JPH0748365B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0748365B2 JPH0748365B2 JP62052345A JP5234587A JPH0748365B2 JP H0748365 B2 JPH0748365 B2 JP H0748365B2 JP 62052345 A JP62052345 A JP 62052345A JP 5234587 A JP5234587 A JP 5234587A JP H0748365 B2 JPH0748365 B2 JP H0748365B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- platen
- ion beam
- semiconductor wafer
- disk
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子製造装置の内の半導体ウェーハに不
純物を注入するイオン注入装置に関するものである。
純物を注入するイオン注入装置に関するものである。
従来この種のイオン注入装置はウェーハ固定ディスクに
複数枚のウェーハを固定し、ウェーハ固定ディスクを回
転させ、イオンビームをＸ方向に電気的走査して半導体
ウェーハに不純物を注入する機構となっていた。第３図
に従来装置の斜視図を示す。
複数枚のウェーハを固定し、ウェーハ固定ディスクを回
転させ、イオンビームをＸ方向に電気的走査して半導体
ウェーハに不純物を注入する機構となっていた。第３図
に従来装置の斜視図を示す。
〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のイオン注入装置は、バッヂ処理となって
いるので今後ますます半導体ウェーハの大口径化が進む
と１バッチで処理できる枚数も少なくなり、同じ枚数を
処理しようとすると装置が大型化してしまう。また、ビ
ーム電流が大きくなるとイオンビームを電気的に走査す
ることが困難になってくるという欠点がある。
いるので今後ますます半導体ウェーハの大口径化が進む
と１バッチで処理できる枚数も少なくなり、同じ枚数を
処理しようとすると装置が大型化してしまう。また、ビ
ーム電流が大きくなるとイオンビームを電気的に走査す
ることが困難になってくるという欠点がある。
前記目的を達成するため、本発明に係るイオン注入装置
は、ウェーハ固定ディスクと、プラテンと、回転駆動部
と、移動駆動部とを有し、半導体ウェーハに静止したイ
オンビームのスポットを当てて、該ウェーハに不純物を
注入するイオン注入装置であって、 ウェーハ固定ディスクは、単数の半導体ウェーハをイオ
ンビームの照射される位置に支持するものであり、 プラテンは、ウェーハ固定ディスクを回転可能に支持す
るものであり、 回転駆動部は、プラテン上でウェーハ固定ディスクを回
転駆動させて半導体ウェーハをイオンビームに対して回
転させるものであり、 移動駆動部は、ウェーハ固定ディスク上に支持された半
導体ウェーハの径方向にプラテンを速度変化させて移動
させるものであり、回転しつつ直線変位する半導体ウェ
ーハに対するイオンビームのスポット照射位置がウェー
ハの中心付近から外周側に変位する場合には、プラテン
の移動速度を減速させる機能を有するものである。
は、ウェーハ固定ディスクと、プラテンと、回転駆動部
と、移動駆動部とを有し、半導体ウェーハに静止したイ
オンビームのスポットを当てて、該ウェーハに不純物を
注入するイオン注入装置であって、 ウェーハ固定ディスクは、単数の半導体ウェーハをイオ
ンビームの照射される位置に支持するものであり、 プラテンは、ウェーハ固定ディスクを回転可能に支持す
るものであり、 回転駆動部は、プラテン上でウェーハ固定ディスクを回
転駆動させて半導体ウェーハをイオンビームに対して回
転させるものであり、 移動駆動部は、ウェーハ固定ディスク上に支持された半
導体ウェーハの径方向にプラテンを速度変化させて移動
させるものであり、回転しつつ直線変位する半導体ウェ
ーハに対するイオンビームのスポット照射位置がウェー
ハの中心付近から外周側に変位する場合には、プラテン
の移動速度を減速させる機能を有するものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図である。プラテン１
は移動駆動部としてのプラテン支持板７により支持さ
れ、プラテン１とプラテン支持板７との角度はジョイン
ト部にて変更可能とする。プラテン１にはウェーハ固定
ディスク２が取りつけてあり、半導体ウェーハ４をウェ
ーハホルダー９により固定する。このウェーハ固定ディ
スク２には高電流のイオンビームにも耐え得るように冷
却機構をほどこす。
は移動駆動部としてのプラテン支持板７により支持さ
れ、プラテン１とプラテン支持板７との角度はジョイン
ト部にて変更可能とする。プラテン１にはウェーハ固定
ディスク２が取りつけてあり、半導体ウェーハ４をウェ
ーハホルダー９により固定する。このウェーハ固定ディ
スク２には高電流のイオンビームにも耐え得るように冷
却機構をほどこす。
プラテン１の裏面には回転駆動部としてのモーター５が
取りつけてあり、そのモーター５によりウェーハ固定デ
ィスク２をウェーハ固定ディスク回転方向９のように高
速回転させる。同時にプラテン１をプラテン上下動方向
６のように上下動させる。本発明では、イオンビーム８
は走査されることがなく、移動させる半導体ウェーハ４
の表面にスポットを当てるように静止した位置から放射
されるようになっている。したがって、プラテン１がプ
ラテン上下動方向６のように上下動された際に、半導体
ウェーハ４は、回転しつつ、静止したイオンビーム８に
対して相対変位されて、その表面にイオンビーム８のイ
オンビームスポット10が当たり、不純物の注入が行われ
る（第２図参照）。第２図はウェーハ動作説明図であ
る。第２図のようにイオンビームスポット10が半導体ウ
ェーハ４の外周に当たる時は低速で、中心付近では高速
でというように上下動速度レベル12を変化させることに
より半導体ウェーハ４の面内均一に不純物を注入するこ
とが可能となる。
取りつけてあり、そのモーター５によりウェーハ固定デ
ィスク２をウェーハ固定ディスク回転方向９のように高
速回転させる。同時にプラテン１をプラテン上下動方向
６のように上下動させる。本発明では、イオンビーム８
は走査されることがなく、移動させる半導体ウェーハ４
の表面にスポットを当てるように静止した位置から放射
されるようになっている。したがって、プラテン１がプ
ラテン上下動方向６のように上下動された際に、半導体
ウェーハ４は、回転しつつ、静止したイオンビーム８に
対して相対変位されて、その表面にイオンビーム８のイ
オンビームスポット10が当たり、不純物の注入が行われ
る（第２図参照）。第２図はウェーハ動作説明図であ
る。第２図のようにイオンビームスポット10が半導体ウ
ェーハ４の外周に当たる時は低速で、中心付近では高速
でというように上下動速度レベル12を変化させることに
より半導体ウェーハ４の面内均一に不純物を注入するこ
とが可能となる。
以上説明したように本発明は、半導体ウェーハを単独に
ウェーハ固定ディスクに固定し、回転及び上下動させイ
オンビームを電気的に走査することなくウェーハに不純
物を注入することにより、電気的に走査することが困難
な高電流のイオンビームでの注入もできる効果がある。
また、枚葉処理なのでウェーハの大口径化が進んでもフ
ロアスペースをとらず、ウェーハハンドリングも簡単に
できるので安価に装置を構成でき、省スペース，簡易機
構で大口径ウェーハにイオンを注入することができる。
ウェーハ固定ディスクに固定し、回転及び上下動させイ
オンビームを電気的に走査することなくウェーハに不純
物を注入することにより、電気的に走査することが困難
な高電流のイオンビームでの注入もできる効果がある。
また、枚葉処理なのでウェーハの大口径化が進んでもフ
ロアスペースをとらず、ウェーハハンドリングも簡単に
できるので安価に装置を構成でき、省スペース，簡易機
構で大口径ウェーハにイオンを注入することができる。
さらに、イオンビームに対する半導体ウェーハの相対速
度は、イオンビームがウェーハの外周付近にあたる場合
には低速に、ウェーハの中心付近にあたる場合には高速
になるように変化されるため、ウェーハの中心と外周と
で周速が異なっていても、ウェーハの中心と外周とでイ
オン注入を均一に行うことができるという効果がある。
度は、イオンビームがウェーハの外周付近にあたる場合
には低速に、ウェーハの中心付近にあたる場合には高速
になるように変化されるため、ウェーハの中心と外周と
で周速が異なっていても、ウェーハの中心と外周とでイ
オン注入を均一に行うことができるという効果がある。
第１図は本発明のイオン注入装置の斜視図、第２図は本
発明のイオン注入装置におけるウェーハ動作説明図、第
３図は従来のイオン注入装置の斜視図である。 １……プラテン、２……ウェーハ固定ディスク、３……
ウェーハホルダー、４……半導体ウェーハ、５……モー
ター、６……プラテン上下動方向、７……プラテン支持
板、８……イオンビーム、９……ウェーハ固定ディスク
回転方向、10……イオンビームスポット、11……ウェー
ハ上下動範囲、12……上下動速度レベル、13……イオン
ビームの走査方向。
発明のイオン注入装置におけるウェーハ動作説明図、第
３図は従来のイオン注入装置の斜視図である。 １……プラテン、２……ウェーハ固定ディスク、３……
ウェーハホルダー、４……半導体ウェーハ、５……モー
ター、６……プラテン上下動方向、７……プラテン支持
板、８……イオンビーム、９……ウェーハ固定ディスク
回転方向、10……イオンビームスポット、11……ウェー
ハ上下動範囲、12……上下動速度レベル、13……イオン
ビームの走査方向。
Claims (1)
- 【請求項１】ウェーハ固定ディスクと、プラテンと、回
転駆動部と、移動駆動部とを有し、半導体ウェーハに静
止したイオンビームのスポットを当てて、該ウェーハに
不純物を注入するイオン注入装置であって、 ウェーハ固定ディスクは、単数の半導体ウェーハをイオ
ンビームの照射される位置に支持するものであり、 プラテンは、ウェーハ固定ディスクを回転可能に支持す
るものであり、 回転駆動部は、プラテン上でウェーハ固定ディスクを回
転駆動させて半導体ウェーハをイオンビームに対して回
転させるものであり、 移動駆動部は、ウェーハ固定ディスク上に支持された半
導体ウェーハの径方向にプラテンを速度変化させて移動
させるものであり、回転しつつ直線変位する半導体ウェ
ーハに対するイオンビームのスポット照射位置がウェー
ハの中心付近から外周側に変位する場合には、プラテン
の移動速度を減速させる機能を有するものであることを
特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052345A JPH0748365B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62052345A JPH0748365B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63218140A JPS63218140A (ja) | 1988-09-12 |
| JPH0748365B2 true JPH0748365B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=12912219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62052345A Expired - Fee Related JPH0748365B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748365B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0002669D0 (en) | 2000-02-04 | 2000-03-29 | Applied Materials Inc | A method and apparatus for implanting semiconductor wafer substrates |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119671A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Toshiba Corp | Ion implanting method |
| JPS5478091A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-21 | Hitachi Ltd | Ion implanting unit |
| JPS61211951A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-20 | Fujitsu Ltd | イオン注入装置 |
| JPS625549A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | イオン注入装置 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62052345A patent/JPH0748365B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63218140A (ja) | 1988-09-12 |
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Legal Events
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