JPH0744818A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0744818A JPH0744818A JP5189988A JP18998893A JPH0744818A JP H0744818 A JPH0744818 A JP H0744818A JP 5189988 A JP5189988 A JP 5189988A JP 18998893 A JP18998893 A JP 18998893A JP H0744818 A JPH0744818 A JP H0744818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- interlayer insulating
- insulating layer
- magnetic head
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 層間絶縁層を短時間で形成することができ、
薄膜磁気ヘッドを低原価でかつ高い歩留りで製造するこ
とができ生産性に優れ、層間絶縁層の電気絶縁性を向上
させることのできる信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドの提
供。 【構成】 下部磁性層と、下部磁性層上に積層される有
機絶縁体で形成された層間絶縁層と、層間絶縁層中に形
成される導体コイル層と、層間絶縁層上に積層されて下
部磁性層と磁気ギャップ層を介して対向する上部磁性層
と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、層間
絶縁層を加熱と紫外線の照射との併用によって硬化させ
て形成する層間絶縁層形成工程を備えた構成からなる。
薄膜磁気ヘッドを低原価でかつ高い歩留りで製造するこ
とができ生産性に優れ、層間絶縁層の電気絶縁性を向上
させることのできる信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドの提
供。 【構成】 下部磁性層と、下部磁性層上に積層される有
機絶縁体で形成された層間絶縁層と、層間絶縁層中に形
成される導体コイル層と、層間絶縁層上に積層されて下
部磁性層と磁気ギャップ層を介して対向する上部磁性層
と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、層間
絶縁層を加熱と紫外線の照射との併用によって硬化させ
て形成する層間絶縁層形成工程を備えた構成からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置に用いられ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報化社会が到来し、コンピュー
タ等の情報機器が広く一般に普及するようになり、ハー
ドディスク等の磁気記録装置においても、生産性が高
く、低原価で高信頼性のものが種々開発されるようにな
っている。
タ等の情報機器が広く一般に普及するようになり、ハー
ドディスク等の磁気記録装置においても、生産性が高
く、低原価で高信頼性のものが種々開発されるようにな
っている。
【０００３】以下に一般的な薄膜磁気ヘッドについて説
明する。図７は一般的な薄膜磁気ヘッドの要部断面図で
ある。１はＡｌ2 Ｏ3 ＴｉＣ材等からなりスライダーと
なる基板、２はＡｌ2 Ｏ3 等からなり基板１上に積層さ
れる下地絶縁層、３は下地絶縁層２上に積層される下部
磁性層、３ａは下部磁性層３を構成するポール部、３ｂ
は下部磁性層３を構成するヨーク部、４はＡｌ2 Ｏ3 ，
ＳｉＯ2 等からなり下部磁性層３上に積層されて磁気ギ
ャップを形成する磁気ギャップ部、５ａ〜５ｃはノボラ
ック樹脂系等のフォトレジスト等から形成される有機絶
縁体からなり磁気ギャップ部４上に順次積層される層間
絶縁層、６ａ，６ｂはＣｕ等からなり層間絶縁層５ａ〜
５ｃ中に渦巻状の形状に形成されて直列に接続される導
体コイル層、７は層間絶縁層５ａ〜５ｃ上に積層される
上部磁性層、７ａは上部磁性層７を構成するポール部、
７ｂは上部磁性層７を構成するヨーク部、７ｃは下部磁
性層３と上部磁性層７とを互いに接合する接合部、８は
Ａｌ2 Ｏ3 からなる保護層である。
明する。図７は一般的な薄膜磁気ヘッドの要部断面図で
ある。１はＡｌ2 Ｏ3 ＴｉＣ材等からなりスライダーと
なる基板、２はＡｌ2 Ｏ3 等からなり基板１上に積層さ
れる下地絶縁層、３は下地絶縁層２上に積層される下部
磁性層、３ａは下部磁性層３を構成するポール部、３ｂ
は下部磁性層３を構成するヨーク部、４はＡｌ2 Ｏ3 ，
ＳｉＯ2 等からなり下部磁性層３上に積層されて磁気ギ
ャップを形成する磁気ギャップ部、５ａ〜５ｃはノボラ
ック樹脂系等のフォトレジスト等から形成される有機絶
縁体からなり磁気ギャップ部４上に順次積層される層間
絶縁層、６ａ，６ｂはＣｕ等からなり層間絶縁層５ａ〜
５ｃ中に渦巻状の形状に形成されて直列に接続される導
体コイル層、７は層間絶縁層５ａ〜５ｃ上に積層される
上部磁性層、７ａは上部磁性層７を構成するポール部、
７ｂは上部磁性層７を構成するヨーク部、７ｃは下部磁
性層３と上部磁性層７とを互いに接合する接合部、８は
Ａｌ2 Ｏ3 からなる保護層である。
【０００４】以上のように構成された一般的な薄膜磁気
ヘッドについて、以下その従来の製造方法を説明する。
図８（ａ）〜（ｄ）及び図９（ａ）〜（ｃ）は従来の薄
膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層及び導体コイル層
の形成工程の一例を示す要部断面図である。図８（ａ）
〜（ｄ）において、９はＣｕ，Ｃｕ／Ｔｉ等からなり層
間絶縁層５ａ上に積層されて導体コイル層６ａとなる電
極膜、１０はポジ型のフォトレジストからなり電極膜９
上にコーティングされるレジスト膜、１１はレジスト膜
１０をマスクするフォトマスクである。図９（ａ）〜
