JPH0740564B2 - 半導体ウエハの研削方法 - Google Patents
半導体ウエハの研削方法Info
- Publication number
- JPH0740564B2 JPH0740564B2 JP59263576A JP26357684A JPH0740564B2 JP H0740564 B2 JPH0740564 B2 JP H0740564B2 JP 59263576 A JP59263576 A JP 59263576A JP 26357684 A JP26357684 A JP 26357684A JP H0740564 B2 JPH0740564 B2 JP H0740564B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape
- semiconductor wafer
- grinding
- adhesive
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体ウェハの研削方法、特に表面に粘着性テ
ープを粘着してチャックで固定し、裏面を研削する半導
体ウェハの研削方法に関する。
ープを粘着してチャックで固定し、裏面を研削する半導
体ウェハの研削方法に関する。
半導体ウェハの表面に素子を形成した後、ダイシング工
程を行なう前に、ウェハの総厚を薄くするため一般にウ
ェハ裏面の研削が行なわれる。この研削法には大別して
ラッピング法とグラインディング法とがある。ラッピン
グ法はウェハ表面にパラフィンを流し、ラップ板に貼り
つけてから裏面を砥粒で研磨してゆく方法である。ま
た、グラインディングの方法はウェハ表面に保護のため
の粘着性テープを粘着し、このテープをチャックで固着
し、ウェハ裏面を回転させた砥石等で研削してゆく方法
である。例えばチャックテーブルにテープをはり、ウェ
ハにはレジストをかけ、テープに穴をあけ吸着させて削
る方法がある。粘着性テープとしては、厚み50〜150μ
ｍ程度の塩化ビニルあるいはポリエステルのテープが従
来用いられている。
程を行なう前に、ウェハの総厚を薄くするため一般にウ
ェハ裏面の研削が行なわれる。この研削法には大別して
ラッピング法とグラインディング法とがある。ラッピン
グ法はウェハ表面にパラフィンを流し、ラップ板に貼り
つけてから裏面を砥粒で研磨してゆく方法である。ま
た、グラインディングの方法はウェハ表面に保護のため
の粘着性テープを粘着し、このテープをチャックで固着
し、ウェハ裏面を回転させた砥石等で研削してゆく方法
である。例えばチャックテーブルにテープをはり、ウェ
ハにはレジストをかけ、テープに穴をあけ吸着させて削
る方法がある。粘着性テープとしては、厚み50〜150μ
ｍ程度の塩化ビニルあるいはポリエステルのテープが従
来用いられている。
近年半導体装置の高集積化に伴ない、微小な外乱も回路
のソフトエラーをひき起こす可能性が高くなってきた。
例えばα線が素子内に侵入した場合に、このようなソフ
トエラーが生じる。このため、半導体素子形成領域の上
部にポリイミド等の材質で保護用のコーティング層を形
成させ、α線の影響を避けるという方法がよく用いられ
る。一般にエネルギが３〜8.5MeV程度のα線から素子を
保護するためには、コーティング層の厚みが10〜80μｍ
程度必要でることが知られている。第２図は半導体ウェ
ハ１上にこのようなコーティング層２を形成させた様子
を示す説明図である。コーティング層２を形成させる前
のウェハ表面の凹凸段差は数μｍ程度であるが、コーテ
ィング層２を形成させた場合、この段差は10〜80μｍ程
度となる。このためグラインディングによる研削を行な
う場合、従来のように塩化ビニルあるいはポリエステル
のテープを用いる方法では、第３図に示すように粘着材
３を通して凹凸がテープ４の表面にまであらわれてしま
う。このような状態でテープ４をチャックで固定して裏
面を研削すると、ウェハ１に亀裂が生じ、場合によって
はウェハ１が完全に割れてしまう結果となる。一方、ラ
ッピング法による研磨を行なう場合には、従来どおりの
方法でウェハの亀裂、割れが生じることはないが、ラッ
ピング法はグラインディング法に比べてコスト高とな
り、また加工時間も多く必要とする欠点がある。例え
ば、グラインディング法では１枚のウェハ研削に１分程
度の時間があればよいが、ラッピング法では平均30分以
上もかかってしまう。
のソフトエラーをひき起こす可能性が高くなってきた。
例えばα線が素子内に侵入した場合に、このようなソフ
トエラーが生じる。このため、半導体素子形成領域の上
部にポリイミド等の材質で保護用のコーティング層を形
成させ、α線の影響を避けるという方法がよく用いられ
る。一般にエネルギが３〜8.5MeV程度のα線から素子を
保護するためには、コーティング層の厚みが10〜80μｍ
程度必要でることが知られている。第２図は半導体ウェ
ハ１上にこのようなコーティング層２を形成させた様子
を示す説明図である。コーティング層２を形成させる前
のウェハ表面の凹凸段差は数μｍ程度であるが、コーテ
ィング層２を形成させた場合、この段差は10〜80μｍ程
度となる。このためグラインディングによる研削を行な
う場合、従来のように塩化ビニルあるいはポリエステル
のテープを用いる方法では、第３図に示すように粘着材
３を通して凹凸がテープ４の表面にまであらわれてしま
う。このような状態でテープ４をチャックで固定して裏
面を研削すると、ウェハ１に亀裂が生じ、場合によって
はウェハ１が完全に割れてしまう結果となる。一方、ラ
ッピング法による研磨を行なう場合には、従来どおりの
方法でウェハの亀裂、割れが生じることはないが、ラッ
ピング法はグラインディング法に比べてコスト高とな
り、また加工時間も多く必要とする欠点がある。例え
ば、グラインディング法では１枚のウェハ研削に１分程
度の時間があればよいが、ラッピング法では平均30分以
上もかかってしまう。
そこで本発明は裏面に凹凸のある半導体ウェハでも、損
傷なしに生産性の高い研削を行なうことができる半導体
ウェハの研削方法を提供することを目的とする。
傷なしに生産性の高い研削を行なうことができる半導体
ウェハの研削方法を提供することを目的とする。
本発明の特徴は半導体ウェハの研削方法において、半導
体ウェハの表面にゴム系の材質でできた粘着材付テープ
を粘着し、前記テープをカットした後、前記テープをチ
ャックテーブルに固定し、前記半導体ウェハの裏面を砥
石で研削するようにし、表面に凹凸ある半導体ウェハで
も、損傷なしに生産性の高い研削を行なえるようにした
点にある。
体ウェハの表面にゴム系の材質でできた粘着材付テープ
を粘着し、前記テープをカットした後、前記テープをチ
ャックテーブルに固定し、前記半導体ウェハの裏面を砥
石で研削するようにし、表面に凹凸ある半導体ウェハで
も、損傷なしに生産性の高い研削を行なえるようにした
点にある。
以下本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第４
図に本発明に係る研削方法に用いるテープの断面図を示
す。このテープ４はゴム系の材質でできたテープであ
り、例えば三井東圧化学社製の商品名イクロス、型番SB
205なるテープを用いることができる。厚みは150〜250
μｍ程度が好ましい。テープ４には粘着材３が粘着され
ており、一体となった粘着テープを形成している。この
粘着テープの接着力はJISの接着力規格（25mm幅のテー
プがSUS板に粘着しているときに、このテープをはく離
りするのに要する加重）で50〜200g程度とするのが好ま
しい。粘着テープの接着力をこのような範囲にとること
により、接着力が強すぎるためにウェハ１よりテープ４
を剥す際にウェハの表面を傷つけることを防止すること
ができ、また、接着力が弱すぎるためにウェハ１の表面
に粘着材３が残存し易い場合でも残存した粘着材３を除
去するのに必要な煩雑な処理を不要とすることができ
る。このテープ４を第２図に示す半導体ウェハに粘着し
た状態を第１図に示す。テープ４はゴム系の材質ででき
弾性を有し、また、テープ４と粘着材３とを合わせた粘
着テープの厚さは150〜250μｍ程度にあるので、半導体
ウェハ１のコーティング層２によって表面に10〜80μｍ
程度の段差が生じている場合においても、図１に示すよ
うに、表面に凹凸があらわれないようにすることができ
る。すなわち、第３図に示したように従来の方法ではテ
ープ４の表面にまで凹凸があらわれてしまったが、本発
明に係る方法では凹凸はテープのゴム材に吸収され、表
面には凹凸があらわれていない。
図に本発明に係る研削方法に用いるテープの断面図を示
す。このテープ４はゴム系の材質でできたテープであ
り、例えば三井東圧化学社製の商品名イクロス、型番SB
205なるテープを用いることができる。厚みは150〜250
μｍ程度が好ましい。テープ４には粘着材３が粘着され
ており、一体となった粘着テープを形成している。この
粘着テープの接着力はJISの接着力規格（25mm幅のテー
プがSUS板に粘着しているときに、このテープをはく離
りするのに要する加重）で50〜200g程度とするのが好ま
しい。粘着テープの接着力をこのような範囲にとること
により、接着力が強すぎるためにウェハ１よりテープ４
を剥す際にウェハの表面を傷つけることを防止すること
ができ、また、接着力が弱すぎるためにウェハ１の表面
に粘着材３が残存し易い場合でも残存した粘着材３を除
去するのに必要な煩雑な処理を不要とすることができ
る。このテープ４を第２図に示す半導体ウェハに粘着し
た状態を第１図に示す。テープ４はゴム系の材質ででき
弾性を有し、また、テープ４と粘着材３とを合わせた粘
着テープの厚さは150〜250μｍ程度にあるので、半導体
ウェハ１のコーティング層２によって表面に10〜80μｍ
程度の段差が生じている場合においても、図１に示すよ
うに、表面に凹凸があらわれないようにすることができ
る。すなわち、第３図に示したように従来の方法ではテ
ープ４の表面にまで凹凸があらわれてしまったが、本発
明に係る方法では凹凸はテープのゴム材に吸収され、表
面には凹凸があらわれていない。
この後の研削方法は従来のグラインディング法と全く同
様である。即ち、第５図に示すように、半導体ウェハを
上下逆にしてチャックテーブル５の上にのせ、吸収固着
を行なう。吸引はチャックテーブル５内の吸引装置によ
って行なわれ、チャックテーブル５の上面に設けられた
ポーラスセラミック製テーブル６を通してテープ４が吸
引されることになる。このように吸引固着した状態で半
導体ウェハ１の裏面が砥石で研削される。テープ４の表
面には凹凸がないため、従来の方法のように研削によっ
てウェハに亀裂、割れが生じることはない。
様である。即ち、第５図に示すように、半導体ウェハを
上下逆にしてチャックテーブル５の上にのせ、吸収固着
を行なう。吸引はチャックテーブル５内の吸引装置によ
って行なわれ、チャックテーブル５の上面に設けられた
ポーラスセラミック製テーブル６を通してテープ４が吸
引されることになる。このように吸引固着した状態で半
導体ウェハ１の裏面が砥石で研削される。テープ４の表
面には凹凸がないため、従来の方法のように研削によっ
てウェハに亀裂、割れが生じることはない。
以上のとおり本発明によれば、ゴム系の材質でできたテ
ープを半導体ウェハに粘着してグラインディング工程を
行なうようにしたため、表面に凹凸のある半導体ウェハ
でも、損傷なしに生産性の高い研削を行なうことができ
る。
ープを半導体ウェハに粘着してグラインディング工程を
行なうようにしたため、表面に凹凸のある半導体ウェハ
でも、損傷なしに生産性の高い研削を行なうことができ
る。
第１図は本発明に係る研削方法の一工程を示す図、第２
図は研削を行なう半導体ウェハの断面図、第３図は従来
の研削方法の一工程を示す図、第４図は本発明に係る研
削方法に用いる粘着テープの断面図、第５図は本発明に
係る研削方法の一工程を示す図である。 １…半導体ウェハ、２…コーティング層、３…粘着材、
４…テープ、５…チャックテーブル、６…ポーラスセラ
ミック製テーブル。
図は研削を行なう半導体ウェハの断面図、第３図は従来
の研削方法の一工程を示す図、第４図は本発明に係る研
削方法に用いる粘着テープの断面図、第５図は本発明に
係る研削方法の一工程を示す図である。 １…半導体ウェハ、２…コーティング層、３…粘着材、
４…テープ、５…チャックテーブル、６…ポーラスセラ
ミック製テーブル。
Claims (2)
- 【請求項１】表面に保護用のコーティング層を有しこの
コーティング層によって表面に10〜80μｍ程度の段差が
生じている半導体ウェハの表面に、前記ウェハの表面と
の接着力がJIS規格で約50〜約200gである粘着材を弾性
のあるゴム材に着設した厚さが150〜250μｍの粘着材付
テープを粘着し、 前記テープをカットし、 前記テープをチャックに吸引させて固定し、 前記半導体ウェハの裏面を砥石で研削することを特徴と
する半導体ウェハの研削方法。 - 【請求項２】コーティング層がポリイミドで形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体ウェハの研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263576A JPH0740564B2 (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体ウエハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263576A JPH0740564B2 (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体ウエハの研削方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141142A JPS61141142A (ja) | 1986-06-28 |
| JPH0740564B2 true JPH0740564B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17391470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263576A Expired - Lifetime JPH0740564B2 (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体ウエハの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740564B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04171932A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Nec Corp | 裏面研削用テープ貼り装置 |
| JP2011044475A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745929A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Nec Corp | Grinding method for semiconductor wafer |
| JPS59101837A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59263576A patent/JPH0740564B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61141142A (ja) | 1986-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6958298B2 (en) | Method for thinning wafer by grinding | |
| JPH0426982B2 (ja) | ||
| US4274232A (en) | Friction grip pad | |
| JPH0413568A (ja) | バッキングパッド、その精密平面加工方法およびそれを用いた半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JPH09201765A (ja) | バッキングパッドおよび半導体ウエーハの研磨方法 | |
| JPS6222439A (ja) | ウエ−ハ保護テ−プ | |
| JPH0789546B2 (ja) | ウエハ加工用フィルム | |
| JPH0740564B2 (ja) | 半導体ウエハの研削方法 | |
| JPH11145089A (ja) | 半導体ウエハの裏面研削方法およびそれに使用される保護テープ | |
| US6869830B2 (en) | Method of processing a semiconductor wafer | |
| JPS61152358A (ja) | 半導体ウエハの研削方法 | |
| JPS6368360A (ja) | 半導体ウエ−ハの研磨方法 | |
| JPS60118467A (ja) | 半導体ウエハ−の取付方法 | |
| JPS6031918A (ja) | 半導体ウエ−ハダイシング用接着シ−ト | |
| JP2003236743A (ja) | 研磨用テンプレート | |
| JPS6316970A (ja) | 研磨用基板ホルダ−およびそれから基板を脱離させる方法 | |
| CN116130341A (zh) | 矫正碳化硅外延片翘曲度的方法 | |
| JP2004363139A (ja) | 半導体ウエハ裏面研削用粘着シート | |
| JPH04307756A (ja) | 半導体素子の分離方法 | |
| JPH068147A (ja) | 弾性砥石の支持方法及び砥石支持具 | |
| JPS61230866A (ja) | 研磨用の基板ホルダ−およびそれから基板を脱離させる方法 | |
| JPS5972139A (ja) | 薄板材の加工方法 | |
| JP3982572B2 (ja) | 板状物保護テープ及び半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JPS63134167A (ja) | 半導体ウエハの研磨方法 | |
| TW201801857A (zh) | 研磨材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |