JPH0530001B2 - - Google Patents
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- JPH0530001B2 JPH0530001B2 JP62272651A JP27265187A JPH0530001B2 JP H0530001 B2 JPH0530001 B2 JP H0530001B2 JP 62272651 A JP62272651 A JP 62272651A JP 27265187 A JP27265187 A JP 27265187A JP H0530001 B2 JPH0530001 B2 JP H0530001B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- composition
- chlorine
- transparent conductive
- alkoxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、基板上に透明導電性膜を形成せしめ
る際に用いられる組成物、および透明性導電性膜
の形成方法に関し、さらに詳しくは帯電防止膜
（液晶用）、太陽電池、ECD等の電極としての用
途に有用な透明導電性膜用の溶液組成物、および
その膜の形成方法に関するものである。 ［従来の技術］ 近年、種々の基板表面上を薄膜で被覆し、基板
上に所望の導電特性を付与させる試みがなされて
いる。その中で酸化インジウムと酸化スズの混合
組成の膜はITO膜（以下ITO膜と称す）といわ
れ、透明性が良好でかつ導電性を有する皮膜であ
り、通常はPVD、真空蒸着、スパツター、CVD
（プラズマCVD、熱CVD）等により成膜される。
現状では、PVDやCVDが主流であり、PVDスパ
ツタリングが盛んに行われている。しかし、上記
方法においては、成膜速度が遅い、成膜装置が大
がかりで高価、大面積化や大量生産が難しい等の
問題があつた。 そこで生産性、均質性、作業性、経済性等のか
かる欠点の解消を考慮し、分解熱処理によりITO
膜とし、しかも優れた電気的特性を与える方法と
して、インジウム化合物およびスズ化合物を含む
有機溶剤を使用してのスプレー法、ロールコート
法、スピンコート法、浸漬法によるITO膜の形成
法が提案されている。例えば、特開昭59−198606
号公報では塩素を含有したインジウムアルコキシ
ドとスズ化合物と、適当な有機溶剤と、水とから
なる組成物が開示されており、これを使つた成膜
方法としては、浸漬法が用いられている。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかし、前記発明においては、スズ化合物とし
て、実質的には完全置換型のテトラエトキシスズ
使つており、しかもアルコキシドの系に水を添加
しているため、保存寿命（ポツトライフ）の長い
組成を製造するのは非常に難しく、また再現性の
あるデータを得るのがきわめて困難である。ま
た、成膜した際も膜厚も不均一になり、白濁など
を生じる場合が多いことがわかつた。従つて、本
発明においては広い組成範囲にわたつてポツトラ
イフが長く、導電特性のよい薄膜が再現性よく得
られる組成物および導電性膜の形成方法を提供す
ることを目的とする。 ［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意検
討を行つた結果、特定組成の塩素含有アルコキシ
ドを組合せることにより、ポツトライフが非常に
長く、かつ再現性よく導電特性の優れた透明導電
性膜が形成したことを見いだし、本発明に到達し
たものである。すなわち、本発明は一般式In
（OR1）xCl3-x（ただし、R1は炭素数１〜10のアル
キル基またはアルコキシアルキル基を示し、1.0
≦ｘ≦2.5）で示される塩素含有インジウムアル
コキシドと、一般式Sn（OR2）yClo-y（ただし、R2
は炭素数１〜10のアルキル基またはアルコキシア
ルキル基を示し、ｎは２または４であり、ｎ＝２
の場合1.0≦ｙ≦1.8、ｎ＝４の場合 2.5≦ｙ≦
3.5）で示される塩素含有スズアルコキシドを、
In／Snのモル比で98／２≧In／Sn≧70／30の割
合で混合することを特徴とする透明導電性膜用組
成物および上記組成物を用い、基板に塗布し、室
温〜200℃で乾燥し、400〜600℃で焼成すること
を特徴とする透明導電性膜の形成方法である。 本発明で用いられるアルキル基は炭素数１〜10
であるが、特に炭素数２〜５が好ましく、さらに
はアルコキシアルキル基がこのましい。 また、Snについてはｎが２と４のばあいがあ
り、２通りの組合せが考えられるが、いずれの場
合でもよい。本発明組成物の濃度は、塩素含有ス
ズアルコキシドと塩素含有インジウムアルコキシ
ドの合計が0.1〜1.0mol／が好ましい。 両者の濃度合計が0.1mol／未満の場合、１
回で塗布する膜の厚さが薄すぎるため、重ね塗り
する回数が多くなりすぎ、膜自体の透明性や導電
特性が劣る。一方、濃度が1.0mol／を越える
場合、一回で形成される塗膜の厚さが厚すぎるた
め、塗膜がひび割れを起こしやすく、導電特性の
優れた膜を得ることが難しい。 このような組成、濃度の導電膜用組成物は非常
にポツトライフが長く、普通の保存状態では６カ
月以上、加水分解を起こさず、沈殿等を生じな
い。 これらの溶液は溶媒によつて希釈してもよく、
希釈溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン等の炭化
水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノー
ル、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール等のアルコ
ール、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステ
ル、ジエチルケトン、アセトン等のケトン類、エ
チレングリコールモノエチルエーテル等のエーテ
ル、THF、クロロホルム等が挙げられ、これら
の溶剤で希釈した後種々の条件で成膜することが
できる。 塗布する方法としては、スプレー法、ロールコ
ート法、スクリーン印刷、スピンコート法、浸漬
法を用いて成膜することができるが、浸漬法、ス
ピンコート法が好ましい。 また、塗布時の温度、湿度などの条件は、加水
分解速度に大きく影響されるので厳重な管理が必
要である。 上記方法で成膜した後、約５分〜１時間室温放
置し、空気中の水分で充分アルコキシドをゲル化
させる。その後、室温〜200℃で10分〜１時間乾
燥することによりフリーの有機物、残りの溶媒、
および水分を飛散せしめる。その際、急激に200
℃以上の温度で乾燥すると、表面と内部の乾燥速
度の差により膜の白濁、収縮が生じやすい。 最後に、400〜600℃で焼成することにより、有
機物が酸化分解により飛散し、金属も酸化物とな
る。 この乾燥、焼成工程において、昇温速度は非常
に重要であり、10℃／min以内にゆつくり加熱す
れば緻密で透明な膜が得られるが、昇温速度が早
すぎる場合、微細クラツクの原因となり易い。ま
た、焼成温度によつても膜の導電特性が大きく変
り、470〜520℃が最も低い抵抗値を示し、より好
ましい。 さらに、焼成する時の雰囲気も導電特性に大き
く影響を及ぼす。通常は、酸化雰囲気で焼成する
が、400〜600℃で焼成する際に、外部より水素、
窒素等のガスを流入させることにより、系内が還
元性雰囲気になり、酸素欠陥の多い膜が得られ、
さらに抵抗値を下げることが可能となる。 また膜厚を調整するためには、２回以上塗布す
る必要があるが、一旦乾燥、焼成して膜を基板上
に固定した後、必要な回数塗布、乾燥、焼成を繰
り返す。この場合、最終焼成処理の後、約300℃
付近で１〜６時間ゆつくりアニールする工程が必
要となる。この際、同様に還元性雰囲気で行うと
より抵抗値の減少が可能になる。 以上複数回の工程において、塗布する溶液の濃
度、塗布回数をうまく設定することにより、膜厚
をコントロールできる。 本発明で使用される基板としては、各種のガラ
スの他、アルミナ等のセラミツクスでもよい。 なお、本発明においてソーダライムガラスを使
用する場合は、ネサ膜を形成させる前、アルカリ
の膜への拡散を防止するため、シリカのアンダー
コートが必要である。 ［実施例］ 以下、実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明は係る実施例に限定されるものではな
い。 実施例 １ ２の三ツ口フラスコに、In（Ｏ−ｉ−Pr）2Cl
を0.3molとSn（Ｏ−ｎ−Bu）3をClを0.033molをと
り、これにエチレングリコールモノエチルエーテ
ルを加えて、１溶液として成膜工程にもちい
た。 この溶液は、通常の保存状態では、６カ月以上
安定でゲル化等を起こさなかつた。 さらにこの溶液を使用し、基板としてソーダラ
イムガラス（100×100）を用い、表面を充分に洗
浄した後、予めシリカコート（約1000Å）した
後、浸漬法により引き上げ速度0.3cm／secで塗布
した。その後10分間内放置し、10℃／minの昇温
速度で昇温させた後、200゜で10分間乾燥させ、同
様に10℃／minで昇温した後560℃で30分間焼成
を行つた。 使用した溶液の液組成、および得られた膜の物
性を表−１に示す。 膜の特性については、透光性、強度、密着性に
ついての試験を行い、特性の良好なものについて
は○、ひび割れ、白濁、剥がれ等がみられたもの
については、具体的に記述した。これは比較例
（表−２）についても同様である。 実施例 ２ 塗膜用組成物の調整は実施例１と全く同様に行
つた。使用した溶液については、表１に示す。 この溶液５mlをとり、基板としてソーダライム
ガラス（100×100）を用い、実施例１と同様に前
処理した後、スピンコート法により膜の塗布を行
つた。塗布条件としては、最初回転数が
1000rpm／minで滴下した後、さらに2000rpm／
minに回転数を上げ、塗膜を形成せしめた。成膜
後、室温で30分放置して加水分解を行わせた後、
10℃／minの昇温速度で200℃に昇温、15分間保
持した。その後、同様に10℃／minで520℃に昇
温し、１時間焼成した。膜の物性を実施例と同様
に表−１に示す。 実施例 ３〜８ インジウムアルコキシド、スズアルコキシド組
成、モル比（In／Sn）、希釈溶媒の種類、濃度を
変化させ、その他の条件は同様にして、膜用組成
物を調整を行つた。 用いた希釈溶媒が２種類の場合、１対１の混合
溶液であり、これは比較例についても同様であ
る。 この溶液を用い、浸漬法またはスピンコート法
により、成膜を行つた。その条件は実施例１また
は２と同様である。 本実験の条件および結果を、表−１に示す。本
実施例で用いた溶液においても、ポツトライフは
６カ月以上であつた。 比較例 １〜６ 変化させた条件、および表の表わし方は実施例
と全く同様である。前記条件、結果を表−２に示
す。 比較例１、２、６のポツトライフは非常にみじ
かく、１カ月以内に溶液は白濁、または沈殿を生
成した。一方、比較例３、４、５については、溶
液のポツトライフは６カ月以上と充分であつた
が、膜の特性は不良であつた。
る際に用いられる組成物、および透明性導電性膜
の形成方法に関し、さらに詳しくは帯電防止膜
（液晶用）、太陽電池、ECD等の電極としての用
途に有用な透明導電性膜用の溶液組成物、および
その膜の形成方法に関するものである。 ［従来の技術］ 近年、種々の基板表面上を薄膜で被覆し、基板
上に所望の導電特性を付与させる試みがなされて
いる。その中で酸化インジウムと酸化スズの混合
組成の膜はITO膜（以下ITO膜と称す）といわ
れ、透明性が良好でかつ導電性を有する皮膜であ
り、通常はPVD、真空蒸着、スパツター、CVD
（プラズマCVD、熱CVD）等により成膜される。
現状では、PVDやCVDが主流であり、PVDスパ
ツタリングが盛んに行われている。しかし、上記
方法においては、成膜速度が遅い、成膜装置が大
がかりで高価、大面積化や大量生産が難しい等の
問題があつた。 そこで生産性、均質性、作業性、経済性等のか
かる欠点の解消を考慮し、分解熱処理によりITO
膜とし、しかも優れた電気的特性を与える方法と
して、インジウム化合物およびスズ化合物を含む
有機溶剤を使用してのスプレー法、ロールコート
法、スピンコート法、浸漬法によるITO膜の形成
法が提案されている。例えば、特開昭59−198606
号公報では塩素を含有したインジウムアルコキシ
ドとスズ化合物と、適当な有機溶剤と、水とから
なる組成物が開示されており、これを使つた成膜
方法としては、浸漬法が用いられている。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかし、前記発明においては、スズ化合物とし
て、実質的には完全置換型のテトラエトキシスズ
使つており、しかもアルコキシドの系に水を添加
しているため、保存寿命（ポツトライフ）の長い
組成を製造するのは非常に難しく、また再現性の
あるデータを得るのがきわめて困難である。ま
た、成膜した際も膜厚も不均一になり、白濁など
を生じる場合が多いことがわかつた。従つて、本
発明においては広い組成範囲にわたつてポツトラ
イフが長く、導電特性のよい薄膜が再現性よく得
られる組成物および導電性膜の形成方法を提供す
ることを目的とする。 ［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意検
討を行つた結果、特定組成の塩素含有アルコキシ
ドを組合せることにより、ポツトライフが非常に
長く、かつ再現性よく導電特性の優れた透明導電
性膜が形成したことを見いだし、本発明に到達し
たものである。すなわち、本発明は一般式In
（OR1）xCl3-x（ただし、R1は炭素数１〜10のアル
キル基またはアルコキシアルキル基を示し、1.0
≦ｘ≦2.5）で示される塩素含有インジウムアル
コキシドと、一般式Sn（OR2）yClo-y（ただし、R2
は炭素数１〜10のアルキル基またはアルコキシア
ルキル基を示し、ｎは２または４であり、ｎ＝２
の場合1.0≦ｙ≦1.8、ｎ＝４の場合 2.5≦ｙ≦
3.5）で示される塩素含有スズアルコキシドを、
In／Snのモル比で98／２≧In／Sn≧70／30の割
合で混合することを特徴とする透明導電性膜用組
成物および上記組成物を用い、基板に塗布し、室
温〜200℃で乾燥し、400〜600℃で焼成すること
を特徴とする透明導電性膜の形成方法である。 本発明で用いられるアルキル基は炭素数１〜10
であるが、特に炭素数２〜５が好ましく、さらに
はアルコキシアルキル基がこのましい。 また、Snについてはｎが２と４のばあいがあ
り、２通りの組合せが考えられるが、いずれの場
合でもよい。本発明組成物の濃度は、塩素含有ス
ズアルコキシドと塩素含有インジウムアルコキシ
ドの合計が0.1〜1.0mol／が好ましい。 両者の濃度合計が0.1mol／未満の場合、１
回で塗布する膜の厚さが薄すぎるため、重ね塗り
する回数が多くなりすぎ、膜自体の透明性や導電
特性が劣る。一方、濃度が1.0mol／を越える
場合、一回で形成される塗膜の厚さが厚すぎるた
め、塗膜がひび割れを起こしやすく、導電特性の
優れた膜を得ることが難しい。 このような組成、濃度の導電膜用組成物は非常
にポツトライフが長く、普通の保存状態では６カ
月以上、加水分解を起こさず、沈殿等を生じな
い。 これらの溶液は溶媒によつて希釈してもよく、
希釈溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン等の炭化
水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノー
ル、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール等のアルコ
ール、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステ
ル、ジエチルケトン、アセトン等のケトン類、エ
チレングリコールモノエチルエーテル等のエーテ
ル、THF、クロロホルム等が挙げられ、これら
の溶剤で希釈した後種々の条件で成膜することが
できる。 塗布する方法としては、スプレー法、ロールコ
ート法、スクリーン印刷、スピンコート法、浸漬
法を用いて成膜することができるが、浸漬法、ス
ピンコート法が好ましい。 また、塗布時の温度、湿度などの条件は、加水
分解速度に大きく影響されるので厳重な管理が必
要である。 上記方法で成膜した後、約５分〜１時間室温放
置し、空気中の水分で充分アルコキシドをゲル化
させる。その後、室温〜200℃で10分〜１時間乾
燥することによりフリーの有機物、残りの溶媒、
および水分を飛散せしめる。その際、急激に200
℃以上の温度で乾燥すると、表面と内部の乾燥速
度の差により膜の白濁、収縮が生じやすい。 最後に、400〜600℃で焼成することにより、有
機物が酸化分解により飛散し、金属も酸化物とな
る。 この乾燥、焼成工程において、昇温速度は非常
に重要であり、10℃／min以内にゆつくり加熱す
れば緻密で透明な膜が得られるが、昇温速度が早
すぎる場合、微細クラツクの原因となり易い。ま
た、焼成温度によつても膜の導電特性が大きく変
り、470〜520℃が最も低い抵抗値を示し、より好
ましい。 さらに、焼成する時の雰囲気も導電特性に大き
く影響を及ぼす。通常は、酸化雰囲気で焼成する
が、400〜600℃で焼成する際に、外部より水素、
窒素等のガスを流入させることにより、系内が還
元性雰囲気になり、酸素欠陥の多い膜が得られ、
さらに抵抗値を下げることが可能となる。 また膜厚を調整するためには、２回以上塗布す
る必要があるが、一旦乾燥、焼成して膜を基板上
に固定した後、必要な回数塗布、乾燥、焼成を繰
り返す。この場合、最終焼成処理の後、約300℃
付近で１〜６時間ゆつくりアニールする工程が必
要となる。この際、同様に還元性雰囲気で行うと
より抵抗値の減少が可能になる。 以上複数回の工程において、塗布する溶液の濃
度、塗布回数をうまく設定することにより、膜厚
をコントロールできる。 本発明で使用される基板としては、各種のガラ
スの他、アルミナ等のセラミツクスでもよい。 なお、本発明においてソーダライムガラスを使
用する場合は、ネサ膜を形成させる前、アルカリ
の膜への拡散を防止するため、シリカのアンダー
コートが必要である。 ［実施例］ 以下、実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明は係る実施例に限定されるものではな
い。 実施例 １ ２の三ツ口フラスコに、In（Ｏ−ｉ−Pr）2Cl
を0.3molとSn（Ｏ−ｎ−Bu）3をClを0.033molをと
り、これにエチレングリコールモノエチルエーテ
ルを加えて、１溶液として成膜工程にもちい
た。 この溶液は、通常の保存状態では、６カ月以上
安定でゲル化等を起こさなかつた。 さらにこの溶液を使用し、基板としてソーダラ
イムガラス（100×100）を用い、表面を充分に洗
浄した後、予めシリカコート（約1000Å）した
後、浸漬法により引き上げ速度0.3cm／secで塗布
した。その後10分間内放置し、10℃／minの昇温
速度で昇温させた後、200゜で10分間乾燥させ、同
様に10℃／minで昇温した後560℃で30分間焼成
を行つた。 使用した溶液の液組成、および得られた膜の物
性を表−１に示す。 膜の特性については、透光性、強度、密着性に
ついての試験を行い、特性の良好なものについて
は○、ひび割れ、白濁、剥がれ等がみられたもの
については、具体的に記述した。これは比較例
（表−２）についても同様である。 実施例 ２ 塗膜用組成物の調整は実施例１と全く同様に行
つた。使用した溶液については、表１に示す。 この溶液５mlをとり、基板としてソーダライム
ガラス（100×100）を用い、実施例１と同様に前
処理した後、スピンコート法により膜の塗布を行
つた。塗布条件としては、最初回転数が
1000rpm／minで滴下した後、さらに2000rpm／
minに回転数を上げ、塗膜を形成せしめた。成膜
後、室温で30分放置して加水分解を行わせた後、
10℃／minの昇温速度で200℃に昇温、15分間保
持した。その後、同様に10℃／minで520℃に昇
温し、１時間焼成した。膜の物性を実施例と同様
に表−１に示す。 実施例 ３〜８ インジウムアルコキシド、スズアルコキシド組
成、モル比（In／Sn）、希釈溶媒の種類、濃度を
変化させ、その他の条件は同様にして、膜用組成
物を調整を行つた。 用いた希釈溶媒が２種類の場合、１対１の混合
溶液であり、これは比較例についても同様であ
る。 この溶液を用い、浸漬法またはスピンコート法
により、成膜を行つた。その条件は実施例１また
は２と同様である。 本実験の条件および結果を、表−１に示す。本
実施例で用いた溶液においても、ポツトライフは
６カ月以上であつた。 比較例 １〜６ 変化させた条件、および表の表わし方は実施例
と全く同様である。前記条件、結果を表−２に示
す。 比較例１、２、６のポツトライフは非常にみじ
かく、１カ月以内に溶液は白濁、または沈殿を生
成した。一方、比較例３、４、５については、溶
液のポツトライフは６カ月以上と充分であつた
が、膜の特性は不良であつた。
【表】
【表】
【表】
【表】
［発明の効果］
本発明に組成物は、従来の薬液に比べポツトラ
イフが非常に長く、塗布液として使用し、成膜し
た場合、再現性よく導電特性、透光性、膜強度等
の優れた透明性導電性を得ることができる。ま
た、他の金属を含むアルコキシドと組合せること
により、さらに膜強度等の特性を改善することが
できる。
イフが非常に長く、塗布液として使用し、成膜し
た場合、再現性よく導電特性、透光性、膜強度等
の優れた透明性導電性を得ることができる。ま
た、他の金属を含むアルコキシドと組合せること
により、さらに膜強度等の特性を改善することが
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式In（OR1）xCl3-x（ただし、R1は炭素数
１〜10のアルキル基またはアルコキシアルキル基
を示し、1.0≦ｘ≦2.5）で示される塩素含有イン
ジウムアルコキシドと、一般式Sn（OR2）yClo-y
（ただし、R2は炭素数１〜10のアルキル基または
アルコキシアルキル基を示し、ｎは２または４で
あり、ｎ＝２の場合、1.0≦ｙ≦1.8、ｎ＝４の場
合 2.5≦ｙ≦3.5）で示される塩素含有スズアル
コキシドを、In／Snのモル比で98／２≧In／Sn
≧70／30の割合で混合することを特徴とする透明
導電性膜用組成物。 ２ 一般式In（OR1）xCl3-x（ただし、R1は炭素数
１〜10のアルキル基またはアルコキシアルキル基
を示し、1.0≦ｘ≦2.5）で示される塩素含有イン
ジウムアルコキシドと、一般式Sn（OR2）yClo-y
（ただし、R2は炭素数１〜10のアルキル基または
アルコキシアルキル基を示し、ｎは２または４で
あり、ｎ＝２の場合、1.0≦ｙ≦1.8、ｎ＝４の場
合 2.5≦ｙ≦3.5）で示される塩素含有スズアル
コキシドを、In／Snのモル比で98／２≧In／Sn
≧70／30の割合で混合した透明導電性膜用組成物
を、基板に塗布し、室温〜200℃で乾燥し、400〜
600℃で焼成することを特徴とする透明導電性膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272651A JPH01115010A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62272651A JPH01115010A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115010A JPH01115010A (ja) | 1989-05-08 |
| JPH0530001B2 true JPH0530001B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17516890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62272651A Granted JPH01115010A (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 | 透明導電性膜用組成物およびその膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01115010A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4893377B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-03-07 | パナソニック電工株式会社 | 電動ベッド |
| DE102009054997B3 (de) * | 2009-12-18 | 2011-06-01 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
| DE102009054998A1 (de) | 2009-12-18 | 2011-06-22 | Evonik Degussa GmbH, 45128 | Verfahren zur Herstellung von Indiumchlordialkoxiden |
| DE102010043668B4 (de) * | 2010-11-10 | 2012-06-21 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten, nach dem Verfahren hergestellte Indiumoxid-haltige Schichten und ihre Verwendung |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59198606A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 透明導電膜形成用組成物 |
| JPS59198608A (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 透明導電膜形成用組成物 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP62272651A patent/JPH01115010A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01115010A (ja) | 1989-05-08 |
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