JPH0740598B2 - 半導体搭載用基板およびその製造方法 - Google Patents
半導体搭載用基板およびその製造方法Info
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- JPH0740598B2 JPH0740598B2 JP61101569A JP10156986A JPH0740598B2 JP H0740598 B2 JPH0740598 B2 JP H0740598B2 JP 61101569 A JP61101569 A JP 61101569A JP 10156986 A JP10156986 A JP 10156986A JP H0740598 B2 JPH0740598 B2 JP H0740598B2
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- substrate
- recess
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、各種の半導体素子を搭載するために使用され
る半導体搭載用基板およびその製造方法に関する。
る半導体搭載用基板およびその製造方法に関する。
特に本発明は、搭載された半導体素子から発生する熱の
放散性に優れ、かつ外部から半導体素子へ湿気が侵入す
ることの極めて少ない半導体搭載用基板とその製造方法
を提供するものであり、カメラ、時計などの内装基板を
はじめ、チップキャリアー、ピングリッドアレイ、ハイ
ブリッド基板などに有利に使用される。
放散性に優れ、かつ外部から半導体素子へ湿気が侵入す
ることの極めて少ない半導体搭載用基板とその製造方法
を提供するものであり、カメラ、時計などの内装基板を
はじめ、チップキャリアー、ピングリッドアレイ、ハイ
ブリッド基板などに有利に使用される。
従来の半導体素子を直接搭載する半導体搭載用基板は時
計、カメラ、さらにはコンピューター周辺機器の回路基
板として使用されている。
計、カメラ、さらにはコンピューター周辺機器の回路基
板として使用されている。
これらの半導体搭載用基板の材質はプラスチックスまた
はセラミックスであり、加工し易く、コストが比較的安
いためプラスチックスが最も広く使用されている。一般
にガラスエポキシなどのプラスチックスを使用した半導
体搭載用基板は寸法精度に優れ、機械強度もアルミナな
どのセラミック基板より優れているが、熱伝導率はアル
ミナの約1/60程度と極めて小さい。このため従来のプラ
スチック基板は、集積度の高いICや消費電力の大きい半
導体素子が搭載される基板としては未だ十分に満足され
ていなかった。
はセラミックスであり、加工し易く、コストが比較的安
いためプラスチックスが最も広く使用されている。一般
にガラスエポキシなどのプラスチックスを使用した半導
体搭載用基板は寸法精度に優れ、機械強度もアルミナな
どのセラミック基板より優れているが、熱伝導率はアル
ミナの約1/60程度と極めて小さい。このため従来のプラ
スチック基板は、集積度の高いICや消費電力の大きい半
導体素子が搭載される基板としては未だ十分に満足され
ていなかった。
この欠点を除去改善するために熱伝導率の高い金属板を
プラスチック基板に装着し、半導体素子を前記金属板に
直接取り付けて熱放散性を向上させた構造からなる半導
体搭載用基板が下記のように種々提案されている。
プラスチック基板に装着し、半導体素子を前記金属板に
直接取り付けて熱放散性を向上させた構造からなる半導
体搭載用基板が下記のように種々提案されている。
実開昭54−100060号、実開昭56−172970号、特開昭57−
166056号、特願昭58−219087号 先に本出願人は、前記先行例の持つ種々の欠点を改善す
べく、特開昭59−32191号により電子部品搭載用プリン
ト配線基板およびその製造方法を開示した。このプリン
ト配線基板は、基板の電子部品が搭載される領域に基板
を貫通する開口部が形成され、前記開口部周辺の基板裏
面側に接着層を介して金属板が接合された基板におい
て、前記開口部内側にメッキ被膜が一体形成されてお
り、また基板の裏面において金属板表面とその外周領域
とにメッキ被膜が一体形成されてなることを特徴とする
電子部品搭載用プリント配線基板である。前記電子部品
搭載用プリント配線基板によれば、半導体素子などの電
子部品がメッキ被膜を介して熱伝導性の良い金属板に強
固に接合されているので、実装された電子部品から発生
する熱を迅速にかつ確実に吸収して放散させることがで
きるだけでなく、基板の開口部に一体にメッキ被膜が施
され、さらに基板の裏面と金属板の裏面一体にメッキ被
膜が施されているので、プラスチック材料および接合層
を経て開口部に外部の湿気が侵入することを完全に防止
できるといった利点がある。
166056号、特願昭58−219087号 先に本出願人は、前記先行例の持つ種々の欠点を改善す
べく、特開昭59−32191号により電子部品搭載用プリン
ト配線基板およびその製造方法を開示した。このプリン
ト配線基板は、基板の電子部品が搭載される領域に基板
を貫通する開口部が形成され、前記開口部周辺の基板裏
面側に接着層を介して金属板が接合された基板におい
て、前記開口部内側にメッキ被膜が一体形成されてお
り、また基板の裏面において金属板表面とその外周領域
とにメッキ被膜が一体形成されてなることを特徴とする
電子部品搭載用プリント配線基板である。前記電子部品
搭載用プリント配線基板によれば、半導体素子などの電
子部品がメッキ被膜を介して熱伝導性の良い金属板に強
固に接合されているので、実装された電子部品から発生
する熱を迅速にかつ確実に吸収して放散させることがで
きるだけでなく、基板の開口部に一体にメッキ被膜が施
され、さらに基板の裏面と金属板の裏面一体にメッキ被
膜が施されているので、プラスチック材料および接合層
を経て開口部に外部の湿気が侵入することを完全に防止
できるといった利点がある。
しかし、前述の電子部品搭載用プリント配線基板の裏面
側の開口部周辺に金属板を接着層を介して接合された基
板にあっては、半導体搭載用凹部を形成する前記開口部
の底面周囲において基板と金属板とを接合するのに用い
られる接着材のはみ出しを完全になくすことは非常に困
難であり、従って、第７図に示すように前記接着材のは
み出し部分上のメッキ被膜は、極近辺のメッキ被膜に比
べ極端に薄くなりがちであり、メッキ皮膜にキ裂を生ず
る。またはさらに接着材のはみ出し量が大きくなるとメ
ッキ自体が折出しないこともあり、この部分から湿気の
侵入を防ぐことができず搭載された半導体素子が故障し
たり、またその寿命を縮めるといった問題点があった。
また基板の裏面に凹部が形成されこの凹部内に金属板が
装着された後製作される基板にあっては、前記基板の製
造工程のうち、前記基板表面の半導体搭載部に前記金属
板に少なくとも到達するよう開口部を開削する工程にお
いて、開削された金属板の表面を完全に平滑に加工する
ことは困難であり、従って、第８図に示すように金属板
表面のメッキ被膜に凹凸を生じ、安定した品質が得られ
ずコストアップにつながる、もしくは半導体素子を正規
の位置、形状に搭載することができない場合があるとい
った欠点を有していた。第７図および第８図に従来技術
による半導体搭載用基板縦断面図を示した。
側の開口部周辺に金属板を接着層を介して接合された基
板にあっては、半導体搭載用凹部を形成する前記開口部
の底面周囲において基板と金属板とを接合するのに用い
られる接着材のはみ出しを完全になくすことは非常に困
難であり、従って、第７図に示すように前記接着材のは
み出し部分上のメッキ被膜は、極近辺のメッキ被膜に比
べ極端に薄くなりがちであり、メッキ皮膜にキ裂を生ず
る。またはさらに接着材のはみ出し量が大きくなるとメ
ッキ自体が折出しないこともあり、この部分から湿気の
侵入を防ぐことができず搭載された半導体素子が故障し
たり、またその寿命を縮めるといった問題点があった。
また基板の裏面に凹部が形成されこの凹部内に金属板が
装着された後製作される基板にあっては、前記基板の製
造工程のうち、前記基板表面の半導体搭載部に前記金属
板に少なくとも到達するよう開口部を開削する工程にお
いて、開削された金属板の表面を完全に平滑に加工する
ことは困難であり、従って、第８図に示すように金属板
表面のメッキ被膜に凹凸を生じ、安定した品質が得られ
ずコストアップにつながる、もしくは半導体素子を正規
の位置、形状に搭載することができない場合があるとい
った欠点を有していた。第７図および第８図に従来技術
による半導体搭載用基板縦断面図を示した。
本発明は上記従来技術の有する欠点を改善した、熱放散
性、耐水性に優れ信頼性が高く高密度配線の形成が容易
な半導体搭載用基板およびその製造方法を提供すること
を目的とするものである。
性、耐水性に優れ信頼性が高く高密度配線の形成が容易
な半導体搭載用基板およびその製造方法を提供すること
を目的とするものである。
以下、本発明を図面に従って詳細に説明する。第１図〜
第３図は本発明による半導体搭載用基板の縦断面図であ
る。第１図においてプラスチック材料からなる上下表面
に金属箔（２）が貼付された基板（１）に表面から裏面
まで貫通する開口部（３）が形成されており、前記開口
部（３）の基板裏面側に前記開口部を閉塞するように金
属板（４）が接着層（５）を介して接合されることによ
り半導体搭載用凹部（６）が形成されている。前記半導
体搭載用凹部（６）の底面全周には、当該半導体搭載用
凹部（６）の側面と連続する外周部を有する溝（７）が
形成されており、前記半導体搭載用凹部（６）の内壁を
構成するプラスチック材（１）、接着層（５）および金
属板（４）の表面とにはメッキ被膜（８）が一体に形成
されている。
第３図は本発明による半導体搭載用基板の縦断面図であ
る。第１図においてプラスチック材料からなる上下表面
に金属箔（２）が貼付された基板（１）に表面から裏面
まで貫通する開口部（３）が形成されており、前記開口
部（３）の基板裏面側に前記開口部を閉塞するように金
属板（４）が接着層（５）を介して接合されることによ
り半導体搭載用凹部（６）が形成されている。前記半導
体搭載用凹部（６）の底面全周には、当該半導体搭載用
凹部（６）の側面と連続する外周部を有する溝（７）が
形成されており、前記半導体搭載用凹部（６）の内壁を
構成するプラスチック材（１）、接着層（５）および金
属板（４）の表面とにはメッキ被膜（８）が一体に形成
されている。
ところで基板としては、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス
−変性トリアジン樹脂などのプラスチック材料を素材と
する積層板が広く使用されており、本発明においても前
記従来のプラスチック材料を含む基板を使用することが
できる。しかし前記プラスチック材料からなる基板
（１）および接着層（５）は湿気を吸収、浸透させる性
質があるため、前記半導体搭載用凹部（３）の内壁にメ
ッキ被膜（７）を一体形成することにより前記湿気の半
導体搭載部への侵入を防止することは半導体素子の保護
に対して非常に有効である。しかし一体形成された前記
メッキ被膜（７）の形成において前記基板（１）と前記
金属板（７）を接合する接着層（５）の流れ出し、もし
くは位置ズレ等により接着材が凸状にはみ出し、前記は
み出し部の特に裏側の部分にはメッキ液の回りが悪く極
付近の基板（１）の内壁面および金属板（４）の表面に
施されたメッキ被膜に比べ極端に薄くなったり、メッキ
自体が析出しないことがある。このような接着材のはみ
出しを防ぐためには、接着材を前記開口部（３）の側壁
面より内側に後退させるといった方法があるが、その方
法では後退させた接着層の部分のメッキのつき回りが悪
く、前記問題点を解決する手段とはならない。
−変性トリアジン樹脂などのプラスチック材料を素材と
する積層板が広く使用されており、本発明においても前
記従来のプラスチック材料を含む基板を使用することが
できる。しかし前記プラスチック材料からなる基板
（１）および接着層（５）は湿気を吸収、浸透させる性
質があるため、前記半導体搭載用凹部（３）の内壁にメ
ッキ被膜（７）を一体形成することにより前記湿気の半
導体搭載部への侵入を防止することは半導体素子の保護
に対して非常に有効である。しかし一体形成された前記
メッキ被膜（７）の形成において前記基板（１）と前記
金属板（７）を接合する接着層（５）の流れ出し、もし
くは位置ズレ等により接着材が凸状にはみ出し、前記は
み出し部の特に裏側の部分にはメッキ液の回りが悪く極
付近の基板（１）の内壁面および金属板（４）の表面に
施されたメッキ被膜に比べ極端に薄くなったり、メッキ
自体が析出しないことがある。このような接着材のはみ
出しを防ぐためには、接着材を前記開口部（３）の側壁
面より内側に後退させるといった方法があるが、その方
法では後退させた接着層の部分のメッキのつき回りが悪
く、前記問題点を解決する手段とはならない。
よって、本発明では前記半導体搭載用凹部（６）の底面
全周にわたって、当該半導体搭載用凹部の側面と連続す
る外周部を有する溝（７）を形成すると同時に前記接着
材のはみ出し部分（13）を切削することにより前記半導
体搭載用凹部側壁を形成する基板（１）から金属板
（４）に至るまでの面を平滑にし、厚みが均一であり、
機械的強度に優れた信頼性の高いメッキ被膜（８）を半
導体搭載用凹部壁面に一体形成することを可能にした。
ここで前記切削加工において、加工精度の点で金属板
（４）の一部を同時に切削した方が容易であり、また前
記溝（７）の底面を丸みを帯びた形状にすれば、一体形
成された前記メッキ被膜（８）の厚みの均一性がさらに
向上する。また、前記金属板（４）の裏側面と前記半導
体搭載用基板（１）の裏面側であって金属板（４）が接
着されていない部分にメッキ被膜（10）を一体形成する
ことにより基板（１）への湿気の侵入が防止され、ひい
ては半導体搭載部への湿気の侵入をより効果的に防止す
ることができる。
全周にわたって、当該半導体搭載用凹部の側面と連続す
る外周部を有する溝（７）を形成すると同時に前記接着
材のはみ出し部分（13）を切削することにより前記半導
体搭載用凹部側壁を形成する基板（１）から金属板
（４）に至るまでの面を平滑にし、厚みが均一であり、
機械的強度に優れた信頼性の高いメッキ被膜（８）を半
導体搭載用凹部壁面に一体形成することを可能にした。
ここで前記切削加工において、加工精度の点で金属板
（４）の一部を同時に切削した方が容易であり、また前
記溝（７）の底面を丸みを帯びた形状にすれば、一体形
成された前記メッキ被膜（８）の厚みの均一性がさらに
向上する。また、前記金属板（４）の裏側面と前記半導
体搭載用基板（１）の裏面側であって金属板（４）が接
着されていない部分にメッキ被膜（10）を一体形成する
ことにより基板（１）への湿気の侵入が防止され、ひい
ては半導体搭載部への湿気の侵入をより効果的に防止す
ることができる。
第２図および第３図はそれぞれ本発明の半導体搭載用基
板の他の実施態様の構造の縦断面図を示しており第１図
と異って基板（１）の裏面側に形成された凹所（11）に
接着層（５）を介して金属板（４）が接合されている。
第２図における半導体搭載用基板にあっても、半導体搭
載用凹部側壁面は、第１図の本発明による基板と同様に
前記基板（１）から金属板（４）に至るまでの平滑なる
面が形成されるとともに、半導体搭載用凹部底面の切削
加工を前記底面周囲に限定することが可能であるため半
導体素子を直接固定する底面部分の金属板（４）の表面
は材料とする金属平板の表面形状をそのまま露出させ、
平滑な面を容易に形成することができる。
板の他の実施態様の構造の縦断面図を示しており第１図
と異って基板（１）の裏面側に形成された凹所（11）に
接着層（５）を介して金属板（４）が接合されている。
第２図における半導体搭載用基板にあっても、半導体搭
載用凹部側壁面は、第１図の本発明による基板と同様に
前記基板（１）から金属板（４）に至るまでの平滑なる
面が形成されるとともに、半導体搭載用凹部底面の切削
加工を前記底面周囲に限定することが可能であるため半
導体素子を直接固定する底面部分の金属板（４）の表面
は材料とする金属平板の表面形状をそのまま露出させ、
平滑な面を容易に形成することができる。
前記半導体搭載用基板の導体回路（９）、メッキ被膜
（８）および（10）の製造方法によっては、第３図に示
すように半導体搭載用凹部に一体形成されたメッキ被膜
（８）の基板（１）の表面側に一部メッキ被膜を残した
形状になることもある。
（８）および（10）の製造方法によっては、第３図に示
すように半導体搭載用凹部に一体形成されたメッキ被膜
（８）の基板（１）の表面側に一部メッキ被膜を残した
形状になることもある。
また第２図および第３図に示す基板にあっては、金属板
（４）と凹所（11）の側壁との間に隙間（12）が設けら
れているが、前記隙間（12）の有無は、本発明には特に
関わりはない。
（４）と凹所（11）の側壁との間に隙間（12）が設けら
れているが、前記隙間（12）の有無は、本発明には特に
関わりはない。
なお本発明の基板に用いられる接着材はエポキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、トリアジン樹脂あるい
はそれらの変性樹脂でありこれらの樹脂は接着性、耐熱
性、耐久性および電気絶縁性の面で優れているので有利
に使用される。また金属板としては銅、アルミニウム、
鉄あるいはそれぞれの合金など比較的熱伝導率の大きい
ものを有効に利用することができる。前記メッキ被膜の
材質としては銅、ニッケル、金、錫などを用いることが
できる。
ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、トリアジン樹脂あるい
はそれらの変性樹脂でありこれらの樹脂は接着性、耐熱
性、耐久性および電気絶縁性の面で優れているので有利
に使用される。また金属板としては銅、アルミニウム、
鉄あるいはそれぞれの合金など比較的熱伝導率の大きい
ものを有効に利用することができる。前記メッキ被膜の
材質としては銅、ニッケル、金、錫などを用いることが
できる。
次に、本発明の半導体搭載用基板の製造方法を図面に従
って説明する。
って説明する。
第４図（ａ）〜（ｅ）は本発明の基板の縦断面を製造工
程順に示す図である。同図（ａ）に示すように、金属箔
（２）が上表面および下表面に貼着された基板（１）
に、上記を貫通する開口部（３）を打抜きあるいは切削
により形成する。次に同図（ｂ）に示すように前記開口
部の基板裏面側に前記開口部（３）を閉塞するように金
属板（４）を金属箔（２）と接着層（５）を介して接合
して、半導体搭載用凹部（６）を形成する。次に同図
（ｃ）に示すように前記開口部（３）の側壁、接着層
（５）及び金属板（４）の表面を同時に切削加工して、
前記接着層（５）のはみ出し部分を切削すると共に前記
半導体搭載用凹部（６）の底面全周にわたって当該半導
体搭載用凹部（６）の側面と連続する外周部を有する溝
（７）を形成する。次に同図（ｄ）に示すように半導体
搭載用凹部（６）の内壁を構成する基板（１）、接着層
（５）および金属板（４）の表面と基板上表面とに、ま
た基板裏面と金属板（５）の裏面とにそれぞれ一体にメ
ッキ被膜（８）、（10）を施すことによって、本発明が
目的とする基板を得ることができる。同図（ｅ）は同図
（ｄ）に示す基板が得られた後に導体回路が形成された
図である。なお、このように加工された後にあっては、
半導体搭載用凹部（６）内に半導体素子が銀ペーストな
どを介して実装される。
程順に示す図である。同図（ａ）に示すように、金属箔
（２）が上表面および下表面に貼着された基板（１）
に、上記を貫通する開口部（３）を打抜きあるいは切削
により形成する。次に同図（ｂ）に示すように前記開口
部の基板裏面側に前記開口部（３）を閉塞するように金
属板（４）を金属箔（２）と接着層（５）を介して接合
して、半導体搭載用凹部（６）を形成する。次に同図
（ｃ）に示すように前記開口部（３）の側壁、接着層
（５）及び金属板（４）の表面を同時に切削加工して、
前記接着層（５）のはみ出し部分を切削すると共に前記
半導体搭載用凹部（６）の底面全周にわたって当該半導
体搭載用凹部（６）の側面と連続する外周部を有する溝
（７）を形成する。次に同図（ｄ）に示すように半導体
搭載用凹部（６）の内壁を構成する基板（１）、接着層
（５）および金属板（４）の表面と基板上表面とに、ま
た基板裏面と金属板（５）の裏面とにそれぞれ一体にメ
ッキ被膜（８）、（10）を施すことによって、本発明が
目的とする基板を得ることができる。同図（ｅ）は同図
（ｄ）に示す基板が得られた後に導体回路が形成された
図である。なお、このように加工された後にあっては、
半導体搭載用凹部（６）内に半導体素子が銀ペーストな
どを介して実装される。
第５図（ａ）〜（ｆ）は本発明の半導体搭載用基板の他
の実施態様の製造工程を工程順に示す図である。第５図
（ａ）は金属箔（２）が基板の上表面および下表面に貼
着された基板（１）に、基板を貫通する開口部（３）を
打抜きあるいは切削により形成する。次に同図（ｂ）に
示すように前記開口部（３）の基板裏面側の周辺領域に
凹所（11）を切削により形成する。次に同図（ｃ）に示
すように前記凹所（11）に前記開口部（３）を閉塞する
ように金属板（４）を接着層（５）を介して接合して半
導体搭載用凹部（６）を形成する。次に同図（ｄ）に示
すように前記開口部（３）の側壁、接着層（５）及び金
属板（４）の表面を同時に切削加工して、前記接着層
（５）のはみ出し部分を切削すると共に前記半導体搭載
用凹部（６）の底面全周にわたって当該半導体搭載用凹
部（６）の側面と連続する外周部を有する溝（７）を形
成する。次に同図（ｅ）に示すように半導体搭載用凹部
（６）の内壁を構成する基板（１）、接着層（５）およ
び金属板（４）の表面と基板上表面とに、また基板裏面
と金属板（５）の裏面とにそれぞれ一体にメッキ被膜
（８）、（10）を施すことによって本発明が目的とする
基板を得ることができる。同図（ｆ）は同図（ｅ）に示
す本発明の基板が得られた後に導体回路が形成された図
である。
の実施態様の製造工程を工程順に示す図である。第５図
（ａ）は金属箔（２）が基板の上表面および下表面に貼
着された基板（１）に、基板を貫通する開口部（３）を
打抜きあるいは切削により形成する。次に同図（ｂ）に
示すように前記開口部（３）の基板裏面側の周辺領域に
凹所（11）を切削により形成する。次に同図（ｃ）に示
すように前記凹所（11）に前記開口部（３）を閉塞する
ように金属板（４）を接着層（５）を介して接合して半
導体搭載用凹部（６）を形成する。次に同図（ｄ）に示
すように前記開口部（３）の側壁、接着層（５）及び金
属板（４）の表面を同時に切削加工して、前記接着層
（５）のはみ出し部分を切削すると共に前記半導体搭載
用凹部（６）の底面全周にわたって当該半導体搭載用凹
部（６）の側面と連続する外周部を有する溝（７）を形
成する。次に同図（ｅ）に示すように半導体搭載用凹部
（６）の内壁を構成する基板（１）、接着層（５）およ
び金属板（４）の表面と基板上表面とに、また基板裏面
と金属板（５）の裏面とにそれぞれ一体にメッキ被膜
（８）、（10）を施すことによって本発明が目的とする
基板を得ることができる。同図（ｆ）は同図（ｅ）に示
す本発明の基板が得られた後に導体回路が形成された図
である。
なお、このように加工された後にあっては、半導体搭載
用凹部（６）内に半導体素子が銀ペーストなどを介して
実装される。上述の製造方法によれば前記基板（１）と
金属板（４）を接合する接着層（５）の流れ出し量が比
較的多くても接合後の切削加工により除去可能であるた
め接合工程における条件等の制約が少ないといった利点
がある。
用凹部（６）内に半導体素子が銀ペーストなどを介して
実装される。上述の製造方法によれば前記基板（１）と
金属板（４）を接合する接着層（５）の流れ出し量が比
較的多くても接合後の切削加工により除去可能であるた
め接合工程における条件等の制約が少ないといった利点
がある。
第６図は（ａ）〜（ｅ）は本発明の半導体搭載用基板の
実施態様の他の製造工程を工程順に示す図である。第６
図（ａ）は金属箔（２）が基板の上表面および下表面に
貼着された基板（１）の裏面にエンドミルを用いて凹所
（11）が形成された状態を示す縦断面図である。次に同
図（ｂ）に示すように凹所（11）の底面に金属板（４）
が半導体搭載部の周辺領域のみに設けた接着層（５）を
介して接合される。次に同図（ｃ）に示すように基板
（１）の表面の半導体搭載部の周囲に相当する部分をエ
ンドミウにより溝掘り加工を前記金属板（４）の内部ま
で到達するように施し、半導体搭載用凹部を形成するの
と同時に前記半導体搭載用凹部の底面周囲に連続した溝
を形成する。つまり、基板表面の半導体搭載領域の周囲
に金属板（４）の内部まで到達する連続した溝掘り加工
を施すことにより、基板（１）の不要部分及び接着層
（５）のはみ出し部分を除去して半導体搭載用凹部
（６）を形成すると同時に、半導体搭載用凹部（６）の
底面全周にわたって半導体搭載用凹部（６）の側面と連
続する外周部を有する溝（７）を形成するのである。次
に同図（ｄ）に示すように半導体搭載用凹部（６）の内
壁を構成する基板（１）、接着層（５）および金属板
（４）の表面と基板（１）の上表面とに、また基板裏面
と金属板（５）の裏面とに、それぞれ一体にメッキ被膜
（８）、（10）を施すことによって本発明が目的とする
基板を得ることができる。同図（ｅ）は同図（ｄ）に示
す本発明の基板が得られた後に導体回路が形成された図
である。
実施態様の他の製造工程を工程順に示す図である。第６
図（ａ）は金属箔（２）が基板の上表面および下表面に
貼着された基板（１）の裏面にエンドミルを用いて凹所
（11）が形成された状態を示す縦断面図である。次に同
図（ｂ）に示すように凹所（11）の底面に金属板（４）
が半導体搭載部の周辺領域のみに設けた接着層（５）を
介して接合される。次に同図（ｃ）に示すように基板
（１）の表面の半導体搭載部の周囲に相当する部分をエ
ンドミウにより溝掘り加工を前記金属板（４）の内部ま
で到達するように施し、半導体搭載用凹部を形成するの
と同時に前記半導体搭載用凹部の底面周囲に連続した溝
を形成する。つまり、基板表面の半導体搭載領域の周囲
に金属板（４）の内部まで到達する連続した溝掘り加工
を施すことにより、基板（１）の不要部分及び接着層
（５）のはみ出し部分を除去して半導体搭載用凹部
（６）を形成すると同時に、半導体搭載用凹部（６）の
底面全周にわたって半導体搭載用凹部（６）の側面と連
続する外周部を有する溝（７）を形成するのである。次
に同図（ｄ）に示すように半導体搭載用凹部（６）の内
壁を構成する基板（１）、接着層（５）および金属板
（４）の表面と基板（１）の上表面とに、また基板裏面
と金属板（５）の裏面とに、それぞれ一体にメッキ被膜
（８）、（10）を施すことによって本発明が目的とする
基板を得ることができる。同図（ｅ）は同図（ｄ）に示
す本発明の基板が得られた後に導体回路が形成された図
である。
なお、このように加工された後にあっては、半導体搭載
用凹部（３）内に半導体素子が銀ペーストなどを介して
実装される。上述の製造方法によれば前記基板に半導体
搭載用凹部（６）と当該半導体搭載用凹部（６）の底面
全周にわたる溝（７）を同時に形成することができ工程
が短縮されるという利点を持つ。
用凹部（３）内に半導体素子が銀ペーストなどを介して
実装される。上述の製造方法によれば前記基板に半導体
搭載用凹部（６）と当該半導体搭載用凹部（６）の底面
全周にわたる溝（７）を同時に形成することができ工程
が短縮されるという利点を持つ。
以下実施例に基づいてさらに説明する。
実施例１ 第１図において、ガラス−エポキシ樹脂からなる基板
（１）の上下表面には銅箔（２）が貼付されており、前
記基板（１）に開口部（３）をパンチングにより形成し
た。そののち基板（１）の裏面側にエポキシ樹脂からな
る接着層（５）を介してアルミニウム板を接合した。そ
ののち開口部（３）の内側面を構成する基板（１）と接
着層（５）、及び金属板（４）の表面とをエンドミルを
用いて同時に切削加工した。そののちさらに基板（１）
と接着層（５）および金属板（４）の露出部全面に銅メ
ッキを施した。そうして製作された基板（１）の表面に
感光性樹脂被膜を貼着し、露光現像して回路パターンを
形成し、エッチングを施すことにより導体回路（９）お
よびメッキ被膜（８）、（10）を形成した。さらに導体
回路（９）およびメッキ被膜（８）、（10）の表面にニ
ッケルメッキ、金メッキを施すことにより本発明の半導
体搭載用基板を製作した。
（１）の上下表面には銅箔（２）が貼付されており、前
記基板（１）に開口部（３）をパンチングにより形成し
た。そののち基板（１）の裏面側にエポキシ樹脂からな
る接着層（５）を介してアルミニウム板を接合した。そ
ののち開口部（３）の内側面を構成する基板（１）と接
着層（５）、及び金属板（４）の表面とをエンドミルを
用いて同時に切削加工した。そののちさらに基板（１）
と接着層（５）および金属板（４）の露出部全面に銅メ
ッキを施した。そうして製作された基板（１）の表面に
感光性樹脂被膜を貼着し、露光現像して回路パターンを
形成し、エッチングを施すことにより導体回路（９）お
よびメッキ被膜（８）、（10）を形成した。さらに導体
回路（９）およびメッキ被膜（８）、（10）の表面にニ
ッケルメッキ、金メッキを施すことにより本発明の半導
体搭載用基板を製作した。
実施例２ 第２図において、ガラス−変性トリアジンン樹脂からな
る基板（１）の上下表面には銅箔（２）が貼付されてお
り、前記基板（１）に開口部（３）をパンチングにより
形成した。そののち開口部（３）の基板裏面側にエンド
ミルを用いて切削加工を施し凹所（11）を形成した。そ
ののち前記凹所（11）に変性トリアジン樹脂からなる接
着層（５）を介してりん青銅板（４）を接合した。さら
に開口部（３）の内側面を構成する基板（１）と接着層
（５）、及び金属（４）の表面とをエンドミルにより同
時に切削加工した。そののち基板（１）と接着層（５）
および金属板（４）の露出部全面に銅メッキを施した。
そうして製作された基板（１）の表面に感光性樹脂被膜
を貼着し、所望の回路パターン以外の部分に前記感光性
樹脂被膜を残すように露光現像し、所望の回路パターン
上のみにさらに銅メッキおよびはんだメッキを施し前記
はんだメッキをエッチングレジストとしてエッチングを
行ない導体回路（９）およびメッキ被膜（８）、（10）
を形成した。そののちさらに導体回路（９）およびメッ
キ被膜（８）、（10）の表面にニッケルメッキ、金メッ
キを施すことにより本発明の半導体搭載用基板を製作し
た。
る基板（１）の上下表面には銅箔（２）が貼付されてお
り、前記基板（１）に開口部（３）をパンチングにより
形成した。そののち開口部（３）の基板裏面側にエンド
ミルを用いて切削加工を施し凹所（11）を形成した。そ
ののち前記凹所（11）に変性トリアジン樹脂からなる接
着層（５）を介してりん青銅板（４）を接合した。さら
に開口部（３）の内側面を構成する基板（１）と接着層
（５）、及び金属（４）の表面とをエンドミルにより同
時に切削加工した。そののち基板（１）と接着層（５）
および金属板（４）の露出部全面に銅メッキを施した。
そうして製作された基板（１）の表面に感光性樹脂被膜
を貼着し、所望の回路パターン以外の部分に前記感光性
樹脂被膜を残すように露光現像し、所望の回路パターン
上のみにさらに銅メッキおよびはんだメッキを施し前記
はんだメッキをエッチングレジストとしてエッチングを
行ない導体回路（９）およびメッキ被膜（８）、（10）
を形成した。そののちさらに導体回路（９）およびメッ
キ被膜（８）、（10）の表面にニッケルメッキ、金メッ
キを施すことにより本発明の半導体搭載用基板を製作し
た。
実施例３ 第３図において、ガラス−ポリイミド樹脂からなる基板
（１）の上下表面には銅箔（２）が貼着されており、前
記基板（１）の裏面側にエンドミルを用いて切削加工を
施し凹所（11）を形成した。そののち矩形に中抜き加工
をしたポリイミド樹脂からなる接着シート（５）を介し
て前記凹所（11）内に銅板（４）を接合した。そののち
基板（１）の表面からエンドミルにより金属板（４）に
到達する深さまで矩形に溝掘加工を施し、基板（１）の
不要部分及び接着層（５）のはみ出し部分を除去した。
そののちさらに基板（１）と接着層（５）および金属板
（４）の露出部全面に銅メッキを施した。そうして製作
された基板（１）の表面に感光性樹脂被膜を貼着し、露
光現像して回路パターンを形成しエッチングを施すこと
により導体回路（９）およびメッキ被膜（８）、（10）
を形成した。さらに導体回路（９）およびメッキ被膜
（８）、（10）の表面にはんだメッキを施すことにより
本発明の半導体搭載用基板を製作した。
（１）の上下表面には銅箔（２）が貼着されており、前
記基板（１）の裏面側にエンドミルを用いて切削加工を
施し凹所（11）を形成した。そののち矩形に中抜き加工
をしたポリイミド樹脂からなる接着シート（５）を介し
て前記凹所（11）内に銅板（４）を接合した。そののち
基板（１）の表面からエンドミルにより金属板（４）に
到達する深さまで矩形に溝掘加工を施し、基板（１）の
不要部分及び接着層（５）のはみ出し部分を除去した。
そののちさらに基板（１）と接着層（５）および金属板
（４）の露出部全面に銅メッキを施した。そうして製作
された基板（１）の表面に感光性樹脂被膜を貼着し、露
光現像して回路パターンを形成しエッチングを施すこと
により導体回路（９）およびメッキ被膜（８）、（10）
を形成した。さらに導体回路（９）およびメッキ被膜
（８）、（10）の表面にはんだメッキを施すことにより
本発明の半導体搭載用基板を製作した。
第９図は本発明の半導体搭載用基板を用いて製作された
ピングリッドアレイの一実施例を示す基板の裏面から見
た斜視図であり、また第10図は第９図に示す基板をＡ−
Ａに沿って切った縦断面図である。このピングリッドア
レイは本発明の半導体搭載用基板（１）の半導体搭載用
凹部（６）に半導体素子（20）が搭載されたのち、ワイ
ヤーボンディングされさらに周囲をエポキシ樹脂（22）
で封止されている。また基板（１）の金属板（４）との
反対面側には封止樹脂枠板（15）が接着層（16）を介し
て接合されるとともに、外部接続用の導体ピン（18）が
前記封止樹脂枠板（15）を貫通した形で導体回路と電気
的に接続したスルーホール（17）に固定されている。
ピングリッドアレイの一実施例を示す基板の裏面から見
た斜視図であり、また第10図は第９図に示す基板をＡ−
Ａに沿って切った縦断面図である。このピングリッドア
レイは本発明の半導体搭載用基板（１）の半導体搭載用
凹部（６）に半導体素子（20）が搭載されたのち、ワイ
ヤーボンディングされさらに周囲をエポキシ樹脂（22）
で封止されている。また基板（１）の金属板（４）との
反対面側には封止樹脂枠板（15）が接着層（16）を介し
て接合されるとともに、外部接続用の導体ピン（18）が
前記封止樹脂枠板（15）を貫通した形で導体回路と電気
的に接続したスルーホール（17）に固定されている。
以上のように本発明による半導体搭載用基板にあって
は、半導体搭載用凹部の底面全周にわたって、当該半導
体搭載用凹部の側面と連続する外周部を有する溝を形成
すると同時に前記接着材のはみ出し部分を切削すること
により半導体搭載用凹部の内側壁を形成する基板から金
属板に至るまでの面を平滑に仕上げることができるの
で、前記半導体搭載用凹部の内壁面に一体に施されたメ
ッキ被膜の厚みの均一化および機械的強度の向上により
その信頼性を高め搭載された半導体素子の熱放散性、耐
湿性を安定して得ることが可能である。
は、半導体搭載用凹部の底面全周にわたって、当該半導
体搭載用凹部の側面と連続する外周部を有する溝を形成
すると同時に前記接着材のはみ出し部分を切削すること
により半導体搭載用凹部の内側壁を形成する基板から金
属板に至るまでの面を平滑に仕上げることができるの
で、前記半導体搭載用凹部の内壁面に一体に施されたメ
ッキ被膜の厚みの均一化および機械的強度の向上により
その信頼性を高め搭載された半導体素子の熱放散性、耐
湿性を安定して得ることが可能である。
また前記半導体搭載用凹部の底面の切削加工を底面周囲
のみに限定することが可能であるため、半導体素子を直
接固定する底面部分の金属板の表面は材料とする金属平
板の表面形状をそのまま露出させて利用できるため、つ
まり半導体搭載用凹部の底面を平滑に仕上げることが容
易であるため搭載される半導体素子の位置精度の向上、
および該基板が安定した品質で得られることによるコス
トダウンを計ることが可能である。
のみに限定することが可能であるため、半導体素子を直
接固定する底面部分の金属板の表面は材料とする金属平
板の表面形状をそのまま露出させて利用できるため、つ
まり半導体搭載用凹部の底面を平滑に仕上げることが容
易であるため搭載される半導体素子の位置精度の向上、
および該基板が安定した品質で得られることによるコス
トダウンを計ることが可能である。
第１図は本発明による半導体搭載用基板の縦断面図、第
２図および第３図はそれぞれ本発明の半導体搭載用基板
の他の実施態様の構造の縦断面図である。第４図（ａ）
〜（ｅ）は本発明による半導体搭載用基板の縦断面を工
程順に示す図であり、第５図および第６図は本発明の半
導体搭載用基板の他の実施態様の縦断面をそれぞれ別の
工程順に示した図である。第７図および第８図はそれぞ
れ従来例の半導体搭載用基板の縦断面図である。第９図
は本発明の半導体搭載用基板を用いて製作されたピング
リッドアレイの一例を示す基板を裏面からみた斜視図で
あり、また第10図は第９図に示す基板をＡ−Ａ線に沿っ
て切った縦断面図である。 符号の説明 １……基板、２……銅箔、３……開口部、４……金属
板、５……接着層、６……半導体搭載用凹部、７……
溝、８……メッキ被膜、９……導体回路、10……メッキ
被膜、11……凹所、12……隙間部、13……接着材のはみ
出し部、14……半導体搭載用凹部底面の凹凸、15……封
止樹脂枠板、16……接着層、17……スルーホール、18…
…導体ピン、19……導体ピンの鍔、20……半導体素子、
21……ボンディングワイヤー、22……封止樹脂。
２図および第３図はそれぞれ本発明の半導体搭載用基板
の他の実施態様の構造の縦断面図である。第４図（ａ）
〜（ｅ）は本発明による半導体搭載用基板の縦断面を工
程順に示す図であり、第５図および第６図は本発明の半
導体搭載用基板の他の実施態様の縦断面をそれぞれ別の
工程順に示した図である。第７図および第８図はそれぞ
れ従来例の半導体搭載用基板の縦断面図である。第９図
は本発明の半導体搭載用基板を用いて製作されたピング
リッドアレイの一例を示す基板を裏面からみた斜視図で
あり、また第10図は第９図に示す基板をＡ−Ａ線に沿っ
て切った縦断面図である。 符号の説明 １……基板、２……銅箔、３……開口部、４……金属
板、５……接着層、６……半導体搭載用凹部、７……
溝、８……メッキ被膜、９……導体回路、10……メッキ
被膜、11……凹所、12……隙間部、13……接着材のはみ
出し部、14……半導体搭載用凹部底面の凹凸、15……封
止樹脂枠板、16……接着層、17……スルーホール、18…
…導体ピン、19……導体ピンの鍔、20……半導体素子、
21……ボンディングワイヤー、22……封止樹脂。
Claims (5)
- 【請求項１】プラスチック材料からなる半導体搭載用基
板の半導体搭載領域に、前記基板の表面から裏面まで貫
通する開口部が形成されており、前記開口部の基板裏面
側に前記開口部を閉塞するように金属板が接着層を介し
て接合されることにより半導体搭載用凹部が形成された
半導体搭載用基板において、 前記半導体搭載用凹部の底面全周にわたって、当該半導
体搭載用凹部の側面と連続する外周部を有する溝が形成
されており、 かつ前記半導体搭載用凹部の内壁を形成するプラスチッ
ク材、接着層、および金属板の表面にはメッキ被膜が一
体形成されてなることを特徴とする半導体搭載用基板。 - 【請求項２】前記半導体搭載用基板の前記開口部の基板
裏面側の周辺領域には凹所が形成されており、前記凹所
に金属板が接着層を介して接合されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体搭載用基板。 - 【請求項３】下記（ａ）〜（ｅ）の工程からみる半導体
搭載用基板の製造方法。 （ａ）プラスチック材料からなる半導体搭載用基板の半
導体搭載領域に、前記基板の表面から裏面まで貫通する
開口部を形成する工程； （ｂ）前記開口部の基板裏面側に前記開口部を閉塞する
ように接着層を介して金属板を接合して、半導体搭載用
凹部を形成する工程； （ｃ）前記開口部の側壁、接着層及び金属板の表面を同
時に切削加工して、前記接着層のはみ出し部分を切削す
ると共に前記半導体搭載用凹部の底面全周にわたって当
該半導体搭載用凹部の側面と連続する外周部を有する溝
を形成する工程； （ｄ）前記半導体搭載用凹部の内壁を含む基板の外表面
にメッキを施す工程； （ｅ）前記諸工程を経て製作された基板に導体回路を形
成する工程； - 【請求項４】下記（ａ）〜（ｆ）の工程からなる半導体
搭載用基板の製造方法。 （ａ）プラスチック材料からなる半導体搭載用基板の半
導体搭載領域に、前記基板の表面から裏面まで貫通する
開口部を形成する工程； （ｂ）前記開口部の基板裏面側の周辺領域に凹所を形成
する工程； （ｃ）前記凹所に前記開口部を閉塞するように接着層を
介して金属板を接合して、半導体搭載用凹部を形成する
工程； （ｄ）前記開口部の側壁、接着層及び金属板の表面を同
時に切削加工して、前記接着層のはみ出し部分を切削す
ると共に前記半導体搭載用凹部の底面全周にわたって当
該半導体搭載用凹部の側面と連続する外周部を有する溝
を形成する工程； （ｅ）前記半導体搭載用凹部の内壁を含む基板の外表面
にメッキを施す工程； （ｆ）前記諸工程を経て製作された基板に導体回路を形
成する工程； - 【請求項５】下記（ａ）〜（ｅ）の工程からなる半導体
搭載用基板の製造方法。 （ａ）プラスチック材料からなる半導体搭載用基板の半
導体搭載領域の裏面に凹所を形成する工程； （ｂ）前記凹所の底面に、半導体搭載領域の周囲のみに
設けた接着層を介して金属板を接合する工程； （ｃ）前記基板表面の半導体搭載領域の周囲に前記金属
板の内部まで到達する連続した溝掘り加工を施すことに
より、前記基板の不要部分及び前記接着層のはみ出し部
分を除去して半導体搭載用凹部を形成すると同時に、当
該半導体搭載用凹部の底面全周にわたって半導体搭載用
凹部の側面と連続する外周部を有する溝を形成する工
程； （ｄ）前記半導体搭載用凹部の内壁を含む基板の外表面
にメッキを施す工程； （ｅ）前記諸工程を経て製作された基板に導体回路を形
成する工程；
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101569A JPH0740598B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体搭載用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101569A JPH0740598B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体搭載用基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257753A JPS62257753A (ja) | 1987-11-10 |
| JPH0740598B2 true JPH0740598B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=14304036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61101569A Expired - Lifetime JPH0740598B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体搭載用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740598B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4659488B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2011-03-30 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200546A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS60253291A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-13 | イビデン株式会社 | 電子部品搭載用基板およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61101569A patent/JPH0740598B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62257753A (ja) | 1987-11-10 |
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