JPH0748358B2

JPH0748358B2 - 進行波型偏向装置

Info

Publication number: JPH0748358B2
Application number: JP63273903A
Authority: JP
Inventors: 勉戸張; 治秋月; 耕至高野
Original assignee: Iwatsu Electric Co Ltd
Current assignee: Iwatsu Electric Co Ltd
Priority date: 1988-10-28
Filing date: 1988-10-28
Publication date: 1995-05-24
Anticipated expiration: 2010-05-24
Also published as: JPH02121236A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は陰極線管（CRT）の進行波型偏向装置に関する
ものである。

［従来の技術］偏向装置を電子ビームが通過する間、偏向電圧が変化し
ないとすれば、偏向電圧の大きさに比例した電子ビーム
の偏向を得ることができる。しかし、偏向電圧の周波数
が高いために偏向装置を電子ビームが通過する間に偏向
電圧が変化すると、所望の偏向が不可能となる。

この問題を解決するために、進行波型偏向装置が使用さ
れている。進行波型偏向装置では、螺旋（ヘリカル）型
等の進行波型偏向導体（遅延回路）の一端から他端に伝
播する偏向電圧（偏向信号）の進行速度と電子ビームの
走行速度とをほぼ一致させる。これによって偏向作用時
間が長くなり、電子ビームを充分に偏向することがで
き、広帯域偏向装置を提供することが可能になる。

このような進行波型偏向装置を容易且つ強固に形成する
ために、長手の絶縁性基板に帯状導体を螺旋状に巻き回
すことが特公昭57−10539号公報に開示されている。

［発明が解決しようとする課題］ところで、絶縁性基板によって螺旋状導体を支持する
と、ピンで螺旋状導体を支持するものに比べて高周波の
分散特性が良好になるが、絶縁性基板の帯電現象によっ
てフォーカスボケや輝線シフトが生じるという問題があ
った。この種の問題を解決するために、実公昭52−1388
5号公報に開示されているように、絶縁性基板に凹状溝
を形成し、帯電を軽減することが考えられるが、しか
し、電子ビーム通路に対向する面全部を電子ビーム通路
から溝によって離間させることが不可能である。また、
帯電の影響を軽減するために溝を深く形成すると、絶縁
性基板の機械的強度が低下する。なお、前述の特公昭57
−10539号公報には静電容量を補正するための導電層を
絶縁性基板の溝内に設けることが開示されているが、絶
縁性基板の電子ビームの通路に対向する面は露出してい
るので、帯電現象の問題が生じる。

そこで、本発明の目的は、帯電現象の少ない進行波型偏
向装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するための請求項１の発明は、電子ビー
ムの通路を挟んで対向配置された一対の絶縁性基体と、
前記一対の絶縁性基体上にそれぞれ配設された一対の螺
旋状導体とを備えている進行波型偏向装置において、前
記絶縁性基体の少なくとも前記電子ビームの通路に対向
する面に前記螺旋状導体のシート抵抗よりも大きい10³
〜10⁵Ωの範囲のシート抵抗を有する層が形成され、前
記螺旋状導体が前記層に接触するように配設されている
ことを特徴とする進行波型偏向装置に係わるものであ
る。

また、請求項２の発明は、電子ビームの通路を挟んで対
向配置された一対の導電性を有する基体と、前記一対の
導電性を有する基体上にそれぞれ配設された一対の螺旋
状導体とを備えており、前記導電性を有する基体の抵抗
率が前記螺旋状導体の抵抗率よりも大きい10³〜10⁶Ωcm
の範囲に設定され、前記螺旋状導体が前記基体に接触し
ていることを特徴とする進行波型偏向装置に係わるもの
である。

［発明の作用及び効果］請求項１の発明は次の作用及び効果を有する。

（イ）絶縁性基体の面に10³〜10⁵Ωの範囲のシート抵抗
を有する層を設けたので、帯電を防止することができ、
且つたとえ帯電したとしても極く短時間（例えば数マイ
クロ秒）後に帯電を消滅させて信号系に影響を与えない
ようにすることができる。

（ロ）層のシート抵抗が、螺旋状導体のシート抵抗より
も大きく且つ10³〜10⁵Ωの範囲に設定されているので、
層に螺旋状導体を接触させることが可能になり、帯電が
防止された偏向装置を容易に構成することができる。

また、請求項２の発明は次の作用効果を有する。

（ハ）基体の抵抗率が10³〜10⁶Ωcmの範囲であるので、
帯電を防止することができ、且つたとえ帯電したとして
も極く短時間後に帯電を消滅させて信号系に対する影響
を与えないようにすることができる。

（ニ）基体の抵抗率が螺旋状導体のそれよりも大きく且
つ10³〜10⁶Ωcmの範囲に設定されているので、基体に螺
旋状導体を接触させることが可能になり、帯電が防止さ
れた偏向装置を容易に構成することができる。

［第１の実施例］次に、第１図〜第４図に参照して本発明の第１の実施例
に係わるオシロスコープのCRTを説明する。

このCRT1は、第４図に示すように、排気した管体２と、
この中に組み込まれた陰極線管用電極構体３と、蛍光ス
クリーン４とから成る。

陰極線管用電極構体３は、カソードと制御グリッドとの
組立体５とアノード６とから成る電子銃７、第１の四極
レンズ８、第２の四極レンズ９、本発明に関係する垂直
偏向装置10、第３の四極レンズ11、水平偏向装置12及び
偏向拡大電子レンズ13を備えており、これ等は共通の絶
縁支持体14、15に支持されている。

蛍光スクリーン４は、フェスプレート16と、蛍光物質層
17と導体層18とから成る。導体層18は、偏向拡大電子レ
ンズ13の近傍まで延在する後段加速電極19に接続されて
いる。

本発明に係わる垂直偏向装置10は、第１図及び第４図か
ら明らかなように、ビーム通路20を挟むように配置され
た第１及び第２の偏向体21、22を備えている。第１の偏
向体21は、第１の絶縁性基体23と、第１の螺旋状導体24
と、一対の第１のアース導体25a、25bとを備え、ビーム
走行方向（Ｚ軸方向）に延びるように配置されている。
第２の偏向体22も同様に、第２の絶縁性基体26と、第２
の螺旋状導体27と、一対の第２のアース導体28a、28bと
を備え、ビーム走行方向（Ｚ軸方向）に延びるように配
置されている。

第１及び第２の絶縁性基体23、26は本発明に従う導電性
を有する層29、30を表面にそれぞれ有する。この導電性
を有する層29、30は導電性を有する材料を蒸着すること
により形成されている。なお、この導電性を有する層2
9、30を抵抗ペースト等の導電性を有する物質をスクリ
ーン印刷又はハケ塗り等で塗布し、その後焼成すること
によって形成してもよい。導電性を有する層29、30のシ
ート抵抗値はＣ10²〜10⁹Ωであることが望ましい。導電
性を有する層29、30の抵抗値が高すぎると、帯電防止効
果が少なくなり、低すぎると第１及び第２の螺旋状導体
24、27と第１及び第２のアース導体25a、25b、28a、28b
との間に漏れ電流が流れ、偏向信号の減衰が生じる。

第１及び第２のアース導体25a、25b、28a、28bは第１及
び第２の絶縁性基体23、26と第１及び第２の螺旋状導体
24、27とを支持することが可能な強度を有する帯状金属
板から成り、ビーム走行方向（Ｚ軸方向）に延びるよう
に第１及び第２の絶縁性基体23、26に設けられた溝31、
32内に配置されている。

第１の絶縁性基体23は第３図に示すようにビーム通路に
対向する第１の面（下面）33と、この反対向の第２の面
（上面）34と、第１及び第２の面33、34の相互間の第
３、第４、第５及び第６の面35、36、37、38とを有する
６面体であり、ビームの走行方向（Ｚ軸方向）に延びる
ように長手に形成され、第１及び第２の面33、34に形成
された溝31も長手方向に延びている。第３及び第４の面
（側面）35、36には帯状金属板から成る螺旋状導体24を
位置決めするための溝39が設けられている。第２の絶縁
性基体26も第１の絶縁性基体23と同様に形成されてい
る。

［動作］この垂直偏向装置10における第１及び第２の螺旋状導体
24、27の１ターン当りのインダクタンスをそれぞれＬ、
第１及び第２の螺旋状導体24、27の１ターン当りの対向
容量C₁の２倍と第１及び第２の螺旋状導体24、27とアー
ス導体25a、25b、28a、28bとの間のそれぞれの容量C₂と
の和をＣ、第１及び第２の螺旋状導体24、27の１ターン
当りの隣接間容量をC₀、角周波数をωとしたときの第１
及び第２の偏向体21、22に基づく遅延回路の特性インピ
ーダンスZ_Oと位相速度ｖは次式で与えられる。

（１）（２）式の角周波数ωに依存する第２項以下は分
散項と呼ばれ、できる限り小さいことが望ましい。この
実施例ではC₀を小さくすることが可能になり、第２項以
下を小さくすることができる。また、C₂を小さくするこ
とができるので設計の自由度が大きくなる。