（ｃ）において、１０ａ，１０ｂはレジスト膜１０上に
所定形状に形成されたコイルパターン、１２はＣｕ等か
らなりコイルパターン１０ｂの形状に応じて電極膜９上
に形成されて導体コイル層６ａとなるメッキ膜である。
ヘッドについて、以下その従来の製造方法を説明する。
図８（ａ）〜（ｄ）及び図９（ａ）〜（ｃ）は従来の薄
膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層及び導体コイル層
の形成工程の一例を示す要部断面図である。図８（ａ）
〜（ｄ）において、９はＣｕ，Ｃｕ／Ｔｉ等からなり層
間絶縁層５ａ上に積層されて導体コイル層６ａとなる電
極膜、１０はポジ型のフォトレジストからなり電極膜９
上にコーティングされるレジスト膜、１１はレジスト膜
１０をマスクするフォトマスクである。図９（ａ）〜
（ｃ）において、１０ａ，１０ｂはレジスト膜１０上に
所定形状に形成されたコイルパターン、１２はＣｕ等か
らなりコイルパターン１０ｂの形状に応じて電極膜９上
に形成されて導体コイル層６ａとなるメッキ膜である。
【０００５】初めに、平坦化された下地絶縁層２上に下
部磁性層３，磁気ギャップ部４を形成した後に、ノボラ
ック樹脂系等のポジ型フォトレジストをコーティング
し、レジスト膜（図示せず）を形成する。次に、このレ
ジスト膜（図示せず）を９０℃で３０分間のプリベーク
を行って、パターン露光・現像・純水によるリンスを行
う。次に、このレジスト膜（図示せず）に９０℃で１時
間、１７０℃で１時間、２００℃で１時間の３回の熱処
理を行って、これを硬化させ、図８（ａ）に示すよう
に、層間絶縁層５ａを形成する。次に、層間絶縁層５ａ
上にＣｕもしくはＣｕ／Ｔｉ等をスパッタリング等によ
って形成し、図８（ｂ）に示すように、電極膜９を形成
する。次に、電極膜９上にポジ型フォトレジストをコー
ティングし、９０℃で３０分間のプリベークを行って、
図８（ｃ）に示すようなレジスト膜１０を形成する。次
に、図８（ｄ）に示すように、このレジスト膜１０上
に、所望の形状に加工されたフォトマスク１１を精密な
位置決めを行って載置し、露光する。次に、現像を行う
と、図９（ａ）に示すように、レジスト膜１０による所
望の形状のコイルパターン１０ａ，１０ｂが得られる。
次に、コイルパターン１０ｂ部分の電極膜９上に、Ｃｕ
等をメッキして、図９（ｂ）に示すように、メッキ膜１
２を所定厚さ形成する。次に、レジスト膜１０を除去
し、不要な電極膜９をイオンミリング，ケミカルエッチ
ング等によって除去して、図９（ｃ）に示すような導体
コイル層６ａを形成する。次に、前述の工程と同様な処
理を繰り返して、層間絶縁層５ｂ，導体コイル層６ｂ，
層間絶縁層５ｃを順次形成する。次に、層間絶縁層５ｃ
上に上部磁性層７，保護層８を順次形成して、薄膜磁気
ヘッドを作製している。
部磁性層３，磁気ギャップ部４を形成した後に、ノボラ
ック樹脂系等のポジ型フォトレジストをコーティング
し、レジスト膜（図示せず）を形成する。次に、このレ
ジスト膜（図示せず）を９０℃で３０分間のプリベーク
を行って、パターン露光・現像・純水によるリンスを行
う。次に、このレジスト膜（図示せず）に９０℃で１時
間、１７０℃で１時間、２００℃で１時間の３回の熱処
理を行って、これを硬化させ、図８（ａ）に示すよう
に、層間絶縁層５ａを形成する。次に、層間絶縁層５ａ
上にＣｕもしくはＣｕ／Ｔｉ等をスパッタリング等によ
って形成し、図８（ｂ）に示すように、電極膜９を形成
する。次に、電極膜９上にポジ型フォトレジストをコー
ティングし、９０℃で３０分間のプリベークを行って、
図８（ｃ）に示すようなレジスト膜１０を形成する。次
に、図８（ｄ）に示すように、このレジスト膜１０上
に、所望の形状に加工されたフォトマスク１１を精密な
位置決めを行って載置し、露光する。次に、現像を行う
と、図９（ａ）に示すように、レジスト膜１０による所
望の形状のコイルパターン１０ａ，１０ｂが得られる。
次に、コイルパターン１０ｂ部分の電極膜９上に、Ｃｕ
等をメッキして、図９（ｂ）に示すように、メッキ膜１
２を所定厚さ形成する。次に、レジスト膜１０を除去
し、不要な電極膜９をイオンミリング，ケミカルエッチ
ング等によって除去して、図９（ｃ）に示すような導体
コイル層６ａを形成する。次に、前述の工程と同様な処
理を繰り返して、層間絶縁層５ｂ，導体コイル層６ｂ，
層間絶縁層５ｃを順次形成する。次に、層間絶縁層５ｃ
上に上部磁性層７，保護層８を順次形成して、薄膜磁気
ヘッドを作製している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、ノボラック樹脂系等のポジ型フォトレジス
トからなるレジスト膜１０を、熱処理のみによって硬化
させて層間絶縁層５ａ〜５ｃを形成しているために、層
間絶縁層５ａ〜５ｃ一層あたりの形成に数時間を要し、
これが層間絶縁層５ａ〜５ｃの層数と同じ回数繰り返さ
れるため、薄膜磁気ヘッドの製造のリードタイムが長く
なるとともに、長時間の熱処理のために多大なエネルギ
ーを要し、原価を上げ生産性に欠けるという問題点を有
していた。また、層間絶縁層５ａ〜５ｃに対して長時間
の熱処理を行うために、層間絶縁層５ａ〜５ｃを構成す
る有機絶縁体のうち層間絶縁層５ａ〜５ｃの表面部分が
熱によって分解されたり、炭化されたりするため、層間
絶縁層５ａ〜５ｃの電気絶縁性が低下して下部磁性層
３，導体コイル層６ａ〜６ｂ，上部磁性層７相互間の耐
電圧が劣化し信頼性に欠けるとともに、歩留りが低下し
て生産性に欠けるという問題点を有していた。
の構成では、ノボラック樹脂系等のポジ型フォトレジス
トからなるレジスト膜１０を、熱処理のみによって硬化
させて層間絶縁層５ａ〜５ｃを形成しているために、層
間絶縁層５ａ〜５ｃ一層あたりの形成に数時間を要し、
これが層間絶縁層５ａ〜５ｃの層数と同じ回数繰り返さ
れるため、薄膜磁気ヘッドの製造のリードタイムが長く
なるとともに、長時間の熱処理のために多大なエネルギ
ーを要し、原価を上げ生産性に欠けるという問題点を有
していた。また、層間絶縁層５ａ〜５ｃに対して長時間
の熱処理を行うために、層間絶縁層５ａ〜５ｃを構成す
る有機絶縁体のうち層間絶縁層５ａ〜５ｃの表面部分が
熱によって分解されたり、炭化されたりするため、層間
絶縁層５ａ〜５ｃの電気絶縁性が低下して下部磁性層
３，導体コイル層６ａ〜６ｂ，上部磁性層７相互間の耐
電圧が劣化し信頼性に欠けるとともに、歩留りが低下し
て生産性に欠けるという問題点を有していた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、層間絶縁層を短時間で形成することができ、薄膜磁
気ヘッドを低原価でかつ高い歩留りで製造することがで
き生産性に優れ、層間絶縁層の電気絶縁性を向上させる
ことのできる信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
で、層間絶縁層を短時間で形成することができ、薄膜磁
気ヘッドを低原価でかつ高い歩留りで製造することがで
き生産性に優れ、層間絶縁層の電気絶縁性を向上させる
ことのできる信頼性に優れた薄膜磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドは、下
部磁性層と、下部磁性層上に積層される有機絶縁体で形
成された層間絶縁層と、層間絶縁層中に形成される導体
コイル層と、層間絶縁層上に積層されて下部磁性層と磁
気ギャップ層を介して対向する上部磁性層と、を備えた
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、層間絶縁層を加熱
と紫外線の照射との併用によって硬化させて形成する層
間絶縁層形成工程を備えた構成を有しており、請求項２
に記載された薄膜磁気ヘッドは、請求項１において、有
機絶縁体としてノボラック樹脂系のフォトレジストを用
い、紫外線として波長が２００nm〜３００nmのものを用
いてなる構成を有している。
に本発明の請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドは、下
部磁性層と、下部磁性層上に積層される有機絶縁体で形
成された層間絶縁層と、層間絶縁層中に形成される導体
コイル層と、層間絶縁層上に積層されて下部磁性層と磁
気ギャップ層を介して対向する上部磁性層と、を備えた
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、層間絶縁層を加熱
と紫外線の照射との併用によって硬化させて形成する層
間絶縁層形成工程を備えた構成を有しており、請求項２
に記載された薄膜磁気ヘッドは、請求項１において、有
機絶縁体としてノボラック樹脂系のフォトレジストを用
い、紫外線として波長が２００nm〜３００nmのものを用
いてなる構成を有している。
【０００９】ここで、有機絶縁体としては、ノボラック
樹脂系フォトレジスト等が用いられる。また、照射する
紫外線の波長，照度，照射時間，加熱温度，加熱時間等
は有機絶縁体の材質に応じて適宜決定される。また、有
機絶縁体としてノボラック樹脂系フォトレジストを用い
る場合は、照射する紫外線の波長を２００nm以下あるい
は３００nm以上とするとフォトレジストの分子間架橋が
起こらないために好ましくない。
樹脂系フォトレジスト等が用いられる。また、照射する
紫外線の波長，照度，照射時間，加熱温度，加熱時間等
は有機絶縁体の材質に応じて適宜決定される。また、有
機絶縁体としてノボラック樹脂系フォトレジストを用い
る場合は、照射する紫外線の波長を２００nm以下あるい
は３００nm以上とするとフォトレジストの分子間架橋が
起こらないために好ましくない。
【００１０】
【作用】この構成によって、層間絶縁層を、加熱と紫外
線の照射とを併用して硬化させて形成することで、層間
絶縁層の形成時間を大幅に短縮することができるととも
に、熱処理時間が短縮されて、これに要するエネルギー
を大幅に削減することができる。また、熱処理時間が短
縮されるために、層間絶縁層の表面部分の有機絶縁体の
熱による分解・炭化等を防止でき、層間絶縁層の電気絶
縁性を向上させることができるとともに、歩留りを向上
させることができる。また、有機絶縁体をノボラック樹
脂系のフォトレジストを用い、照射する紫外線の波長を
２００nm〜３００nmとすることにより、フォトレジスト
の分子間架橋を効率よく起こし、歩留りを向上させるこ
とができる。
線の照射とを併用して硬化させて形成することで、層間
絶縁層の形成時間を大幅に短縮することができるととも
に、熱処理時間が短縮されて、これに要するエネルギー
を大幅に削減することができる。また、熱処理時間が短
縮されるために、層間絶縁層の表面部分の有機絶縁体の
熱による分解・炭化等を防止でき、層間絶縁層の電気絶
縁性を向上させることができるとともに、歩留りを向上
させることができる。また、有機絶縁体をノボラック樹
脂系のフォトレジストを用い、照射する紫外線の波長を
２００nm〜３００nmとすることにより、フォトレジスト
の分子間架橋を効率よく起こし、歩留りを向上させるこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製造
方法の薄膜磁気ヘッドの層間絶縁層形成工程の一例を示
す要部断面図である。図１において、２は下地絶縁層、
３は下部磁性層、４は磁気ギャップ部であり、これらは
従来例と同様なものなので同一の符号を付し説明を省略
する。１３は有機絶縁体よりなり加熱と紫外線の照射と
を併用して硬化させて形成された層間絶縁層である。こ
こで、例として、有機絶縁体としてノボラック樹脂系フ
ォトレジストを用いたものについて説明する。
ドの製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製造
方法の薄膜磁気ヘッドの層間絶縁層形成工程の一例を示
す要部断面図である。図１において、２は下地絶縁層、
３は下部磁性層、４は磁気ギャップ部であり、これらは
従来例と同様なものなので同一の符号を付し説明を省略
する。１３は有機絶縁体よりなり加熱と紫外線の照射と
を併用して硬化させて形成された層間絶縁層である。こ
こで、例として、有機絶縁体としてノボラック樹脂系フ
ォトレジストを用いたものについて説明する。
【００１２】初めに、従来例と同様にして、基板（図示
せず）上に下地絶縁層２，下部磁性層３，磁気ギャップ
部４を順次積層する。次に、従来例と同様にして、磁気
ギャップ部４上にノボラック樹脂系のフォトレジストを
コーティングし、これに９０℃で３０分間のプリベーク
を行って、パターン露光・現像・純水によるリンスを行
う。次に、１００℃から１７０℃へ、１２０秒かけて加
熱して、第１の加熱処理を行う。次に、１７０℃で６０
秒間加熱して、第２の加熱処理を行う。次に、１７０℃
で２４０秒間加熱しながら紫外線を照射して、第１の加
熱・照射処理を行う。ここで、照射される紫外線の波
長，照度は有機絶縁体の種類に応じて適宜決定される。
今、有機絶縁体としてノボラック樹脂系フォトレジスト
を用いているため、Ｄｅｅｐ−ＵＶと呼ばれる波長２０
０nm〜３００nmの紫外線を用い、その照度は１４０mW／
cm2 （以下ｌｏｗと呼ぶ）とする。次に、１７０℃で６
０秒間加熱しながら同様な紫外線を３４０mW／cm2 の照
度（以下ｈｉｇｈと呼ぶ）で照射して、第２の加熱・照
射処理を行う。次に、１７０℃から２４０℃へ２７０秒
かけて加熱しながら同様な紫外線をｈｉｇｈの照度で照
射して、第３の加熱・照射処理を行う。次に、２４０℃
で２４０秒間加熱して、第３の加熱処理を行い、ノボラ
ック樹脂系フォトレジストを硬化させて、図１に示すよ
うな層間絶縁層１３を形成する。次に、前述の処理を繰
り返して、層間絶縁層（図示せず）、導体コイル層６
ａ，６ｂを形成する。次に、従来例と同様にして、上部
磁性層７，保護層８を順次積層し、薄膜磁気ヘッドを作
製する。
せず）上に下地絶縁層２，下部磁性層３，磁気ギャップ
部４を順次積層する。次に、従来例と同様にして、磁気
ギャップ部４上にノボラック樹脂系のフォトレジストを
コーティングし、これに９０℃で３０分間のプリベーク
を行って、パターン露光・現像・純水によるリンスを行
う。次に、１００℃から１７０℃へ、１２０秒かけて加
熱して、第１の加熱処理を行う。次に、１７０℃で６０
秒間加熱して、第２の加熱処理を行う。次に、１７０℃
で２４０秒間加熱しながら紫外線を照射して、第１の加
熱・照射処理を行う。ここで、照射される紫外線の波
長，照度は有機絶縁体の種類に応じて適宜決定される。
今、有機絶縁体としてノボラック樹脂系フォトレジスト
を用いているため、Ｄｅｅｐ−ＵＶと呼ばれる波長２０
０nm〜３００nmの紫外線を用い、その照度は１４０mW／
cm2 （以下ｌｏｗと呼ぶ）とする。次に、１７０℃で６
０秒間加熱しながら同様な紫外線を３４０mW／cm2 の照
度（以下ｈｉｇｈと呼ぶ）で照射して、第２の加熱・照
射処理を行う。次に、１７０℃から２４０℃へ２７０秒
かけて加熱しながら同様な紫外線をｈｉｇｈの照度で照
射して、第３の加熱・照射処理を行う。次に、２４０℃
で２４０秒間加熱して、第３の加熱処理を行い、ノボラ
ック樹脂系フォトレジストを硬化させて、図１に示すよ
うな層間絶縁層１３を形成する。次に、前述の処理を繰
り返して、層間絶縁層（図示せず）、導体コイル層６
ａ，６ｂを形成する。次に、従来例と同様にして、上部
磁性層７，保護層８を順次積層し、薄膜磁気ヘッドを作
製する。
【００１３】以上のように作製される本発明の一実施例
における薄膜磁気ヘッドの製造方法を用いた薄膜磁気ヘ
ッドと、従来の製造方法を用いた薄膜磁気ヘッドについ
て、性能比較試験を行った。以下その結果について説明
する。
における薄膜磁気ヘッドの製造方法を用いた薄膜磁気ヘ
ッドと、従来の製造方法を用いた薄膜磁気ヘッドについ
て、性能比較試験を行った。以下その結果について説明
する。
【００１４】（実験例１）本発明の一実施例における薄
膜磁気ヘッドの製造方法を用いた薄膜磁気ヘッドの上部
磁性層熱処理時の不良発生の有無を評価するために、基
板（図示せず）上に本発明の一実施例における薄膜磁気
ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程と同一の条件で
層間絶縁層に模した有機絶縁膜を形成し、この上に上部
磁性層に模した金属膜をスパッタリングにより形成し
て、試料を作製した。この試料に３００℃で２時間の熱
処理を行い、金属膜表面の乱れ（以下シワと呼ぶ）の発
生，有機絶縁膜のクラックの発生の有無を観察した。そ
の有機絶縁膜形成時の加熱・照射条件と観察結果を図２
及び（表１）に示す。
膜磁気ヘッドの製造方法を用いた薄膜磁気ヘッドの上部
磁性層熱処理時の不良発生の有無を評価するために、基
板（図示せず）上に本発明の一実施例における薄膜磁気
ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程と同一の条件で
層間絶縁層に模した有機絶縁膜を形成し、この上に上部
磁性層に模した金属膜をスパッタリングにより形成し
て、試料を作製した。この試料に３００℃で２時間の熱
処理を行い、金属膜表面の乱れ（以下シワと呼ぶ）の発
生，有機絶縁膜のクラックの発生の有無を観察した。そ
の有機絶縁膜形成時の加熱・照射条件と観察結果を図２
及び（表１）に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】図２は本発明の一実施例における薄膜磁気
ヘッドの製造方法と従来の製造方法との性能比較試験に
用いた有機絶縁膜形成時の加熱・照射条件を示すグラフ
である。
ヘッドの製造方法と従来の製造方法との性能比較試験に
用いた有機絶縁膜形成時の加熱・照射条件を示すグラフ
である。
【００１７】（比較例１，２，３）有機絶縁膜形成時の
加熱・照射条件を種々変更した他は、実験例１と同様に
して試料を作製し、実験例１と同様な観察を行った。そ
の有機絶縁膜形成時の加熱・照射条件と観察結果を図２
及び（表１）に示す。
加熱・照射条件を種々変更した他は、実験例１と同様に
して試料を作製し、実験例１と同様な観察を行った。そ
の有機絶縁膜形成時の加熱・照射条件と観察結果を図２
及び（表１）に示す。
【００１８】（比較例４）従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法における層間絶縁層形成工程と同一の条件で有機絶
縁膜を形成した他は、実験例１と同様にして試料を作製
し、実験例１と同様な観察を行った。その有機絶縁膜形
成時の加熱条件と観察結果を（表２）に示す。
方法における層間絶縁層形成工程と同一の条件で有機絶
縁膜を形成した他は、実験例１と同様にして試料を作製
し、実験例１と同様な観察を行った。その有機絶縁膜形
成時の加熱条件と観察結果を（表２）に示す。
【００１９】
【表２】
【００２０】（実験例２）紫外線照射のみによるレジス
ト膜の硬化の度合いを調べるために、ガラス基板上に任
意のレジストパターンを作製し、紫外線のみを照射して
レジスト膜を硬化させ、これを切断した後に、この断面
から未硬化のレジスト膜を酢酸イソペンチルを用いて抽
出して、図３に示すようにして、硬化したレジスト膜の
厚みを測定した。その結果を図４に示す。図３は本発明
の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製造方法と従来の
製造方法との性能比較試験に用いた硬化したレジスト膜
の要部断面図であり、図４は本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの製造方法と従来の製造方法との性能比
較試験に用いた紫外線照射時間と硬化したレジスト膜の
厚みとの関係を示すグラフである。図３において、１４
はガラス基板、１５はガラス基板１４上に紫外線によっ
て形成される硬化したレジスト膜、１５ａは硬化したレ
ジスト膜１５の縦方向の厚みを示す縦方向厚み寸法、１
５ｂは縦方向厚み寸法１５ａと同様な横方向厚み寸法、
１６は未硬化のレジスト膜を抽出して形成された中空部
である。
ト膜の硬化の度合いを調べるために、ガラス基板上に任
意のレジストパターンを作製し、紫外線のみを照射して
レジスト膜を硬化させ、これを切断した後に、この断面
から未硬化のレジスト膜を酢酸イソペンチルを用いて抽
出して、図３に示すようにして、硬化したレジスト膜の
厚みを測定した。その結果を図４に示す。図３は本発明
の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製造方法と従来の
製造方法との性能比較試験に用いた硬化したレジスト膜
の要部断面図であり、図４は本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの製造方法と従来の製造方法との性能比
較試験に用いた紫外線照射時間と硬化したレジスト膜の
厚みとの関係を示すグラフである。図３において、１４
はガラス基板、１５はガラス基板１４上に紫外線によっ
て形成される硬化したレジスト膜、１５ａは硬化したレ
ジスト膜１５の縦方向の厚みを示す縦方向厚み寸法、１
５ｂは縦方向厚み寸法１５ａと同様な横方向厚み寸法、
１６は未硬化のレジスト膜を抽出して形成された中空部
である。
【００２１】ここで、紫外線照射時にはガラス基板１４
を水冷して温度を２２±２℃に保ち、熱による硬化が生
じないようにした。
を水冷して温度を２２±２℃に保ち、熱による硬化が生
じないようにした。
【００２２】（実験例３）本発明の一実施例における薄
膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程により作
製される有機絶縁膜の電気絶縁性を確認した。図５は本
発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製造方法と従
来の製造方法との性能比較試験に用いた絶縁耐圧測定試
験の模式図である。図５において、１７はＡｌ2 Ｏ3 Ｔ
ｉＣ材よりなる基板、１８は本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程と同様
な方法によって基板１７上に種々の膜厚で形成された有
機絶縁膜、１９はＣｕからなり有機絶縁膜１８上に形成
された電極である。この図５に示すような試料に対し
て、直流電圧を基板１７と電極１９との間に５０Ｖ，５
秒間のステップで増加させながら印加し、有機絶縁膜１
８の電気絶縁性が破壊された時の電圧を測定して、有機
絶縁膜１８の膜厚と絶縁破壊電圧との関係を求めた。そ
の結果を図６に示す。図６は本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの製造方法と従来の製造方法との性能比
較試験に用いた膜厚と絶縁破壊電圧との関係を示すグラ
フである。
膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程により作
製される有機絶縁膜の電気絶縁性を確認した。図５は本
発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製造方法と従
来の製造方法との性能比較試験に用いた絶縁耐圧測定試
験の模式図である。図５において、１７はＡｌ2 Ｏ3 Ｔ
ｉＣ材よりなる基板、１８は本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程と同様
な方法によって基板１７上に種々の膜厚で形成された有
機絶縁膜、１９はＣｕからなり有機絶縁膜１８上に形成
された電極である。この図５に示すような試料に対し
て、直流電圧を基板１７と電極１９との間に５０Ｖ，５
秒間のステップで増加させながら印加し、有機絶縁膜１
８の電気絶縁性が破壊された時の電圧を測定して、有機
絶縁膜１８の膜厚と絶縁破壊電圧との関係を求めた。そ
の結果を図６に示す。図６は本発明の一実施例における
薄膜磁気ヘッドの製造方法と従来の製造方法との性能比
較試験に用いた膜厚と絶縁破壊電圧との関係を示すグラ
フである。
【００２３】（比較例５）有機絶縁膜１８を従来の薄膜
磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程と同様な方
法によって形成した他は、実験例３と同様にして試料を
作製し、この試料を用いて実験例３と同様な方法で有機
絶縁膜１８の膜厚と絶縁破壊電圧との関係を求めた。そ
の結果を図６に示す。
磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程と同様な方
法によって形成した他は、実験例３と同様にして試料を
作製し、この試料を用いて実験例３と同様な方法で有機
絶縁膜１８の膜厚と絶縁破壊電圧との関係を求めた。そ
の結果を図６に示す。
【００２４】（表１），（表２）から明らかなように、
加熱時間・温度が小さい場合には、シワが発生する（比
較例１，２）ことがわかる。これは、有機絶縁膜内部の
硬化が不充分であり、試料を熱処理する際に有機絶縁膜
の表層と内部とで熱膨張係数に差が生じたために、金属
膜表面にシワが発生するものと推定される。これは、実
際の製品であれば、上部磁性層（図示せず）熱処理時
に、不良品が生じることを意味する。また、ｌｏｗの照
度の紫外線の照射時間が短いと、有機絶縁膜にクラック
が発生する（比較例３）ことがわかる。これは、有機絶
縁膜表層の硬化が不充分で同様に表層と内部の熱膨張係
数の違いのために、有機絶縁膜にクラックが発生するも
のと推定される。これは、同様に、上部磁性層（図示せ
ず）熱処理時に、不良品が生じることを意味する。
加熱時間・温度が小さい場合には、シワが発生する（比
較例１，２）ことがわかる。これは、有機絶縁膜内部の
硬化が不充分であり、試料を熱処理する際に有機絶縁膜
の表層と内部とで熱膨張係数に差が生じたために、金属
膜表面にシワが発生するものと推定される。これは、実
際の製品であれば、上部磁性層（図示せず）熱処理時
に、不良品が生じることを意味する。また、ｌｏｗの照
度の紫外線の照射時間が短いと、有機絶縁膜にクラック
が発生する（比較例３）ことがわかる。これは、有機絶
縁膜表層の硬化が不充分で同様に表層と内部の熱膨張係
数の違いのために、有機絶縁膜にクラックが発生するも
のと推定される。これは、同様に、上部磁性層（図示せ
ず）熱処理時に、不良品が生じることを意味する。
【００２５】また、（表１）の実験例１に示すように、
加熱・照射条件を適宜決定することで、従来例（比較例
４）と同等な高品質な有機絶縁膜を、１５分程度の極め
て短い時間で形成できることがわかった。次に、図４か
ら明らかなように、レジスト膜の硬化を紫外線の照射の
みで行うと、通常薄膜磁気ヘッドの層間絶縁層の膜厚が
４μｍ〜５μｍであるのに対して、照射時間が６０秒，
１８０秒，９００秒の時に硬化された膜厚は０．６μ
ｍ，０．８μｍ，１．６μｍでしかないことがわかっ
た。これにより、レジスト膜硬化の際には、紫外線の照
射のみでなく加熱も併用しなければならないといえる。
次に、図６から明らかなように、本発明の一実施例にお
ける薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程に
より作製される有機絶縁膜は、従来の製造方法による同
一膜厚の有機絶縁膜よりも耐電圧が高く、電気絶縁性が
優れていることがわかる。これは、熱処理に要する時間
が短いために、有機絶縁膜の劣化が生じないためだと推
定される。
加熱・照射条件を適宜決定することで、従来例（比較例
４）と同等な高品質な有機絶縁膜を、１５分程度の極め
て短い時間で形成できることがわかった。次に、図４か
ら明らかなように、レジスト膜の硬化を紫外線の照射の
みで行うと、通常薄膜磁気ヘッドの層間絶縁層の膜厚が
４μｍ〜５μｍであるのに対して、照射時間が６０秒，
１８０秒，９００秒の時に硬化された膜厚は０．６μ
ｍ，０．８μｍ，１．６μｍでしかないことがわかっ
た。これにより、レジスト膜硬化の際には、紫外線の照
射のみでなく加熱も併用しなければならないといえる。
次に、図６から明らかなように、本発明の一実施例にお
ける薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層形成工程に
より作製される有機絶縁膜は、従来の製造方法による同
一膜厚の有機絶縁膜よりも耐電圧が高く、電気絶縁性が
優れていることがわかる。これは、熱処理に要する時間
が短いために、有機絶縁膜の劣化が生じないためだと推
定される。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明は、層間絶縁層を、
加熱と紫外線の照射とを併用して硬化させて形成するこ
とで、層間絶縁層の形成時間を大幅に短縮することがで
きるとともに、熱処理時間が短縮されて、これに要する
エネルギーを大幅に削減することができ生産性に優れ、
熱処理時間が短縮されるために、層間絶縁層の表面部分
の有機絶縁体の熱による分解・炭化等を防止でき、層間
絶縁層の電気絶縁性を向上させることができ信頼性に優
れるとともに、歩留りを向上させることができ生産性に
優れ、有機絶縁体を、ノボラック樹脂系のフォトレジス
トを用い、照射する紫外線の波長を２００nm〜３００nm
とすることによって、フォトレジストの分子間架橋を効
率よく起こし、歩留りを向上させることができる生産性
に優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現できるもので
ある。
加熱と紫外線の照射とを併用して硬化させて形成するこ
とで、層間絶縁層の形成時間を大幅に短縮することがで
きるとともに、熱処理時間が短縮されて、これに要する
エネルギーを大幅に削減することができ生産性に優れ、
熱処理時間が短縮されるために、層間絶縁層の表面部分
の有機絶縁体の熱による分解・炭化等を防止でき、層間
絶縁層の電気絶縁性を向上させることができ信頼性に優
れるとともに、歩留りを向上させることができ生産性に
優れ、有機絶縁体を、ノボラック樹脂系のフォトレジス
トを用い、照射する紫外線の波長を２００nm〜３００nm
とすることによって、フォトレジストの分子間架橋を効
率よく起こし、歩留りを向上させることができる生産性
に優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現できるもので
ある。
【図１】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製
造方法の薄膜磁気ヘッドの層間絶縁層形成工程の一例を
示す要部断面図
造方法の薄膜磁気ヘッドの層間絶縁層形成工程の一例を
示す要部断面図
【図２】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた有機
絶縁膜形成時の加熱・照射条件を示すグラフ
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた有機
絶縁膜形成時の加熱・照射条件を示すグラフ
【図３】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた硬化
したレジスト膜の要部断面図
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた硬化
したレジスト膜の要部断面図
【図４】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた紫外
線照射時間と硬化したレジスト膜の厚みとの関係を示す
グラフ
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた紫外
線照射時間と硬化したレジスト膜の厚みとの関係を示す
グラフ
【図５】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた絶縁
耐圧測定試験の模式図
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた絶縁
耐圧測定試験の模式図
【図６】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの製
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた膜厚
と絶縁破壊電圧との関係を示すグラフ
造方法と従来の製造方法との性能比較試験に用いた膜厚
と絶縁破壊電圧との関係を示すグラフ
【図７】一般的な薄膜磁気ヘッドの要部断面図
【図８】（ａ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層
間絶縁層及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部
断面図 （ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図
間絶縁層及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部
断面図 （ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図 （ｄ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図
【図９】（ａ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層
間絶縁層及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部
断面図 （ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図
間絶縁層及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部
断面図 （ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図 （ｃ）は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の層間絶縁層
及び導体コイル層の形成工程の一例を示す要部断面図
１ 基板 ２ 下地絶縁層 ３ 下部磁性層 ３ａ ポール部 ３ｂ ヨーク部 ４ 磁気ギャップ部 ５ａ，５ｂ，５ｃ 層間絶縁層 ６ａ，６ｂ 導体コイル層 ７ 上部磁性層 ７ａ ポール部 ７ｂ ヨーク部 ７ｃ 接合部 ８ 保護層 ９ 電極膜 １０ レジスト膜 １０ａ，１０ｂ コイルパターン １１ フォトマスク １２ メッキ膜 １３ 層間絶縁層 １４ ガラス基板 １５ 硬化したレジスト膜 １５ａ 縦方向厚み寸法 １５ｂ 横方向厚み寸法 １６ 中空部 １７ 基板 １８ 有機絶縁膜 １９ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】下部磁性層と、前記下部磁性層上に積層さ
れる有機絶縁体で形成された層間絶縁層と、前記層間絶
縁層中に形成される導体コイル層と、前記層間絶縁層上
に積層されて前記下部磁性層と磁気ギャップ層を介して
対向する上部磁性層と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造
方法であって、前記層間絶縁層を加熱と紫外線の照射と
の併用によって硬化させて形成する層間絶縁層形成工程
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】前記有機絶縁体としてノボラック樹脂系の
フォトレジストを用い、前記紫外線として波長が２００
nm〜３００nmのものを用いてなることを特徴とする請求
項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5189988A JPH0744818A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5189988A JPH0744818A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0744818A true JPH0744818A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16250515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5189988A Pending JPH0744818A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744818A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087071A (en) * | 1998-09-11 | 2000-07-11 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for increasing thermostability of a resist through electron beam exposure |
| KR100339895B1 (ko) * | 1999-03-31 | 2002-06-10 | 가타오카 마사타카 | 박막자기헤드 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP5189988A patent/JPH0744818A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087071A (en) * | 1998-09-11 | 2000-07-11 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for increasing thermostability of a resist through electron beam exposure |
| KR100505080B1 (ko) * | 1998-09-11 | 2005-07-29 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 레지스트의 처리방법 |
| KR100339895B1 (ko) * | 1999-03-31 | 2002-06-10 | 가타오카 마사타카 | 박막자기헤드 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3995253B2 (ja) | 感光性ポリイミドパターンの形成方法及び該パターンを有する電子素子 | |
| JPH0744818A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| US5870262A (en) | Magneto resistive effect type head having a stressed insulation layer | |
| JP3391575B2 (ja) | 多層ｓｏｇ膜の硬化方法 | |
| JP2677411B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0766201A (ja) | 配線のエレクトロマイグレーション寿命試験用半導体装置及びその製造方法、並びにその試験方法 | |
| JP3371660B2 (ja) | 複合型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0611042B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3013214B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS627699B2 (ja) | ||
| JP2578196B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2738743B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP3216252B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH06176320A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS62171143A (ja) | 多層配線法 | |
| JP3008996B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JP2774487B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH08111458A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6119113B2 (ja) | ||
| JP2517479B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS6273745A (ja) | 集積回路における通路の製造方法 | |
| JPH1064013A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0721522A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH05303720A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPS6258542B2 (ja) |