JPH1154930A

JPH1154930A - 多層配線基板の製造方法

Info

Publication number: JPH1154930A
Application number: JP9204346A
Authority: JP
Inventors: Tatsuya Ito; 達也伊藤
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1997-07-30
Filing date: 1997-07-30
Publication date: 1999-02-26

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】セミアディティブ法により下部配線層とビアを
形成するにあたって、貼付面の段差を小さくして配線間
の絶縁抵抗の低下や短絡を防止した製造方法を提供する
こと。【解決手段】下部絶縁層１０１上に無電解メッキ層１０
３を形成し、第１感光性ドライフィルムＤＦ１を貼り付
け、露光・現像して下部配線層用開口パターンを開口さ
せる。無電解メッキ層１０３を通じて電流を流し、この
開口内に電解メッキ下部配線層１０５を形成する。第１
感光性ドライフィルムＤＦ１および電解メッキ下部配線
層１０５上に第２感光性ドライフィルムＤＦ２を貼り付
け、露光・現像して、電解メッキ下部配線層１０５の一
部上面にビア用開口パターンＯＰ２を開口させる。無電
解メッキ層１０３を通じて電流を流し、この開口ＯＰ２
内に電解メッキによりビア１０７を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、上部配線層と下部
配線層とをビアを介して接続する多層配線基板の製造方
法に関し、さらに詳しくは、ビアをフォトリソグラフィ
技術およびメッキ技術によって形成する多層配線基板の
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より多層配線基板を形成するのに、
セミアディティブ法が知られている。この手法は、まず
下部絶縁層上に全面に無電解メッキを施し、その後フォ
トレジストによって開口を形成する。ついで、無電解メ
ッキ層を通じて電流を流し電解メッキにより開口内に電
解メッキ下部配線層を形成する。その後、フォトレジス
トを除去し、さらに露出した無電解メッキ層をエッチン
グ除去して無電解メッキ下部配線層と電解メッキ下部配
線層の２層からなる下部配線層を形成するのである。

【０００３】またこの手法を下部配線層上にビアを形成
する場合に応用することも行われている。即ち、下部配
線層および下部配線層間に露出する下部絶縁層上に無電
解メッキによって全面に無電解メッキ層を形成する。そ
の後、この上に後に形成するビアの高さと同じかそれよ
りも厚くフォトレジスト層を形成し、露光現像してビア
用開口を形成し、この無電解メッキ層を介して電流を流
しビア用開口内に電解メッキビアを形成する。ついで、
フォトレジストを除去し、さらに露出している下部配線
層間（および下部配線層上）の無電解メッキ層をエッチ
ング除去することにより、下部配線層間の絶縁を確保す
ると共に下部配線層上の必要部分にビア（ビアポスト）
を形成する。

【０００４】その後、上部配線層を形成するには、さら
に絶縁樹脂ペーストを塗布し乾燥させ、研磨によってビ
アの上面を露出させた後に、下部配線層と同様にして上
部配線層を形成する。このようにして配線層及び絶縁層
を１層ずつ積み重ねてゆく方法をビルドアップ配線形成
法と呼ばれている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したセ
ミアディティブ法によって下部配線層やビアを形成する
場合、使用するフォトレジストには、液状のものを塗布
乾燥して使用するタイプ（液状レジスト）と、すでに半
乾燥状態のフィルム状のレジストを貼り付けるタイプ
（ドライフィルムレジスト）とがある。このうち、液状
レジストは、多少の凹凸にも確実に追従して形成できる
利点があるが、均一な厚さに塗布することが難しい。ま
た、一度に厚く塗布することが難しく、例えば１回に１
０μｍ程度の厚さしか形成できない。必要な厚みよりも
レジストが薄い場合には、ビア等の上部がレジストの開
口縁を乗り越えて横方向に広がり、キノコ状になるなど
形状や高さのばらつきを生じるため、レジストは所定の
厚さを確保する必要がある。従って、厚く形成したい場
合には、数回（例えば４０μｍとしたいときには４〜５
回）の塗布と乾燥を繰り返す必要がある。

【０００６】一方、ドライフィルムレジスト（以下、単
にドライフィルムともいう）は、当初からある一定の厚
さに形成されているため、均一な厚さのレジスト層が形
成でき、貼り付けるだけで足りるので取り扱いも容易で
ある。また、厚いもの（例えば厚さ４０μｍのもの）も
容易に入手できる利点もある。しかし、貼り付け面の凹
凸が大きい場合には、その形に追従できず、局部的にレ
ジストが浮き上がるレジスト浮きを生じる。このような
レジスト浮きがあると、メッキ時にこの浮き上がり部分
にメッキ液が浸透し、不要部にもメッキが付着するメッ
キダレが生じることがあった。上述したように電解メッ
キ後には露出した無電解メッキ層を除去するためにエッ
チング処理を行うのであるが、このメッキダレが配線間
に生じた場合には、十分に配線間のメッキが除去できな
いことになる。従って、配線間の絶縁抵抗が低下した
り、甚だしい場合には配線間がショート（短絡）するこ
ともある。

【０００７】さらに、下部配線層と上部配線層の間に所
定の絶縁抵抗を確保するため、絶縁層は所定の厚さとす
る必要があり、ビアの高さも所定の高さとする必要があ
るので、一般に、下部及び上部配線層の厚さよりも高く
する必要があった。

【０００８】従って、上述のように下層配線層の上部に
ビアを形成する場合において、液状レジストを塗布する
場合には、形成するビアの高さよりも高くレジストを形
成するため、複数回にわたって液状レジストの塗布と乾
燥を繰り返す必要があり、工数を要していた。一方、図
５に示すように、ドライフィルムＤＦを用いてビア７を
形成する場合には、既に、下部絶縁層１上に形成された
下部配線層２とその間に露出する下部絶縁層１との段
差、従って、各々の上に無電解メッキ層３を形成した後
の凹凸の段差が大きい上、ドライフィルムＤＦに厚さの
厚いものを使用するため、追従性が悪く、レジスト浮き
Ｆを生じる（図５(a)参照）。そのため、電解メッキ時
に、このレジスト浮きＦの部分にメッキ液が浸透してメ
ッキが析出し、メッキダレＤを生じる。特にビア形成時
には、ビア部分を高く（厚く）形成する条件で電解メッ
キを行うため、このメッキダレＤの部分も厚く析出しや
すい。そのため、その後の無電解メッキ層３のエッチン
グ除去を目的としたエッチングでは十分に除去できない
ままとなり、配線間の絶縁抵抗が低下したり、配線間シ
ョートが発生することがあった。

【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、扱いやすいドライフィルムレジストを用い
つつ、レジスト浮きによるメッキダレ現象の生じない信
頼性の高い配線基板の製造方法を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段および効果】しかして、請
求項１に記載の解決手段は、上部配線層と下部配線層と
を接続するためのビアを有する多層配線基板の製造方法
であって、下部絶縁層上に形成された無電解メッキ層上
に第１感光性ドライフィルムレジストを貼り付けた後、
露光・現像して下部配線層用開口パターンを開口させる
工程と、上記無電解メッキ層を通じて電流を流し、上記
下部配線層用開口パターン内に電解メッキにより電解メ
ッキ下部配線層を形成する工程と、上記第１感光性ドラ
イフィルムレジストおよび上記電解メッキ下部配線層上
に第２感光性ドライフィルムレジストを貼り付けた後、
露光・現像して、該電解メッキ下部配線層の一部上面に
ビア用開口パターンを開口させる工程と、上記無電解メ
ッキ層を通じて電流を流し、上記ビア用開口パターン内
に電解メッキによりビアを形成する工程と、上記第１及
び第２感光性ドライフィルムレジストを除去する工程
と、上記無電解メッキ層のうち露出している部分をエッ
チング除去する工程と、を備えることを特徴とする多層
配線基板の製造方法である。

【００１１】上記手段によれば、第１感光性ドライフィ
ルムレジスト上に第２感光性ドライフィルムレジストを
貼り付けるので、第２感光性ドライフィルムレジストの
みを貼る場合と異なり、貼り付け面の段差が小さくな
る。従って、第２感光性ドライフィルムレジストを容易
にかつ浮き上がりがなく貼り付けられる。従って、レジ
スト浮きに伴って発生するメッキダレ現象を防止でき、
配線間の絶縁抵抗が高い信頼性の高い配線が形成でき
る。また、ビア用パターンを形成するのに（第２感光
性）ドライフィルムレジストを用いているので、液状レ
ジストを塗布するのに比べて、厚く均一な厚さのレジス
ト膜を容易に形成できるので、安価な多層配線基板とす
ることができる。

【００１２】ここで、下部絶縁層としては、エポキシ樹
脂やＢＴ(ヒ゛スマレイミト゛-トリアシ゛ン)樹脂、ポリイミド樹脂等の
絶縁性樹脂から形成されたものや、アルミナ、窒化アル
ミ、ガラスセラミック等のセラミック、ガラス−エポキ
シ樹脂、ガラス−ＢＴ樹脂等の複合材料等を適宜選択で
きる。また、無電解メッキ層の材質は、下部絶縁層の材
質との密着性、導電性やメッキの容易さ等を考慮して適
宜選択すればよいが、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ等を選択
することができる。

【００１３】また、電解メッキ下部配線層やビアの材質
も、無電解メッキ層やビアを形成した後に形成する絶縁
層の材質との密着性、導電性やメッキの容易さ等を考慮
して適宜選択すればよいが、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、
Ｃｒ等を選択することができる。さらに、無電解メッキ
層のエッチング除去時にビアの頂部がエッチングされる
のを防止するために、無電解メッキ層と異なる材質のメ
ッキによりビア上面を薄く形成してもよい。即ち、例え
ば、Ｃｕ無電解メッキ層を通じて電流を流しＣｕ電解メ
ッキによってビアを形成し、さらに薄い電解Ｎｉメッキ
によってビア上面を形成しても良い。このようにする
と、ビア上面のＮｉメッキによりＣｕエッチング時に上
部を保護することができる。また、ビアを形成した後に
形成する絶縁層の材質は、下部絶縁層やビアの材質、絶
縁性や吸水性等の特性を考慮して選択すればよいが、例
えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙
げられる。

【００１４】さらに、請求項２に記載の解決手段は、前
記第２感光性ドライフィルムレジストを貼り付ける前
に、前記電解メッキ下部配線層上面を荒らす粗化処理工
程を備えることを特徴とする請求項１に記載の多層配線
基板の製造方法である。

【００１５】上記手段によれば、粗化処理工程により、
電解メッキ下部配線層表面が粗面となる。このため、第
２感光性ドライフィルムを貼り付けたときに両者間の接
触面積が大きくなり、電解メッキ下部配線層と第２感光
性ドライフィルムレジストとの密着性がさらに向上す
る。したがって、電解メッキ下部配線層から第２感光性
ドライフィルムレジストが剥がれることがなくなり、レ
ジスト浮きやメッキダレを防止できる。従って、より信
頼性の高い多層配線基板を製造することができる。

【００１６】ここで、粗化処理工程とは、電解メッキ下
部配線層上面の粗度を大きくする処理を指し、具体的に
は、電解メッキ下部配線層の上面を過硫酸塩系エッチン
グ液や硫酸−過酸化水素系エッチング液等を用いたエッ
チング（ソフトエッチング）により粗面化する方法が挙
げられる。これらのソフトエッチングによれば、エッチ
ング速度が小さいため、エッチングが急激に進行せず処
理時間による粗面化の度合いのばらつきが小さくなって
好ましい。また、電解メッキ下部配線層の上面にＣｕや
Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｏなどからなる合金メッキにより針状あ
るいは粒状メッキを施しても良い。なお、この粗化処理
工程においては、第１感光性ドライフィルムを貼り付け
たまま処理を行うので、ドライフィルムが耐えられる処
理を選択すると良い。

【００１７】なお、この粗化処理によって形成された電
解メッキ下部配線層上面のうち、第２感光性ドライフィ
ルムレジストを貼り付けた後に開口させたビア用開口パ
ターン内に露出する部分（開口部底面）については、電
解メッキ下部配線層とビアとの接続性を向上させるた
め、電解メッキによりビアを形成する前に、酸性脱脂に
よるレジスト残さ除去やエッチング（ソフトエッチン
グ）による活性化等をしても良い。

【００１８】さらには、電解メッキ下部配線層を形成す
る工程において、半光沢あるいは無光沢電解メッキによ
って電解メッキ下部配線層を形成するのも好ましい。電
解メッキ下部配線層の析出表面自身が粗面となるので、
粗化処理が不要となる。もしくは、弱いあるいは短時間
の粗化処理で十分な粗化面が得られるからである。

【００１９】さらに請求項３に記載の解決手段は、前記
電解メッキ下部配線層を形成する工程において、該電解
メッキ下部配線層の上面と第１感光性ドライフィルムレ
ジストとの上面の段差が０〜５μｍの範囲になるように
該電解メッキ下部配線層を形成することを特徴とする請
求項１または２のいずれかに記載の多層配線基板の製造
方法である。

【００２０】上記手段によれば、電解メッキ下部配線層
の上面と第１感光性ドライフィルムレジストとの上面の
段差が０〜５μｍと小さくされている。このため、段差
がこの範囲にあると、第２感光性ドライフィルムレジス
トの貼り付け時に、このドライフィルムレジストが段差
に確実に追従するため、レジスト浮きを発生しないで確
実に貼り付けることができ、メッキダレを生じない。従
って、より信頼性の高い多層配線基板を製造することが
できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を、
図面を参照しつつ説明する。図１〜３は、本発明の多層
配線基板の製造工程を説明するための部分拡大断面図で
ある。図１(a)のエポキシ系樹脂からなる下部絶縁層１
０１は、図示しないコア基板（ＢＴ樹脂−ガラス複合
材）上に形成されており、電解Ｃｕメッキによって形成
された下層ビア１０２が内部を図中上下に貫通して形成
されている。また、絶縁層１０１および下層ビア１０２
の図中上面１０１ａ、１０２ａは、バフ研磨によって平
滑に整面されている。

【００２２】まず、この絶縁層１０１の上側表面１０１
ａを過マンガン酸溶液（４５ｇ／ｌ）で粗化する。さら
に、下層ビア１０２の上面１０２ａのＣｕを硫酸−過酸
化水素系エッチング液（奥野製薬製；ＯＰＣ−４００）
によってソフトエッチングし、Ｓｎ−Ｐｄコロイド溶液
（奥野製薬製；ＯＰＣ−８０）に浸漬してＰｄ触媒核を
吸着させる。ついで、無電解Ｃｕメッキ（奥野製薬製；
ビルドカッパー）により絶縁層上面１０１ａおよびビア
上面１０２ａ全体に厚さ０．５〜１．０μｍの無電解Ｃ
ｕメッキ層１０３を被着した（図１(b)）。これにより
下層ビア１０２と無電解メッキ層１０３とが接続され
た。

【００２３】その後、ホットロールラミネータを用いて
厚さ２５μｍの第１感光性ドライフィルムレジストＤＦ
１（日本合成化学製；ＮＩＴ−２２５）を無電解メッキ
層１０３上にラミネートする。ついで、下部配線層パタ
ーンを露光し、１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像
し、下部配線層用開口パターンＯＰ１を開口させる（図
１(c)）。なお、無電解メッキ層と次述する電解Ｃｕメ
ッキとの密着性の向上のため、開口パターンＯＰ１の底
面について、酸性脱脂によってレジスト残さを除去し、
ソフトエッチングによって無電解Ｃｕメッキ層表面を活
性化する。さらに、図１(d)に示すように、無電解Ｃｕ
メッキ層１０３を通じて電流を流して、硫酸銅系電解Ｃ
ｕメッキを行い、開口パターンＯＰ１内に、厚さ約２２
μｍの電解メッキ下部配線層１０５を形成した。このと
き、第１感光性ドライフィルムレジストＤＦ１の上面Ｄ
Ｆ１ａと電解メッキ下部配線層１０５の上面１０５ａと
の段差ｄが、０〜５μｍになるようにＣｕメッキを施し
た。なお、下部配線層１０５の方がドライフィルムＤＦ
１の上面ＤＦ１ａよりも高くなる（即ち、段差ｄ＜０と
なる）場合には、電解メッキ下部配線層１０５は、開口
ＯＰ１の開口端を越えて横に広がり、キノコ状となるの
で好ましくない。一方、段差ｄが５μｍを越える場合に
は、後に貼り付ける第２感光性ドライフィルムＤＦ２が
段差ｄに追従しにくくなるので、段差ｄが大きくなるに
従ってレジスト浮きが生じやすくなり、後述する電解メ
ッキ工程においてメッキダレが生じやすくなる。

【００２４】ついで、電解メッキ下部配線層１０５の上
面１０５ａを過硫酸塩系エッチング剤（荏原ユージライ
ト製；ＰＢ−２２８）でソフトエッチングして粗化面１
０５ｂを形成する。このソフトエッチングによる粗化処
理によって下部配線層１０５の上面１０５ａは粗化され
て粗化面１０５ｂとなり、次述する第２ドライフィルム
レジストＤＦ２を貼り付けたときに、粗化面１０５ｂと
第２ドライフィルムＤＦ２とが強固に密着するようにな
る。なお、この粗化処理には、過硫酸塩系エッチング液
によるソフトエッチングを用いたので、エッチング速度
が小さく、処理時間が多少変動しても粗化処理状態に与
える影響が少ない。このため、工程管理が容易になり歩
留まりも向上する。

【００２５】ついで厚さ４０μｍの第２ドライフィルム
レジストＤＦ２（日本合成化学製；ＮＩＴ−２４０）を
第１ドライフィルムレジストＤＦ１の上面ＤＦ１ａおよ
び粗化面１０５ｂ上にホットロールラミネータを用いて
貼り付ける。このとき、前記したように、第１ドライフ
ィルムＤＦ１の上面ＤＦ１ａと下部配線層１０５の上面
１０５ａ、したがって粗化面１０５ｂとの段差ｄは５μ
ｍ以内とされており、第２ドライフィルムＤＦ２はレジ
スト浮きを生じることなく密着して貼り付けることがで
きた。その後、ビア用パターンを露光し、１％炭酸ナト
リウム水溶液を用いて現像し、直径６０μｍのビア用開
口パターンＯＰ２を開口させる（図２(a)）なお、開口
パターンＯＰ２の底面についても、酸性脱脂によってレ
ジスト残さを除去し、ソフトエッチングによって下部配
線層表面を活性化して、下部配線層と次述する電解Ｃｕ
メッキ（ビア）との密着性が向上させる。

【００２６】ついで、電解メッキ下部配線層１０５を形
成したとき（図１(d)）と同様に、無電解メッキ層１０
３を通じて電流を流し、硫酸銅系電解Ｃｕメッキによ
り、直径６０μｍ、高さ４０μｍのビア１０７を形成し
た（図２(b)）。上記したように、第２ドライフィルム
ＤＦ２にレジスト浮きが生じていないので、電解メッキ
中に第２ドライフィルムＤＦ２の下にメッキ液が入り込
んでメッキが析出するメッキダレは生じない。なお、本
例では厚さ４０μｍの第２ドライフィルムＤＦ２を用い
てこれとほぼ同じ高さ（４０μｍ）のビア１０７を形成
した。これは、後述する工程においてビア１０７の上部
を５μｍ程度研磨によって除去するため、ビア１０７の
上部の形状についてあまり問題とならないからである。
さらに厚いドライフィルム（例えば５０μｍのもの）を
用いて高さ４０μｍのビア１０７を形成しても良いこと
は言うまでもない。

【００２７】その後、３％ＮａＯＨ水溶液のシャワーに
よってドライフィルムレジストＤＦ２、およびＤＦ１を
剥離し除去した。これにより、図２(c)に示すように、
電解メッキ下部配線層１０５上にビア（ビアポスト）１
０７が形成できた。

【００２８】ついで、過硫酸塩系エッチング液（荏原ユ
ージライト製；ＰＢ−２２８）によってソフトエッチン
グを行い、全面にわたってＣｕを約１μｍエッチング除
去することにより、電解メッキ下部配線層１０５間の無
電解Ｃｕメッキ層を除去し、下部絶縁層１０１の上面１
０１ａを露出させ、各配線パターンを独立させる。これ
により、無電解Ｃｕメッキ層１０３のうち露出した部分
は除去され、電解メッキ下部配線層１０５の下部となっ
た部分のみ無電解メッキ下部配線層１０３ａとして残
り、下部配線層１０６が形成された（図３(a)）。

【００２９】その後、下部配線層１０６およびビア１０
７の表面に、周知の黒化処理を施し表面を粗化した。こ
の粗化によって次述する絶縁層との密着性を向上させる
ことができる。ついで、図３(b)に示すように、エポキ
シ樹脂系絶縁ペーストをスクリーン印刷によって塗布
し、１５０℃で２時間キュアして下部配線層１０６の上
面から約３５μｍの厚さの絶縁層１１１を形成した。こ
の際、ビア１０７の上方にも絶縁層が形成されるが、絶
縁ペーストが流れ拡がるので、その高さはビア１０７上
方で１０μｍ程度となる。

【００３０】さらに、絶縁層１１１の上面をバフ研磨に
よって平坦にする。この研磨によって、ビア１０７の上
方の絶縁層が除去され、図３(c)に示すように、ビア１
０７の上部も約５μｍ研磨されてビア１０７が露出す
る。なお、ビア１０７の研磨しろ（本例の場合５μｍ）
は、確実にビア１０７の上面が絶縁層１１１から露出す
るように、絶縁層１１１の厚さやビア１０７の高さのば
らつき等を勘案し、適当な値が選択される。

【００３１】その後、上記した図１(b)の場合と同様
に、過マンガン酸を用いて絶縁層１１１の表面を粗化
し、ビア１０７の上面（研磨面）を硫酸−過酸化水素系
エッチング剤でソフトエッチングする。さらに、Ｓｎ−
Ｐｄコロイド溶液に浸漬した後、無電解Ｃｕメッキを施
し、上部無電解メッキ層を形成し、さらに周知のセミア
ディティブ法によって、図４示すように、電解メッキ上
部配線層１１５と無電解メッキ上部配線層１１３ａから
なる上部配線層１１６を形成する。具体的には、図示し
ない上部無電解メッキ層上に図示しないドライフィルム
レジストを貼り付け、露光・現像して上部配線層のパタ
ーンを開口させ、上部無電解メッキ層を通じて電流を流
し、開口内に電解Ｃｕメッキにより電解メッキ配上部線
層１１５を形成する。その後、ドライフィルムを剥離
し、ソフトエッチングにより露出した上部無電解メッキ
層を除去して各パターンを独立させて形成する。なお、
上部配線層１１６は、上部無電解メッキ層上にパネルＣ
ｕメッキを行った後にエッチングするサブトラクティブ
法によって形成しても良い。

【００３２】さらに上層のビア、絶縁層、配線層を順に
形成し、図４に示すような、多層配線基板１００を形成
した。図４の多層配線基板１００においては、絶縁層１
１１上に、無電解メッキ上部配線層１１３ａ、および電
解メッキ上部配線層１１５からなる上部配線層１１６が
形成され、下部配線層１０６と上部配線層１１６とはビ
ア１０７によって接続されている。さらに、上部配線層
１１６及びこの上に形成されたビア１１７相互間には絶
縁層１２１が形成されている。この絶縁層１２１上に
は、同様に無電解メッキ配線層１２３ａと電解メッキ配
線層１２５からなる配線層１２６が形成され、この配線
層１２６の上部のうち絶縁層（エポキシ樹脂系ソルダー
レジスト層）１３１の開口部１３１ａ内には、Ｎｉ−Ａ
ｕメッキ層１２８が形成され、さらに共晶ハンダからな
るハンダバンプ１３９が形成されている。この多層配線
基板１００においては、各絶縁層（１０１，１１１，１
２１）を貫通するビア（１０２，１０７，１１７）が、
上下に積み重なって形成されたいわゆるスタックドビア
を構成している。

【００３３】このように、本実施例においては、第１感
光性ドライフィルムＤＦ１の上に第２感光性ドライフィ
ルムＤＦ２を貼り付けたので、段差ｄが小さい（０〜５
μｍ）ため、第２感光性ドライフィルムＤＦ２にレジス
ト浮きが発生しない。従って、メッキダレ現象による絶
縁抵抗の低下や短絡の発生は生せず、信頼性の高い多層
配線基板とすることができる。また、無電解メッキ層１
０３は、電解メッキ下部配線層１０５の形成時の導体と
して用いるだけでなく、ビア１０７の形成時の電解メッ
キにも導体として用いており、下部配線層上に無電解メ
ッキを形成する必要がないので、工程を簡略化すること
ができる。

【００３４】なお、上記実施例においては、下部絶縁層
１０１上に３層の絶縁層（１１１，１２１，１３１）を
形成した例を示したが、積層された絶縁層の数に特に限
定はない。また、下部配線層と上部配線層を接続するビ
アに本発明を適用すればよく、図４に示すようないわゆ
るスタックドビアとなるようにビアを上下に積み重ねる
必要はない。一方、スタックドビアは、多数層にわたっ
て配線間を接続するのに、スタッガードビアに比較して
面積が少なくて済む利点があり、本発明は、このような
スタックドビアの形成においても有用なものである。

【００３５】さらに、上記実施形態では、粗化面１０５
ｂをソフトエッチングによって形成した（図２(a)参
照）。しかし、ソフトエッチングに代えて、表面が針状
または粒状になる酸性電解Ｃｕメッキを、電解メッキ下
部配線層１０５を形成する電解Ｃｕメッキに続いて施す
ことにより、粗化面１０５ｂを形成しても良い。このよ
うにすると、連続したメッキによって粗化面１０５ｂを
形成でき、エッチング作業やそれに伴う洗浄作業が不要
となる。

【００３６】また、他の手法としては、電解メッキ下部
配線層１０５を形成する電解Ｃｕメッキ液に添加する光
沢剤等を調整することにより、析出面が無光沢あるいは
半光沢となるようにしてもよい。このようにすると、電
解メッキ下部配線層１０５の上面は、ソフトエッチング
等の粗化処理を施さずに粗化面１０５ｂとすることがで
きる。

【００３７】上記においては、本発明を実施形態に即し
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、発明の範囲内において適宜変更して適用することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例にかかる多層配線基板の製造工
程の前段部分を説明する部分拡大断面図である。

【図２】本発明の実施例にかかる多層配線基板の製造工
程の中段部分を説明する部分拡大断面図である。

【図３】本発明の実施例にかかる多層配線基板の製造工
程の後段部分を説明する部分拡大断面図である。

【図４】本発明の実施例にかかる多層配線基板の部分拡
大断面図である。

【図５】従来の多層配線基板のビア形成工程の説明図で
ある。

【符号の説明】

１００多層配線基板１０１下部絶縁層１０２，１０７，１１７ビア１０３無電解Ｃｕメッキ層１０３ａ無電解メッキ下部配線層１０５電解メッキ下部配線層１０６下部配線層１１１，１２１，１３１絶縁層１１３ａ無電解メッキ上部配線層１１５電解メッキ上部配線層１１６上部配線層１３９ハンダバンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上部配線層と下部配線層とを接続するた
めのビアを有する多層配線基板の製造方法であって、下部絶縁層上に形成された無電解メッキ層上に第１感光
性ドライフィルムレジストを貼り付けた後、露光・現像
して下部配線層用開口パターンを開口させる工程と、上記無電解メッキ層を通じて電流を流し、上記下部配線
層用開口パターン内に電解メッキにより電解メッキ下部
配線層を形成する工程と、上記第１感光性ドライフィルムレジストおよび上記電解
メッキ下部配線層上に第２感光性ドライフィルムレジス
トを貼り付けた後、露光・現像して、該電解メッキ下部
配線層の一部上面にビア用開口パターンを開口させる工
程と、上記無電解メッキ層を通じて電流を流し、上記ビア用開
口パターン内に電解メッキによりビアを形成する工程
と、上記第１及び第２感光性ドライフィルムレジストを除去
する工程と、上記無電解メッキ層のうち露出している部分をエッチン
グ除去する工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】前記第２感光性ドライフィルムレジスト
を貼り付ける前に、前記電解メッキ下部配線層上面を荒
らす粗化処理工程を備えることを特徴とする請求項１に
記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】前記電解メッキ下部配線層を形成する工
程において、該電解メッキ下部配線層の上面と第１感光
性ドライフィルムレジストとの上面の段差が０〜５μｍ
の範囲になるように該電解メッキ下部配線層を形成する
ことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の
多層配線基板の製造方法。