JPH0745128A - 透明導電膜およびその製造方法 - Google Patents
透明導電膜およびその製造方法Info
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- JPH0745128A JPH0745128A JP19046893A JP19046893A JPH0745128A JP H0745128 A JPH0745128 A JP H0745128A JP 19046893 A JP19046893 A JP 19046893A JP 19046893 A JP19046893 A JP 19046893A JP H0745128 A JPH0745128 A JP H0745128A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＴＯ膜よりも耐湿性に優れるとともに電子
移動度が高い透明導電膜を提供する。 【構成】 本発明の透明導電膜は、実質的に三重ルチル
構造化合物からなることを特徴とする膜、またはＳｎ，
Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，ＩｎおよびＧｅからなる群より選択
される少なくとも１種の元素がドープされた三重ルチル
構造化合物から実質的になり、前記元素のドープ量が前
記三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合量
に対して２０at％以下であることを特徴とする膜であ
る。
移動度が高い透明導電膜を提供する。 【構成】 本発明の透明導電膜は、実質的に三重ルチル
構造化合物からなることを特徴とする膜、またはＳｎ，
Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，ＩｎおよびＧｅからなる群より選択
される少なくとも１種の元素がドープされた三重ルチル
構造化合物から実質的になり、前記元素のドープ量が前
記三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合量
に対して２０at％以下であることを特徴とする膜であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜およびその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は軽量化、薄型化が可能で
あり、駆動電圧も低いことから、パソコンやワープロ等
のＯＡ機器への導入が活発である。そして、前述のよう
な利点を有している液晶表示装置は必然的に大面積化、
多画素化、高精細化の方向に向かっており、表示欠陥の
ない高品質の液晶表示素子が求められている。高品質の
液晶表示素子を得るうえでの重要な要素の一つに透明電
極があり、この透明電極としては、現在、ＩＴＯ膜が主
流を占めている。
あり、駆動電圧も低いことから、パソコンやワープロ等
のＯＡ機器への導入が活発である。そして、前述のよう
な利点を有している液晶表示装置は必然的に大面積化、
多画素化、高精細化の方向に向かっており、表示欠陥の
ない高品質の液晶表示素子が求められている。高品質の
液晶表示素子を得るうえでの重要な要素の一つに透明電
極があり、この透明電極としては、現在、ＩＴＯ膜が主
流を占めている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＴＯ
膜は耐湿性が比較的低く、湿気により透明性が低下し易
いという難点を有している。また、電界応答性の高い素
子あるいは装置を得るうえから、電子移動度の高い透明
導電膜の利用が望まれている。本発明は、ＩＴＯ膜より
も耐湿性に優れるとともに電子移動度が高い透明導電膜
およびその製造方法を提供することを目的とする。
膜は耐湿性が比較的低く、湿気により透明性が低下し易
いという難点を有している。また、電界応答性の高い素
子あるいは装置を得るうえから、電子移動度の高い透明
導電膜の利用が望まれている。本発明は、ＩＴＯ膜より
も耐湿性に優れるとともに電子移動度が高い透明導電膜
およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の透明導電膜は、実質的に三重ルチル構造化合物から
なることを特徴とするものである（以下、この透明導電
膜を透明導電膜Ｉという）。
明の透明導電膜は、実質的に三重ルチル構造化合物から
なることを特徴とするものである（以下、この透明導電
膜を透明導電膜Ｉという）。
【０００５】また、上記目的を達成する本発明の他の透
明導電膜は、Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，ＩｎおよびＧｅ
からなる群より選択される少なくとも１種の元素がドー
プされた三重ルチル構造化合物から実質的になり、前記
元素のドープ量が前記三重ルチル構造化合物を構成する
カチオン元素の合量に対して２０at％以下であることを
特徴とするものである（以下、この透明導電膜を透明導
電膜IIという）。
明導電膜は、Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，ＩｎおよびＧｅ
からなる群より選択される少なくとも１種の元素がドー
プされた三重ルチル構造化合物から実質的になり、前記
元素のドープ量が前記三重ルチル構造化合物を構成する
カチオン元素の合量に対して２０at％以下であることを
特徴とするものである（以下、この透明導電膜を透明導
電膜IIという）。
【０００６】一方、上記目的を達成する本発明の透明導
電膜の製造方法は、三重ルチル構造化合物の基本出発原
料の所定量が溶解したコーティング溶液を調製し、この
コーティング溶液を基板に塗布して焼成した後、還元処
理することを特徴とするものである（以下、この方法を
方法Ｉという）。
電膜の製造方法は、三重ルチル構造化合物の基本出発原
料の所定量が溶解したコーティング溶液を調製し、この
コーティング溶液を基板に塗布して焼成した後、還元処
理することを特徴とするものである（以下、この方法を
方法Ｉという）。
【０００７】そして、上記目的を達成する本発明の透明
導電膜の他の製造方法は、三重ルチル構造化合物の基本
出発原料の所定量と、Ｓｎ化合物，Ａｌ化合物，Ｓｂ化
合物，Ｇａ化合物，Ｉｎ化合物およびＧｅ化合物からな
る群より選択される少なくとも１種のドープ原料とを、
三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合量に
対するドープ元素の割合が２０at％以下となるように溶
解させたコーティング溶液を調製し、このコーティング
溶液を基板に塗布して焼成した後、還元処理することを
特徴とするものである（以下、この方法を方法IIとい
う）。
導電膜の他の製造方法は、三重ルチル構造化合物の基本
出発原料の所定量と、Ｓｎ化合物，Ａｌ化合物，Ｓｂ化
合物，Ｇａ化合物，Ｉｎ化合物およびＧｅ化合物からな
る群より選択される少なくとも１種のドープ原料とを、
三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合量に
対するドープ元素の割合が２０at％以下となるように溶
解させたコーティング溶液を調製し、このコーティング
溶液を基板に塗布して焼成した後、還元処理することを
特徴とするものである（以下、この方法を方法IIとい
う）。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。まず本発
明の透明導電膜Ｉについて説明すると、この透明導電膜
Ｉは、上述したように実質的に三重ルチル構造化合物か
らなるものである。ここで、「実質的に三重ルチル構造
化合物からなる」とは、純粋な三重ルチル構造化合物だ
けでなく、製造過程で不可避的に混入する不純物を含ん
だものでもよいことを意味する。また、三重ルチル構造
化合物を構成するカチオンの酸化物や非晶質成分を、例
えば５０wt％以下好ましくは２０wt％以下の割合で含ん
でいてもよい。カチオンの酸化物としては、ＺｎＯ、Ｓ
ｂ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5、Ｍｇ
Ｏ等が挙げられる。三重ルチル構造化合物の具体例とし
ては、ＺｎＳｂ2Ｏ6 、ＺｎＮｂ2 Ｏ6 、ＭｇＳｂ2 Ｏ
6 、ＭｇＮｂ2 Ｏ6 等が挙げられる。透明導電膜Ｉは１
種類の三重ルチル構造化合物からなっていてもよいし、
２種類以上の三重ルチル構造化合物からなっていてもよ
い。
明の透明導電膜Ｉについて説明すると、この透明導電膜
Ｉは、上述したように実質的に三重ルチル構造化合物か
らなるものである。ここで、「実質的に三重ルチル構造
化合物からなる」とは、純粋な三重ルチル構造化合物だ
けでなく、製造過程で不可避的に混入する不純物を含ん
だものでもよいことを意味する。また、三重ルチル構造
化合物を構成するカチオンの酸化物や非晶質成分を、例
えば５０wt％以下好ましくは２０wt％以下の割合で含ん
でいてもよい。カチオンの酸化物としては、ＺｎＯ、Ｓ
ｂ2 Ｏ3 、Ｓｂ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5、Ｍｇ
Ｏ等が挙げられる。三重ルチル構造化合物の具体例とし
ては、ＺｎＳｂ2Ｏ6 、ＺｎＮｂ2 Ｏ6 、ＭｇＳｂ2 Ｏ
6 、ＭｇＮｂ2 Ｏ6 等が挙げられる。透明導電膜Ｉは１
種類の三重ルチル構造化合物からなっていてもよいし、
２種類以上の三重ルチル構造化合物からなっていてもよ
い。
【０００９】このような三重ルチル構造化合物から実質
的になる透明導電膜Ｉは、実用上十分な導電性を有する
とともに優れた可視光透過性を有している。そして、湿
気による可視光透過率の低下はＩＴＯ膜よりも小さい。
また、電子移動度は概ね４０ｃｍ2 ／Ｖ・秒以上と高
い。この透明導電膜Ｉは、スパッタ法、ＣＶＤ法等の種
々の方法により製造することが可能であるが、組成を正
確かつ容易に制御できる点等から、後述する本発明の方
法Ｉにより製造することが好ましい。
的になる透明導電膜Ｉは、実用上十分な導電性を有する
とともに優れた可視光透過性を有している。そして、湿
気による可視光透過率の低下はＩＴＯ膜よりも小さい。
また、電子移動度は概ね４０ｃｍ2 ／Ｖ・秒以上と高
い。この透明導電膜Ｉは、スパッタ法、ＣＶＤ法等の種
々の方法により製造することが可能であるが、組成を正
確かつ容易に制御できる点等から、後述する本発明の方
法Ｉにより製造することが好ましい。
【００１０】次に本発明の透明導電膜IIについて説明す
ると、この透明導電膜IIは、上述したようにＳｎ，Ａ
ｌ，Ｓｂ，Ｇａ，ＩｎおよびＧｅからなる群より選択さ
れる少なくとも１種の元素がドープされた三重ルチル構
造化合物から実質的になり、前記元素のドープ量が前記
三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合量に
対して２０at％以下であることを特徴とするものであ
る。この透明導電膜IIも、前述した透明導電膜Ｉと同様
に１種類の三重ルチル構造化合物からなっていてもよい
し、２種類以上の三重ルチル構造化合物からなっていて
もよい。また、透明導電膜Ｉと同様に、三重ルチル構造
化合物を構成するカチオンの酸化物や非晶質成分を、例
えば５０wt％以下好ましくは２０wt％以下の割合で含ん
でいてもよい。
ると、この透明導電膜IIは、上述したようにＳｎ，Ａ
ｌ，Ｓｂ，Ｇａ，ＩｎおよびＧｅからなる群より選択さ
れる少なくとも１種の元素がドープされた三重ルチル構
造化合物から実質的になり、前記元素のドープ量が前記
三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合量に
対して２０at％以下であることを特徴とするものであ
る。この透明導電膜IIも、前述した透明導電膜Ｉと同様
に１種類の三重ルチル構造化合物からなっていてもよい
し、２種類以上の三重ルチル構造化合物からなっていて
もよい。また、透明導電膜Ｉと同様に、三重ルチル構造
化合物を構成するカチオンの酸化物や非晶質成分を、例
えば５０wt％以下好ましくは２０wt％以下の割合で含ん
でいてもよい。
【００１１】ここで、前記元素のドープ量を前述のよう
に２０at％以下に限定する理由は、２０at％を超えると
イオンの散乱が起こり、膜の導電性が低下し過ぎるから
である。前記元素のドープ量は１〜１０at％が好まし
く、２〜１０at％が特に好ましい。なおドープ元素は、
三重ルチル構造化合物の基本構成元素でないものとする
ことが好ましい。例えば、三重ルチル構造化合物がＺｎ
Ｓｂ2 Ｏ6 から主としてなる場合には、この三重ルチル
構造化合物の構成元素でないＳｎ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａお
よびＧｅからなる群より選択される少なくとも１種の元
素をドープさせることが好ましい。
に２０at％以下に限定する理由は、２０at％を超えると
イオンの散乱が起こり、膜の導電性が低下し過ぎるから
である。前記元素のドープ量は１〜１０at％が好まし
く、２〜１０at％が特に好ましい。なおドープ元素は、
三重ルチル構造化合物の基本構成元素でないものとする
ことが好ましい。例えば、三重ルチル構造化合物がＺｎ
Ｓｂ2 Ｏ6 から主としてなる場合には、この三重ルチル
構造化合物の構成元素でないＳｎ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａお
よびＧｅからなる群より選択される少なくとも１種の元
素をドープさせることが好ましい。
【００１２】上記化合物から実質的になる透明導電膜II
は、優れた可視光透過性を有しているとともに、概ね４
０ｃｍ2 ／Ｖ・秒以上の電子移動度を有している。そし
て、湿気による可視光透過率の低下はＩＴＯ膜よりも小
さい。また、その導電性は、前述した透明導電膜Ｉに正
三価以上の原子価を有する元素がドープされている化合
物から実質的になるため、透明導電膜Ｉと同等ないしそ
れ以上である。この透明導電膜IIも種々の方法により製
造することが可能であるが、前述した透明導電膜Ｉと同
様の理由から、後述する本発明の方法IIにより製造する
ことが好ましい。
は、優れた可視光透過性を有しているとともに、概ね４
０ｃｍ2 ／Ｖ・秒以上の電子移動度を有している。そし
て、湿気による可視光透過率の低下はＩＴＯ膜よりも小
さい。また、その導電性は、前述した透明導電膜Ｉに正
三価以上の原子価を有する元素がドープされている化合
物から実質的になるため、透明導電膜Ｉと同等ないしそ
れ以上である。この透明導電膜IIも種々の方法により製
造することが可能であるが、前述した透明導電膜Ｉと同
様の理由から、後述する本発明の方法IIにより製造する
ことが好ましい。
【００１３】次に、本発明の方法Ｉおよび方法IIについ
て説明する。まず本発明の方法Ｉについて説明すると、
この方法Ｉは前述したように三重ルチル構造化合物の基
本出発原料の所定量が溶解したコーティング溶液を調製
し、このコーティング溶液を基板に塗布して焼成した
後、還元処理することを特徴とするものである。方法Ｉ
で用いるコーティング溶液は、上述した三重ルチル構造
化合物の基本出発原料の他に、通常溶剤および溶液の安
定化剤を含む。
て説明する。まず本発明の方法Ｉについて説明すると、
この方法Ｉは前述したように三重ルチル構造化合物の基
本出発原料の所定量が溶解したコーティング溶液を調製
し、このコーティング溶液を基板に塗布して焼成した
後、還元処理することを特徴とするものである。方法Ｉ
で用いるコーティング溶液は、上述した三重ルチル構造
化合物の基本出発原料の他に、通常溶剤および溶液の安
定化剤を含む。
【００１４】ここで、三重ルチル構造化合物の基本出発
原料の種類は目的とする三重ルチル構造化合物に応じて
適宜選択される。三重ルチル構造化合物の具体例として
はＺｎＳｂ2 Ｏ6 、ＺｎＮｂ2 Ｏ6 、ＭｇＳｂ2 Ｏ6 、
ＭｇＮｂ2 Ｏ6 等が挙げられるが、例えば、目的とする
三重ルチル構造化合物がＺｎＳｂ2 Ｏ6 である場合に
は、基本出発原料として亜鉛化合物とアンチモン化合物
とをＺｎとＳｂの割合が所定の化学量論比（＝１：２）
となるように秤量して使用する。また、目的とする三重
ルチル構造化合物がＭｇＮｂ2 Ｏ6 である場合には、基
本出発原料としてマグネシウム化合物とニオブ化合物と
をＭｇとＮｂの割合が所定の化学量論比（＝１：２）と
なるように秤量して使用する。
原料の種類は目的とする三重ルチル構造化合物に応じて
適宜選択される。三重ルチル構造化合物の具体例として
はＺｎＳｂ2 Ｏ6 、ＺｎＮｂ2 Ｏ6 、ＭｇＳｂ2 Ｏ6 、
ＭｇＮｂ2 Ｏ6 等が挙げられるが、例えば、目的とする
三重ルチル構造化合物がＺｎＳｂ2 Ｏ6 である場合に
は、基本出発原料として亜鉛化合物とアンチモン化合物
とをＺｎとＳｂの割合が所定の化学量論比（＝１：２）
となるように秤量して使用する。また、目的とする三重
ルチル構造化合物がＭｇＮｂ2 Ｏ6 である場合には、基
本出発原料としてマグネシウム化合物とニオブ化合物と
をＭｇとＮｂの割合が所定の化学量論比（＝１：２）と
なるように秤量して使用する。
【００１５】前記基本出発原料として用いられる亜鉛
（Ｚｎ）化合物の具体例としては、酢酸亜鉛等の亜鉛の
カルボン酸塩や、塩化亜鉛、フッ化亜鉛、ヨウ化亜鉛等
の無機亜鉛化合物や、亜鉛メトキシド、亜鉛エトキシ
ド、亜鉛プロポキシド等の亜鉛アルコキシドが挙げられ
る。アンチモン（Ｓｂ）化合物の具体例としては塩化ア
ンチモン（３価）、塩化アンチモン（５価）、トリメト
キシアンチモン、トリエトキシアンチモン、トリプロポ
キシアンチモン、トリブトキシアンチモン等が挙げられ
る。マグネシウム（Ｍｇ）化合物の具体例としては塩化
マグネシウム、ジメトキシマグネシウム、ジエトキシマ
グネシウム、ジ−ｉ−プロポキシマグネシウム、ジ−ｎ
−プロポキシマグネシウム、ジ−ｉ−ブトキシマグネシ
ウム、ジ−ｎ−ブトキシマグネシウム等があげられる。
（Ｚｎ）化合物の具体例としては、酢酸亜鉛等の亜鉛の
カルボン酸塩や、塩化亜鉛、フッ化亜鉛、ヨウ化亜鉛等
の無機亜鉛化合物や、亜鉛メトキシド、亜鉛エトキシ
ド、亜鉛プロポキシド等の亜鉛アルコキシドが挙げられ
る。アンチモン（Ｓｂ）化合物の具体例としては塩化ア
ンチモン（３価）、塩化アンチモン（５価）、トリメト
キシアンチモン、トリエトキシアンチモン、トリプロポ
キシアンチモン、トリブトキシアンチモン等が挙げられ
る。マグネシウム（Ｍｇ）化合物の具体例としては塩化
マグネシウム、ジメトキシマグネシウム、ジエトキシマ
グネシウム、ジ−ｉ−プロポキシマグネシウム、ジ−ｎ
−プロポキシマグネシウム、ジ−ｉ−ブトキシマグネシ
ウム、ジ−ｎ−ブトキシマグネシウム等があげられる。
【００１６】そして、ニオブ（Ｎｂ）化合物の具体例と
しては五塩化ニオブ、ペンタメトキシニオブ、ペンタエ
トキシニオブ、ペンタ−ｉ−プロポキシニオブ、ペンタ
−ｎ−プロポキシニオブ、ペンタ−ｉ−ブトキシニオ
ブ、ペンタ−ｎ−ブトキシニオブ、ペンタ−ｓｅｃ−ブ
トキシニオブ等が挙げられる。
しては五塩化ニオブ、ペンタメトキシニオブ、ペンタエ
トキシニオブ、ペンタ−ｉ−プロポキシニオブ、ペンタ
−ｎ−プロポキシニオブ、ペンタ−ｉ−ブトキシニオ
ブ、ペンタ−ｎ−ブトキシニオブ、ペンタ−ｓｅｃ−ブ
トキシニオブ等が挙げられる。
【００１７】前述のコーティング溶液を調製するための
溶剤としてはメタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタ
ノール等のアルコール類や、トルエン、ベンゼン等の炭
化水素等を用いることができる。また、溶液の安定化剤
としてはモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、
トリエタノールアミン等のアルカノールアミン等を用い
ることができる。
溶剤としてはメタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタ
ノール等のアルコール類や、トルエン、ベンゼン等の炭
化水素等を用いることができる。また、溶液の安定化剤
としてはモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、
トリエタノールアミン等のアルカノールアミン等を用い
ることができる。
【００１８】方法Ｉで用いるコーティング溶液の調製
は、三重ルチル構造化合物の基本出発原料の所定量と、
溶剤および安定化剤の所定量とを混合することにより行
うことができる。このときの混合順序は特に限定される
ものではない。混合はスターラー等の常法による攪拌混
合でよく、このとき加熱してもよい。攪拌時間は０．０
１〜１００時間が好ましい。０．０１時間未満では均一
な透明溶液を得ることが困難である。一方、１００時間
を超えると経済性に乏しくなる。特に好ましい攪拌時間
は０．１〜１００時間である。また攪拌時に加熱する場
合、加熱温度は１００℃以下にすることが好ましい。１
００℃を超えると溶媒が蒸発し、溶液濃度が変化する。
は、三重ルチル構造化合物の基本出発原料の所定量と、
溶剤および安定化剤の所定量とを混合することにより行
うことができる。このときの混合順序は特に限定される
ものではない。混合はスターラー等の常法による攪拌混
合でよく、このとき加熱してもよい。攪拌時間は０．０
１〜１００時間が好ましい。０．０１時間未満では均一
な透明溶液を得ることが困難である。一方、１００時間
を超えると経済性に乏しくなる。特に好ましい攪拌時間
は０．１〜１００時間である。また攪拌時に加熱する場
合、加熱温度は１００℃以下にすることが好ましい。１
００℃を超えると溶媒が蒸発し、溶液濃度が変化する。
【００１９】コーティング溶液における、三重ルチル構
造化合物の基本出発原料の濃度は、０．０１〜１０ mol
％とすることが好ましい。０．０１ mol％未満ではコー
ティング１回あたりの膜厚が薄く、所望の膜厚を得るた
めには多数回のコーティングが必要になるため、経済性
に乏しくなる。一方、１０ mol％を超えるとコーティン
グ時に膜厚にむらが生じる。特に好ましい濃度は０．１
〜１０ mol％である。
造化合物の基本出発原料の濃度は、０．０１〜１０ mol
％とすることが好ましい。０．０１ mol％未満ではコー
ティング１回あたりの膜厚が薄く、所望の膜厚を得るた
めには多数回のコーティングが必要になるため、経済性
に乏しくなる。一方、１０ mol％を超えるとコーティン
グ時に膜厚にむらが生じる。特に好ましい濃度は０．１
〜１０ mol％である。
【００２０】コーティング溶液における安定化剤の濃度
は、０．０１〜１０ mol％とすることが好ましい。０．
０１ mol％未満では前記基本出発原料の溶剤への溶解が
困難になる。一方、１０ mol％を超えると、焼成時に安
定化剤が分解することにより生じる炭素が焼成後も膜中
に残存するようになり、膜の導電性を低下させる。安定
化剤の特に好ましい濃度は、０．１〜１０ mol％であ
る。
は、０．０１〜１０ mol％とすることが好ましい。０．
０１ mol％未満では前記基本出発原料の溶剤への溶解が
困難になる。一方、１０ mol％を超えると、焼成時に安
定化剤が分解することにより生じる炭素が焼成後も膜中
に残存するようになり、膜の導電性を低下させる。安定
化剤の特に好ましい濃度は、０．１〜１０ mol％であ
る。
【００２１】方法Ｉでは、上述のようにして調製したコ
ーティング溶液を基板に塗布した後に焼成する。基板と
しては用途に応じて種々のものを用いることができる
が、例えば透明基板としてはアルカリガラス、無アルカ
リガラス、石英ガラス、透明ポリマー等が挙げられる。
なお、基板はアンダーコート層を有していてもよい。ア
ンダーコート層の具体例としてはＺｎＯ、ＳｉＯ2 、Ｔ
ｉＯ2 等の薄膜が挙げられる。また、塗布方法は特に限
定されるものではなく、溶液から薄膜を製造する際に従
来より適用されている種々の方法を用いることができ
る。具体例としてはスプレー法、ディッピング法、スピ
ンコート法等が挙げられる。
ーティング溶液を基板に塗布した後に焼成する。基板と
しては用途に応じて種々のものを用いることができる
が、例えば透明基板としてはアルカリガラス、無アルカ
リガラス、石英ガラス、透明ポリマー等が挙げられる。
なお、基板はアンダーコート層を有していてもよい。ア
ンダーコート層の具体例としてはＺｎＯ、ＳｉＯ2 、Ｔ
ｉＯ2 等の薄膜が挙げられる。また、塗布方法は特に限
定されるものではなく、溶液から薄膜を製造する際に従
来より適用されている種々の方法を用いることができ
る。具体例としてはスプレー法、ディッピング法、スピ
ンコート法等が挙げられる。
【００２２】焼成方法としては常圧焼成、真空焼成、加
圧焼成等の方法を適用することができる。焼成温度は５
００〜１０００℃が好ましい。５００℃未満では目的と
する三重ルチル構造化合物の生成が困難である。一方、
１０００℃を超えると膜組成が変化し易くなる。特に好
ましい焼成温度は６００〜９００℃である。焼成時間
は、焼成温度にもよるが、０．０１〜１０時間が好まし
い。０．０１時間未満では、溶剤あるいは安定化剤の分
解により生じた炭素が焼成後も膜中に残存し、膜の導電
性を低下させる。一方、１０時間を超えると経済性に乏
しくなる。特に好ましい焼成時間は０．１〜１０時間で
ある。
圧焼成等の方法を適用することができる。焼成温度は５
００〜１０００℃が好ましい。５００℃未満では目的と
する三重ルチル構造化合物の生成が困難である。一方、
１０００℃を超えると膜組成が変化し易くなる。特に好
ましい焼成温度は６００〜９００℃である。焼成時間
は、焼成温度にもよるが、０．０１〜１０時間が好まし
い。０．０１時間未満では、溶剤あるいは安定化剤の分
解により生じた炭素が焼成後も膜中に残存し、膜の導電
性を低下させる。一方、１０時間を超えると経済性に乏
しくなる。特に好ましい焼成時間は０．１〜１０時間で
ある。
【００２３】なお、塗布した後に焼成するという操作を
１回行っただけでは所望の膜厚が得られない場合には、
塗布した後に仮焼するという操作を必要回数行った後に
本焼成することが好ましい。仮焼する場合の温度は、３
００〜１０００℃が好ましい。３００℃未満では溶剤あ
るいは安定化剤の分解により生じた炭素が仮焼後も膜中
に残存し、膜の導電性を低下させる。一方、１０００℃
を超えると膜組成が変化して目的とする三重ルチル構造
化合物が得られない。特に好ましい仮焼温度は３００〜
６００℃である。
１回行っただけでは所望の膜厚が得られない場合には、
塗布した後に仮焼するという操作を必要回数行った後に
本焼成することが好ましい。仮焼する場合の温度は、３
００〜１０００℃が好ましい。３００℃未満では溶剤あ
るいは安定化剤の分解により生じた炭素が仮焼後も膜中
に残存し、膜の導電性を低下させる。一方、１０００℃
を超えると膜組成が変化して目的とする三重ルチル構造
化合物が得られない。特に好ましい仮焼温度は３００〜
６００℃である。
【００２４】仮焼時間は、仮焼温度によっても異なるが
０．０１〜１時間が好ましい。０．０１時間未満では、
溶剤あるいは安定化剤が飛びきらず残ってしまうため、
何回塗布、仮焼を繰り返しても、前にコーティングした
膜が、次のコーティング時に溶けてしまい膜が厚くなら
ない。一方、１時間を超えると経済性に乏しくなる。
０．０１〜１時間が好ましい。０．０１時間未満では、
溶剤あるいは安定化剤が飛びきらず残ってしまうため、
何回塗布、仮焼を繰り返しても、前にコーティングした
膜が、次のコーティング時に溶けてしまい膜が厚くなら
ない。一方、１時間を超えると経済性に乏しくなる。
【００２５】方法Ｉでは、上述のようにして焼成した後
に還元処理を行う。還元方法としては還元性ガスによる
還元、不活性ガスによる還元、真空焼成による還元等を
適用することができる。還元性ガスとしては水素ガス、
水蒸気等を用いることができる。また、不活性ガスとし
ては窒素ガスやアルゴンガス、あるいはこれらのガスと
酸素との混合ガス等を用いることができる。
に還元処理を行う。還元方法としては還元性ガスによる
還元、不活性ガスによる還元、真空焼成による還元等を
適用することができる。還元性ガスとしては水素ガス、
水蒸気等を用いることができる。また、不活性ガスとし
ては窒素ガスやアルゴンガス、あるいはこれらのガスと
酸素との混合ガス等を用いることができる。
【００２６】還元温度は１００〜６００℃が好ましい。
１００℃未満では十分な還元を行うことが困難である。
一方、６００℃を超えると膜組成が変化し易くなる。特
に好ましい還元温度は２００〜５００℃である。還元時
間は、還元温度にもよるが、０．０１〜１０時間が好ま
しい。０．０１時間未満では十分な還元を行うことが困
難である。一方、１０時間を超えると経済性に乏しくな
る。特に好ましい還元時間は０．１〜１０時間である。
１００℃未満では十分な還元を行うことが困難である。
一方、６００℃を超えると膜組成が変化し易くなる。特
に好ましい還元温度は２００〜５００℃である。還元時
間は、還元温度にもよるが、０．０１〜１０時間が好ま
しい。０．０１時間未満では十分な還元を行うことが困
難である。一方、１０時間を超えると経済性に乏しくな
る。特に好ましい還元時間は０．１〜１０時間である。
【００２７】上述の方法Ｉによって製造することができ
る本発明の透明導電膜Ｉは、実用上十分な導電性を有し
ているとともに優れた可視光透過性を有している。そし
て、湿気による可視光透過率の低下はＩＴＯ膜よりも小
さい。また、電子移動度は概ね４０ｃｍ2 ／Ｖ・秒以上
と高い。この透明導電膜Ｉは、液晶表示素子用電極や太
陽電池用電極等、種々の用途の電極として使用すること
ができる。
る本発明の透明導電膜Ｉは、実用上十分な導電性を有し
ているとともに優れた可視光透過性を有している。そし
て、湿気による可視光透過率の低下はＩＴＯ膜よりも小
さい。また、電子移動度は概ね４０ｃｍ2 ／Ｖ・秒以上
と高い。この透明導電膜Ｉは、液晶表示素子用電極や太
陽電池用電極等、種々の用途の電極として使用すること
ができる。
【００２８】次に、本発明の方法IIについて説明する。
方法IIは、前述したように、三重ルチル構造化合物の基
本出発原料の所定量と、Ｓｎ化合物，Ａｌ化合物，Ｓｂ
化合物，Ｇａ化合物，Ｉｎ化合物およびＧｅ化合物から
なる群より選択される少なくとも１種のドープ原料と
を、三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合
量に対するドープ元素の割合が２０at％以下となるよう
に溶解させたコーティング溶液を調製し、このコーティ
ング溶液を基板に塗布して焼成した後、還元処理するこ
とを特徴とするものである。
方法IIは、前述したように、三重ルチル構造化合物の基
本出発原料の所定量と、Ｓｎ化合物，Ａｌ化合物，Ｓｂ
化合物，Ｇａ化合物，Ｉｎ化合物およびＧｅ化合物から
なる群より選択される少なくとも１種のドープ原料と
を、三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素の合
量に対するドープ元素の割合が２０at％以下となるよう
に溶解させたコーティング溶液を調製し、このコーティ
ング溶液を基板に塗布して焼成した後、還元処理するこ
とを特徴とするものである。
【００２９】ここで、ドープ元素（Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｂ，
Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ）の割合を上述のように２０at％以下
に限定する理由は、２０at％を超えると得られる膜の導
電性がイオンの散乱により低下し過ぎるからである。ド
ープ元素の割合を２０at％以下とすることにより、透明
導電膜Ｉと同等ないしそれ以上の導電性を有する透明導
電膜を得ることができる。ドープ元素の割合は１〜１０
at％が好ましく、２〜１０at％が特に好ましい。
Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ）の割合を上述のように２０at％以下
に限定する理由は、２０at％を超えると得られる膜の導
電性がイオンの散乱により低下し過ぎるからである。ド
ープ元素の割合を２０at％以下とすることにより、透明
導電膜Ｉと同等ないしそれ以上の導電性を有する透明導
電膜を得ることができる。ドープ元素の割合は１〜１０
at％が好ましく、２〜１０at％が特に好ましい。
【００３０】この方法IIは、三重ルチル構造化合物の基
本出発原料の他に、Ｓｎ化合物，Ａｌ化合物，Ｓｂ化合
物，Ｇａ化合物，Ｉｎ化合物およびＧｅ化合物からなる
群より選択される少なくとも１種のドープ原料を所定量
溶解させてコーティング溶液を調製する点で前述した方
法Ｉと異なる。他の点、すなわち、三重ルチル構造化合
物の基本出発原料の種類やコーティング溶液の調製方
法、基板の種類、焼成方法、および還元方法については
方法Ｉと同じである。なおドープ元素は、透明導電膜II
の説明の中で述べたように、三重ルチル構造化合物の基
本構成元素でないものとすることが好ましい。また、三
重ルチル構造化合物の基本出発原料と前記ドープ原料と
の合量のコーティング溶液における濃度は、方法Ｉと同
様の理由から０．０１〜１０ mol％が好ましく、特に
０．１〜１０ mol％が好ましい。
本出発原料の他に、Ｓｎ化合物，Ａｌ化合物，Ｓｂ化合
物，Ｇａ化合物，Ｉｎ化合物およびＧｅ化合物からなる
群より選択される少なくとも１種のドープ原料を所定量
溶解させてコーティング溶液を調製する点で前述した方
法Ｉと異なる。他の点、すなわち、三重ルチル構造化合
物の基本出発原料の種類やコーティング溶液の調製方
法、基板の種類、焼成方法、および還元方法については
方法Ｉと同じである。なおドープ元素は、透明導電膜II
の説明の中で述べたように、三重ルチル構造化合物の基
本構成元素でないものとすることが好ましい。また、三
重ルチル構造化合物の基本出発原料と前記ドープ原料と
の合量のコーティング溶液における濃度は、方法Ｉと同
様の理由から０．０１〜１０ mol％が好ましく、特に
０．１〜１０ mol％が好ましい。
【００３１】方法IIで三重ルチル構造化合物の基本出発
原料とともに用いられるドープ原料のＳｎ化合物の具体
例としては酢酸錫（２価）、ジメトキシ錫、ジエトキシ
錫、ジプロポキシ錫、ジブトキシ錫、テトラメトキシ
錫、テトラエトキシ錫、テトラプロポキシ錫、テトラブ
トキシ錫、塩化錫（２価）、塩化錫（４価）等が挙げら
れる。また、Ａｌ化合物の具体例としては塩化アルミニ
ウム、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミ
ニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリブトキシア
ルミニウム等が挙げられる。
原料とともに用いられるドープ原料のＳｎ化合物の具体
例としては酢酸錫（２価）、ジメトキシ錫、ジエトキシ
錫、ジプロポキシ錫、ジブトキシ錫、テトラメトキシ
錫、テトラエトキシ錫、テトラプロポキシ錫、テトラブ
トキシ錫、塩化錫（２価）、塩化錫（４価）等が挙げら
れる。また、Ａｌ化合物の具体例としては塩化アルミニ
ウム、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミ
ニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリブトキシア
ルミニウム等が挙げられる。
【００３２】Ｓｂ化合物の具体例としては、方法Ｉの説
明の中で三重ルチル構造化合物の基本出発原料として例
示したものと同じものが挙げられる。Ｉｎ化合物の具体
例としては酢酸インジウム、塩化インジウム、インジウ
ムエトキシド、インジウムプロポキシド等が挙げられ
る。
明の中で三重ルチル構造化合物の基本出発原料として例
示したものと同じものが挙げられる。Ｉｎ化合物の具体
例としては酢酸インジウム、塩化インジウム、インジウ
ムエトキシド、インジウムプロポキシド等が挙げられ
る。
【００３３】Ｇａ化合物の具体例としては塩化ガリウム
（３価）、トリメトキシガリウム、トリエトキシガリウ
ム、トリプロポキシガリウム、トリブトキシガリウム等
が挙げられる。そして、Ｇｅ化合物の具体例としては塩
化ゲルマニウム（４価）、テトラメトキシゲルマニウ
ム、テトラエトキシゲルマニウム、テトラプロポキシゲ
ルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム等が挙げられ
る。
（３価）、トリメトキシガリウム、トリエトキシガリウ
ム、トリプロポキシガリウム、トリブトキシガリウム等
が挙げられる。そして、Ｇｅ化合物の具体例としては塩
化ゲルマニウム（４価）、テトラメトキシゲルマニウ
ム、テトラエトキシゲルマニウム、テトラプロポキシゲ
ルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム等が挙げられ
る。
【００３４】上述の方法IIにより製造することができる
本発明の透明導電膜IIは、優れた可視光透過性を有して
いるとともに、概ね４０ｃｍ2 ／Ｖ・秒以上の電子移動
度を有している。そして、湿気による可視光透過率の低
下はＩＴＯ膜よりも小さい。また、その導電性は、前述
した透明導電膜Ｉに正三価以上の原子価を有する元素が
ドープされている化合物から実質的になるため、透明導
電膜Ｉと同等ないしそれ以上である。この透明導電膜II
も、液晶表示素子用電極や太陽電池用電極等、種々の用
途の電極として使用することができる。
本発明の透明導電膜IIは、優れた可視光透過性を有して
いるとともに、概ね４０ｃｍ2 ／Ｖ・秒以上の電子移動
度を有している。そして、湿気による可視光透過率の低
下はＩＴＯ膜よりも小さい。また、その導電性は、前述
した透明導電膜Ｉに正三価以上の原子価を有する元素が
ドープされている化合物から実質的になるため、透明導
電膜Ｉと同等ないしそれ以上である。この透明導電膜II
も、液晶表示素子用電極や太陽電池用電極等、種々の用
途の電極として使用することができる。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。実施例１ （方法Ｉによる透明導電膜Ｉの製造例） 三重ルチル構造化合物の基本出発原料として無水酢酸亜
鉛とトリエトキシアンチモン（Ｓｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）
を、溶剤として２−メトキシメタノールを、安定化剤と
してモノエタノールアミンを、基板として石英ガラス板
をそれぞれ用いて、方法Ｉに基づいて以下のようにして
透明導電膜Ｉを製造した。まず、２−メトキシメタノー
ル２４．９ｇにモノエタノールアミン０．９ｇとトリエ
トキシアンチモン３．３ｇを添加し、１０分間攪拌混合
して、透明溶液を得た。この透明溶液を攪拌しながら、
当該透明溶液に無水酢酸亜鉛０．９ｇを添加し、１０分
間攪拌混合して、透明で均一なコーティング溶液を調製
した。このコーティング溶液におけるＺｎとＳｂのモル
比はＺｎ：Ｓｂ＝１：２であり、ＺｎとＳｂの合量の濃
度は０．５ mol／リットル（４ mol％）であった。
鉛とトリエトキシアンチモン（Ｓｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）
を、溶剤として２−メトキシメタノールを、安定化剤と
してモノエタノールアミンを、基板として石英ガラス板
をそれぞれ用いて、方法Ｉに基づいて以下のようにして
透明導電膜Ｉを製造した。まず、２−メトキシメタノー
ル２４．９ｇにモノエタノールアミン０．９ｇとトリエ
トキシアンチモン３．３ｇを添加し、１０分間攪拌混合
して、透明溶液を得た。この透明溶液を攪拌しながら、
当該透明溶液に無水酢酸亜鉛０．９ｇを添加し、１０分
間攪拌混合して、透明で均一なコーティング溶液を調製
した。このコーティング溶液におけるＺｎとＳｂのモル
比はＺｎ：Ｓｂ＝１：２であり、ＺｎとＳｂの合量の濃
度は０．５ mol／リットル（４ mol％）であった。
【００３６】次に、得られたコーティング溶液に石英ガ
ラス板（７０×２０×１．５ｍｍ）を浸漬してディップ
コーティング（コーティング速度：１．２ｃｍ／分）し
た後、電気炉を用いて５００℃で１０分間仮焼した。デ
ィップコーティングした後に仮焼するという前述の操作
を計１０回繰り返した後、更に、８００℃で１時間かけ
て本焼成した。この後、４００℃で２時間真空（１×１
０-2torr）還元して、目的とする透明導電膜Ｉを得た。
ラス板（７０×２０×１．５ｍｍ）を浸漬してディップ
コーティング（コーティング速度：１．２ｃｍ／分）し
た後、電気炉を用いて５００℃で１０分間仮焼した。デ
ィップコーティングした後に仮焼するという前述の操作
を計１０回繰り返した後、更に、８００℃で１時間かけ
て本焼成した。この後、４００℃で２時間真空（１×１
０-2torr）還元して、目的とする透明導電膜Ｉを得た。
【００３７】このようにして得られた透明導電膜ＩのＸ
ＲＤ（Ｘ線回折，使用機器：ロータフレックス ＲＵ−
２００Ｂ（リガク社製））を測定したところ、実質的に
三重ルチル構造化合物（ＺｎＳｂ2 Ｏ6 ）からなること
が確認された。また、得られた透明導電膜Ｉの断面の電
子顕微鏡写真からその膜厚を測定したところ、膜厚は２
００ｎｍであった。この透明導電膜Ｉの電子移動度を四
端子法により測定した。この結果を表１に示す。また、
この透明導電膜Ｉについて４０℃、９０％ＲＨ、試験時
間１０００時間の条件の耐湿性試験を行い、試験前後の
可視光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。この
結果も表１に示す。
ＲＤ（Ｘ線回折，使用機器：ロータフレックス ＲＵ−
２００Ｂ（リガク社製））を測定したところ、実質的に
三重ルチル構造化合物（ＺｎＳｂ2 Ｏ6 ）からなること
が確認された。また、得られた透明導電膜Ｉの断面の電
子顕微鏡写真からその膜厚を測定したところ、膜厚は２
００ｎｍであった。この透明導電膜Ｉの電子移動度を四
端子法により測定した。この結果を表１に示す。また、
この透明導電膜Ｉについて４０℃、９０％ＲＨ、試験時
間１０００時間の条件の耐湿性試験を行い、試験前後の
可視光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。この
結果も表１に示す。
【００３８】実施例２（方法Ｉによる透明導電膜Ｉの製
造例） 三重ルチル構造化合物の基本出発原料として無水酢酸亜
鉛とペンタエトキシニオブを用意し、まず、２−メトキ
シエタノール２４ｇにモノエタノールアミン１．１ｇと
ペンタエトキシニオブ３．８ｇを添加し、１０分間攪拌
混合して、透明溶液を得た。次に、この透明溶液を攪拌
しながら、当該透明溶液に無水酢酸亜鉛１．１ｇを添加
し、１０分間攪拌混合して、透明で均一なコーティング
溶液を調製した。このコーティング溶液におけるＺｎと
Ｎｂのモル比はＺｎ：Ｎｂ＝１：２であり、ＺｎとＮｂ
の合量の濃度は０．５ mol／リットル（４ mol％）であ
った。この後、本焼成温度を９００℃とした以外は実施
例１と同様にして、目的とする透明導電膜Ｉ（膜厚２０
０ｎｍ）を得た。
造例） 三重ルチル構造化合物の基本出発原料として無水酢酸亜
鉛とペンタエトキシニオブを用意し、まず、２−メトキ
シエタノール２４ｇにモノエタノールアミン１．１ｇと
ペンタエトキシニオブ３．８ｇを添加し、１０分間攪拌
混合して、透明溶液を得た。次に、この透明溶液を攪拌
しながら、当該透明溶液に無水酢酸亜鉛１．１ｇを添加
し、１０分間攪拌混合して、透明で均一なコーティング
溶液を調製した。このコーティング溶液におけるＺｎと
Ｎｂのモル比はＺｎ：Ｎｂ＝１：２であり、ＺｎとＮｂ
の合量の濃度は０．５ mol／リットル（４ mol％）であ
った。この後、本焼成温度を９００℃とした以外は実施
例１と同様にして、目的とする透明導電膜Ｉ（膜厚２０
０ｎｍ）を得た。
【００３９】このようにして得られた透明導電膜ＩのＸ
ＲＤを実施例１と同様にして測定したところ、実質的に
三重ルチル構造化合物（ＺｎＮｂ2 Ｏ6 ）からなること
が確認された。また、この透明導電膜Ｉの電子移動度を
実施例１と同様にして測定するとともに、実施例１と同
様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視光透過率
（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの結果を表
１に示す。
ＲＤを実施例１と同様にして測定したところ、実質的に
三重ルチル構造化合物（ＺｎＮｂ2 Ｏ6 ）からなること
が確認された。また、この透明導電膜Ｉの電子移動度を
実施例１と同様にして測定するとともに、実施例１と同
様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視光透過率
（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの結果を表
１に示す。
【００４０】実施例３（方法Ｉによる透明導電膜Ｉの製
造例） 三重ルチル構造化合物の基本出発原料としてジエトキシ
マグネシウムとトリエトキシアンチモンを用意し、ま
ず、２−メトキシエタノール２５．５ｇにモノエタノー
ルアミン１．０ｇとトリエトキシアンチモン２．９ｇを
添加し、１０分間攪拌混合して、透明溶液を得た。次
に、この透明溶液を攪拌しながら、当該透明溶液にジエ
トキシマグネシウム０．５ｇを添加し、１０分間攪拌混
合して、透明で均一なコーティング溶液を調製した。こ
のコーティング溶液におけるＭｇとＳｂのモル比はＭ
ｇ：Ｓｂ＝１：２であり、ＭｇとＳｂの合量の濃度は
０．５ mol／リットル（４ mol％）であった。この後、
本焼成温度を９００℃とした以外は実施例１と同様にし
て、目的とする透明導電膜Ｉ（膜厚２００ｎｍ）を得
た。
造例） 三重ルチル構造化合物の基本出発原料としてジエトキシ
マグネシウムとトリエトキシアンチモンを用意し、ま
ず、２−メトキシエタノール２５．５ｇにモノエタノー
ルアミン１．０ｇとトリエトキシアンチモン２．９ｇを
添加し、１０分間攪拌混合して、透明溶液を得た。次
に、この透明溶液を攪拌しながら、当該透明溶液にジエ
トキシマグネシウム０．５ｇを添加し、１０分間攪拌混
合して、透明で均一なコーティング溶液を調製した。こ
のコーティング溶液におけるＭｇとＳｂのモル比はＭ
ｇ：Ｓｂ＝１：２であり、ＭｇとＳｂの合量の濃度は
０．５ mol／リットル（４ mol％）であった。この後、
本焼成温度を９００℃とした以外は実施例１と同様にし
て、目的とする透明導電膜Ｉ（膜厚２００ｎｍ）を得
た。
【００４１】このようにして得られた透明導電膜ＩのＸ
ＲＤを実施例１と同様にして測定したところ、実質的に
三重ルチル構造化合物（ＭｇＳｂ2 Ｏ6 ）からなること
が確認された。また、この透明導電膜Ｉの電子移動度を
実施例１と同様にして測定するとともに、実施例１と同
様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視光透過率
（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの結果を表
１に示す。
ＲＤを実施例１と同様にして測定したところ、実質的に
三重ルチル構造化合物（ＭｇＳｂ2 Ｏ6 ）からなること
が確認された。また、この透明導電膜Ｉの電子移動度を
実施例１と同様にして測定するとともに、実施例１と同
様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視光透過率
（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの結果を表
１に示す。
【００４２】実施例４（方法Ｉによる透明導電膜Ｉの製
造例） 三重ルチル構造化合物の基本出発原料としてジエトキシ
マグネシウムとペンタエトキシニオブを用意し、まず、
２−メトキシエタノール２３．３ｇにモノエタノールア
ミン１．３ｇとペンタエトキシニオブ４．５ｇを添加
し、１０分間攪拌混合して、透明溶液を得た。次に、こ
の透明溶液を攪拌しながら、当該透明溶液にジエトキシ
マグネシウム０．８ｇを添加し、１０分間攪拌混合し
て、透明で均一なコーティング溶液を調製した。このコ
ーティング溶液におけるＭｇとＮｂのモル比はＭｇ：Ｎ
ｂ＝１：２であり、ＭｇとＮｂの合量の濃度は０．５ m
ol／リットル（４ mol％）であった。この後、本焼成温
度を９００℃とした以外は実施例１と同様にして、目的
とする透明導電膜Ｉ（膜厚２００ｎｍ）を得た。
造例） 三重ルチル構造化合物の基本出発原料としてジエトキシ
マグネシウムとペンタエトキシニオブを用意し、まず、
２−メトキシエタノール２３．３ｇにモノエタノールア
ミン１．３ｇとペンタエトキシニオブ４．５ｇを添加
し、１０分間攪拌混合して、透明溶液を得た。次に、こ
の透明溶液を攪拌しながら、当該透明溶液にジエトキシ
マグネシウム０．８ｇを添加し、１０分間攪拌混合し
て、透明で均一なコーティング溶液を調製した。このコ
ーティング溶液におけるＭｇとＮｂのモル比はＭｇ：Ｎ
ｂ＝１：２であり、ＭｇとＮｂの合量の濃度は０．５ m
ol／リットル（４ mol％）であった。この後、本焼成温
度を９００℃とした以外は実施例１と同様にして、目的
とする透明導電膜Ｉ（膜厚２００ｎｍ）を得た。
【００４３】このようにして得られた透明導電膜ＩのＸ
ＲＤを実施例１と同様にして測定したところ、実質的に
三重ルチル構造化合物（ＭｇＮｂ2 Ｏ6 ）からなること
が確認された。また、この透明導電膜Ｉの電子移動度を
実施例１と同様にして測定するとともに、実施例１と同
様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視光透過率
（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの結果を表
１に示す。
ＲＤを実施例１と同様にして測定したところ、実質的に
三重ルチル構造化合物（ＭｇＮｂ2 Ｏ6 ）からなること
が確認された。また、この透明導電膜Ｉの電子移動度を
実施例１と同様にして測定するとともに、実施例１と同
様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視光透過率
（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの結果を表
１に示す。
【００４４】比較例１（ＩＴＯ薄膜の製造例） まず、２−メトキシメタノール２２．２ｇにモノエタノ
ールアミン４．０ｇと酢酸インジウム３．８ｇを添加
し、１０分間攪拌混合して、透明溶液を調製した。次
に、この透明溶液を攪拌しながら、当該透明溶液にＳｎ
（ＯＣ4 Ｈ9 ）2 を０．１ｇを添加し、１０分間攪拌混
合して、透明で均一なコーティング溶液を調製した。こ
のコーティング溶液におけるＩｎとＳｎのモル比はＩ
ｎ：Ｓｎ＝９５：５であり、ＩｎとＳｎの合量の濃度は
０．５ mol／リットル（４ mol％）であった。この後、
本焼成温度を５００℃とした以外は実施例１と同様にし
て、ＩＴＯ薄膜（膜厚２００ｎｍ）を得た。このように
して得られたＩＴＯ薄膜の電子移動度を実施例１と同様
にして測定するとともに、実施例１と同様にして耐湿性
試験を行って試験前後の可視光透過率（試験波長３８０
ｎｍ）を比較した。これらの結果を表１に示す。
ールアミン４．０ｇと酢酸インジウム３．８ｇを添加
し、１０分間攪拌混合して、透明溶液を調製した。次
に、この透明溶液を攪拌しながら、当該透明溶液にＳｎ
（ＯＣ4 Ｈ9 ）2 を０．１ｇを添加し、１０分間攪拌混
合して、透明で均一なコーティング溶液を調製した。こ
のコーティング溶液におけるＩｎとＳｎのモル比はＩ
ｎ：Ｓｎ＝９５：５であり、ＩｎとＳｎの合量の濃度は
０．５ mol／リットル（４ mol％）であった。この後、
本焼成温度を５００℃とした以外は実施例１と同様にし
て、ＩＴＯ薄膜（膜厚２００ｎｍ）を得た。このように
して得られたＩＴＯ薄膜の電子移動度を実施例１と同様
にして測定するとともに、実施例１と同様にして耐湿性
試験を行って試験前後の可視光透過率（試験波長３８０
ｎｍ）を比較した。これらの結果を表１に示す。
【００４５】
【表１】
【００４６】表１から明らかなように、実施例１〜実施
例４で得られた各透明導電膜Ｉはいずれも８０ｃｍ2 ／
Ｖ・秒以上という高い電子移動度を有している。また、
これらの透明導電膜Ｉの可視光透過率は耐湿性試験前後
で変化が認められないか、認められたとしても試験後僅
かに低下する程度である。このことから、実施例１〜実
施例４で得られたいずれの透明導電膜Ｉも耐湿性に優れ
ていることがわかる。一方、比較例１のＩＴＯ薄膜の電
子移動度は２０ｃｍ2 ／Ｖ・秒と低い。また、その可視
光透過率は耐湿性試験後に大幅に低下しており、耐湿性
に劣っていることがわかる。
例４で得られた各透明導電膜Ｉはいずれも８０ｃｍ2 ／
Ｖ・秒以上という高い電子移動度を有している。また、
これらの透明導電膜Ｉの可視光透過率は耐湿性試験前後
で変化が認められないか、認められたとしても試験後僅
かに低下する程度である。このことから、実施例１〜実
施例４で得られたいずれの透明導電膜Ｉも耐湿性に優れ
ていることがわかる。一方、比較例１のＩＴＯ薄膜の電
子移動度は２０ｃｍ2 ／Ｖ・秒と低い。また、その可視
光透過率は耐湿性試験後に大幅に低下しており、耐湿性
に劣っていることがわかる。
【００４７】実施例５（方法IIによる透明導電膜IIの製
造例） 三重ルチル構造化合物の基本出発原料として無水酢酸亜
鉛とトリエトキシアンチモンを、三重ルチル構造化合物
の基本出発原料とともに用いられるＳｎ化合物としてジ
ブトキシ錫を、溶剤として２−メトキシエタノールを、
安定化剤としてモノエタノールアミンを、基板として石
英ガラス板をそれぞれ用いて、方法IIに基づいて以下の
ようにして透明導電膜IIを製造した。
造例） 三重ルチル構造化合物の基本出発原料として無水酢酸亜
鉛とトリエトキシアンチモンを、三重ルチル構造化合物
の基本出発原料とともに用いられるＳｎ化合物としてジ
ブトキシ錫を、溶剤として２−メトキシエタノールを、
安定化剤としてモノエタノールアミンを、基板として石
英ガラス板をそれぞれ用いて、方法IIに基づいて以下の
ようにして透明導電膜IIを製造した。
【００４８】まず、２−メトキシエタノールと、モノエ
タノールアミンと、トリエトキシアンチモンと、無水酢
酸亜鉛とを用いて、実施例１と全く同様にして透明で均
一な溶液３０ｇ（実施例１のコーティング溶液に相当）
を調製した。次に、この溶液にジブトキシ錫０．１６ｇ
を添加し、１０分間攪拌混合して、透明で均一なコーテ
ィング溶液を調製した。このコーティング溶液における
ＺｎとＳｂのモル比はＺｎ：Ｓｂ＝１：２であり、目的
とする三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素
（Ｚｎ、ＳｂおよびＳｎ）の合量に対するドープ元素Ｓ
ｎの割合［Ｓｎ／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ｓｎ）］×１００は４
at％であった。また、コーティング溶液におけるＺｎと
ＳｂとＳｎの合量の濃度は０．５ mol／リットル（４ m
ol％）であった。この後は実施例１と同様にしてコーテ
ィング、焼成および還元処理を行って、目的とする透明
導電膜II（膜厚２００ｎｍ）を得た。
タノールアミンと、トリエトキシアンチモンと、無水酢
酸亜鉛とを用いて、実施例１と全く同様にして透明で均
一な溶液３０ｇ（実施例１のコーティング溶液に相当）
を調製した。次に、この溶液にジブトキシ錫０．１６ｇ
を添加し、１０分間攪拌混合して、透明で均一なコーテ
ィング溶液を調製した。このコーティング溶液における
ＺｎとＳｂのモル比はＺｎ：Ｓｂ＝１：２であり、目的
とする三重ルチル構造化合物を構成するカチオン元素
（Ｚｎ、ＳｂおよびＳｎ）の合量に対するドープ元素Ｓ
ｎの割合［Ｓｎ／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ｓｎ）］×１００は４
at％であった。また、コーティング溶液におけるＺｎと
ＳｂとＳｎの合量の濃度は０．５ mol／リットル（４ m
ol％）であった。この後は実施例１と同様にしてコーテ
ィング、焼成および還元処理を行って、目的とする透明
導電膜II（膜厚２００ｎｍ）を得た。
【００４９】このようにして得られた透明導電膜IIのＸ
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ｓｎが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ｓｎが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
【００５０】実施例６（方法IIによる透明導電膜IIの製
造例） Ｓｎ化合物のジブトキシ錫に代えてＡｌ化合物のトリブ
トキシアルミニウム０．１５ｇを用いた以外は実施例５
と全く同様にしてコーティング溶液｛Ｚｎ：Ｓｂ＝１：
２、［Ａｌ／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ａｌ）］×１００＝４at
％、ＺｎとＳｂとＡｌの合量の濃度＝０．５ mol／リッ
トル（４ mol％）｝を調製し、このコーティング溶液を
用いて実施例５と全く同様にして透明導電膜II（膜厚２
００ｎｍ）を得た。
造例） Ｓｎ化合物のジブトキシ錫に代えてＡｌ化合物のトリブ
トキシアルミニウム０．１５ｇを用いた以外は実施例５
と全く同様にしてコーティング溶液｛Ｚｎ：Ｓｂ＝１：
２、［Ａｌ／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ａｌ）］×１００＝４at
％、ＺｎとＳｂとＡｌの合量の濃度＝０．５ mol／リッ
トル（４ mol％）｝を調製し、このコーティング溶液を
用いて実施例５と全く同様にして透明導電膜II（膜厚２
００ｎｍ）を得た。
【００５１】このようにして得られた透明導電膜IIのＸ
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ａｌが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ａｌが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
【００５２】実施例７（方法IIによる透明導電膜IIの製
造例） Ｓｎ化合物のジブトキシ錫に代えてＧａ化合物の塩化ガ
リウム（３価）０．１１ｇを用いた以外は実施例５と全
く同様にしてコーティング溶液｛Ｚｎ：Ｓｂ＝１：２、
［Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ｇａ）］×１００＝４at％、Ｚ
ｎとＳｂとＧａの合量の濃度＝０．５ mol／リットル
（４ mol％）｝を調製し、このコーティング溶液を用い
て実施例５と全く同様にして透明導電膜II（膜厚２００
ｎｍ）を得た。
造例） Ｓｎ化合物のジブトキシ錫に代えてＧａ化合物の塩化ガ
リウム（３価）０．１１ｇを用いた以外は実施例５と全
く同様にしてコーティング溶液｛Ｚｎ：Ｓｂ＝１：２、
［Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ｇａ）］×１００＝４at％、Ｚ
ｎとＳｂとＧａの合量の濃度＝０．５ mol／リットル
（４ mol％）｝を調製し、このコーティング溶液を用い
て実施例５と全く同様にして透明導電膜II（膜厚２００
ｎｍ）を得た。
【００５３】このようにして得られた透明導電膜IIのＸ
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ｇａが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ｇａが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
【００５４】実施例８（方法IIによる透明導電膜IIの製
造例） Ｓｎ化合物のジブトキシ錫に代えてＧｅ化合物のテトラ
プロポキシゲルマニウム０．１５ｇを用いた以外は実施
例５と全く同様にしてコーティング溶液｛Ｚｎ：Ｓｂ＝
１：２、［Ｇｅ／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ｇｅ）］×１００＝４
at％、ＺｎとＳｂとＧｅの合量の濃度＝０．５ mol／リ
ットル（４ mol％）｝を調製し、このコーティング溶液
を用いて実施例５と全く同様にして透明導電膜II（膜厚
２００ｎｍ）を得た。
造例） Ｓｎ化合物のジブトキシ錫に代えてＧｅ化合物のテトラ
プロポキシゲルマニウム０．１５ｇを用いた以外は実施
例５と全く同様にしてコーティング溶液｛Ｚｎ：Ｓｂ＝
１：２、［Ｇｅ／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ｇｅ）］×１００＝４
at％、ＺｎとＳｂとＧｅの合量の濃度＝０．５ mol／リ
ットル（４ mol％）｝を調製し、このコーティング溶液
を用いて実施例５と全く同様にして透明導電膜II（膜厚
２００ｎｍ）を得た。
【００５５】このようにして得られた透明導電膜IIのＸ
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ｇｅが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ｇｅが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
【００５６】実施例９（方法IIによる透明導電膜IIの製
造例） Ｓｎ化合物のジブトキシ錫に代えてＩｎ化合物の酢酸イ
ンジウム０．１１ｇを用いた以外は実施例５と全く同様
にしてコーティング溶液｛Ｚｎ：Ｓｂ＝１：２、［Ｉｎ
／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ｉｎ）］×１００＝４at％、ＺｎとＳ
ｂとＩｎの合量の濃度＝０．５ mol／リットル（４ mol
％）｝を調製し、このコーティング溶液を用いて実施例
５と全く同様にして透明導電膜II（膜厚２００ｎｍ）を
得た。
造例） Ｓｎ化合物のジブトキシ錫に代えてＩｎ化合物の酢酸イ
ンジウム０．１１ｇを用いた以外は実施例５と全く同様
にしてコーティング溶液｛Ｚｎ：Ｓｂ＝１：２、［Ｉｎ
／（Ｚｎ＋Ｓｂ＋Ｉｎ）］×１００＝４at％、ＺｎとＳ
ｂとＩｎの合量の濃度＝０．５ mol／リットル（４ mol
％）｝を調製し、このコーティング溶液を用いて実施例
５と全く同様にして透明導電膜II（膜厚２００ｎｍ）を
得た。
【００５７】このようにして得られた透明導電膜IIのＸ
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ｉｎが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
ＲＤを実施例１と同様にして測定した結果、この透明導
電膜IIの結晶構造は三重ルチル構造のＺｎＳｂ2 Ｏ6 と
実質的に同じであることが確認された。また、他の構造
に帰属する回折がなく、Ｉｎが三重ルチル構造にドープ
されていることが裏付けられた。この透明導電膜IIの電
子移動度を実施例１と同様にして測定するとともに、実
施例１と同様にして耐湿性試験を行って試験前後の可視
光透過率（試験波長３８０ｎｍ）を比較した。これらの
結果を表２に示す。
【００５８】
【表２】
【００５９】表２から明らかなように、実施例５〜実施
例９で得られた各透明導電膜IIはいずれも７９ｃｍ2 ／
Ｖ・秒以上という高い電子移動度を有している。また、
これらの透明導電膜IIの可視光透過率は耐湿性試験前後
で変化が認められないか、認められたとしても試験後僅
かに低下する程度である。このことから、実施例５〜実
施例９で得られたいずれの透明導電膜IIも耐湿性に優れ
ていることがわかる。
例９で得られた各透明導電膜IIはいずれも７９ｃｍ2 ／
Ｖ・秒以上という高い電子移動度を有している。また、
これらの透明導電膜IIの可視光透過率は耐湿性試験前後
で変化が認められないか、認められたとしても試験後僅
かに低下する程度である。このことから、実施例５〜実
施例９で得られたいずれの透明導電膜IIも耐湿性に優れ
ていることがわかる。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の透明導電
膜はＩＴＯ膜よりも耐湿性に優れるとともに電子移動度
が高い。したがって、本発明によれば耐久性が高く、か
つ電界応答性の高い素子あるいは装置を得るうえで有利
な透明導電膜を提供することが可能になる。
膜はＩＴＯ膜よりも耐湿性に優れるとともに電子移動度
が高い。したがって、本発明によれば耐久性が高く、か
つ電界応答性の高い素子あるいは装置を得るうえで有利
な透明導電膜を提供することが可能になる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｂ 7244−5Ｇ
Claims (6)
- 【請求項１】 実質的に三重ルチル構造化合物からなる
ことを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】 三重ルチル構造化合物がＺｎＳｂ
2 Ｏ6 、ＺｎＮｂ2 Ｏ6 、ＭｇＳｂ2 Ｏ6 およびＭｇＮ
ｂ2 Ｏ6 からなる群より選択される少なくとも１種の化
合物である、請求項１に記載の透明導電膜。 - 【請求項３】 Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｂ，Ｇａ，ＩｎおよびＧ
ｅからなる群より選択される少なくとも１種の元素がド
ープされた三重ルチル構造化合物から実質的になり、前
記元素のドープ量が前記三重ルチル構造化合物を構成す
るカチオン元素の合量に対して２０at％以下であること
を特徴とする透明導電膜。 - 【請求項４】 電子移動度が４０ｃｍ2 ／Ｖ・秒以上で
ある、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の透明導電
膜。 - 【請求項５】 三重ルチル構造化合物の基本出発原料の
所定量が溶解したコーティング溶液を調製し、このコー
ティング溶液を基板に塗布して焼成した後、還元処理す
ることを特徴とする透明導電膜の製造方法。 - 【請求項６】 三重ルチル構造化合物の基本出発原料の
所定量と、Ｓｎ化合物，Ａｌ化合物，Ｓｂ化合物，Ｇａ
化合物，Ｉｎ化合物およびＧｅ化合物からなる群より選
択される少なくとも１種のドープ原料とを、三重ルチル
構造化合物を構成するカチオン元素の合量に対するドー
プ元素の割合が２０at％以下となるように溶解させたコ
ーティング溶液を調製し、このコーティング溶液を基板
に塗布して焼成した後、還元処理することを特徴とする
透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19046893A JP3352772B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19046893A JP3352772B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745128A true JPH0745128A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3352772B2 JP3352772B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=16258622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19046893A Expired - Fee Related JP3352772B2 (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 透明導電膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3352772B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005008515A (ja) * | 2003-05-26 | 2005-01-13 | Nissan Chem Ind Ltd | 金属酸化物粒子及びその製造方法 |
| JP2006202741A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-08-03 | Samsung Sdi Co Ltd | 耐熱性透明電極とその製造方法，および色素増感太陽電池 |
| WO2012026522A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 日産化学工業株式会社 | 表面修飾された無水アンチモン酸亜鉛コロイド粒子の疎水性有機溶媒分散液及びそれを用いたコーティング組成物並びに被覆部材 |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP19046893A patent/JP3352772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005008515A (ja) * | 2003-05-26 | 2005-01-13 | Nissan Chem Ind Ltd | 金属酸化物粒子及びその製造方法 |
| JP2006202741A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-08-03 | Samsung Sdi Co Ltd | 耐熱性透明電極とその製造方法，および色素増感太陽電池 |
| US8053664B2 (en) | 2004-12-24 | 2011-11-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Transparent electrode having thermal stability, method of fabricating the same and dye-sensitized solar cell comprising the same |
| WO2012026522A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | 日産化学工業株式会社 | 表面修飾された無水アンチモン酸亜鉛コロイド粒子の疎水性有機溶媒分散液及びそれを用いたコーティング組成物並びに被覆部材 |
| JPWO2012026522A1 (ja) * | 2010-08-27 | 2013-10-28 | 日産化学工業株式会社 | 表面修飾された無水アンチモン酸亜鉛コロイド粒子の疎水性有機溶媒分散液及びそれを用いたコーティング組成物並びに被覆部材 |
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|---|---|
| JP3352772B2 (ja) | 2002-12-03 |
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