JPH0744820A - 薄膜磁気ヘッド素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 寸法精度が高く、ギャップ幅の均一な再生ヘ
ッド部及び記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッド素子を
製造すること。 【構成】 セラミック基板１０上に絶縁物１１を塗膜
し、更に下部シールド層１２，下部リードギャップ層１
３を夫々塗膜する。次に下部リードギャップ層１３の上
面にＭＲ素子９のパターン形成を行う。次にＭＲ素子９
の中央部に逆テーパ状で銅製のマスクパターン３２を設
け、リード層１５を全面に塗膜する。そしてマスクパタ
ーン３２を除去すると、ＭＲ素子９の接続部に平面形状
が平坦なリード層１５が接続される。更に上部シールド
層１９，下部磁性層２２，ギャップ層１５，上部磁性層
２２をこの順に成膜すると、記録ヘッド部において均一
なギャップ層２１が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関わ
り、特に高分解能を有する薄膜ＭＲヘッド素子の構造と
その製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置の高性能化に伴い、そ
れに用いる薄膜磁気ヘッドも高性能化が要求されてい
る。このような用途に磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘ
ッドとして、薄膜ＭＲヘッドがある。薄膜ＭＲヘッドは
出力が周速に依存しないため、磁気ディスク装置の容量
増加に多大な効果を与えるものである。しかし薄膜ＭＲ
ヘッドは実用上はまだ多くの技術的課題を残している。
その１つとして短波長再生特性の向上の課題があり、こ
の課題を解決するために再生ヘッド部の狭ギャップ化に
関して今だ有効な手段が開発されていない。

【０００３】以下従来技術で作成したハードディスク用
の薄膜磁気ヘッドの構成について図３〜図５を参照しつ
つ説明する。図３は薄膜磁気ヘッドの全体構成を示す斜
視図であり、図４は図３の破線部Ａの部分拡大図であ
る。又図５は図４の破線部Ｂの薄膜磁気ヘッド素子の層
構造を示す断面図である。図３に示すように薄膜磁気ヘ
ッドは、薄膜磁気ヘッド素子１を略直方体形状のスライ
ダ２の側面に一体に形成したものである。薄膜磁気ヘッ
ド素子１はセラミック製のスライダ２の側面に薄膜成形
技術を用いて作製される。スライダ２には３本の浮上レ
ール３と、各浮上レール間のスライダ溝４とが一体に形
成されたものである。このような薄膜磁気ヘッドを磁気
ディスク装置に搭載するときには、スライダ２の裏面に
ジンバルを設け、ハードディスクの記録面とスライダ２
が摺動又は浮上するよう取付けられる。

【０００４】浮上レール３は用途に応じて種々の形態が
あり、一般に機械加工やイオンビームエッチング等を用
いて作られる。図３に示す例では機械加工を用いて３本
の浮上レール３と２本のスライダ溝４が形成されてい
る。薄膜磁気ヘッド素子１は図３に示すようにスライダ
２の空気流出方向（手前側）に形成されている。図４は
図３の破線部Ａを拡大したもので、上部磁性層６ａと下
部磁性層６ｂの間に記録電流を流すコイル層７が形成さ
れている。略円形の上部絶縁層５上には図４に示すよう
に略三角形の上部磁性層６ａ及び下部磁性層６ｂが夫々
形成されている。そして上部絶縁層５から４本の端子８
が引き出され、その端末は夫々パッド部８ａとなってい
る。ここでは薄膜磁気ヘッド素子には記録ヘッド部と再
生ヘッド部が一体に形成されるため、端子８及びパッド
部８ａは４つ設けられる。

【０００５】図４に示すように磁気抵抗効果素子部（以
下ＭＲ素子という）９を挟んで、複数の磁性層，シール
ド層，リードギャップ層が夫々薄膜形成技術により成膜
されている。尚上部磁性層６の中央部に設けられた開口
は後述する上下の磁性層が接合するためのバックギャッ
プ部である。

【０００６】次に図４の破線部Ｂで示す薄膜磁気ヘッド
素子１において、ＭＲ素子９の周辺部分に設けられた各
層について図５を用いて説明する。図５は図４の破線Ｂ
の部分をハードディスクの記録面から見た端面図であ
る。先ずセラミック基板１０にスパッタ法を用いてアル
ミナ等の絶縁物１１を被覆する。次に電気めっき法又は
スパッタ法を用いて絶縁物１１の上面にパーマロイ，セ
ンダスト又は鉄系の合金材料を塗膜し、下部シールド層
１２を形成する。次にスパッタ法を用いてアルミナ等の
絶縁材料を塗膜し、これを下部リードギャップ層１３と
する。更に下部リードギャップ層１３の特定表面にＭＲ
素子９を成膜する。

【０００７】図５に示すＭＲ素子９は単層構造である
が、ＭＲ素子を駆動するバイアス方式によって２〜４層
構造となる場合がある。例えばシャントバイアスではパ
ーマロイ（ＭＲ層）とチタンとを用いて積層する。ＳＡ
Ｌ（Soft Adjacent Layer)バイアスではパーマロイと、
タンタル等のスペーサと、鉄とニッケルにロジウム等の
第３元素を添加したＳＡＬ層とで３層を積層する。交換
バイアスではＭＲ膜に直接接触するよう鉄とマンガンの
合金である強磁性層を積層する。

【０００８】さてＭＲ素子９のトラック幅を規定するた
めと、ＭＲ素子９の表面がこれより上層の成膜時に行わ
れるアルミナイオンエッチングに腐食されるのを防止す
るため、ＭＲ素子９上面に第１の上部リードギャップ層
１４を成膜する。上部リードギャップ層１４はアルミナ
等の絶縁材料で構成され、その断面形状はＭＲ素子９の
幅より狭く、形成後に左右のエッジが傾斜し、テーパ部
１４ａが必然的に形成される。次に上部リードギャップ
層１４のエッジを接続するためリード層１５を成膜す
る。リード層１５は金等の低抵抗材料により構成され
る。

【０００９】次にリード層１５の成膜工程について図６
を用いて説明する。図６（ａ）に示すように下部リード
ギャップ層１３の上面に一定幅のＭＲ素子９を形成した
後、スパッタ法を用いて基板全面に上部リードギャップ
層１４をアルミナ等の材料を用いて成膜する。そして図
６（ｂ）に示すように上部リードギャップ層１４の所定
部分を残すため、フォトレジストを用いてエッチングマ
スク１６を形成する。次に図６（ｃ）に示すように選択
性を持つエッチング液でエッチングをする。この場合Ｍ
Ｒ素子９はエッチングせず、上部リードギャップ層１４
のみをエッチングする。尚エッチング液の代わりに反応
性ドライエッチを用いてもよい。

【００１０】こうするとエッチングマスク１６の塗膜さ
れない部分の上部リードギャップ層１４が溶解する。そ
してＭＲ素子９の上面に残存したエッチングマスク１６
を酸素プラズマやレジスト剥離液を用いて除去する。こ
うすると図６（ｃ）に示すようにトラック幅ＴＷの上部
リードギャップ層１４が残り、そのエッジは一部溶解さ
れ、傾斜面が形成される。

【００１１】次に蒸着やスパッタ法によりリード層１５
を基板全面に付着させる。ここでリード層１５には通常
低抵抗で熱安定性の高い金が用いられるが、金のみでは
上下の層との密着力が弱いため、密着強化層としてチタ
ン，クローム又はタンタル等で金を挟む形で上下に形成
する。又ＭＲ素子９のＭＲ層に交換バイアスを付与する
ため、ＭＲ素子９の最上層にＭＲ膜を位置させる場合、
リード層１５の最下部に反強磁性膜を設けることもあ
る。

【００１２】次にリード層１５を一定の形状にパターン
化するため、フォトレジストを用いエッチングマスク１
７を形成する。そして図６（ｄ）に示すようにエッチン
グマスク１７の上部リードギャップ層１４の平坦部と対
向する部分に開口を設ける。次にイオンビームエッチ等
のドライエッチを用いてリード層１５の不要部を除去す
る。更に酸素プラズマやレジスト剥離液を用いてリード
層１５の上面に塗膜されたエッチングマスク１７を除去
する。こうすると図６（ｅ）又は図５に示すような所定
形状のリード層１５が形成される。

【００１３】次に図５において上部リードギャップ層１
４及びリード層１５の上面に第２の上部リードギャップ
層１８を全面塗膜する。第２のリードギャップ層１８は
第１の上部リードギャップ層１４と同様アルミナ等の絶
縁材料で構成される。次に電気めっき法又はスパッタ法
を用い、パーマロイや鉄合金の上部シールド層１９を全
面塗膜する。以上のような工程を経て再生ヘッド部が作
成される。

【００１４】次に記録ヘッド部の作成方法について説明
する。図５の上部シールド層１９の上面に電気メッキ法
等により下部磁性層２０を成膜する。下部磁性層２０は
ＭＲ素子９よりやや狭い幅で選択形成される。尚上部シ
ールド層１９と下部磁性層２０の磁気的結合を防止する
ため、この２層間にアルミナ等の分離層を入れる場合も
ある。次に記録ヘッド部のギャップ層２１を全面に積層
した後、電気めっき法等により上部磁性層２２を部分的
に積層する。尚図５には示していないがギャップ層２１
を積層した後、ノボラック系又ポリイミド系の樹脂から
なる下部絶縁層を成膜し、電気めっき法等により下部コ
イル層を成膜し、更に下部絶縁層と同様に上部絶縁層を
積層するものとする。最後に電気めっき法等により上部
磁性層２２とギャップ層２１の上面にアルミナ等の保護
層２３を厚膜状態に形成し、薄膜磁気ヘッド素子の作製
を終了する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】このようにして作製さ
れた従来の薄膜磁気ヘッド素子の問題点を図７及び図８
を用いて説明する。従来の製造方法では図６（ｃ）に示
すように上部リードギャップ層１４のテーパ部１４ａ
は、ＭＲ素子９に対し３０°以上の傾斜角で傾斜してい
る。又図７に示すテーパ幅Ｌ１は０．４μｍ以下である
ため、図６（ｄ）の工程で示すようにエッチングマスク
１７のパターン形成において、エッチングパターンの位
置合わせ精度と、後の工程で形成されるリード層１５の
エッチング精度とを考慮すると、テーパ部１４ａにリー
ド層１５のパターンエッジを位置決めすることは極めて
困難である。このためリード層１５の接続部はテーパ部
１４ａのテーパ幅Ｌ１より広い幅Ｌ２でパターン形成さ
れる。即ち図７に示すように接続部はテーパ部１４ａの
乗り上げ幅Ｌ２の範囲に渡って形成されてしまう。

【００１６】ＭＲ素子９に対する上部シールド層１９及
び下部シールド層１２の距離はヘッド性能上、分解能を
決定する重要な寸法である。しかしこのような構造によ
れば、単層構造でかつ絶縁性を確保しながら下部リード
ギャップ層１３の膜厚ｇ１を薄くすることができる。又
上部リードギャップ層１４，１８の膜厚ｇ２をＭＲ素子
９の中央部で均一にすることはできるが、リード層１５
が上部リードギャップ層１４のテーパ部１４ａに乗り上
げている領域では膜厚ｇ３が大きくなる。ＭＲ素子９の
トラック幅ＴＷは、リード層１５とＭＲ素子９の接合点
の内側の寸法で規定される。上部リードギャップ層１８
のＭＲ素子９から見た膜厚ｇ２がその接続部で膜厚ｇ４
のように大きくなるということは、記録密度の向上に大
きな障害となっていた。

【００１７】又リード層１５が上部リード層１４のテー
パ部１４ａに乗り上げている領域で生じる突起は、その
上層である上部リードギャップ層１８及び上部シールド
層１９にも反映してそのまま突起として残る。図８に示
すように上部シールド層１９上に記録ヘッド部の下部磁
性層を電気めっき法で形成する際、フォトレジスト２４
を塗布した後紫外線で露光する。記録ヘッド部のトラッ
ク幅はＭＲ素子９のトラック幅より広いため、上部シー
ルド層１９に形成された突起Ｃは、フォトレジスト２４
の露光領域内に存在することとなる。このような突起Ｃ
に紫外線が当たると乱反射を起こし、パターン乱れや寸
法変動を発生する。

【００１８】このため図５に示すように記録ヘッド部の
下部磁性層２０を形成した後もその突起が残り、ギャッ
プ層２１にも反映される。ギャップ層２１にその突起の
影響がでると、ギャップラインの直線性が乱れ、記録性
能に悪影響を及ぼす。又ギャップ層２１での突起は、上
部磁性層２２の形成に対するパターン乱れや寸法変動を
生じさせる原因となっていた。

【００１９】以上のような製造方法で作製した薄膜磁気
ヘッド素子１では、上部リードギャップ層が広くなって
しまう領域が存在しているため、一定寸法のギャップを
得ることかできず、又狭ギャップ化する際の大きな障害
となっていた。又上部リードギャップ層１４にリード層
１５が乗り上げた結果生じる突起は、記録ヘッド部の上
下磁性層のトラック幅の変動やパターン乱れ、及びギャ
ップの直線性を乱す原因となっていた。

【００２０】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであって、記録再生特性に優れ、製造時の
寸法変化の小さい薄膜磁気ヘッド素子及びその製造方法
を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、磁気記録媒体の記録面に摺動又は浮上するスライダ
部と、スライダ部の空気流出端に接合されて信号を記録
及び再生する薄膜磁気ヘッド素子とを有する薄膜磁気ヘ
ッドであって、薄膜磁気ヘッド素子は、スライダ部の側
面に接合される基板、基板に絶縁物及びシールド層を介
して成膜される下部リードギャップ層、下部リードギャ
ップ層にパターン形成され、磁気記録媒体の磁束密度を
検出する磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の異なる
位置に接続されるリード層、磁気抵抗効果素子とリード
層の上面を絶縁する単一の上部リードギャップ層を夫々
有し、磁気抵抗効果素子の磁気抵抗変化により信号を再
生する再生ヘッド部を具備することを特徴とするもので
ある。

【００２２】本願の請求項２の発明は、基板の片面にシ
ールド層を成膜する工程と、シールド層に下部リードギ
ャップ層を成膜する工程と、下部リードギャップ層の一
部に磁束密度検出用の磁気抵抗効果素子を成膜する工程
と、磁気抵抗効果素子の異なる位置に一対のリード層を
成膜する工程と、磁気抵抗効果素子とリード層の上面に
絶縁用の上部リードギャップ層を成膜する工程と、を含
む薄膜磁気ヘッド素子の製造方法であって、リード層
は、磁気抵抗効果素子を侵さないエッチング液で除去で
きる材料をマスクパターンし、リフトオフ法により成膜
されることを特徴とするものである。

【００２３】本願の請求項３の発明は、基板の片面にシ
ールド層を成膜する工程と、シールド層に下部リードギ
ャップ層を成膜する工程と、下部リードギャップ層の一
部に磁束密度検出用の磁気抵抗効果素子を成膜する工程
と、磁気抵抗効果素子の異なる位置に一対のリード層を
成膜する工程と、磁気抵抗効果素子とリード層の上面に
絶縁用の上部リードギャップ層を成膜する工程と、を含
む薄膜磁気ヘッド素子の製造方法であって、リード層の
成膜工程は、磁気抵抗効果素子の上面にポジ型フォトレ
ジストを用いメッキ用パターンを形成し、磁気抵抗効果
素子の中央部に位置するメッキ用パターンに正テーパ部
を開口し、正テーパ部にマスクパターンを塗膜し、メッ
キ用パターンを磁気抵抗効果素子を侵さないエッチング
液で除去して逆テーパ部を残し、逆テーパ部が形成され
た磁気抵抗効果素子の上面に導電性のリード層を塗膜す
ることにより成膜されたことを特徴とするものである。

【００２４】

【作用】このような特徴を有する本願の請求項１の発明
によれば、磁気抵抗効果素子とこれに接続されるリード
層の上面に上部リードギャップ層が大きな凹凸を伴わず
に成膜される。このため上部リードギヤップ層の上面
に、上部シールド層を介して下部磁性層，ギャップ層，
上部磁性層を夫々成膜すると、ギャップ層の間隙が均一
になり、その分布も磁気抵抗効果素子のある範囲では直
線状となる。

【００２５】又本願の請求項３の発明によれば、磁気抵
抗効果素子の上面にリード層を形成するに際し、ポジ型
フォトレジストを用いメッキ用パターンを施し、磁気抵
抗効果素子の中央部に逆テーパ状のマスクパターンを塗
膜する。このマスクパターンは銅等の金属であるため、
リード層を塗膜してから基板加熱を行うことができ、リ
ード層の密着性が向上する。又、成膜条件の影響を大き
く受けることなく、パターン精度の高いリード層が得ら
れる。又リード層と磁気抵抗効果素子との接続部に突起
を生じず、その上層に位置する記録ヘッド部のギャップ
層が均一に成膜される。

【００２６】

【実施例】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッド素
子の構造とその製造方法について図１及び図２を参照し
つつ説明する。図１は本実施例の薄膜磁気ヘッド素子の
構造を示し、記録媒体との当接面から見た断面図であ
る。尚薄膜磁気ヘッド素子の完成状態は従来例と同様で
あるので、同一部分には同一の符号を付け、詳細な説明
は省略する。図１においてセラミック基板１０にスパッ
タ法によりアルミナ等の絶縁物１１が被覆され、更に絶
縁物１１の上面に下部シールド層１２が形成されること
は従来例と同である。

【００２７】次にスパッタ法を用いてアルミナ等の絶縁
材料を下部シールド層１２に塗膜し、下部リードギャッ
プ層１３を形成する。次に下部リードギャップ層１３の
特定部分にＭＲ素子９を形成する。尚ＭＲ素子９は図中
では単層で示されているが、ＭＲ素子９の駆動バイアス
方式によっては、前述のように２〜４層構造となる。

【００２８】図２はＭＲ素子９にリード層１５を形成す
る本実施例の製造工程を示した説明図である。図２の工
程（ａ）に示すようにＭＲ素子９が形成された後、工程
（ｂ）に移り、ＭＲ素子９及び下部リードギャップ層１
３の上面に銅の電極膜３０をスパッタ法又は蒸着によっ
て成膜する。つぎにポジ型フォトレジストを用いて電極
膜３０の上面に２〜２．５μｍ程度のめっき用パターン
３１を形成する。この場合ＭＲ素子９の中央上部が正テ
ーパ状に開放されるよう開口部３１ａを設ける。開口部
３１ａのテーパ幅はめっき用パターン３１の上面から見
て0.5 〜1.0 μｍ程度である。

【００２９】次に開口部３１ａに電気めっきにより銅を
付着させ、これをマスクパターン３２とする。マスクパ
ターン３２はリードトラック幅を規定するものであり、
その膜厚は約1.0 〜1.5 μｍである。イメージリバーサ
ルレジストをマスク材料として用いる場合、露光量やリ
バーサルレジストのベーク温度，現像時間に対してパタ
ーン精度が大きく影響を受け、開口部３１ａのテーパ寸
法の安定性は悪くなる。しかし銅をマスクパターン３２
とした場合はポジ型のフォトレジストを使用するため、
逆テーパの寸法安定性が良くなる。

【００３０】次にメッキ用パターン３１とマスクパター
ン３２に対して紫外線を全面露光し、めっき用パターン
３１をアルカリ現像液を用いて除去する。こうすると図
２の工程（ｃ）に示すように逆テーパ状のマスクパター
ン３２が取り残される。

【００３１】次に銅のみがエッチングされるエッチング
液として、過硫酸アンモニウムを主成分とし、水酸化ナ
トリウムでＰＨ６〜７に調整された銅のケミカルエッチ
ング液を用い、電極膜３０を除去する。次に図２の工程
（ｄ）に示すように下部リード層１３及びマスクパター
ン３２が成膜されたＭＲ素子９の上面にリード層１５を
蒸着やスパッタ法を用いて付着させる。

【００３２】イメージリバーサルレジストをマスク材料
とする場合、その耐熱性が低いので被塗膜面となる基板
をほとんど加熱することができない。このため従来はリ
ード層１５の密着性が充分に確保されなかったが、本実
施例では銅をマスクパターン３２にしているため基板の
加熱が可能となり、リード層１５の密着性を向上するこ
とができる。尚リード層１５の密着力強化層として、チ
タン，クローム等が金を挟む形で上下に形成される。又
ＭＲ素子９のＭＲ層に交換バイアスを付与する方法とし
て、ＭＲ素子９の最上層にＭＲ膜を形成した場合には、
リード層１５の最下部に反強磁性膜を形成することもあ
る。

【００３３】次に所望のリード形成を得るために図２の
工程（ｅ）に示すように、ＭＲ素子９の中央部のマスク
パターン３２とその下部の電極膜３０をケミカルエッチ
ング液を用いて除去する。こうするとＭＲ素子９の周辺
部にリード層１５が突起部を伴うことなく形成される。
尚、イメージリバーサルレジストを用いるリフトオフ法
に比べて、銅をマスクパターン３２にした場合はレジス
ト残りが生じず、ＭＲ素子９に悪影響を及ぼさない。こ
のようにして形成されたリード層１５では、従来の第１
の上部リードギャップ層１４がある場合に比べて異常な
突起が生じず、段差の小さいパターン接合部ができる。

【００３４】次に図１に示すように第２の上部リードギ
ャップ層１５，上部シールド層１９，下部磁性層２０，
ギャップ層２１，上部磁性層２２がこの順序で塗膜され
ることは従来例と同一であり、その工程の説明は省略す
る。このような工程で形成されたギャップ層２１は図５
に示すものと比較し、平坦な膜形成がなされ、その膜厚
もトラック幅ＴＷ範囲内で一様なものとなっている。

【００３５】

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、磁気抵抗効果素子の中に位置する部分に正テーパ部
を有するメッキ用パターンを塗膜し、この部分に金属の
マスクパターンを塗膜して、逆テーパ部のマスクを残す
ようにしている。この状態でリード層を成膜すると、磁
気抵抗効果素子との接続部分に突起を生じなくなる。こ
のため再生ヘッド部のギャップ層を狭くすることができ
ると共に、再生ヘッド部に及び記録ヘッド部において、
ギャップ幅及びギャップパターンの乱れを生じることな
く上下の磁性層が形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッド素子
の主要部の構成を示す断面図である。

【図２】本実施例の薄膜磁気ヘッド素子の製造工程の一
部を示す説明図である。

【図３】本実施例及び従来例の薄膜磁気ヘッドの構造を
示す外観図である。

【図４】本実施例及び従来例の薄膜磁気ヘッドにおける
磁気ヘッド素子の構成を示す説明図である。

【図５】従来の薄膜磁気ヘッド素子の構成例を示す部分
断面図である。

【図６】従来の薄膜磁気ヘッド素子の製造工程の一部を
示す説明図である。

【図７】従来の薄膜磁気ヘッド素子における再生ヘッド
部の膜厚分布を示す断面図である。

【図８】従来の薄膜磁気ヘッド素子の製造工程における
フォトレジストの断面構造を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 薄膜磁気ヘッド素子 ２ スライダ ３ 浮上レール ４ スライダ溝 ６ａ，２２ 上部磁性層 ６ｂ，２０ 下部磁性層 ７ コイル層 ９ ＭＲ素子 １０ セラミック基板 １１ 絶縁物 １２ 下部シールド層 １３ 下部リードギャップ層 １４，１８ 上部リードギャップ層 １４ａ テーパ部 １５ リード層 １６ エッチングマスク １９ 上部シールド層 ２１ ギャップ層 ３０ 電極膜 ３１ めっき用パターン ３１ａ 開口部 ３２ マスクパターン

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気記録媒体の記録面に摺動又は浮上す
   るスライダ部と、前記スライダ部の空気流出端に接合さ
   れて信号を記録及び再生する薄膜磁気ヘッド素子とを有
   する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記薄膜磁気ヘッド素子は、 前記スライダ部の側面に接合される基板、前記基板に絶
   縁物及びシールド層を介して成膜される下部リードギャ
   ップ層、前記下部リードギャップ層にパターン形成さ
   れ、前記磁気記録媒体の磁束密度を検出する磁気抵抗効
   果素子、前記磁気抵抗効果素子の異なる位置に接続され
   るリード層、前記磁気抵抗効果素子と前記リード層の上
   面を絶縁する単一の上部リードギャップ層を夫々有し、
   前記磁気抵抗効果素子の磁気抵抗変化により信号を再生
   する再生ヘッド部を具備することを特徴とする薄膜磁気
   ヘッド素子。
2. 【請求項２】 基板の片面にシールド層を成膜する工程
   と、 前記シールド層に下部リードギャップ層を成膜する工程
   と、 前記下部リードギャップ層の一部に磁束密度検出用の磁
   気抵抗効果素子を成膜する工程と、 前記磁気抵抗効果素子の異なる位置に一対のリード層を
   成膜する工程と、 前記磁気抵抗効果素子と前記リード層の上面に絶縁用の
   上部リードギャップ層を成膜する工程と、を含む薄膜磁
   気ヘッド素子の製造方法において、 前記リード層は、 前記磁気抵抗効果素子を侵さないエッチング液で除去で
   きる材料をマスクパターンし、リフトオフ法により成膜
   されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド素子の製造方
   法。
3. 【請求項３】 基板の片面にシールド層を成膜する工程
   と、 前記シールド層に下部リードギャップ層を成膜する工程
   と、 前記下部リードギャップ層の一部に磁束密度検出用の磁
   気抵抗効果素子を成膜する工程と、 前記磁気抵抗効果素子の異なる位置に一対のリード層を
   成膜する工程と、 前記磁気抵抗効果素子と前記リード層の上面に絶縁用の
   上部リードギャップ層を成膜する工程と、を含む薄膜磁
   気ヘッド素子の製造方法において、 前記リード層の成膜工程は、 前記磁気抵抗効果素子の上面にポジ型フォトレジストを
   用いメッキ用パターンを形成し、 前記磁気抵抗効果素子の中央部に位置する前記メッキ用
   パターンに正テーパ部を開口し、 前記正テーパ部にマスクパターンを塗膜し、 前記メッキ用パターンを前記磁気抵抗効果素子を侵さな
   いエッチング液で除去して逆テーパ部を残し、 前記逆テーパ部が形成された前記磁気抵抗効果素子の上
   面に導電性のリード層を塗膜することにより成膜された
   ものであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド素子の製造
   方法。
4. 【請求項４】 前記マスクパターンは、銅，チタン，ア
   ルミニウムの何れかであることを特徴とする請求項２又
   は３記載の薄膜磁気ヘッド素子の製造方法。