JPH034972B2 - - Google Patents
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- JPH034972B2 JPH034972B2 JP56034837A JP3483781A JPH034972B2 JP H034972 B2 JPH034972 B2 JP H034972B2 JP 56034837 A JP56034837 A JP 56034837A JP 3483781 A JP3483781 A JP 3483781A JP H034972 B2 JPH034972 B2 JP H034972B2
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- dielectric film
- plasma
- information recording
- recording medium
- substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
- G11B9/061—Record carriers characterised by their structure or form or by the selection of the material; Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B9/063—Record carriers characterised by their structure or form or by the selection of the material; Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers characterised by the selection of the material
- G11B9/067—Dielectric layers; Processes for providing electrical conductivity to them
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S261/00—Gas and liquid contact apparatus
- Y10S261/88—Aroma dispensers
- Y10S261/89—Electrically heated aroma dispensers
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はビデオ信号、オーデイオ信号等の情
報を凹凸パターンとして記録した情報記録体の製
造方法に係り、特に情報記録体表面に披着される
誘電体被膜の形成方法に関する。
報を凹凸パターンとして記録した情報記録体の製
造方法に係り、特に情報記録体表面に披着される
誘電体被膜の形成方法に関する。
近年、ビデオ信号を高密度に記録するビデオデ
イスクの開発が進み実用段階に達しているが、そ
の一つの方式として静電容量式ビデオデイスクが
ある。これは第１図に示すように導電体層３を被
覆して導電性を持たせた基本２上に情報（ビデオ
信号）を凹凸パターンとして記録し、その上に薄
い誘電体被膜４を披着して情報記録体１を構成し
たもので、再生はこの情報記録体１上を絶縁性基
体６の側面上に導電体膜７を被着した再生針５を
矢印Ａ，Ｂのように相対的に移動させ、凹凸パタ
ーンによる静電容量の変化を再生回路８で検出す
ることによつて行なうものである。
イスクの開発が進み実用段階に達しているが、そ
の一つの方式として静電容量式ビデオデイスクが
ある。これは第１図に示すように導電体層３を被
覆して導電性を持たせた基本２上に情報（ビデオ
信号）を凹凸パターンとして記録し、その上に薄
い誘電体被膜４を披着して情報記録体１を構成し
たもので、再生はこの情報記録体１上を絶縁性基
体６の側面上に導電体膜７を被着した再生針５を
矢印Ａ，Ｂのように相対的に移動させ、凹凸パタ
ーンによる静電容量の変化を再生回路８で検出す
ることによつて行なうものである。
このような情報記録体１の製造に際しては、誘
電体被膜４を極めて薄くしかも均一な厚さに形成
することが特に重要である。
電体被膜４を極めて薄くしかも均一な厚さに形成
することが特に重要である。
従来この誘電体被膜４の形成方法として、加熱
硬化あるいは光硬化等を利用した塗料法や、グロ
ー放電を利用した形成方法あるいはスパツタ法等
が知られている。しかし塗料法では被膜が厚く
なりやすい、穴が埋まりやすい、基盤が膨潤
する恐れがある、均一に塗りにくい、等の欠点
があつた。また、グロー放電では誘電体被膜の原
料となるモノマーへのエネルギー注入部（プラズ
マ発生部）と重合反応の場（情報記録体の基体表
面）とが同一であるため、重合膜の微視的構造に
ピンホールなどの欠陥が生じやすいという欠点を
有していた。さらにスパツタ法に関しては、一般
に有機高分子は蒸発の際にモノマーないしダイマ
ー等低重合物の形で蒸発するが、基体に到着する
途中ないし基体上で重合を生じ、これがためポリ
マー状となつて付着するか、基体上でポリマー状
となる。このような状態で誘導体被膜が被着する
と、一般に膜厚は厚くなり、もしこれを避けよう
とすると粗な網目状になるか斑点状、島状あるい
は塊状となり、厚さならびに組成が不均一になる
という問題が生じる。
硬化あるいは光硬化等を利用した塗料法や、グロ
ー放電を利用した形成方法あるいはスパツタ法等
が知られている。しかし塗料法では被膜が厚く
なりやすい、穴が埋まりやすい、基盤が膨潤
する恐れがある、均一に塗りにくい、等の欠点
があつた。また、グロー放電では誘電体被膜の原
料となるモノマーへのエネルギー注入部（プラズ
マ発生部）と重合反応の場（情報記録体の基体表
面）とが同一であるため、重合膜の微視的構造に
ピンホールなどの欠陥が生じやすいという欠点を
有していた。さらにスパツタ法に関しては、一般
に有機高分子は蒸発の際にモノマーないしダイマ
ー等低重合物の形で蒸発するが、基体に到着する
途中ないし基体上で重合を生じ、これがためポリ
マー状となつて付着するか、基体上でポリマー状
となる。このような状態で誘導体被膜が被着する
と、一般に膜厚は厚くなり、もしこれを避けよう
とすると粗な網目状になるか斑点状、島状あるい
は塊状となり、厚さならびに組成が不均一になる
という問題が生じる。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、
膜厚が均一でかつ十分に薄く、しかもピンホール
などの欠陥のない誘電体被膜を形成することがで
きる情報記録体の製造方法を提供することを目的
とする。
膜厚が均一でかつ十分に薄く、しかもピンホール
などの欠陥のない誘電体被膜を形成することがで
きる情報記録体の製造方法を提供することを目的
とする。
この発明はグロー放電に代えてマイクロ波を用
いた放電によりプラズマを発生させ、かつこのプ
ラズマ発生領域から離れた反応領域でプラズマと
誘電体被膜の原料となるモノマーとの重合を行な
つて、情報を凹凸パターンとして記録した導電性
を有する基体上に誘電体被膜を形成することを特
徴としている。
いた放電によりプラズマを発生させ、かつこのプ
ラズマ発生領域から離れた反応領域でプラズマと
誘電体被膜の原料となるモノマーとの重合を行な
つて、情報を凹凸パターンとして記録した導電性
を有する基体上に誘電体被膜を形成することを特
徴としている。
従つて、この発明によれば重合反応による誘電
体被膜の形成に、プラズマ発生領域で発生する熱
等が影響しないため、欠陥のない誘電体被膜を得
ることができ、また誘電体被膜が重合膜であるこ
とから、その膜厚を均一にすることが容易であ
り、さらに膜厚の調整も容易であるため非常に薄
い被膜を形成することができる利点がある。
体被膜の形成に、プラズマ発生領域で発生する熱
等が影響しないため、欠陥のない誘電体被膜を得
ることができ、また誘電体被膜が重合膜であるこ
とから、その膜厚を均一にすることが容易であ
り、さらに膜厚の調整も容易であるため非常に薄
い被膜を形成することができる利点がある。
以下、この発明を図面を用いて詳細に説明す
る。第２図はこの発明における誘電体被膜の形成
に用いる装置の一例を示したもので、有機化合物
蒸気（モノマー）供給系１０、プラズマ化される
ガス（キヤリアガス）供給系２０、プラズマー発
生系３０、プラズマ重合反応系４０および排気系
５０から構成されている。モノマー供給系１０は
有機化合物蒸気（モノマー）貯蔵タンク１１およ
び流量計１２を備え、原料蒸気であるモノマーを
プラズマ重合反応系４０に供給する。キヤリアガ
ス供給系２０は、ガス貯蔵タンク２１および流量
計２２を備え、プラズマ化されるキヤリアガスを
プラズマ発生系３０に供給する。
る。第２図はこの発明における誘電体被膜の形成
に用いる装置の一例を示したもので、有機化合物
蒸気（モノマー）供給系１０、プラズマ化される
ガス（キヤリアガス）供給系２０、プラズマー発
生系３０、プラズマ重合反応系４０および排気系
５０から構成されている。モノマー供給系１０は
有機化合物蒸気（モノマー）貯蔵タンク１１およ
び流量計１２を備え、原料蒸気であるモノマーを
プラズマ重合反応系４０に供給する。キヤリアガ
ス供給系２０は、ガス貯蔵タンク２１および流量
計２２を備え、プラズマ化されるキヤリアガスを
プラズマ発生系３０に供給する。
プラズマ発生系３０は方向性結合器３１、スリ
ースタブチユーナ３２、マグネトロン発振器３３
およびプラズマ発生領域３４を備え、このプラズ
マ発生領域３４の一端側はプラズマ重合反応系４
０内の反応容器４１に接続されている。反応容器
４１は、プラズマ重合反応系４０の主体をなし、
キヤパシタンスマノメータ４２を備え、さらに反
応容器４１内を排気し得るように、油回転ポンプ
５１を備えた排気系５０に接続されている。なお
図において１３，２３はニードル弁、３５はプラ
ンジヤー、３６は水冷管、３７はマイクロ波電力
計、４３は反応容器４１にＯリング４４を介して
装置された蓋体、４５は試料台、５２は排気系ト
ラツプを示す。
ースタブチユーナ３２、マグネトロン発振器３３
およびプラズマ発生領域３４を備え、このプラズ
マ発生領域３４の一端側はプラズマ重合反応系４
０内の反応容器４１に接続されている。反応容器
４１は、プラズマ重合反応系４０の主体をなし、
キヤパシタンスマノメータ４２を備え、さらに反
応容器４１内を排気し得るように、油回転ポンプ
５１を備えた排気系５０に接続されている。なお
図において１３，２３はニードル弁、３５はプラ
ンジヤー、３６は水冷管、３７はマイクロ波電力
計、４３は反応容器４１にＯリング４４を介して
装置された蓋体、４５は試料台、５２は排気系ト
ラツプを示す。
次に第２図の装置を用いて第１図の誘電体被膜
４を形成する方法を説明する。まず油回転ポンプ
５１を作動させて反応容器４１内を10-3トール以
下の圧力に排気する。次いでキヤリアガスとして
例えばアルゴン、窒素、ヘリウム等を流量計２２
およびニードル弁２３を介して貯蔵タンク２１か
らプラズマ発生領域３４へ供給する。この時、キ
ヤリアガスは反応容器４１内の圧力が１〜３トー
ル、ガス流速100〜300ml／min程度になるように
流量計２２、ニードル弁２３、キヤパシタンスマ
ノメータ４２で調節して流す。
４を形成する方法を説明する。まず油回転ポンプ
５１を作動させて反応容器４１内を10-3トール以
下の圧力に排気する。次いでキヤリアガスとして
例えばアルゴン、窒素、ヘリウム等を流量計２２
およびニードル弁２３を介して貯蔵タンク２１か
らプラズマ発生領域３４へ供給する。この時、キ
ヤリアガスは反応容器４１内の圧力が１〜３トー
ル、ガス流速100〜300ml／min程度になるように
流量計２２、ニードル弁２３、キヤパシタンスマ
ノメータ４２で調節して流す。
次にマグネトロン発振器３３を動作させてマイ
クロ波を発生させ、プラズマを発生させる。この
際マイクロ波はスリースタブチユーナ３２、プラ
ンジヤー３５でインピーダンス整合し、プラズマ
発生領域３４に伝達する。こうしてプラズマ発生
領域３４でキヤリアガスを放電させ、放電が安定
化したら有機化合物蒸気（モノマー）を貯蔵タン
ク１１から流量計１２、ニードル弁１３を介して
反応容器４１内に導入する。この時モノマーガス
の圧力は10-1〜10-2トール、流量１〜10ml／min
程度とする。このようにして導入されたモノマー
ガスは、プラズマ発生領域３４を通過して励起さ
れプラズマ化されたキヤリアガスと混合され、こ
れにより重合反応が起こり、予め反応容器４１に
配置された第１図の基体２上の導電体層３表面に
誘電体被膜４が形成される。この際、誘導体被膜
４をより均一に形成させるために、基体２を試料
台４５により回転させるのが好ましい。
クロ波を発生させ、プラズマを発生させる。この
際マイクロ波はスリースタブチユーナ３２、プラ
ンジヤー３５でインピーダンス整合し、プラズマ
発生領域３４に伝達する。こうしてプラズマ発生
領域３４でキヤリアガスを放電させ、放電が安定
化したら有機化合物蒸気（モノマー）を貯蔵タン
ク１１から流量計１２、ニードル弁１３を介して
反応容器４１内に導入する。この時モノマーガス
の圧力は10-1〜10-2トール、流量１〜10ml／min
程度とする。このようにして導入されたモノマー
ガスは、プラズマ発生領域３４を通過して励起さ
れプラズマ化されたキヤリアガスと混合され、こ
れにより重合反応が起こり、予め反応容器４１に
配置された第１図の基体２上の導電体層３表面に
誘電体被膜４が形成される。この際、誘導体被膜
４をより均一に形成させるために、基体２を試料
台４５により回転させるのが好ましい。
有機物蒸気（モノマー）としては、ハロゲン化
合物（例えばテトラフルオルエチレン、フツ化ビ
ニリデン、メチレンクロライド等）、シラン化合
物（例えばジメチルポリシロキサン、トリメチル
シラン、トリエチルシラン、テトラエチルシラン
等）、スチレン系化合物（例えばスチレン、メチ
ルスチレン等）、アルケン、シクロアルケン化合
物（例えばエチレン、１，３−ブタジエン、トラ
ンス−２−ヘプタン、シクロヘキセン等）を使用
できる。また当然ながら、これらの混合ガスも使
用可能であり、テトラフルオルエチレン、スチレ
ン等が特に好適である。このように形成される誘
電体被膜４の厚さは、マグネトロン発振器３３の
パワー、モノマーガス流量、重合反応時間等によ
り調節することができ、ビデオデイスクの場合に
適当とされる約300〜1500〓にすることは容易で
ある。
合物（例えばテトラフルオルエチレン、フツ化ビ
ニリデン、メチレンクロライド等）、シラン化合
物（例えばジメチルポリシロキサン、トリメチル
シラン、トリエチルシラン、テトラエチルシラン
等）、スチレン系化合物（例えばスチレン、メチ
ルスチレン等）、アルケン、シクロアルケン化合
物（例えばエチレン、１，３−ブタジエン、トラ
ンス−２−ヘプタン、シクロヘキセン等）を使用
できる。また当然ながら、これらの混合ガスも使
用可能であり、テトラフルオルエチレン、スチレ
ン等が特に好適である。このように形成される誘
電体被膜４の厚さは、マグネトロン発振器３３の
パワー、モノマーガス流量、重合反応時間等によ
り調節することができ、ビデオデイスクの場合に
適当とされる約300〜1500〓にすることは容易で
ある。
このようにして形成された誘電体被膜は、(1)ピ
ンホールがない、(2)極薄膜であり、膜厚を調整で
きる、(3)高度に架橋された構造を持ち、耐摩耗性
が良好である、(4)基体との密着性が良い、(5)複雑
な凹凸パターン面に均一な厚さに形成することが
できるなどの特徴を持つため、再生品質、耐久
性、信頼性等の点で非常にすぐれたビデオデイス
ク等の情報記録体を作製することができる。
ンホールがない、(2)極薄膜であり、膜厚を調整で
きる、(3)高度に架橋された構造を持ち、耐摩耗性
が良好である、(4)基体との密着性が良い、(5)複雑
な凹凸パターン面に均一な厚さに形成することが
できるなどの特徴を持つため、再生品質、耐久
性、信頼性等の点で非常にすぐれたビデオデイス
ク等の情報記録体を作製することができる。
実施例
情報が凹凸パターンとして表面に記録されてお
り、かつ厚さが約500Åのアルミニウム層で被覆
された基体（直径：約25cm、厚さ：約1.5mm）を
反応容器４１内の試料台４５に乗せ、容器４１内
の圧力が10-3トール以下になるまで充分排気し
た。
り、かつ厚さが約500Åのアルミニウム層で被覆
された基体（直径：約25cm、厚さ：約1.5mm）を
反応容器４１内の試料台４５に乗せ、容器４１内
の圧力が10-3トール以下になるまで充分排気し
た。
次にアルゴンをキヤリアガスとして圧力３トー
ル、流量300ml／minで供給し、またモノマーガ
スとしてテトラフルオルエチレンを圧力0.01〜
0.02トール、流量１〜２ml／minで供給した。そ
してマイクロ波電力を450Wに設定して１〜３分
間プラズマ重合を行い、厚さ400〜1300Åの誘電
体被膜４を形成した。こうして作製された情報記
録体１から再生される信号のSN比は50〜52dBで
あり、従来のものに比較して非常にすぐれた特性
を有する記録体を得ることができることが確認さ
れた。
ル、流量300ml／minで供給し、またモノマーガ
スとしてテトラフルオルエチレンを圧力0.01〜
0.02トール、流量１〜２ml／minで供給した。そ
してマイクロ波電力を450Wに設定して１〜３分
間プラズマ重合を行い、厚さ400〜1300Åの誘電
体被膜４を形成した。こうして作製された情報記
録体１から再生される信号のSN比は50〜52dBで
あり、従来のものに比較して非常にすぐれた特性
を有する記録体を得ることができることが確認さ
れた。
第１図は静電容量式情報記録体を用いた情報記
録再生装置の一例を示す断面図、第２図はこの発
明における誘電体被膜の形成に用いる装置の構成
例を示す図である。 １……情報記録体、２……基体、３……導電体
層、４……誘電体被膜、１０……モノマー供給
系、２０……キヤリアガス供給系、３０……プラ
ズマ発生系、４０……重合反応系、５０……排気
系。
録再生装置の一例を示す断面図、第２図はこの発
明における誘電体被膜の形成に用いる装置の構成
例を示す図である。 １……情報記録体、２……基体、３……導電体
層、４……誘電体被膜、１０……モノマー供給
系、２０……キヤリアガス供給系、３０……プラ
ズマ発生系、４０……重合反応系、５０……排気
系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 情報を凹凸パターンとして記録した導電性を
有する基体上に誘電体被膜を被着してなる情報記
録体の製造に際し、マイクロ波を用いてプラズマ
を発生させ、このプラズマ発生領域から離れた反
応領域に上記プラズマと前記誘電体被膜の原料と
なるモノマーを供給してプラズマ重合を起こさ
せ、この反応領域内で前記基体上に前記誘電体被
膜を形成することを特徴とする情報記録体の製造
方法。 ２ 反応領域内で基体を回転させながら誘電体被
膜を形成することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の情報記録体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56034837A JPS57150154A (en) | 1981-03-11 | 1981-03-11 | Manufacture for information recording body |
| US06/355,114 US4395435A (en) | 1981-03-11 | 1982-03-05 | Method for manufacturing information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56034837A JPS57150154A (en) | 1981-03-11 | 1981-03-11 | Manufacture for information recording body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57150154A JPS57150154A (en) | 1982-09-16 |
| JPH034972B2 true JPH034972B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=12425301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56034837A Granted JPS57150154A (en) | 1981-03-11 | 1981-03-11 | Manufacture for information recording body |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4395435A (ja) |
| JP (1) | JPS57150154A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58222438A (ja) * | 1982-06-18 | 1983-12-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPH0766528B2 (ja) * | 1983-03-18 | 1995-07-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| DE3326377A1 (de) * | 1983-07-22 | 1985-01-31 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum erzeugen von glimmpolymerisat-schichten |
| US4711809A (en) * | 1983-09-26 | 1987-12-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| WO2004032116A1 (en) * | 2002-10-03 | 2004-04-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Read only storage system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4018945A (en) * | 1975-06-19 | 1977-04-19 | Rca Corporation | Method of making a metallized video disc having an insulating layer thereon |
| JPS5541482A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Nippon Musical Instruments Mfg | Electronic musical instrument |
-
1981
- 1981-03-11 JP JP56034837A patent/JPS57150154A/ja active Granted
-
1982
- 1982-03-05 US US06/355,114 patent/US4395435A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57150154A (en) | 1982-09-16 |
| US4395435A (en) | 1983-07-26 |
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| JPH0435809B2 (ja) | ||
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