また、絶縁性基体23、26の帯電を防止することができる
ので、帯電に基づくフォーカスボケや輝線シフトを防ぐ
ことができる。

［第２の実施例］次に、第５図を参照して第２の実施例に係わる偏向装置
を説明する。第５図には垂直偏向装置10の一方の偏向体
21aのみが示されている。この偏向体21aは断面形状矩形
の絶縁性基体23aを有し、この全表面に導電性を有する
層29が設けられ、この上に螺旋状導体24が設けられてい
る。第５図の導電性を有する層29のシート抵抗は比較的
小さく（10³〜10⁵Ω）設定されている。また、絶縁性基
体23はアース導体を配置するための溝を有していない。

この実施例では、螺旋状導体24とアース電極との間の容
量結合がないので、（１）（２）式のＣの大きさを決め
るC₂が小さくなる。また、絶縁性基体23aの帯電は第１
の実施例と同様に防止される。

［第３の実施例］第６図は第３の実施例の偏向体21bを示す。この偏向体2
1bは導電性を有する基体41の上に螺旋状導体24を設けた
ものである。なお、基体41にはBN複合体（チッ化ボロ
ン）が使用されている。この基体41の体積抵抗率は10³
〜10⁹Ωcmであることが望ましい。第６図の偏向装置は
第５図と同様な作用効果を得ることができる。

［第４の実施例］第７図は第４の実施例の偏向装置の螺旋状導体を除去し
た状態の導電性を有する基体41aを示す。この導電性を
有する基体41aは第１図〜第３図の場合と同様に溝31を
有し、ここにアース導体25a、25bが配置されている。溝
31及びアース導体25a、25bはビームの進行方向に進むに
従って徐々に幅広になっている。この様に構成すると、
第４図に示すように一対の偏向体21、22の間隔がビーム
進行方向に進むに従って広くなるとによる対向容量の減
少を補償することができる。

［第５の実施例］第８図に示す実施例の基体41bは抵抗率が10〜10³Ωcmの
ように低い物質層42とこれよりも抵抗率の高い物質層43
との組み合せから成る。このように構成しても第１〜第
４の実施例と同様な効果を得ることができる。

［変形例］本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。

（１）第１及び第２の螺旋状導体24、27の中央に一枚の
アース導体（アース板）を配置するようにしてもよい。
この場合には、例えば、第１及び第２の絶縁性基体23、
26を積層構造の基体とし、この中心にアース導体を埋設
する。

（２）第１及び第２の螺旋状導体24、27を金属板で構成
する代わりに、導電塗料の塗布焼付層又はメッキ層又は
蒸着層で形成してもよい。

（３）導電性を有する基体41としてBN以外のセラミック
ス等を使用してもよい。

（４）導電性を有する層29、30及び第８図の層43を抵抗
ペーストを塗布し、焼付けることによって形成してもよ
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係わる進行波型偏向装
置を第４図のＩ−Ｉ線を切断して示す断面図、第２図は第１図の偏向体を示す一部切欠斜視図、第３図は第１図の絶縁性基体の一部切欠斜視図、第４図はCRTの一部切欠側面図、第５図は本発明の第２の実施例の偏向体を示す断面図、第６図は本発明の第３の実施例の偏向体を示す断面図、第７図は本発明の第４の実施例の螺旋状導体を支持する
基体を示す一部切欠斜視図、第８図は本発明の第５の実施例の偏向体を示す断面図で
ある。 21…第１の偏向体、22…第２の偏向体、23…第１の絶縁
性基体、24…第１の螺旋状導体、26…第２の絶縁性基
体、27…第２の螺旋状導体、29…導電性を有する層、41
…導電性を有する基体。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子ビームの通路を挟んで対向配置された
一対の絶縁性基体と、前記一対の絶縁性基体上にそれぞ
れ配設された一対の螺旋状導体とを備えている進行波型
偏向装置において、前記絶縁性基体の少なくとも前記電子ビームの通路に対
向する面に前記螺旋状導体のシート抵抗よりも大きい10
³〜10⁵Ωの範囲のシート抵抗を有する層が形成され、前
記螺旋状導体が前記層に接触するように配設されている
ことを特徴とする進行波型偏向装置。
【請求項２】電子ビームの通路を挟んで対向配置された
一対の導電性を有する基体と、前記一対の導電性を有す
る基体上にそれぞれ配設された一対の螺旋状導体とを備
えており、前記導電性を有する基体の抵抗率が前記螺旋
状導体の抵抗率よりも大きい10³〜10⁶Ωcmの範囲に設定
され、前記螺旋状導体が前記基体に接触していることを
特徴とする進行波型偏向装置。