JPH09147786A - 基板保持方法および該方法に用いる基板保持機構 - Google Patents

基板保持方法および該方法に用いる基板保持機構

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JPH09147786A
JPH09147786A JP30269495A JP30269495A JPH09147786A JP H09147786 A JPH09147786 A JP H09147786A JP 30269495 A JP30269495 A JP 30269495A JP 30269495 A JP30269495 A JP 30269495A JP H09147786 A JPH09147786 A JP H09147786A
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JP
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substrate
recess
holding mechanism
chuck
push
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JP30269495A
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English (en)
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Terushige Hino
輝重 日野
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Advanced Display Inc
Original Assignee
Advanced Display Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハなどの基板を保持する際に、ホルダ内
で遠心力方向への基板とホルダの隙間をなくし、基板表
面のレジストのパターンや配線のパターンの剥離、およ
び基板表面からの発塵を防止することができる基板保持
方法を提供する。 【解決手段】 回転円板1に形成されるホルダ2の凹部
3に載置される基板4を基板保持機構5により保持する
基板保持方法であって、前記基板4を凹部3に載置する
際に、同時に基板4の周縁を凹部3の壁面11aに当接
し、ついで前記基板4の周縁部4a上を押しつける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基板保持方法および
該方法に用いる基板保持機構に関する。さらに詳しく
は、半導体製造装置、たとえばイオン注入装置における
半導体基板(ウエハ)、または液晶表示装置の製造装
置、たとえば洗浄装置のスピンドライヤーにおけるガラ
ス基板を保持するための基板保持方法および該方法に用
いる基板保持機構に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のバッチ式イオン注入装置は、図5
〜6に示すように、回転円板50の周囲に形成した複数
のホルダ51にウエハ52を載置し、回転円板50を高
速回転させながら、前記ウエハ52の表面にイオン注入
を行なっている。そしてウエハ52は、高速回転される
ため、基板保持機構53により保持されている。この基
板保持機構53は、図7〜8に示すように、ホルダ51
に形成される凹部54に載置されるウエハ52を押さえ
るリング状のチャック55と、該チャック55を保持す
る保持棒56および架台57と、チャック55にクラン
プ力を与えるためのコイルばね58と、ウエハ52の移
載時に垂直に該ウエハ52を持ち上げる突き上げ棒59
とから構成されている。この基板保持機構53によるウ
エハの載置は、まず架台57を上昇させると、保持棒5
6を介してチャック55が上昇する。そして少し遅れて
突き上げ棒59がウエハの載置面60上に突き上げられ
る。ついで該突き上げ棒59上にウエハ52が置かれる
と(図8参照)、つぎに架台57を下降させて、ウエハ
52をホルダ51の凹部54内に載置したのち、コイル
ばね58のばね力の強さでチャック55がウエハ52を
押さえつけて固定するようにされている(図7参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記基
板保持機構では、回転円板が高速回転すると、チャック
55でウエハ52を押さえているがウエハ52に働く遠
心力の方がウエハ52のクランプ力よりも大きいため、
ウエハ52がウエハ52とホルダ51の凹部54との隙
間分だけずれてしまう。このため、チャック55の下部
エッジ55aがウエハ52の表面上のレジストのパター
ンや配線のパターン56を剥離させたり、発塵61を引
き起こして表面を汚染するという問題がある。
【0004】本発明は、叙上の事情に鑑み、ウエハなど
の基板を保持する際に、ホルダ内で遠心力方向への基板
とホルダの隙間をなくし、基板表面のレジストのパター
ンや配線のパターンの剥離、および基板表面からの発塵
を防止することができる基板保持方法および該方法に用
いる基板保持機構を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の基本保持方法
は、回転円板に形成されるホルダの凹部に載置される基
板を基板保持機構により保持する基板保持方法であっ
て、前記基板を凹部に載置する際に、同時に基板の周縁
を凹部の壁面に当接し、ついで前記基板の周縁部上を押
しつけることを特徴としている。
【0006】また本発明の方法に用いる基板保持機構と
しては、前記基板の周縁部上を押しつけるチャックと、
前記ホルダを貫通する保持棒を介して前記チャックを昇
降させる架台と、基板の載置面に対して斜め方向に該載
置面内外で進退自在にされる突き上げ棒からなるのが好
ましい。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の基板保持方法および該方法に用いる基板保持機構を説
明する。
【0008】図1は本発明の基板保持方法を適用した回
転円板に取り付けられる基板保持機構の一実施例を示す
部分断面図、図2は図1の基板保持機構における突き上
げ棒の上昇動作を示す説明図、図3は図2における突き
上げ棒の降下動作を示す説明図、図4は図1における基
板保持機構の他の実施例を示す部分断面図である。
【0009】図1に示すように、バッチ式のイオン注入
装置では、回転円板1に形成されるホルダ2の凹部3に
載置された基板4は、基板保持機構5により保持されて
いる。この基板保持機構5は、前記基板4の周縁部4a
上を押しつけるチャック6と、前記ホルダ2を貫通する
保持棒7を介して前記チャック6を昇降させる架台8
と、基板4の載置面3aに対して斜め方向に該載置面3
a内外で進退自在にされる突き上げ棒9から構成されて
いる。また前記保持棒7には、チャック6にクランプ力
を与えるためのコイルばね10が巻き回されている。前
記チャック6は、基板4の表面にイオンを照射させるた
めに、リング形状を呈しており、また前記凹部3は、基
板4の外径寸法より大きく形成されている。前記回転円
板1が高速回転すると、基板4には、矢印A方向の遠心
力が働くため、前記基板4の周縁は、遠心力の方向Aに
位置する凹部3の当接部位11に当接されている。この
当接部位11の壁面11aは、基板4の載置面3aに対
して垂直に形成されている。なお本実施例では、基板と
凹部との当接部位が1箇所であるが、本発明において
は、これに限定されるものではなく、たとえば遠心力の
方向Aの凹部の壁面を三角形状などの多角面にすること
により、当接部位が2箇所以上となり、基板の周縁に掛
かる遠心力の集中を緩和することができる。
【0010】前記突き上げ棒9は、ホルダ2の載置面3
a内に形成される傾斜貫通孔12をスライド機構により
進退自在にされている。このスライド機構は、突き上げ
棒9の架台13と、この架台13と前記架台8とを連結
するリンク棒14と、突き上げ棒9のガイド部材15か
ら構成される。これにより架台8が上昇すると、支点1
4b、リンク棒14および支点14aを介して架台13
がガイド部材15に沿って斜めに上昇する。そして突き
上げ棒9が基板4の下面から基板4を斜め方向に持ち上
げることができる。また突き上げ棒9の傾き角θは、載
置面3aに対し、約70度に配置されているが、本発明
では、これに限定されるものではなく、傾き角の設定条
件、凹部3の深さ、突き上げ棒9のストローク、基板4
と凹部3の内径寸法により、適宜選定することができ、
たとえば約20〜70度とすることができる。なお、前
記突き上げ棒9は、少なくとも3本配置されており、図
2〜3に示すように、基板4を載置面3aに対して平行
に持ち上げたり、降下させることができるようにされて
いる。また各突き上げ棒9は、いずれも平行な関係にあ
るとともに、前記回転円板1の回転軸と前記凹部3の中
心を含む平面に対して平行にされている。
【0011】前記スライド機構としては、図4に示すよ
うに、架台21上に載置される、傾斜スライド面22に
レール23を有する基台24と、該レール23にスライ
ド自在に嵌着されるスライダ25からなるものを用いる
こともできる。このスライダ25には、長さは異なる
が、架台21から先端までは同じ高さにされている突き
上げ棒26a、26bが連結されている。これにより、
架台21が上昇すると、スライダ25が上昇しつつ、レ
ール23に沿って下方にスライドする。そして突き上げ
棒26a、26bが同時に基板4の下面から基板4を斜
め方向に持ち上げることができる。なお、突き上げ棒2
6a、26bに巻き回されたコイルばね27と傾斜貫通
孔28の端部に嵌め込まれた潤滑部材29は、架台21
の上昇力が突き上げ棒26a、26bに掛かるのを緩和
し、スライダ25が滑らかに下方にスライドできるよう
にするために設けられている。
【0012】つぎに本発明の基本保持方法を説明する。
【0013】まず図2に示すように、チャック6および
突き上げ棒9が上昇したところへ基板4が搬送されたの
ち、突き上げ棒9の先端に載せられる。ついで、図3に
示すように、突き上げ棒9が下降すると、突き上げ棒9
がホルダ2に対し角度θで配置されているため、基板4
の周縁部4aは図3中の軌跡Bのように斜めにホルダ2
の凹部3内の壁面11aに近づいていき、壁面11aと
接したのち、垂直に下降する。このとき基板4の周縁は
遠心力の方向であるA方向のホルダ2の凹部3の当接部
位11の壁面11aに当接することになる。つぎにチャ
ック6が下がり、図1に示すように基板4の周縁部上を
押しつける。
【0014】このように、基板4はホルダ2とチャック
6によって固定され、上下方向および遠心力方向Aの動
きが規制されるため、回転円板1が回転してもずれが発
生しない。このため、基板4の表面のレジストのパター
ンや配線のパターンを破壊したり、発塵して表面を汚染
することがなくなるとともに、パターン欠陥が減少して
歩留りが向上する。
【0015】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明では、基板
を凹部に載置する際に、同時に基板の周縁を遠心力の方
向位置の凹部の当接部位の壁面に当接させるようにした
ので、回転円板が回転中にホルダ内において基板のずれ
が発生せず、基板表面のレジストパターンや配線パター
ンを破壊したり発塵して表面を汚染することがない。ま
たパターン欠陥が減少して歩留りを向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の基板保持方法を適用した回転円板に取
り付けられる基板保持機構の一実施例を示す部分断面図
である。
【図2】図1の基板保持機構における突き上げ棒の上昇
動作を示す説明図である。
【図3】図2における突き上げ棒の降下動作を示す説明
図である。
【図4】図1における基板保持機構の他の実施例を示す
部分断面図である。
【図5】従来のバッチ式イオン注入装置に用いられる回
転円板の平面図である。
【図6】図5のI−I断面図である。
【図7】従来の基本保持機構を示す断面図である。
【図8】図7における基本保持機構により基板上昇を示
す断面図である。
【図9】遠心力による基板のずれを示す説明図である。
【符号の説明】
1 回転円板 2 ホルダ 3 凹部 4 基板 5 基本保持機構 6 チャック 7 保持棒 8 架台 9 突き上げ棒 10 コイルばね 11 当接部位 11a 壁面 A 遠心力の方向
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 H01L 21/265 E

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回転円板に形成されるホルダの凹部に載
    置される基板を基板保持機構により保持する基板保持方
    法であって、前記基板を凹部に載置する際に、載置と同
    時に基板の周縁を凹部の壁面に当接させ、ついで前記基
    板の周縁部上を押しつけることを特徴とする基板保持方
    法。
  2. 【請求項2】 前記基板の周縁が当接する凹部の壁面の
    当接部位が、前記回転円板の回転により基板に働く遠心
    力の方向にある請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 前記当接部位の壁面が基板の載置面に対
    して垂直に形成されている請求項2記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記当接部位が少なくとも2箇所である
    請求項2または3記載の方法。
  5. 【請求項5】 前記基板の周縁部上を押しつけるチャッ
    クと、前記ホルダを貫通する保持棒を介して前記チャッ
    クを昇降させる架台と、基板の載置面に対して斜め方向
    に該載置面内外で進退自在にされる突き上げ棒からなる
    請求項1、2、3または4記載の方法に用いる基板保持
    機構。
  6. 【請求項6】 前記突き上げ棒が少なくとも3本配置さ
    れており、いずれも平行な関係にあるとともに、前記回
    転円板の回転軸と前記凹部の中心を含む平面に対して平
    行にされてなる請求項5記載の基板保持機構。
  7. 【請求項7】 前記突き上げ棒の傾き角が約20〜70
    度にされてなる請求項5または6記載の基板保持機構。
JP30269495A 1995-11-21 1995-11-21 基板保持方法および該方法に用いる基板保持機構 Pending JPH09147786A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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