400W）を40sec間発生させ
て磁気ディスク10面に470Åの保護膜を被着せしめた。
（２）実施例（１）における平板電極に替えて第２図に
示す如くスパイラル型電極2A′,2B′を使用し、被着対
象となる磁気ディスク10は2A′電極板上に配置して実施
例（１）と同様に本発明装置による保護膜を被着せしめ
た。
示す如くスパイラル型電極2A′,2B′を使用し、被着対
象となる磁気ディスク10は2A′電極板上に配置して実施
例（１）と同様に本発明装置による保護膜を被着せしめ
た。
（３）実施例（１）における平板電極及び磁気ディスク
を替えて第３図に示す如く磁気ディスク10を縦型に配置
し、その周囲にスパイラル型電極2B′にてとり囲み、そ
の他は実施例（１）と同様にして磁気ディスクの両面に
保護膜を被着した。
を替えて第３図に示す如く磁気ディスク10を縦型に配置
し、その周囲にスパイラル型電極2B′にてとり囲み、そ
の他は実施例（１）と同様にして磁気ディスクの両面に
保護膜を被着した。
（４）実施例（１）における平型電極に替えて第４図に
示す如く縦型に配置した電極2B″,2A″との間に磁気デ
ィスク10を設け、その他は実施例（１）と同様にして磁
気ディスクの両面に保護膜を被着した。
示す如く縦型に配置した電極2B″,2A″との間に磁気デ
ィスク10を設け、その他は実施例（１）と同様にして磁
気ディスクの両面に保護膜を被着した。
本発明装置によれば強磁性金属薄膜上にプラズマ重合法
による保護膜を形成するにおいて、有用であり且つ耐久
性に優れた磁気記録体を製造しうる等極めて有用であ
る。
による保護膜を形成するにおいて、有用であり且つ耐久
性に優れた磁気記録体を製造しうる等極めて有用であ
る。
第１図は本発明磁気ディスク用保護膜の製造装置の１例
を示す概略説明図、第２図乃至第４図は本発明磁気ディ
スク用保護膜の製造装置における磁気ディスクと電極と
の配置状態を示す概略説明図である。 １…加熱源、2A,2B,2A′,2B′,2A″,2B″…電極、３…
真空容器、４…底板、5A…真空ポンプ、5B…排気口、８
…ガス流出口、10…磁気ディスク、６…真空計、９…キ
ャリアーガス源。
を示す概略説明図、第２図乃至第４図は本発明磁気ディ
スク用保護膜の製造装置における磁気ディスクと電極と
の配置状態を示す概略説明図である。 １…加熱源、2A,2B,2A′,2B′,2A″,2B″…電極、３…
真空容器、４…底板、5A…真空ポンプ、5B…排気口、８
…ガス流出口、10…磁気ディスク、６…真空計、９…キ
ャリアーガス源。
Claims (2)
- 【請求項１】磁気ディスクの表面に、常温常圧下で固体
状態の有機化合物をプラズマ重合法により得た重合体の
保護膜を被着する装置において、真空容器内に上記有機
化合物が高周波プラズマ領域にて被着する位置に磁気デ
ィスクを設置し、その上部に所望間隔毎に該有機化合物
を投入した加熱体及びキャリアーガス流出口を順次設け
且つ真空容器の底部に真空排気口を取付け、該有機化合
物を加熱体にて加熱蒸発せしめて磁気ディスクの表面に
保護膜を被着せしめることを特徴とする磁気ディスク用
保護膜の製造装置。 - 【請求項２】常温常圧下で固体状態の有機化合物とは、
昇華性を有し、20℃〜250℃の低融点化合物であり、ナ
フタリン、アントラセン、ジフェニルメタン、ジフェニ
ルエタン、ジベンジル、ビフェニールなどの芳香族化合
物、ジフェニル化合物からなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気ディスク用保護膜の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13032786A JPH0740356B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 磁気デイスク用保護膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13032786A JPH0740356B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 磁気デイスク用保護膜の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62287421A JPS62287421A (ja) | 1987-12-14 |
| JPH0740356B2 true JPH0740356B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=15031700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13032786A Expired - Lifetime JPH0740356B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | 磁気デイスク用保護膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740356B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2886872B2 (ja) * | 1989-01-13 | 1999-04-26 | 株式会社日立製作所 | 磁気ディスク用基板および磁気ディスク |
-
1986
- 1986-06-06 JP JP13032786A patent/JPH0740356B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62287421A (ja) | 1987-12-14 |
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