JPH0746048B2 - パターン形状観測装置 - Google Patents
パターン形状観測装置Info
- Publication number
- JPH0746048B2 JPH0746048B2 JP13444088A JP13444088A JPH0746048B2 JP H0746048 B2 JPH0746048 B2 JP H0746048B2 JP 13444088 A JP13444088 A JP 13444088A JP 13444088 A JP13444088 A JP 13444088A JP H0746048 B2 JPH0746048 B2 JP H0746048B2
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- Japan
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- pattern
- light
- substrate
- observation
- pattern shape
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 プリント板において光拡散性の樹脂から成る基板の表面
に不透明物体の銅等のパターンが形成される場合の、そ
のパターン形状を光学的に観測するパターン形状観測装
置で、詳しくは、基板上のパターンを位置合わせ等のた
めに観測範囲を限定して局部的に観測する手段に関し、 パターン形状観測を簡単な構造の変更で位置合わせ等に
直接適用することを目的とし、 光拡散性の基板の表面に形成される不透明なパターンに
対し、照明装置を斜方照射可能に設け、且つ観測装置を
基板の再放射光による基板とパターンの明暗のコントラ
ストによりパターン形状を観測するように設けるパター
ン形状観測装置において、照明装置の投影マスクには基
板の限定された観測部分のみに暗部を設けるよう遮光部
を制限設定し、観測装置には暗部からの再放射光のみを
観測するように撮像マスクを設けるように構成する。
に不透明物体の銅等のパターンが形成される場合の、そ
のパターン形状を光学的に観測するパターン形状観測装
置で、詳しくは、基板上のパターンを位置合わせ等のた
めに観測範囲を限定して局部的に観測する手段に関し、 パターン形状観測を簡単な構造の変更で位置合わせ等に
直接適用することを目的とし、 光拡散性の基板の表面に形成される不透明なパターンに
対し、照明装置を斜方照射可能に設け、且つ観測装置を
基板の再放射光による基板とパターンの明暗のコントラ
ストによりパターン形状を観測するように設けるパター
ン形状観測装置において、照明装置の投影マスクには基
板の限定された観測部分のみに暗部を設けるよう遮光部
を制限設定し、観測装置には暗部からの再放射光のみを
観測するように撮像マスクを設けるように構成する。
本発明は、プリント板において光拡散性の樹脂から成る
基板の表面に不透明物体の銅等のパターンが形成される
場合の、そのパターン形状を光学的に観測するパターン
形状観測装置で、詳しくは、基板上のパターンを位置合
わせ等のために観測範囲を限定して局部的に観測する手
段に関する。
基板の表面に不透明物体の銅等のパターンが形成される
場合の、そのパターン形状を光学的に観測するパターン
形状観測装置で、詳しくは、基板上のパターンを位置合
わせ等のために観測範囲を限定して局部的に観測する手
段に関する。
一般にプリント板ではパターン形成後に、電気導通検査
で断線、ショートの接続状況試験が行われ、この外にパ
ターン外観検査でパターンの潜在的な欠損、突起等の検
査が行われて信頼性の向上を図っている。この場合のパ
ターン外観検査は主としてパターンを光学的に検出し
て、その形状を目視して判断するものであり、このパタ
ーン形状の観測方法に関しては種々提案されている。
で断線、ショートの接続状況試験が行われ、この外にパ
ターン外観検査でパターンの潜在的な欠損、突起等の検
査が行われて信頼性の向上を図っている。この場合のパ
ターン外観検査は主としてパターンを光学的に検出し
て、その形状を目視して判断するものであり、このパタ
ーン形状の観測方法に関しては種々提案されている。
ところで、パターン形状の観測データは外観検査のみな
らず、基板上に部品を実装する際の部品リードとパター
ンの位置合わせ等にも使用される。この場合に、基板上
のすべてのパターン形状データから必要なものを取出し
て処理する方法が考えられるが、処理が煩雑化して好ま
しくない。従って、基板の位置合わせが必要な特定のパ
ターンのみに限定し、そのパターン形状を適確に観測す
ることが望まれる。
らず、基板上に部品を実装する際の部品リードとパター
ンの位置合わせ等にも使用される。この場合に、基板上
のすべてのパターン形状データから必要なものを取出し
て処理する方法が考えられるが、処理が煩雑化して好ま
しくない。従って、基板の位置合わせが必要な特定のパ
ターンのみに限定し、そのパターン形状を適確に観測す
ることが望まれる。
そこで、従来上記パターン形状の光学的観測として、本
件出願人により既に提案されている第4図(a)、
(b)に示すものがある。即ち、(a)において符号1
はプリント板、2はエポキシ樹脂から成る光拡散性の基
板、3は基板2上に形成される銅等の不透明のパター
ン、4は基板2の下に設けられる光反射板である。
件出願人により既に提案されている第4図(a)、
(b)に示すものがある。即ち、(a)において符号1
はプリント板、2はエポキシ樹脂から成る光拡散性の基
板、3は基板2上に形成される銅等の不透明のパター
ン、4は基板2の下に設けられる光反射板である。
また、基板2のパターン3側には照明装置10と観測装置
20が配設される。照明装置10は光源11、集光レンズ12、
(c)のように円形の遮光部13aを有する投影マスク13
及び投影レンズ14から成り、基板上に斜方照射して
(b)のように観測部分Aに暗部B1を設け、暗部B1の周
囲に投影光C1が直接照射される明部B2を設けるようにな
っている。観測装置20は観測部分Aの直上に撮像レンズ
21が設けられてパターンエッジの像を透過し、CCDカメ
ラ22により画像信号に変換し、画像処理装置23によりパ
ターン形状を表示するようになっている。
20が配設される。照明装置10は光源11、集光レンズ12、
(c)のように円形の遮光部13aを有する投影マスク13
及び投影レンズ14から成り、基板上に斜方照射して
(b)のように観測部分Aに暗部B1を設け、暗部B1の周
囲に投影光C1が直接照射される明部B2を設けるようにな
っている。観測装置20は観測部分Aの直上に撮像レンズ
21が設けられてパターンエッジの像を透過し、CCDカメ
ラ22により画像信号に変換し、画像処理装置23によりパ
ターン形状を表示するようになっている。
これにより、(b)のように明部B2からの投影光C1によ
り光反射板4で反射して基板2の内部に拡散光C2を通
し、この拡散光C2による再放射光C3を暗部B1で外に放射
してバック照射と同様の状態にする。そして、再放射光
C3による基板2と不透明のパターン3との明暗のコント
ラストにより、パターン3の輪郭の形状を検出するので
ある。
り光反射板4で反射して基板2の内部に拡散光C2を通
し、この拡散光C2による再放射光C3を暗部B1で外に放射
してバック照射と同様の状態にする。そして、再放射光
C3による基板2と不透明のパターン3との明暗のコント
ラストにより、パターン3の輪郭の形状を検出するので
ある。
ところで、上記従来例のものにあっては、マスク13によ
る暗部B1が観測部分Aに対応して広範囲に設定されてい
るため、(b)の破線のように観測部分A′が位置合わ
せ用に小さく限定される場合には、以下のような不具合
を生じる。即ち、観測部分A′で明部B2に近いパターン
3aでは再放射光C3が多いことで、パターン形状が明確に
検出される。しかし、明部B2に遠いパターン3bでは
(b)のように内部拡散光C2が散乱光C4として散出して
しまい、再放射光C3の量が減少してパターン3bの形状検
出が著しく悪化する。
る暗部B1が観測部分Aに対応して広範囲に設定されてい
るため、(b)の破線のように観測部分A′が位置合わ
せ用に小さく限定される場合には、以下のような不具合
を生じる。即ち、観測部分A′で明部B2に近いパターン
3aでは再放射光C3が多いことで、パターン形状が明確に
検出される。しかし、明部B2に遠いパターン3bでは
(b)のように内部拡散光C2が散乱光C4として散出して
しまい、再放射光C3の量が減少してパターン3bの形状検
出が著しく悪化する。
ここで、位置合わせ用として観測部分がA′のように限
定された場合の、その範囲内のパターン3a、3bはいずれ
も明確に検出する必要がある。外観検査では不明確な場
合は基板2の位置をずらして明確化することができる
が、位置合わせではそれができない。従って、位置合わ
せ用では定位置で限定された観測部分A′のパターン3
a、3bの形状を明確に検出することが望まれる。
定された場合の、その範囲内のパターン3a、3bはいずれ
も明確に検出する必要がある。外観検査では不明確な場
合は基板2の位置をずらして明確化することができる
が、位置合わせではそれができない。従って、位置合わ
せ用では定位置で限定された観測部分A′のパターン3
a、3bの形状を明確に検出することが望まれる。
本発明は、かかる点に鑑みなされたもので、その目的と
するところは、パターン形状観測を簡単な構造の変更で
位置合わせ等に直接適用することができるパターン形状
観測装置を提供することにある。
するところは、パターン形状観測を簡単な構造の変更で
位置合わせ等に直接適用することができるパターン形状
観測装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明のパターン形状観測装
置は、 照明装置における投影マスクの遮光部を位置合わせ用の
限定された観測部分に対応して制限して設定し、基板上
で観測部分の暗部の周囲近傍に明部を設ける。
置は、 照明装置における投影マスクの遮光部を位置合わせ用の
限定された観測部分に対応して制限して設定し、基板上
で観測部分の暗部の周囲近傍に明部を設ける。
また、観測装置では明部の拡大による不必要な光を除
き、再放射光のみを観測可能にするため、CCDカメラの
直前に上記投影マスクの遮光部と相似形状の透過部を有
する撮像マスクを設けるものである。
き、再放射光のみを観測可能にするため、CCDカメラの
直前に上記投影マスクの遮光部と相似形状の透過部を有
する撮像マスクを設けるものである。
上記構成に基づき、照明装置の投影マスクによる照射で
基板上の位置合わせ用の限定された観測部分のみが暗部
で、その周囲が明部になり、基板の内部拡散光のほとん
どが再放射光になって、観測部分内のすべての位置のパ
ターンのコントラストが明確化する。また、観測装置で
は撮像マスクにより不必要な散乱光を除いて、再放射光
のみによるパターンの像で形状観測するようになる。
基板上の位置合わせ用の限定された観測部分のみが暗部
で、その周囲が明部になり、基板の内部拡散光のほとん
どが再放射光になって、観測部分内のすべての位置のパ
ターンのコントラストが明確化する。また、観測装置で
は撮像マスクにより不必要な散乱光を除いて、再放射光
のみによるパターンの像で形状観測するようになる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図において、符号1はプリント板、2は光拡散性の
基板、3は不透明なパターン、4は光反射板である。基
板2のパターン側には照明装置10が設けられ、光源11、
集光レンズ12、投影マスク13、投影レンズ14により斜方
照射可能になっている。また、観測装置20は撮像レンズ
21、CCDカメラ22、画像処理装置23の外に、CCDカメラ22
の直前に撮像マスク24が設定されて成る。
基板、3は不透明なパターン、4は光反射板である。基
板2のパターン側には照明装置10が設けられ、光源11、
集光レンズ12、投影マスク13、投影レンズ14により斜方
照射可能になっている。また、観測装置20は撮像レンズ
21、CCDカメラ22、画像処理装置23の外に、CCDカメラ22
の直前に撮像マスク24が設定されて成る。
ここで、基板2に部品を平面実装する場合の位置合わせ
に用いる場合について述べると、第3図(a)のように
基板2の部品実装部のパターン3の一端には部品リード
と接続するランド5が設けられ、このランド5が多数方
形に並んで配置されている。そこで、このランド5の形
状観測を二次元的に行うには、ランド5の列において例
えばL字形に観測部分A′を限定して定めれば良い。こ
のため、マスク13においては第3図(b)のように観測
部分A′に対応して遮光部13a′が同様のL字形に制限
限定され、これ以外が透過部13b′になっている。ま
た、マスク24では同図(c)のように透過部24aがL字
形を成し、遮光部24bがそれ以外になって不必要な散乱
光を除去するようになっている。
に用いる場合について述べると、第3図(a)のように
基板2の部品実装部のパターン3の一端には部品リード
と接続するランド5が設けられ、このランド5が多数方
形に並んで配置されている。そこで、このランド5の形
状観測を二次元的に行うには、ランド5の列において例
えばL字形に観測部分A′を限定して定めれば良い。こ
のため、マスク13においては第3図(b)のように観測
部分A′に対応して遮光部13a′が同様のL字形に制限
限定され、これ以外が透過部13b′になっている。ま
た、マスク24では同図(c)のように透過部24aがL字
形を成し、遮光部24bがそれ以外になって不必要な散乱
光を除去するようになっている。
上記構成により、照明装置10により斜方照射すると、第
2図のようにマスク13の遮光部13a′により基板2のラ
ンド5のL字形観測部分A′のみが暗部B1′になり、透
過部13b′によりその周囲近傍が明部B2′になって投影
光C1が照射する。そこで、投影光C1により基板2の内部
に入った内部拡散光C2は、直ちに暗部B1′の観測部分
A′に入ってほとんどが光反射板4により反射されて再
放射光C3になるのである。こうして、観測部分A′のす
べての位置で充分な再放射光C3が均一に放射し、これに
よりすべての位置で基板2とパターン3又はランド5の
明暗のコントラストが明確になる。
2図のようにマスク13の遮光部13a′により基板2のラ
ンド5のL字形観測部分A′のみが暗部B1′になり、透
過部13b′によりその周囲近傍が明部B2′になって投影
光C1が照射する。そこで、投影光C1により基板2の内部
に入った内部拡散光C2は、直ちに暗部B1′の観測部分
A′に入ってほとんどが光反射板4により反射されて再
放射光C3になるのである。こうして、観測部分A′のす
べての位置で充分な再放射光C3が均一に放射し、これに
よりすべての位置で基板2とパターン3又はランド5の
明暗のコントラストが明確になる。
一方、明部B2′の拡大により投影光C1の反射光が観測装
置20側に多量に向うが、CCDカメラ22の直前のマスク24
の遮光部24bによりそれらの反射光の入力が阻止されて
いる。そこで、上記基板2の再放射光C3のみがマスク24
の透過部24aによりCCDカメラ22に入り、上述のコントラ
ストに基づいてパターン又はランド形状が観測される。
置20側に多量に向うが、CCDカメラ22の直前のマスク24
の遮光部24bによりそれらの反射光の入力が阻止されて
いる。そこで、上記基板2の再放射光C3のみがマスク24
の透過部24aによりCCDカメラ22に入り、上述のコントラ
ストに基づいてパターン又はランド形状が観測される。
尚、位置合わせの初期には暗部B1′で観測されるランド
数が少なく、基板2の位置を二次元的に移動して位置合
わせが進むにつれて観測されるランド数が多くなる。そ
して、暗部B1′と観測部分A′が合致して、L字形に並
んだランド5を観測した状態で位置合わせが終了する。
数が少なく、基板2の位置を二次元的に移動して位置合
わせが進むにつれて観測されるランド数が多くなる。そ
して、暗部B1′と観測部分A′が合致して、L字形に並
んだランド5を観測した状態で位置合わせが終了する。
以上、本発明の一実施例について述べたが、実装部品と
の位置合わせ以外にも使用可能であり、スルーホール等
の観測もできる。
の位置合わせ以外にも使用可能であり、スルーホール等
の観測もできる。
観測部分A′はL字形以外にコ字形、3点又は4点に定
めても良い。
めても良い。
以上述べてきたように、本発明によれば、 パターン形状の観測において、局部的な複数個所のパタ
ーン形状をいずれも明確に観測できるので、位置合わせ
等の他用途にも直接使用でき、形状観測の解像度も向上
する。
ーン形状をいずれも明確に観測できるので、位置合わせ
等の他用途にも直接使用でき、形状観測の解像度も向上
する。
観測部分に応じて投影及び撮像のマスクを定めれば良い
ので、構造が簡単である。
ので、構造が簡単である。
撮像マスクの付加により光量過多による観測不能が回避
される。
される。
位置合わせ等の限定観測には光源の光量を低下し得る。
第1図は本発明のパターン形状観測装置の実施例を示す
構成図、 第2図は光の進行状態を示す斜視図、 第3図(a)は位置合わせ用の限定観測部分を示す図、
(b)と(c)は各マスクの遮光及び透過部を示す図、 第4図(a)は従来例の構成図、(b)は光の進行状態
を示す斜視図、(c)は投影マスクを示す図である。 図において、 2は基板、3はパターン、10は照明装置、13は投影マス
ク、13′は遮光部、20は観測装置、24は撮像マスク、
A′は観測部分、B1′は暗部、C3は再放射光を示す。
構成図、 第2図は光の進行状態を示す斜視図、 第3図(a)は位置合わせ用の限定観測部分を示す図、
(b)と(c)は各マスクの遮光及び透過部を示す図、 第4図(a)は従来例の構成図、(b)は光の進行状態
を示す斜視図、(c)は投影マスクを示す図である。 図において、 2は基板、3はパターン、10は照明装置、13は投影マス
ク、13′は遮光部、20は観測装置、24は撮像マスク、
A′は観測部分、B1′は暗部、C3は再放射光を示す。
Claims (1)
- 【請求項1】光拡散性の基板(2)の表面に形成される
不透明なパターン(3)に対し、照明装置(10)を斜方
照射可能に設け、且つ観測装置(20)を基板(2)の再
放射光(C3)による基板(2)とパターン(3)の明暗
のコントラストによりパターン形状を観測するように設
けるパターン形状観測装置において、 照明装置(10)の投影マスク(13)には基板(2)の限
定された観測部分(A′)のみに暗部(B1′)を設ける
ように遮光部(13a′)を制限設定し、 観測装置(20)には暗部(B1′)からの再放射光(C3)
のみを観測するように撮像マスク(24)を設けるパター
ン形状観測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13444088A JPH0746048B2 (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | パターン形状観測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13444088A JPH0746048B2 (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | パターン形状観測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01304305A JPH01304305A (ja) | 1989-12-07 |
| JPH0746048B2 true JPH0746048B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=15128408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13444088A Expired - Fee Related JPH0746048B2 (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | パターン形状観測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746048B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7336374B2 (en) * | 2005-10-24 | 2008-02-26 | General Electric Company | Methods and apparatus for generating a mask |
-
1988
- 1988-06-02 JP JP13444088A patent/JPH0746048B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01304305A (ja) | 1989-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |