JPH0744993Y2 - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサInfo
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- JPH0744993Y2 JPH0744993Y2 JP1989065133U JP6513389U JPH0744993Y2 JP H0744993 Y2 JPH0744993 Y2 JP H0744993Y2 JP 1989065133 U JP1989065133 U JP 1989065133U JP 6513389 U JP6513389 U JP 6513389U JP H0744993 Y2 JPH0744993 Y2 JP H0744993Y2
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- JP
- Japan
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- pressure
- pressure chamber
- cases
- terminal
- pressure sensor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/0061—Electrical connection means
- G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
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- G—PHYSICS
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- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49103—Strain gauge making
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、生産性を向上するようにした圧力センサに
関するものである。
関するものである。
従来、半導体圧力センサとしては、たとえば特開昭60-1
00026号公報や実開昭61-87338号公報などにより開示さ
れており、このうち、前者の特開昭60-100026号公報の
場合には、共通半導体基板にそれぞれダイヤフラム部と
4個のピエゾ抵抗素子群よりなる同一性の2組の圧力検
出部を設け、その一方の圧力検出部に被検側圧力を加え
るように形成するとともに、それぞれのピエゾ抵抗素子
群より形成したそれぞれのブリッジ回路の出力の差をと
るように形成して、残留歪みなどによる誤差を除去する
ようにしたものである。
00026号公報や実開昭61-87338号公報などにより開示さ
れており、このうち、前者の特開昭60-100026号公報の
場合には、共通半導体基板にそれぞれダイヤフラム部と
4個のピエゾ抵抗素子群よりなる同一性の2組の圧力検
出部を設け、その一方の圧力検出部に被検側圧力を加え
るように形成するとともに、それぞれのピエゾ抵抗素子
群より形成したそれぞれのブリッジ回路の出力の差をと
るように形成して、残留歪みなどによる誤差を除去する
ようにしたものである。
また、後者の実開昭61-87338号公報の場合には、ステム
の中央部に開口部を設け、この開口部の下方に向けて圧
力導入管を設けるとともに、開口部から離れた位置に大
気開放口を設け、中央部に圧力導入管内の圧力と大気圧
力との差圧検出用のダイヤフラムを設け、大気開放口に
半導体チップを固定し、この半導体チップを蓋で覆うよ
うに構成したものである。
の中央部に開口部を設け、この開口部の下方に向けて圧
力導入管を設けるとともに、開口部から離れた位置に大
気開放口を設け、中央部に圧力導入管内の圧力と大気圧
力との差圧検出用のダイヤフラムを設け、大気開放口に
半導体チップを固定し、この半導体チップを蓋で覆うよ
うに構成したものである。
従来の半導体圧力センサは以上のように構成されている
ので、これらはいずれも基板とターミナルが別部材であ
り、したがって、経済性,生産性がよくないという問題
点があった。
ので、これらはいずれも基板とターミナルが別部材であ
り、したがって、経済性,生産性がよくないという問題
点があった。
この考案は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、簡単な構造で生産性にすぐれ、経済的にも有
利な圧力センサを得ることを目的とする。
たもので、簡単な構造で生産性にすぐれ、経済的にも有
利な圧力センサを得ることを目的とする。
この考案に係る圧力センサは、第1および第2の圧力室
の隔壁と第3および第4の圧力室の隔壁となるようにそ
れぞれ配置される第1,第2のダイヤフラムを有する第1,
第2の半導体チップを設け、かつターミナルを有するリ
ードフレームに一体成形されて第1,第2のケースで挾持
される基板部を設けたものである。
の隔壁と第3および第4の圧力室の隔壁となるようにそ
れぞれ配置される第1,第2のダイヤフラムを有する第1,
第2の半導体チップを設け、かつターミナルを有するリ
ードフレームに一体成形されて第1,第2のケースで挾持
される基板部を設けたものである。
この考案において、基板部に第1,第2のダイヤフラムを
有する第1,第2の半導体チップを設けてターミナルを有
するリードフレームとともに、第1,第2の二つのケース
間に挾持することにより、基板部とターミナルとが一体
的に形成されることになる。
有する第1,第2の半導体チップを設けてターミナルを有
するリードフレームとともに、第1,第2の二つのケース
間に挾持することにより、基板部とターミナルとが一体
的に形成されることになる。
以下、この考案の実施例を図について説明する。第1図
はその一実施例の構成を示す断面図であり、第2図は第
1図に対して直角方向に切断した断面図である。
はその一実施例の構成を示す断面図であり、第2図は第
1図に対して直角方向に切断した断面図である。
この第1図,第2図の両図において、1は圧力センサ、
2,3は圧力センサ1のケースであって、このケース2,3に
よって第1〜第4の圧力室21〜24が形成されている。
2,3は圧力センサ1のケースであって、このケース2,3に
よって第1〜第4の圧力室21〜24が形成されている。
ケース2とケース3との合わせ面に第1,第2の圧力室21
と22の隔壁となるように、ダイヤフラムを有する半導体
チップ4が設けられている。
と22の隔壁となるように、ダイヤフラムを有する半導体
チップ4が設けられている。
同様にして、第3,第4の圧力室23,24の隔壁となるよう
に、ダイヤフラムを有する半導体チップ5が設けられて
いる。
に、ダイヤフラムを有する半導体チップ5が設けられて
いる。
これらの半導体チップ4,5は基板部70に設けられてい
る。このようにして、半導体チップ4のダイヤフラムが
第1の圧力室21と第2の圧力室22に面し、半導体チップ
5のダイヤフラムが第3,第4の圧力室23と24に面するよ
うに配設されている。
る。このようにして、半導体チップ4のダイヤフラムが
第1の圧力室21と第2の圧力室22に面し、半導体チップ
5のダイヤフラムが第3,第4の圧力室23と24に面するよ
うに配設されている。
第3図はこの考案の圧力センサを基板部70を介して保持
部材75上に保持した状態の平面図である。
部材75上に保持した状態の平面図である。
この第3図からも明らかなように、二つの基板部70にそ
れぞれ半導体チップ4,5が取り付けられており、これら
の半導体チップ4,5はワイヤ8を介して、2組のターミ
ナル部71〜74に接続されている。
れぞれ半導体チップ4,5が取り付けられており、これら
の半導体チップ4,5はワイヤ8を介して、2組のターミ
ナル部71〜74に接続されている。
この2組のターミナル部71〜74のうち、各組のターミナ
ル部71は基板部70に共通になっており、ターミナル部72
〜74はリードフレーム7側に設けられている。このリー
ドフレーム7と基板部70が同一成形部材となっている。
ル部71は基板部70に共通になっており、ターミナル部72
〜74はリードフレーム7側に設けられている。このリー
ドフレーム7と基板部70が同一成形部材となっている。
かくして、基板部70と、ターミナル部71〜74と、保持部
材75とから、リードフレーム7が構成されている。
材75とから、リードフレーム7が構成されている。
このリードフレーム7は第1図および第2図に示すよう
に、ケース2と3間に挾持し、接着剤9で接合して組み
立てた後、保持部材75を切断して除去する。
に、ケース2と3間に挾持し、接着剤9で接合して組み
立てた後、保持部材75を切断して除去する。
このようにして、ケース2と3を接合することにより、
第2図より明らかなように、導圧管部25と第1の圧力室
21および第4の圧力室24が連通し、導圧管部26と第2の
圧力室22および第3の圧力室23が連通する。
第2図より明らかなように、導圧管部25と第1の圧力室
21および第4の圧力室24が連通し、導圧管部26と第2の
圧力室22および第3の圧力室23が連通する。
なお、第1図ないし第3図では示されていないが、上記
ターミナル部71〜74は歪み検出用のブリッジ回路と接続
されるようになっている。
ターミナル部71〜74は歪み検出用のブリッジ回路と接続
されるようになっている。
次に動作について説明する。いま導圧管部25と導圧管部
26の間に差圧が生じ、導圧管部25の方が導圧管部26より
も圧力が大きくなったとすると、半導体チップ4のダイ
ヤフラムは第2の圧力室22側に湾曲し、半導体チップ5
のダイヤフラムは第3の圧力室23側に湾曲する。
26の間に差圧が生じ、導圧管部25の方が導圧管部26より
も圧力が大きくなったとすると、半導体チップ4のダイ
ヤフラムは第2の圧力室22側に湾曲し、半導体チップ5
のダイヤフラムは第3の圧力室23側に湾曲する。
ここで、半導体チップ4のダイヤフラムが第2の圧力室
22側に湾曲したときと、半導体チップ5のダイヤフラム
が第3の圧力室23側に湾曲したときとで、ブリッジ回路
の信号出力は逆極性となり、圧力の検出が可能となる。
22側に湾曲したときと、半導体チップ5のダイヤフラム
が第3の圧力室23側に湾曲したときとで、ブリッジ回路
の信号出力は逆極性となり、圧力の検出が可能となる。
以上のように、この考案によれば、ダイヤフラムを有す
る二つの半導体チップを基板部に設け、この基板部とタ
ーミナル部と保持部とを一体成形部材として二つのケー
スに挾持するように構成したので、基板部とターミナル
部とが一体的に形成でき、生産性を向上できひいては安
価にできる効果がある。
る二つの半導体チップを基板部に設け、この基板部とタ
ーミナル部と保持部とを一体成形部材として二つのケー
スに挾持するように構成したので、基板部とターミナル
部とが一体的に形成でき、生産性を向上できひいては安
価にできる効果がある。
第1図はこの考案の一実施例による圧力センサの構造を
示す断面図、第2図は同上実施例の第1図の直角方向の
断面図、第3図は同上実施例におけるケースに組み込む
前のリードフレームとターミナル部と保持部との関係を
示す平面図である。 1……圧力センサ、2,3……ケース、4,5……半導体チッ
プ、7……リードフレーム、21……第1の圧力室、22…
…第2の圧力室、23……第3の圧力室、24……第4の圧
力室、25……導圧管部、70……基板部、71〜74……ター
ミナル部、75……保持部。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
示す断面図、第2図は同上実施例の第1図の直角方向の
断面図、第3図は同上実施例におけるケースに組み込む
前のリードフレームとターミナル部と保持部との関係を
示す平面図である。 1……圧力センサ、2,3……ケース、4,5……半導体チッ
プ、7……リードフレーム、21……第1の圧力室、22…
…第2の圧力室、23……第3の圧力室、24……第4の圧
力室、25……導圧管部、70……基板部、71〜74……ター
ミナル部、75……保持部。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−248829(JP,A) 特開 昭63−27724(JP,A) 特開 昭60−219529(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】第1,第2の二つのケースを接合して形成さ
れ第1の導圧管部に連通する第1および第4の圧力室
と、上記第1,第2の二つのケースに形成され第2の導圧
管部に連通する第2および第3の圧力室と、上記第1の
圧力室と上記第2の圧力室の隔壁および上記第3と第4
の圧力室の隔壁となるようにそれぞれ配設される第1,第
2のダイヤフラムをそれぞれ有する第1,第2の半導体チ
ップを設けた基板部と、ターミナルを有し上記基板部と
一体成形をなし上記基板部とともに上記第1および第2
のケースに挾持されたリードフレームとを備えた圧力セ
ンサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989065133U JPH0744993Y2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 圧力センサ |
| KR2019900007438U KR930007903Y1 (ko) | 1989-06-02 | 1990-05-30 | 압력 감지기 |
| US07/531,428 US4984466A (en) | 1989-06-02 | 1990-05-31 | Semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989065133U JPH0744993Y2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH034243U JPH034243U (ja) | 1991-01-17 |
| JPH0744993Y2 true JPH0744993Y2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=13278072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989065133U Expired - Fee Related JPH0744993Y2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 圧力センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4984466A (ja) |
| JP (1) | JPH0744993Y2 (ja) |
| KR (1) | KR930007903Y1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225373A (en) * | 1990-03-07 | 1993-07-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor pressure sensor device with two semiconductor pressure sensor chips |
| WO1996026424A1 (en) | 1995-02-24 | 1996-08-29 | Lucas Novasensor | Pressure sensor with transducer mounted on a metal base |
| US5969259A (en) * | 1995-04-07 | 1999-10-19 | Sensym, Inc. | Side port package for micromachined fluid sensor |
| US6601452B2 (en) * | 2000-06-05 | 2003-08-05 | Denso Corporation | Semiconductor pressure sensor having rounded corner portion of diaphragm |
| JP2009098062A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP5853171B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2016-02-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| KR101740014B1 (ko) * | 2015-06-15 | 2017-05-26 | 주식회사 아이티엠반도체 | 압력센서장치 및 그 제조방법 |
| CN106197824A (zh) * | 2016-08-26 | 2016-12-07 | 华景传感科技(无锡)有限公司 | 压力传感器及所适用的汽车 |
| EP3534131B1 (de) * | 2018-03-02 | 2021-06-02 | Grundfos Holding A/S | Drucksensor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4600912A (en) * | 1985-01-25 | 1986-07-15 | Bourns Instruments, Inc. | Diaphragm pressure sensor with improved tensile loading characteristics |
| US4790192A (en) * | 1987-09-24 | 1988-12-13 | Rosemount Inc. | Silicon side by side coplanar pressure sensors |
| KR920005348Y1 (ko) * | 1988-03-01 | 1992-08-03 | 미쓰비시전기주식회사 | 압력센서 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1989065133U patent/JPH0744993Y2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-05-30 KR KR2019900007438U patent/KR930007903Y1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-31 US US07/531,428 patent/US4984466A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910001185U (ko) | 1991-01-24 |
| KR930007903Y1 (ko) | 1993-11-24 |
| US4984466A (en) | 1991-01-15 |
| JPH034243U (ja) | 1991-01-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |