JPH0745951A - 多層基板 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 同時焼成セラミック基板上に薄膜・めっき工
法を用いて、同時焼成セラミック基板の金属ビアと薄膜
多層配線との接続を行う信頼性の高い多層基板を提供す
る。 【構成】 同時焼成セラミック基板上に薄膜多層配線が
形成される多層基板において、焼成セラミック基板１１
に形成される金属ビア１２と、この金属ビア１２の周辺
部に穴１９が形成されるとともに、薄膜多層配線とを接
続させるパッドパターン１８を設ける。
法を用いて、同時焼成セラミック基板の金属ビアと薄膜
多層配線との接続を行う信頼性の高い多層基板を提供す
る。 【構成】 同時焼成セラミック基板上に薄膜多層配線が
形成される多層基板において、焼成セラミック基板１１
に形成される金属ビア１２と、この金属ビア１２の周辺
部に穴１９が形成されるとともに、薄膜多層配線とを接
続させるパッドパターン１８を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＴＭ交換機のスイッ
チモジュール・コンピュータを構成するＣＰＵモジュー
ル等に用いる多層配線基板に関するものである。
チモジュール・コンピュータを構成するＣＰＵモジュー
ル等に用いる多層配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開平３−２１２９９０号公報、特開平４−７
８９０号公報に開示されるものがあった。ＬＳＩの高速
化・高集積化・高密度化に伴い、これらのＬＳＩを実装
する基板において高密度配線・高速信号伝送を実現でき
る技術確立が必要となってきた。
例えば、特開平３−２１２９９０号公報、特開平４−７
８９０号公報に開示されるものがあった。ＬＳＩの高速
化・高集積化・高密度化に伴い、これらのＬＳＩを実装
する基板において高密度配線・高速信号伝送を実現でき
る技術確立が必要となってきた。
【０００３】そこで、これらの課題を満足する方法とし
て、基板の多層配線化を行なうことが注目されるように
なった。基板の多層化の方法として、同時焼成セラミッ
クを下地に用い、上層に薄膜多層配線を形成する技術
が、高密度化に非常に適している。同時焼成セラミック
基板は、各層ごとにグリーンシートをパンチングして穴
をあけ、その穴に導体ペーストを印刷・充填し積層加圧
を経て焼成を行なう。焼成されたままの基板は反りが大
きいため、薄膜形成を行なうことができない。
て、基板の多層配線化を行なうことが注目されるように
なった。基板の多層化の方法として、同時焼成セラミッ
クを下地に用い、上層に薄膜多層配線を形成する技術
が、高密度化に非常に適している。同時焼成セラミック
基板は、各層ごとにグリーンシートをパンチングして穴
をあけ、その穴に導体ペーストを印刷・充填し積層加圧
を経て焼成を行なう。焼成されたままの基板は反りが大
きいため、薄膜形成を行なうことができない。
【０００４】そこで、基板は研磨して平坦な状態にし、
その上に薄膜多層を形成する。焼成直後のセラミック基
板は、表面近傍には無ボイド層が形成される。しかし、
研磨をすることにより、この無ボイド層を取り除いてし
まうため、基板の表面にボイドが出てきてしまい表面状
態が悪くなる。また、導体ペーストにＡｕを用いた場合
には、セラミックとの密着が悪いため導体との界面にク
ラックが発生してしまう。
その上に薄膜多層を形成する。焼成直後のセラミック基
板は、表面近傍には無ボイド層が形成される。しかし、
研磨をすることにより、この無ボイド層を取り除いてし
まうため、基板の表面にボイドが出てきてしまい表面状
態が悪くなる。また、導体ペーストにＡｕを用いた場合
には、セラミックとの密着が悪いため導体との界面にク
ラックが発生してしまう。
【０００５】一方、薄膜多層配線はパッドパターン形成
の容易さ、及び導体膜厚を短時間でかせぐために、電解
めっき法を用いている。そのため、これらのボイド・ク
ラックが生じた場所にめっき法を用いてパッドパターン
を形成しようとすると、ボイド・クラック中へのめっき
液・水が滲み込んでしまう。そのため、その後に行なわ
れる誘電体層の形成工程で施される加熱工程において、
先に基板のボイド・クラック中に滲み込んだめっき液・
水が膨張するため、パッドパターンを基板から持ち上げ
剥がしてしまう。
の容易さ、及び導体膜厚を短時間でかせぐために、電解
めっき法を用いている。そのため、これらのボイド・ク
ラックが生じた場所にめっき法を用いてパッドパターン
を形成しようとすると、ボイド・クラック中へのめっき
液・水が滲み込んでしまう。そのため、その後に行なわ
れる誘電体層の形成工程で施される加熱工程において、
先に基板のボイド・クラック中に滲み込んだめっき液・
水が膨張するため、パッドパターンを基板から持ち上げ
剥がしてしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、同時
焼成セラミック基板上に薄膜・めっき工法を用いて同時
焼成セラミック基板の金属ビアと薄膜多層配線を接続す
るためのパッドパターンを形成すると、同時焼成セラミ
ック基板の金属ビア周辺にあるクラック、ボイド等に滲
み込んだめっき液・エッチング液等の水・薬液が、後工
程で加えられる加熱処理の際、熱膨張し、上部に形成さ
れたパッドパターンを持ち上げ、膨れさせ基板より剥が
してしまう。
焼成セラミック基板上に薄膜・めっき工法を用いて同時
焼成セラミック基板の金属ビアと薄膜多層配線を接続す
るためのパッドパターンを形成すると、同時焼成セラミ
ック基板の金属ビア周辺にあるクラック、ボイド等に滲
み込んだめっき液・エッチング液等の水・薬液が、後工
程で加えられる加熱処理の際、熱膨張し、上部に形成さ
れたパッドパターンを持ち上げ、膨れさせ基板より剥が
してしまう。
【０００７】本発明は、上記問題点を除去し、同時焼成
セラミック基板上に薄膜・めっき工法を用いて、同時焼
成セラミック基板の金属ビアと薄膜多層配線との接続を
行う信頼性の高い多層基板を提供することを目的とす
る。
セラミック基板上に薄膜・めっき工法を用いて、同時焼
成セラミック基板の金属ビアと薄膜多層配線との接続を
行う信頼性の高い多層基板を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、同時焼成セラミック基板上に薄膜多層配
線が形成される多層基板において、前記焼成セラミック
基板に形成する金属ビアと、該金属ビアの周辺部に微小
なガス抜き用穴を形成するとともに、前記薄膜多層配線
と接続するパッドパターンを設けるようにしたものであ
る。
成するために、同時焼成セラミック基板上に薄膜多層配
線が形成される多層基板において、前記焼成セラミック
基板に形成する金属ビアと、該金属ビアの周辺部に微小
なガス抜き用穴を形成するとともに、前記薄膜多層配線
と接続するパッドパターンを設けるようにしたものであ
る。
【０００９】(1) また、前記ガス抜き用穴を前記焼成セ
ラミック基板の金属ビアの位置のバラツキの範囲内に碁
盤の目状に均等に配置する。 (2) 更に、前記焼成セラミック基板の金属ビアの位置の
バラツキの大きさにより、該焼成セラミック基板内で前
記ガス抜き用穴を開ける範囲を段階を踏んで領域設定す
る。
ラミック基板の金属ビアの位置のバラツキの範囲内に碁
盤の目状に均等に配置する。 (2) 更に、前記焼成セラミック基板の金属ビアの位置の
バラツキの大きさにより、該焼成セラミック基板内で前
記ガス抜き用穴を開ける範囲を段階を踏んで領域設定す
る。
【００１０】(3) 前記焼成セラミック基板の金属ビアと
セラミックの境界部分の上部にガス抜き用穴を形成す
る。 (4) 前記ガス抜き用穴の底部に前記金属ビアの材料であ
る金属以外の金属からなる膜を形成する。 (5) 前記金属ビアの材料である金属以外の金属がＣｒで
ある。
セラミックの境界部分の上部にガス抜き用穴を形成す
る。 (4) 前記ガス抜き用穴の底部に前記金属ビアの材料であ
る金属以外の金属からなる膜を形成する。 (5) 前記金属ビアの材料である金属以外の金属がＣｒで
ある。
【００１１】(6) 前記金属ビアの材料である金属以外の
金属がＴｉである。 (7) 前記ビア金属以外の金属薄膜がニクロム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）である。 (8) 前記ビア金属以外の金属からなる膜として、めっき
電極のカレントフィルムをエッチングせずに残して形成
する。
金属がＴｉである。 (7) 前記ビア金属以外の金属薄膜がニクロム（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）である。 (8) 前記ビア金属以外の金属からなる膜として、めっき
電極のカレントフィルムをエッチングせずに残して形成
する。
【００１２】
【作用】本発明によれば、同時焼成セラミック基板上に
薄膜多層配線が形成される多層基板において、前記焼成
セラミック基板に形成する金属ビアと、該金属ビアの周
辺部に微小なガス抜き用穴を形成するとともに、前記薄
膜多層配線と接続するパッドパターンを設けるようにし
たので、パッドパターンをめっき付けした際に滲み込ん
だめっき液・水等が、後工程の加熱処理でガス化したも
のを薄膜パターンの下から効率良く放出させ、パターン
の剥がれ等を防止し、信頼性の高い接続を可能にする。
薄膜多層配線が形成される多層基板において、前記焼成
セラミック基板に形成する金属ビアと、該金属ビアの周
辺部に微小なガス抜き用穴を形成するとともに、前記薄
膜多層配線と接続するパッドパターンを設けるようにし
たので、パッドパターンをめっき付けした際に滲み込ん
だめっき液・水等が、後工程の加熱処理でガス化したも
のを薄膜パターンの下から効率良く放出させ、パターン
の剥がれ等を防止し、信頼性の高い接続を可能にする。
【００１３】また、前記ガス抜き用穴の底部に金属ビア
の材料である金属以外の金属を用いるようにしたので、
下地の同時焼成セラミック基板のビア金属が上層の薄膜
多層の有機誘電体と接触することがなくなり、薄膜多層
の有機誘電体層にビア金属が拡散することを防止し、か
つ、誘電体との密着性を向上させることができる。
の材料である金属以外の金属を用いるようにしたので、
下地の同時焼成セラミック基板のビア金属が上層の薄膜
多層の有機誘電体と接触することがなくなり、薄膜多層
の有機誘電体層にビア金属が拡散することを防止し、か
つ、誘電体との密着性を向上させることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示
す多層基板のパッドパターンの拡大平面図、図２はその
多層基板のパッドパターンの製造工程断面図である。図
１に示すように、薄膜多層配線と同時焼成セラミック基
板１１には金属ビア１２が形成され、この金属ビア１２
に接続されるパッドパターン１８が形成される。このパ
ッドパターン１８には、金属ビア１２の周辺部に微小な
ガス抜き用穴１９を形成する。すなわち、このガス抜き
用穴１９は、同時焼成セラミック基板１１の金属ビア１
２の周りに発生するクラック等に滲み込んだめっき液
を、後工程の洗浄及び加熱工程時において効率良く抜き
取るために、金属ビアの周りに配置する。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示
す多層基板のパッドパターンの拡大平面図、図２はその
多層基板のパッドパターンの製造工程断面図である。図
１に示すように、薄膜多層配線と同時焼成セラミック基
板１１には金属ビア１２が形成され、この金属ビア１２
に接続されるパッドパターン１８が形成される。このパ
ッドパターン１８には、金属ビア１２の周辺部に微小な
ガス抜き用穴１９を形成する。すなわち、このガス抜き
用穴１９は、同時焼成セラミック基板１１の金属ビア１
２の周りに発生するクラック等に滲み込んだめっき液
を、後工程の洗浄及び加熱工程時において効率良く抜き
取るために、金属ビアの周りに配置する。
【００１５】ここで、例えば、パッドパターン１８の直
径は５００μｍとすると、金属ビア１２の直径は２００
μｍ、ガス抜き用穴１９は１辺が３０〜５０μｍの正方
形をなしている。ただし、ガス抜き用穴の形状は円形で
あってもよい。次に、この多層基板のパッドパターンの
製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に示すよ
うに、金属ビア１２が形成される同時焼成セラミック基
板１１上に、電解めっきのカレントフィルム１３に用い
るためスパッタ法で銅を４０００Å程度膜付けする。更
に、ポジ型レジスト１４、例えばポジ型レジストＡＺＬ
Ｐ−１４Ａ（ヘキスト社製）を１０μｍ程度スピンコー
ト法で塗布し、９０℃でベークする。
径は５００μｍとすると、金属ビア１２の直径は２００
μｍ、ガス抜き用穴１９は１辺が３０〜５０μｍの正方
形をなしている。ただし、ガス抜き用穴の形状は円形で
あってもよい。次に、この多層基板のパッドパターンの
製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に示すよ
うに、金属ビア１２が形成される同時焼成セラミック基
板１１上に、電解めっきのカレントフィルム１３に用い
るためスパッタ法で銅を４０００Å程度膜付けする。更
に、ポジ型レジスト１４、例えばポジ型レジストＡＺＬ
Ｐ−１４Ａ（ヘキスト社製）を１０μｍ程度スピンコー
ト法で塗布し、９０℃でベークする。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、ベークが
終了した基板は、パッドパターンが白抜きになっている
フォトマスク１５を用いて、ｇ線（紫外線）で９００ｍ
Ｊ程度の露光を行なう。フォトマスク１５の白抜きにな
っている部分１６に対応するポジ型レジスト１４の部位
はレジストが感光しており、現像液ＡＺ３０３Ｎ（ヘキ
スト社製）の１５％水溶液で現像し、除去部１７が形成
され、この除去部１７は、カレントフィルム１３がむき
出しになる。
終了した基板は、パッドパターンが白抜きになっている
フォトマスク１５を用いて、ｇ線（紫外線）で９００ｍ
Ｊ程度の露光を行なう。フォトマスク１５の白抜きにな
っている部分１６に対応するポジ型レジスト１４の部位
はレジストが感光しており、現像液ＡＺ３０３Ｎ（ヘキ
スト社製）の１５％水溶液で現像し、除去部１７が形成
され、この除去部１７は、カレントフィルム１３がむき
出しになる。
【００１７】次いで、図２（ｃ）に示すように、現像が
終了した基板は、硫酸銅めっき浴を用いて、電流密度２
Ａ／ｄｍ2 で１２分程度めっきを行ない、めっき銅から
なるパッドパターン１８を５μｍ程度析出させる。次
に、図２（ｄ）に示すように、めっきが終了した基板は
ポジ型レジスト１４をアセントで溶解し、基板から除去
する。
終了した基板は、硫酸銅めっき浴を用いて、電流密度２
Ａ／ｄｍ2 で１２分程度めっきを行ない、めっき銅から
なるパッドパターン１８を５μｍ程度析出させる。次
に、図２（ｄ）に示すように、めっきが終了した基板は
ポジ型レジスト１４をアセントで溶解し、基板から除去
する。
【００１８】更に、図２（ｅ）に示すように、過硫酸ア
ンモニウムの水溶液（１０ｇ／１リットル）でカレント
フィルム１３の銅を除去する。この時、めっき銅もエッ
チングされるが、カレントフィルム１３に比べ膜厚があ
るのでパターンとして残り、ガス抜き用穴１９のあいた
パッドパターン１８が形成される。次に、本発明の第２
実施例を図３及び図４を用いて説明する。
ンモニウムの水溶液（１０ｇ／１リットル）でカレント
フィルム１３の銅を除去する。この時、めっき銅もエッ
チングされるが、カレントフィルム１３に比べ膜厚があ
るのでパターンとして残り、ガス抜き用穴１９のあいた
パッドパターン１８が形成される。次に、本発明の第２
実施例を図３及び図４を用いて説明する。
【００１９】図３は本発明の第２実施例を示す多層基板
のパッドパターンの拡大平面図、図４はその基板概観図
である。焼成セラミック基板は、焼成時の収縮率バラツ
キにより、その金属ビアは設計位置からずれて、最大
（基板の中心からの距離）×（収縮率のバラツキ）分ず
れることになる。そのため、基板が大きくなったり、収
縮率のバラツキが大きい場合は、前記したパッドパター
ンのガス抜き用穴を、金属ビアの設計位置の周りに開け
ると、この穴が金属ビア周りからはずれてしまい、滲み
込んだめっき液を、後工程の加熱処理でガス化し、薄膜
パターンの下から効率良く放出させ、抜き取れなくな
る。
のパッドパターンの拡大平面図、図４はその基板概観図
である。焼成セラミック基板は、焼成時の収縮率バラツ
キにより、その金属ビアは設計位置からずれて、最大
（基板の中心からの距離）×（収縮率のバラツキ）分ず
れることになる。そのため、基板が大きくなったり、収
縮率のバラツキが大きい場合は、前記したパッドパター
ンのガス抜き用穴を、金属ビアの設計位置の周りに開け
ると、この穴が金属ビア周りからはずれてしまい、滲み
込んだめっき液を、後工程の加熱処理でガス化し、薄膜
パターンの下から効率良く放出させ、抜き取れなくな
る。
【００２０】そこで、図３に示すように、パッドパター
ン２３に形成されるガス抜き用穴２４の位置する範囲２
５を設定し、焼成セラミック基板２１の金属ビア２２の
設計位置Ａから最大にずれた位置Ｂに位置することにな
っても、この金属ビア２２の位置Ｂに確実にガス抜き用
穴２４が位置するように構成することにより、滲み込ん
だめっき液を効率良く抜き取ることができる。
ン２３に形成されるガス抜き用穴２４の位置する範囲２
５を設定し、焼成セラミック基板２１の金属ビア２２の
設計位置Ａから最大にずれた位置Ｂに位置することにな
っても、この金属ビア２２の位置Ｂに確実にガス抜き用
穴２４が位置するように構成することにより、滲み込ん
だめっき液を効率良く抜き取ることができる。
【００２１】また、図４に示すように、金属ビア２２の
位置ズレの小さい内部は、ガス抜き用穴２４の開いてい
る範囲の小さな領域２６とし、金属ビア２２の位置ズレ
の大きい外部は、ガス抜き用穴２４の開いている範囲の
大きな領域２６とする。ここで、図３に示すように、ガ
ス抜き用穴２４の開いている範囲の大きさａは以下のよ
うにして決める。
位置ズレの小さい内部は、ガス抜き用穴２４の開いてい
る範囲の小さな領域２６とし、金属ビア２２の位置ズレ
の大きい外部は、ガス抜き用穴２４の開いている範囲の
大きな領域２６とする。ここで、図３に示すように、ガ
ス抜き用穴２４の開いている範囲の大きさａは以下のよ
うにして決める。
【００２２】 ガス抜き用穴の開いている範囲が小さ
い領域２５ ａ＝ｂ×収縮率のバラツキ ここで、ｂは基板の外形寸法の１／２ 例えば、具体的には、ｂが５０ｍｍの場合、ａの寸法
は、略１％の５００μｍｂが８０ｍｍの場合、ａの寸法
は、略１％の８００μｍである。
い領域２５ ａ＝ｂ×収縮率のバラツキ ここで、ｂは基板の外形寸法の１／２ 例えば、具体的には、ｂが５０ｍｍの場合、ａの寸法
は、略１％の５００μｍｂが８０ｍｍの場合、ａの寸法
は、略１％の８００μｍである。
【００２３】 ガス抜き用穴の開いている範囲が大き
い領域２６ ａ＝ｃ×収縮率のバラツキ ここで、ｃは基板の外形寸法 例えば、具体的には、ｃが１００ｍｍの場合、ａの寸法
は、略１％の１０００μｍ、ｂが１６０ｍｍの場合、ａ
の寸法は、略１％の１６００μｍである。
い領域２６ ａ＝ｃ×収縮率のバラツキ ここで、ｃは基板の外形寸法 例えば、具体的には、ｃが１００ｍｍの場合、ａの寸法
は、略１％の１０００μｍ、ｂが１６０ｍｍの場合、ａ
の寸法は、略１％の１６００μｍである。
【００２４】次に、本発明の第３実施例を図５及び図６
を用いて説明する。図５は本発明の第３実施例を示す多
層基板のパッドパターンの拡大平面図、図６はその多層
基板のパッドパターンの製造工程断面図である。図６
は、図３の第２実施例とは別の方法で金属ビアの位置ズ
レに対応し、金属ビア周辺にガス抜き用穴を形成する方
法である。
を用いて説明する。図５は本発明の第３実施例を示す多
層基板のパッドパターンの拡大平面図、図６はその多層
基板のパッドパターンの製造工程断面図である。図６
は、図３の第２実施例とは別の方法で金属ビアの位置ズ
レに対応し、金属ビア周辺にガス抜き用穴を形成する方
法である。
【００２５】まず、図６（ａ）に示すように、金属ビア
３２が形成される焼成セラミック基板３１上にカレント
フィルム３３をスパッタ法を用いて形成する。この後、
ネガ型レジスト３４を塗布硬化し、フォトマスク３５を
用い露光を行なう。ここで、ネガ型レジスト光の露光さ
れた部分が現像され難くなるように、フォトマスク３５
は、パッドの部分が黒いパターン３６のものを用いる。
３２が形成される焼成セラミック基板３１上にカレント
フィルム３３をスパッタ法を用いて形成する。この後、
ネガ型レジスト３４を塗布硬化し、フォトマスク３５を
用い露光を行なう。ここで、ネガ型レジスト光の露光さ
れた部分が現像され難くなるように、フォトマスク３５
は、パッドの部分が黒いパターン３６のものを用いる。
【００２６】次に、図６（ｂ）に示すように、穴のみパ
ターンが形成されているフォトマスク３７を用い、一つ
一つの金属ビア３２の縁に穴のパターンを露光する。こ
こで、３８はレジストの未露光部、３９はレジストの露
光部である。次に、図６（ｃ）に示すように、露光が終
了した基板はネガ型レジスト用の現像液で現像して、除
去部４０を形成し、パッドのパターン部にカレントフィ
ルム３３を露出させた状態にする。
ターンが形成されているフォトマスク３７を用い、一つ
一つの金属ビア３２の縁に穴のパターンを露光する。こ
こで、３８はレジストの未露光部、３９はレジストの露
光部である。次に、図６（ｃ）に示すように、露光が終
了した基板はネガ型レジスト用の現像液で現像して、除
去部４０を形成し、パッドのパターン部にカレントフィ
ルム３３を露出させた状態にする。
【００２７】次に、図６（ｄ）に示すように、電解めっ
きを施し、ネガ型レジスト３４を除去する。次いで、図
６（ｅ）に示すように、カレントフィルム３３を除去
し、金属ビア３２の周りにガス抜き用穴４２を開けたパ
ッドパターン４１の形成を行なう。次に、本発明の第４
実施例を図７及び図８を用いて説明する。
きを施し、ネガ型レジスト３４を除去する。次いで、図
６（ｅ）に示すように、カレントフィルム３３を除去
し、金属ビア３２の周りにガス抜き用穴４２を開けたパ
ッドパターン４１の形成を行なう。次に、本発明の第４
実施例を図７及び図８を用いて説明する。
【００２８】図７は本発明の第４実施例を示す多層基板
のパッドパターンの製造工程断面図（その１）、図８は
その多層基板のパッドパターンの製造工程断面図（その
２）である。この実施例では、低い温度で同時焼成を行
なうセラミック基板は、金属ビアの材質としてＡｕ、Ａ
ｇ等の貴金属を用いる。しかし、Ａｕ、Ａｇは上層に形
成する薄膜多層の有機誘電体との密着が悪い。また、Ａ
ｇは誘電体中に拡散してしまい絶縁不良の原因になる。
のパッドパターンの製造工程断面図（その１）、図８は
その多層基板のパッドパターンの製造工程断面図（その
２）である。この実施例では、低い温度で同時焼成を行
なうセラミック基板は、金属ビアの材質としてＡｕ、Ａ
ｇ等の貴金属を用いる。しかし、Ａｕ、Ａｇは上層に形
成する薄膜多層の有機誘電体との密着が悪い。また、Ａ
ｇは誘電体中に拡散してしまい絶縁不良の原因になる。
【００２９】ここでは、パッドのガス抜き用穴の底部に
金属ビアの材料である金属以外の金属を用いた膜を形成
するようにしたので、同時焼成セラミック基板の金属ビ
アが、上層に形成する薄膜多層の有機誘電体と接触する
のを防止することができる。以下、多層基板のパッドパ
ターンの製造方法について説明する。まず、図７（ａ）
に示すように、低温同時焼成セラミック基板５１は金属
ビア（材質：Ａｕ）５２を有しており、研磨され平坦な
状態になっている。
金属ビアの材料である金属以外の金属を用いた膜を形成
するようにしたので、同時焼成セラミック基板の金属ビ
アが、上層に形成する薄膜多層の有機誘電体と接触する
のを防止することができる。以下、多層基板のパッドパ
ターンの製造方法について説明する。まず、図７（ａ）
に示すように、低温同時焼成セラミック基板５１は金属
ビア（材質：Ａｕ）５２を有しており、研磨され平坦な
状態になっている。
【００３０】次に、図７（ｂ）に示すように、この低温
同時焼成セラミック基板５１上にスパッタ法により、Ｃ
ｒ膜５３を１０００Å付け、その上にＣｕ膜５４を２０
００Å形成し、めっきのカレントフィルムとする。次
に、図７（ｃ）に示すように、ポジ型レジスト５５をス
ピンコート法で１０μｍ塗布し、９０℃で硬化し、パッ
ドのパターンを白抜きにした膜５８を有しているフォト
マスク５７を用いてｇ線で露光し、現像を行ないめっき
パターン５６を形成する。
同時焼成セラミック基板５１上にスパッタ法により、Ｃ
ｒ膜５３を１０００Å付け、その上にＣｕ膜５４を２０
００Å形成し、めっきのカレントフィルムとする。次
に、図７（ｃ）に示すように、ポジ型レジスト５５をス
ピンコート法で１０μｍ塗布し、９０℃で硬化し、パッ
ドのパターンを白抜きにした膜５８を有しているフォト
マスク５７を用いてｇ線で露光し、現像を行ないめっき
パターン５６を形成する。
【００３１】次に、図７（ｄ）に示すように、レジスト
パターンの形成が終了した基板は、電解銅めっきを実施
し、銅を５μｍ程度析出させ、パッドパターン５９を形
成する。次いで、図８（ａ）に示すように、めっきが終
了したら、ポジ型レジスト５５をアセントを用いて基板
から除去し、過硫酸アンモニウムの水溶液で銅のカレン
トフィルム５４〔図７（ｄ）参照〕をエッチングする。
パターンの形成が終了した基板は、電解銅めっきを実施
し、銅を５μｍ程度析出させ、パッドパターン５９を形
成する。次いで、図８（ａ）に示すように、めっきが終
了したら、ポジ型レジスト５５をアセントを用いて基板
から除去し、過硫酸アンモニウムの水溶液で銅のカレン
トフィルム５４〔図７（ｄ）参照〕をエッチングする。
【００３２】次いで、図８（ｂ）に示すように、ネガ型
レジスト６０を４μｍ程度塗布・硬化し、パッドパター
ンを白抜きにしたパターン６２を有したフォトマスク６
１を用い、ｇ線で露光・現像し、パッドパターン５９の
上に、ネガ型レジストの露光パターン６３を残す。次
に、図８（ｃ）に示すように、ネガ型レジストの現像が
終了した基板は、希塩酸（１０％）を用いてＣｒ膜５３
をエッチングし、その後レジスト５５を除去する。これ
らの工程を経ることにより、パッドパターン５９のガス
抜き用穴６４の底部には常にＣｒ膜５３が露出してお
り、誘電体は同時焼成セラミック基板５１の金属ビア５
２と接触しないので基板の信頼性を向上できる。
レジスト６０を４μｍ程度塗布・硬化し、パッドパター
ンを白抜きにしたパターン６２を有したフォトマスク６
１を用い、ｇ線で露光・現像し、パッドパターン５９の
上に、ネガ型レジストの露光パターン６３を残す。次
に、図８（ｃ）に示すように、ネガ型レジストの現像が
終了した基板は、希塩酸（１０％）を用いてＣｒ膜５３
をエッチングし、その後レジスト５５を除去する。これ
らの工程を経ることにより、パッドパターン５９のガス
抜き用穴６４の底部には常にＣｒ膜５３が露出してお
り、誘電体は同時焼成セラミック基板５１の金属ビア５
２と接触しないので基板の信頼性を向上できる。
【００３３】また、パッドパターンのガス抜き用穴の底
部に露出させる金属の応用例としてＴｉとニクロム（Ｎ
ｉ−Ｃｒ）がある。まず、パッドのガス抜き用穴の底部
の金属にＴｉを用いる場合は、カレントフィルムで銅の
下にスパッタする金属をＴｉに変更し、図８（ｃ）の工
程で用いるエッチング液としてフッ酸を用いる。
部に露出させる金属の応用例としてＴｉとニクロム（Ｎ
ｉ−Ｃｒ）がある。まず、パッドのガス抜き用穴の底部
の金属にＴｉを用いる場合は、カレントフィルムで銅の
下にスパッタする金属をＴｉに変更し、図８（ｃ）の工
程で用いるエッチング液としてフッ酸を用いる。
【００３４】次に、パッドのガス抜き用穴の底部の金属
にニクロムを用いる場合は、カレントフィルムで銅の下
にスパッタする金属をニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）に変更
し、図８（ｃ）の工程で用いるエッチング液として硝酸
第２セリウムアンモン溶液を用いる。なお、本発明は上
記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基
づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲
から排除するものではない。
にニクロムを用いる場合は、カレントフィルムで銅の下
にスパッタする金属をニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）に変更
し、図８（ｃ）の工程で用いるエッチング液として硝酸
第２セリウムアンモン溶液を用いる。なお、本発明は上
記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基
づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲
から排除するものではない。
【００３５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、薄膜多層配線と同時焼成セラミック基板の金属
ビアを接続させるためのパッドパターンの、同時焼成セ
ラミック基板の金属ビアの直上周辺部に微小なガス抜き
用穴を形成するようにしたので、従来のように、後工程
における加熱工程において、先に基板のボイド・クラッ
ク中に滲み込んだめっき液・水が膨張するため、パッド
パターンを基板から持ち上げ剥がが生じることはなくな
り、同時焼成セラミック基板にパッドパターンを形成す
ることが可能になる。
よれば、薄膜多層配線と同時焼成セラミック基板の金属
ビアを接続させるためのパッドパターンの、同時焼成セ
ラミック基板の金属ビアの直上周辺部に微小なガス抜き
用穴を形成するようにしたので、従来のように、後工程
における加熱工程において、先に基板のボイド・クラッ
ク中に滲み込んだめっき液・水が膨張するため、パッド
パターンを基板から持ち上げ剥がが生じることはなくな
り、同時焼成セラミック基板にパッドパターンを形成す
ることが可能になる。
【００３６】また、前記ガス抜き用穴の底部に金属ビア
の材料である金属以外の金属を用いるようにしたので、
下地の同時焼成セラミック基板のビア金属が上層の薄膜
多層の有機誘電体と接触することがなくなり、薄膜多層
の有機誘電体層にビア金属が拡散することを防止し、か
つ、誘電体との密着性を向上させることができる。
の材料である金属以外の金属を用いるようにしたので、
下地の同時焼成セラミック基板のビア金属が上層の薄膜
多層の有機誘電体と接触することがなくなり、薄膜多層
の有機誘電体層にビア金属が拡散することを防止し、か
つ、誘電体との密着性を向上させることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す多層基板のパッドパ
ターンの拡大平面図である。
ターンの拡大平面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す多層基板のパッドパ
ターンの製造工程断面図である。
ターンの製造工程断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す多層基板のパッドパ
ターンの拡大平面図である。
ターンの拡大平面図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す多層基板の概観図で
ある。
ある。
【図５】本発明の第３実施例を示す多層基板のパッドパ
ターンの拡大平面図である。
ターンの拡大平面図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す多層基板のパッドパ
ターンの製造工程断面図である。
ターンの製造工程断面図である。
【図７】本発明の第４実施例を示す多層基板の金属ビア
部の製造工程断面図（その１）である。
部の製造工程断面図（その１）である。
【図８】本発明の第４実施例を示す多層基板の金属ビア
部の製造工程断面図（その２）である。
部の製造工程断面図（その２）である。
１１，２１，３１，５１ 焼成セラミック基板 １２，２２，３２，５２ 金属ビア １３，３３ カレントフィルム １４，５５ ポジ型レジスト １５，３５，３７，５７，６１ フォトマスク １８，２３，４１，５９ パッドパターン １９，２４，４２，６４ ガス抜き用穴 ３４，６０ ネガ型レジスト ５３ Ｃｒ膜 ５４ Ｃｕ膜 ５６ めっきパターン ６３ ネガ型レジストの露光パターン
Claims (9)
- 【請求項１】 同時焼成セラミック基板上に薄膜多層配
線が形成される多層基板において、 （ａ）前記焼成セラミック基板に形成する金属ビアと、 （ｂ）該金属ビアの周辺部に微小なガス抜き用穴を形成
するとともに、前記薄膜多層配線と接続するパッドパタ
ーンを具備することを特徴とする多層基板。 - 【請求項２】 前記ガス抜き用穴を前記焼成セラミック
基板の金属ビアの位置のバラツキの範囲内に碁盤の目状
に均等に配置することを特徴とする請求項１記載の多層
基板。 - 【請求項３】 前記焼成セラミック基板の金属ビアの位
置のバラツキの大きさにより、該焼成セラミック基板内
で前記ガス抜き用穴を開ける範囲を段階を踏んで領域設
定したことを特徴とする請求項２記載の多層基板。 - 【請求項４】 前記焼成セラミック基板の金属ビアとセ
ラミックの境界部分の上部にガス抜き用穴を形成するこ
とを特徴とする請求項１記載の多層基板。 - 【請求項５】 前記ガス抜き用穴の底部に前記金属ビア
の材料である金属以外の金属からなる膜を形成してなる
請求項１記載の多層基板。 - 【請求項６】 前記金属ビアの材料である金属以外の金
属がＣｒであることを特徴とする請求項５記載の多層基
板。 - 【請求項７】 前記金属ビアの材料である金属以外の金
属がＴｉであることを特徴とする請求項５記載の多層基
板。 - 【請求項８】 前記ビア金属以外の金属薄膜がニクロム
（Ｎｉ−Ｃｒ）であることを特徴とする請求項５記載の
多層基板。 - 【請求項９】 前記ビア金属以外の金属からなる膜とし
て、めっき電極のカレントフィルムをエッチングせずに
残して形成することを特徴とする請求項５、６、７又は
項８記載の多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19068793A JPH0745951A (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19068793A JPH0745951A (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 多層基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745951A true JPH0745951A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16262205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19068793A Withdrawn JPH0745951A (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112770550A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-05-07 | 深圳市实锐泰科技有限公司 | 一种具有排气通道柔性电路板及其制作方法 |
-
1993
- 1993-08-02 JP JP19068793A patent/JPH0745951A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112770550A (zh) * | 2021-01-18 | 2021-05-07 | 深圳市实锐泰科技有限公司 | 一种具有排气通道柔性电路板及其制作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |