JPH0748546B2

JPH0748546B2 - マルチ・チップ・モジュール

Info

Publication number: JPH0748546B2
Application number: JP4232674A
Authority: JP
Inventors: アウルフレッド・エス・コンテ
Original assignee: Sun Microsystems Inc
Current assignee: Sun Microsystems Inc
Priority date: 1991-08-08
Filing date: 1992-08-10
Publication date: 1995-05-24
Anticipated expiration: 2010-05-24
Also published as: EP0527583B1; JPH0661300A; DE69219531D1; EP0527583A2; US5121293A; KR960016006B1; DE69219531T2; EP0527583A3

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、テープ自動ボンディン
グ（ＴＡＢ）技法を利用した電子コンポーネントの実装
に関するものである。特に本発明は、ＴＡＢ処理を受け
るダイが、ヒート・シンクで冷却されたマルチ・チップ
・モジュール（ＭＣＭ）の実装基板に埋め込まれる基板
内ＴＡＢ（すなわち、ＴＩＢ）実装に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】長年にわたって、集積回路のような半導
体デバイスは、直径が人間の毛髪のサイズに相当する細
いワイヤを用いて外界と接続されてきた。言うまでもな
いことだが、この相互接続手順は困難であり、高度な製
造ハードウェアを自動化する必要があった。また、リー
ドの総数が増すにつれて、ワイヤのボンディングは極め
て労働集約性の高いものになった。その結果、アセンブ
リ・コストが上昇し、さらに、人間のエラーによる間違
った接続のためにデバイスの誤動作を招く恐れも増大し
た。さらに回路が必要とする速度が高まるにつれて、相
互接続部分が増加し、ＶＬＳＩ回路の表面積が小さくな
るにつれて、ワイヤ相互接続部のアセンブリの限界が明
らかになった。デバイスのリード総数が３００を超える
と、こうしたスペースの制限は従来のワイヤ・ボンディ
ングの能力を完全に上回るものになった。幸いにも、テ
ープ自動ボンディング（ＴＡＢ）実装技法の出現によっ
て、半導体デバイスの相互接続部を自動的にアセンブル
する状況が劇的に改善された。

【０００３】ＴＡＢ技法は、今をさかのぼって、１９７
２年には、ＧｅｎｅｒａｌＥｌｅｃｔｒｉｃによって
開発されている。その技法は、自動ボンディング機によ
って取り扱うことの可能な相互接続部を備えた、比較的
小形のマルチ・リード接続パッケージには比較的容易に
適応することができた。実際には、ＴＡＢテクノロジ
は、現在ではマルチ・チップＴＡＢの領域、すなわち、
いくつかのリード接続密度の高いチップを小領域に実装
するモジュールに移行しつつある。ＴＡＢテクノロジは
多層基板構成も容易にする。

【０００４】多くのバリエーションがあるが、典型的な
ＴＡＢ実装プロセスには、下記のプロセスが含まれる。
プロセスの開始にあたっては、幅が３５から１０５ミリ
メートルの範囲のポリイミド・フィルムのストリップが
必要になる。ポリイミド・フィルムは、写真フィルムと
似ており、市場では、Ｔｅｄｌａｒ、Ｋａｐｔｏｎ、ま
たは、Ｍｙｌａｒの商標名によって識別される。キャリ
ヤ・テープと呼ばれるフィルムはその全長に沿っていく
つかの開口部またはウインドを備えている。スプロケッ
トのホールは、従来の写真フィルムのように、エッジに
沿って等間隔に配置されている。キャリヤ・テープの表
面には、薄い導電性の金属箔が積層されている。金属箔
は、通常極めて薄い、一般には、０．５〜３ミルの厚さ
の銅ベースの材料で作られている。フォトレジストまた
はフォトリソグラフィック・プロセスによって、金属箔
にエッチングを施し、一般的には、ビーム・リードとし
て知られるカンチレバー状のリードが形成される。キャ
リヤ・テープの開口部とほぼ一致する金属箔に設けられ
た開口部によって、半導体チップまたはダイを通すこと
が可能になる。ビーム・リードは、開口部に重なるの
で、半導体チップを開口部に挿入すると、半導体チップ
との電気的接続位置につくことになる。半導体チップの
表面には、ボンディング・パッドがビーム・リードとア
ライメントのとれるように配置されている。次に、熱圧
縮ボンディング・プロセスを利用して、ビーム・リード
が半導体チップに取り付けられる。周知のように、熱圧
縮には、熱モードすなわち加熱プラテンを利用して、ビ
ーム・リードをパッドに押しつけて圧縮し、ボンディン
グを行うことが必要になる。

【０００５】重要なことは、ビーム・リードの両端がキ
ャリヤ・テープの他のウインドすなわち開口部を越えて
延びることができるように、ビーム・リードの両端にボ
ンディングを施すことができるので、これらのリードを
他のチップ、実装チップ・キャリヤ、または、基板に接
合することができるという点である。すなわち、内部ビ
ーム・リードは、ダイに取り付けられ（内部リード・ボ
ンディングすなわちＩＬＢと呼ばれる）、外部ビーム・
リードは、パッケージまたは他のデバイスに取り付ける
ことが可能である（外部リード・ボンディングすなわち
ＯＬＢと呼ばれる）。自動で大量生産する場合、キャリ
ヤ・テープのエッジに沿ったスプロケット・ホールによ
って、いくつかの作業ステーションを通るテープのイン
クリメンタル送りが可能になり、作業ステーションの１
つにおいて、１行程の熱圧縮で全てのリードのギャング
・ボンディングが行われる。

【０００６】ボンドの形成後、構造に高分子材料のコー
ティングを施すことによって、半導体チップの相互接続
部をカプセル封じするのが普通である。高分子材料が、
所定の位置で硬化することによって、相互接続部が強化
される。しかし、ＴＡＢ実装テクノロジには、なお多く
の制限がある。マルチ・チップ・モジュールすなわちＭ
ＣＭテクノロジに関連して、ＴＡＢ実装を利用する場合
に、こうした制限の１つが生じる。一般的に言えば、Ｍ
ＣＭは、いくつかのダイをシリコン基板に結合する技法
である。各ダイの相互接続は、リソグラフィック・プロ
セッサまたはＴＡＢテクノロジによって実施することが
できる。

【０００７】応用分野の１つであるＰＣワークステーシ
ョンにおいては、ＭＣＭテクノロジのデータ処理能力を
より高いレベルに押し上げる必要のあることが十分に理
解されている。ＩＣ間の距離を短縮することによって、
ＩＣの性能を高め、その結果として、貴重な基板のスペ
ースを節約することが可能になる。現在では、各種ＭＣ
Ｍテクノロジが存在する。その範囲は、ＩＣの取り付け
られた基本的なＦＲ４シスターボード(Sister Board)
から特異なシリコン基板ベースのモジュールにまで及
ぶ。

【０００８】しかしながら、ＭＣＭには、共有する問題
がある。例えば、対処すべき問題の１つは、特定のＭＣ
Ｍを組み立てるため、異なる会社から複数のＩＣを入手
する場合、個々の会社は、競争相手とみなされる会社
に、ウェーハに固有のデータを知られるのを望まないと
いうことが分かるだけといった点である。もう１つの問
題は、熱管理に関するものである。産業界の要求によっ
て、シリコンＩＣの高速化がさらに促進されると、通
常、必要とされるエネルギも増大する。熱管理問題を悪
化させているのは、ＩＣを互いに密に実装して、基板ス
ペースを最大限に有効利用することで、いっそう発熱が
増すことになるという一般的なやり方である。

【０００９】もう１つの問題は、再加工性である。例え
ば、一般的な５チップＭＣＭの歩留まり総計を調べてい
て、ＭＣＭのいくつかに修理または再加工の必要なこと
が分かったとする。しかし、ＭＣＭの修理が容易でない
としたら、回復できないＩＣのために、そのＭＣＭから
多額の収益が失われることになる。ＭＣＭにとって極め
て重要なもう１つの問題は、試験性である。ＭＣＭのユ
ーザは、ＭＣＭのアセンブリを行えるようになる前に、
自分のデバイスの予備試験を実施して、妥当なモジュー
ルの歩留まりが得られるようにできなければならない。
ＭＣＭ予備試験が利用できない場合、その事実からし
て、極めて多くの材料費並びにアセンブリ・コストが失
われることになる。ＭＣＭの問題点の最後の１つは、フ
レキシブルな製造性である。すなわち、多量の投資がな
くては増設できない、高コストのＩＣ製造環境に頼らず
に、誰でもＭＣＭを製造できるようにすることである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ここに至って明らかな
ように、前述の問題点の全てを取り扱うＭＣＭテクノロ
ジが必要とされている。従って、本発明の目的は、誰に
でも利用し得る現存する相互接続テクノロジを利用して
ＭＣＭテクノロジを改良することにある。本発明のもう
１つの目的は、チップの間隔を極めて密にして、しかも
良好な信号速度と優れた基板領域の節約が保証されるよ
うにすることにある。本発明のもう１つの目的は、特異
なハードウェアがなくても、簡単に行えるコンポーネン
トの予備試験性を提供することにある。本発明の他の目
的には、パッケージ内における発熱を管理し、異なるＩ
Ｃ販売会社のチップの混合能力を獲得し、ＭＣＭのイン
・ハウス・アセンブリを簡略化し、欠陥のあるＭＣＭを
既存のツーリングで再加工することが含まれる。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、パッケージに
適した、冷却のためのヒート・シンクを有するＴＡＢ基
板内実装に関するものである。本発明によれば半導体チ
ップのいくつかは、ポリイミドまたはセラミック材料で
作られたＭＣＭ実装基板の内側に収容される。ＩＣチッ
プとダイの間の相互接続部は、当該技術において既知の
ＴＡＢ技法によって形成されている。しかし、従来のＴ
ＡＢ技法と違い、本発明の規定では、外側ビーム・リー
ドを曲げる必要がない。実際、リードは、ダイを取り付
けると、ＭＣＭ基板の上面とほぼ平行な、まっすぐな状
態のままである。

【００１２】ビーム・リードを比較的まっすぐに保つた
め、本発明のダイはＭＣＭ実装基板に埋め込まれる。そ
のため、実装基板には、ダイの形状と一致する切り欠き
またはキャビティが設けられる。次に、ダイをこのキャ
ビティ内に押し込むと、その上部表面は、実装基板の上
面とほぼ同じ高さになる。この特定の配置によって、外
側に延びる外部ビーム・リードは、基板の上面に重な
る。

【００１３】他の全ての点において、残りの相互接続部
は従来のものである。ダイから延びる接地内部ビーム・
リードは、従来のＴＡＢテクノロジによって既に形成さ
れている。次に、外側ビーム・リードと、実装基板に形
成された予定の信号経路とのボンディングが施され、信
号経路は、実装基板の外部に突き出したピンに接続され
る。冷却のため、本発明では、実装基板の底面に埋め込
まれた銅のスラグのようなヒート・シンクが設けられ
る。ダイを取り付ける前に、基板の下側に形成された凹
所にヒート・シンクが挿入され、凹所とヒート・シンク
との摩擦によるはめ合いによって所定の位置に保持され
る。次に、ダイが、基板の上面からそれぞれのキャビテ
ィ内に押し込まれる。キャビティは、凹所と通じている
ので、ダイの底面は、ヒート・シンクの上部に係合する
深さまで、押し下げることができる。

【００１４】当該技術において既知のボンディングまた
は接合プロセスを利用して、ダイをヒート・シンクに取
り付け、熱接合を形成することが可能である。しかし、
本発明の望ましい実施例の場合、たわみ性熱コンジット
（ＣＴＣ）による熱接合プロセスを利用して、ダイとヒ
ート・シンクが結合される。このプロセスについては、
同時係属の米国特許出願第０７／５８９，０９４号に開
示されている。要するに、このプロセスには、接合部に
たわみ性があり、熱伝導がある熱可塑性材料を注入する
ことが必要になる。この材料が硬化すると、やはり、熱
伝導性のたわみ性ボンドが形成される。動作時にダイに
よって生じる熱は、主として伝導により、熱接合部を通
ってヒート・シンクに送り込まれ、ヒート・シンクによ
って大気中に伝導される。さらに、ＭＣＭがマザーボー
ドにアセンブルされると、実装基板が逆転される。取り
付け後に逆転されると、実装基板の下側の面が上を向
き、従って、ヒート・シンクもそうなる。この結果、逆
転位置が、ヒート・シンクから放出される熱対流を伝導
することになるのは明らかである。

【００１５】従って、本発明には、先行技術に比べて多
くの利点がある。まず、チップ販売会社を切り離すこと
ができるので、ウェーハ・レベルまで仕上げた製品を送
り出す必要がなくなり、従って、販売会社は、そのチッ
プを含む所有権を主張できる秘密の公表に懸念を抱かな
くなる。第２に、テープ・キャリヤに個々のＴＡＢコン
ポーネントが設けられているので、予備試験性が助長さ
れる。第３に、望ましい実施例におけるように、ＴＡＢ
実装が用いられる場合、欠陥チップの再加工が簡単に行
えることになる。第４に、基本的に、多くの異なる製品
の設計及び環境に同じ基板を用いることができるので、
製造のフレキシビリティを得ることが可能になる。実際
のところ、本発明はマルチプル・ウインドＴＡＢパッケ
ージに用いるように修正することが可能である。第５
に、このヒート・シンクは、極めて大きい電力消費が必
要になる場合に、簡単に多様な冷却構成に適応すること
が可能である。最後に、本発明は実装基板のスタックも
可能であり、従って、マルチプル・パッケージに発展さ
せることができる。結果として、ＭＣＭは、ユーザの要
求が増すにつれて、拡張することができるので、そのハ
ードウェアの購入が最大限に拡大されることになる。

【００１６】

【実施例】以下の説明においては、本発明の理解をより
完全なものにするため、特定の材料及び構成といった多
くの詳細にわたって記述するものとする。ただし、当該
技術の熟練者には明らかなように、本発明は、こうした
細部の説明がなくても、実施が可能である。他の例で
は、本発明が曖昧にならないようにするため、周知の構
成要素について詳しい説明は行わない。

【００１７】本発明は、テープ自動ボンディング（ＴＡ
Ｂ）技法を利用して、最終的には、マルチ・チップ・モ
ジュール（ＭＣＭ）実装基板のキャビティに埋め込まれ
ることになる半導体ＩＣチップを作製する装置及びプロ
セスに関するものである。望ましい実施例の場合、キャ
ビティは、基板下側に位置する凹所に挿入されるヒート
・シンクと通じている。従って、チップをキャビティ内
に押し込むと、その底部表面がヒート・シンクと係合す
る。こうして、チップからの熱伝導の効率が良くなり、
ＭＣＭの効果的な冷却が可能になる。この技法に対し、
基板内ＴＡＢを表す頭字語ＴＩＢが新造されている。

【００１８】本発明によれば、望ましい実施例の場合、
図１の平面図に示すＩＣチップまたはダイ１０が得られ
る。当該技術において既知のＴＡＢ手順によって、ＴＡ
Ｂポリイミド・キャリヤまたはフィルムから内部ビーム
・リード１４と外部ビーム・リードが形成される。ＴＡ
Ｂプロセスによれば、ダイ１０を通すことができるよう
に、キャリヤ・テープに開口部またはウインド１８がカ
ットされる。ウインド１８及びビーム・リード１４及び
１６の形成後、キャリヤ・テープは残しておかれる。こ
の残ったテープは、テープ・ボディ１２と呼ばれる。ウ
インド１８からダイ１０を挿入した後、内部ビーム・リ
ードとダイ１０の上部に配置された電気接点パッド（不
図示）との熱圧縮ボンディングが行われる。従って、こ
の構成の場合、内部ビーム・リード１４は、ダイ１０に
接続され、外部ビーム・リード１６は、他のデバイスに
接続される。特定の内部ビーム・リードを特定の外部ビ
ーム・リード１６に相互接続するのに必要な場合には、
テープ・ボディ１２の表面に信号経路（不図示）が設け
られる。集合的に捉えると、ダイ１０、テープ・ボディ
１２、及びビーム・リード１４、１６は、大ざっぱに、
ＴＡＢコンポーネント２２と呼ばれる。

【００１９】ここで一息ついて、本発明が、キャリヤの
個々のＴＡＢコンポーネントを利用することによって、
アセンブリ前におけるコンポーネントの予備試験性を得
ている点に留意しておくことが重要である。また、本発
明は、ＴＡＢを望ましい相互接続に利用することによっ
て、ＭＣＭの再加工問題を解決するものである。

【００２０】本発明に特有の態様が、トリミングされる
ＴＡＢコンポーネント２２に見受けられる。本発明によ
れば、ビーム・リード１４及び１６の機械的整形は行わ
れない。図２（ａ）に示すように、外側ビーム・リード
１６は、水平方向にトリミングを施されるので、曲げる
必要がない。この結果、リード長が、テープ・パッケー
ジのＴＡＢチップにとって絶対最小値にまで短くなる。
これに対し、図２（ｂ）に示す先行技術によるＴＡＢコ
ンポーネントの場合には、実装基板へのアセンブリを容
易にするため、外側ビーム・リードの曲げまたは折り曲
げが必要になる。しかし、曲げることによって、壊れ易
いリードに機械的な応力が誘発されるので、破損の恐
れ、または、リードの導電性を損なう恐れが増大する。

【００２１】本発明によれば、ＴＡＢコンポーネント２
２は、切り取った後、図３の平面図に示すように、実装
基板２０に取り付けられる。図４には、図３のライン４
−４に沿って描かれた断面図が示されている。ここで明
らかなように、ＴＡＢコンポーネント２２は、単に基板
２０の上部に配置されただけではなく、基板２０に埋め
込まれている。基板２０には、取り付けられる各ダイ１
０毎に、特定のチップ１０を保持するウェルまたはキャ
ビティ２４が設けられている。基板２０の表面には、信
号経路（不図示）が配置される。従って、ＩＣチップ１
０をキャビティ２４に押し込むと、外部ビーム・リード
１６とこれらの信号経路のボンディングを行ったり、あ
るいは、外部ビーム・リード１６と他のデバイスの接続
を行ったりすることが可能になる。

【００２２】図４の断面図に示すように、まっすぐなリ
ードの重要であることが分かる。各ＴＡＢコンポーネン
ト２２は、その上部表面が基板２０の上面２６とほぼ同
じ高さになる深さまで、キャビティ２４に押し込まれ
る。外部ビーム・リード１６が外側に延び、上部表面２
６と平行をなして、その上にかぶさり、信号経路に接続
されている。従って、こうしたまっすぐな外部ビーム・
リード１６によって、マルチ・チップ・モジュール基板
２０に対する簡単で、便利なボンディングが可能にな
る。もちろん、外部ビーム・リード１６及び内部ビーム
・リード１４は、図１に示す構成をとる必要はない。当
該技術の熟練者であれば、特定の目的に適合した他のビ
ーム・リードの設計を簡単に考案することが可能であ
る。さらに、マルチ・チップ基板２０におけるＴＡＢコ
ンポーネント２２の構成に変更を加えることによって、
図３に示す６チップのレイアウトから逸脱した設計の要
求を満たすことも可能である。

【００２３】各キャビティ２４は、リードが垂直方向に
基板２０を通って、ヒート・シンク２８に入り込む通路
である。実際のアセンブリ・ステップにおいては、ヒー
ト・シンク２８が、ＴＡＢコンポーネント２２より先に
基板２０に取り付けられる。ヒート・シンク２８は、図
４に示すように、基板２０の底面の凹所に組み込まれ
る。一般に、ヒート・シンク２８は凹所に押し込まれ
る。従って、２つの構造間における締まりばめによって
予期せぬ分解が防止される。望ましい実施例のヒート・
シンク２８は、銅のスラグから作られる。銅は良好な熱
伝導体であり、基板２０の空気にさらされたその広い表
面積は熱の放射にとって申し分がない。当該技術におい
て既知の他の熱伝導材料も適合する。このヒート・シン
ク２８は、当該技術において既知の他の冷却装置に適合
させるため、穴をあけたり、あるいは、タップを設けた
りすることが可能である。また、ヒート・シンク２８に
ねじ込みポストを取り付けることも可能である。このダ
イとヒート・シンクを直接接触させるタイプは、ＭＣＭ
のアプローチに特有のものである。この結果、極めて効
率の良い熱経路によって、発生する熱を除去することが
可能になる。さらに冷却することが必要な場合には、基
板に既に組み立てられているヒート・シンクに別のヒー
ト・シンクまたはヒート・パイプを追加することによっ
て、ごく簡単に管理される。

【００２４】過酷な利用に合わせて、パワー・アップす
ると、ダイ１０から熱を生じることになる。従って、ダ
イ１０とヒート・シンク２８の界面は、適正な冷却にと
ってクリティカルである。ダイ１０の底面とヒート・シ
ンク２８の上部表面との貧弱な接続では、ダイ１０から
の熱伝導が妨げられることになる。適正な熱流を確保す
るためには、特殊なプロセスが必要になる。１９９０年
９月２７日に出願され、ＳｕｎＭｉｃｒｏｓｙｓｔｅ
ｍｓ，Ｉｎｃ．に譲渡された同時係属の米国特許出願第
０７／５８９，０９４号に開示のプリント回路基板のた
めのたわみ性熱コンジットと呼ばれるプロセスによっ
て、本発明は各ダイ１０とヒート・シンク２８の間に熱
接合部を形成している。要するに、このダイ取り付けプ
ロセスには、ある量の熱伝導性の熱可塑性材料を用い
て、ダイ１０とヒート・シンク２８を接合することが必
要になる。当初、熱可塑性材料は流体であり、接合部の
どの空隙にも流入して充填を行う。硬化すると、ボンド
は、それ以上流入しない限り固まっているが、接合部は
たわみ性を保つ。

【００２５】望ましい実施例の場合、熱可塑性材料は、
六方窒化ホウ素が望ましいが、コーキング材またはＲＴ
Ｖといった当該技術において既知の他の材料も利用でき
る。重要なことは、熱可塑性材料のたわみ性によって、
基板２０がアセンブリ時に曲げられている場合でさえ、
固体熱ボンドが保持されるという点である。もう１つの
利点は、このプロセスによって得られる熱接合部は、ダ
イ１０と基板２０の間における熱伝導率を損なう可能性
のある空隙のない状態に保たれるということである。

【００２６】本発明の代替実施例（不図示）の場合、実
装基板を同様にして作製された別の基板上にスタックす
ることが可能である。基板には、その垂直方向における
相互接続を可能にするため、ブラインド・ヴァイアが形
成される。さらに、電気的接触を１８０度毎に交番させ
ることによって、マルチ・チップ・モジュールの側部に
対し放射状に延びて、発熱を管理する冷却装置の中に滑
り込ませることが可能である。

【００２７】本発明は、当該技術において既知の、マザ
ー・ボードに対するランド・グリッド・アレイ相互接続
のアプローチにも容易に適応するものである。本発明の
場合マザー・ボードに対する接点は、ＴＡＢコンポーネ
ント２２の同じ側に設けられている。ＭＣＭのアセンブ
リが済むと、マザー・ボードに対する取り付け時に、基
板２０は逆さにされる。これによってＭＣＭのヒート・
シンク２８の裏側（すなわち、底部表面）が露出するの
で、その配向によって、熱を流すのに適正な熱経路を上
方に向けるのが容易になる。これによって、可能性のあ
る取扱いによる損傷からＴＡＢのＩＣが保護されること
になる。さらに冷却することが必要になれば、該アセン
ブリは、露出したヒート・シンクに結びつけるべき冷却
技法のさまざまな選択を可能にする。

【００２８】要するに、本発明は、マルチプル・ウイン
ドＴＡＢキャリヤ・テープにうまく利用することの可能
なＭＣＭアプローチを提供するものである。すなわち、
マルチプルＩＣチップを取り付けて、ＴＡＢキャリヤ・
テープを作ることが可能である。この技法は、最小限の
信号経路距離を必要とする２つのＩＣチップ間における
結合を極めて接近したものにするのに有効である。本発
明によって、この形態のテープ設計が可能になり、同時
に、再加工が可能になり、良好な熱管理が行えるように
もなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＴＡＢプロセスによって外部ビーム・リードと
内部ビーム・リードが形成されたダイの平面図である。

【図２】外部ビーム・リードがダイの上部表面と平行に
延びている、本発明に従って作製された図１に示すダイ
の側面図（ａ）とアセンブリを容易にするため、ＴＡＢ
のビーム・リードが曲げられた、先行技術によるダイの
側面図（ｂ）である。

【図３】ＴＡＢによって実装されたダイが実装基板のキ
ャビティに埋め込まれている、本発明のマルチ・チップ
・モジュールに関する平面図である。

【図４】ダイとヒート・シンクの間の接触を明らかにし
た、ライン４−４に沿って描かれた図３のマルチ・チッ
プ・モジュールに関する断面図である。

【符号の説明】

１０ダイ１２テープ・ボディ１４内部ビーム・リード１６外部ビーム・リード１８ウインド２０実装基板２２ＴＡＢコンポーネント２４キャビティ２６基板の上面２８ヒート・シンク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面と底面を備え、上面に複数のキャビ
ティが配置された実装基板と、基板の底面に埋め込まれて、その上部表面がキャビティ
と通じるようになっている熱伝導手段と、それぞれ、上部表面と底部表面を備え、上部表面には電
気的接点を有し、キャビティ内部に配置されて、各底部
表面が熱伝導手段の上部表面に係合し、各上部表面が実
装基板の上面とほぼ同じ高さになっている複数の半導体
チップと、上部表面と底部表面を備え、複数の開口部が設けられて
おり、上部表面には、複数のビーム・リードが形成され
ていて、基板の上面と共面をなすように開口部の内側に
突き出し、フィルムの周囲で開口部から外側に延びてお
り、チップが開口部を通って突き出し、ビーム・リード
と電気接点を接続できるようにアライメントをとって、
基板の上面に取り付けられるたわみ誘電フィルムと、ビーム・リードを外部信号源、電源、または、接地源に
接続するために、基板に配置された相互接続手段とから
構成されるマルチ・チップ・モジュール。
【請求項２】上面と底面を備え、上面に複数のキャビ
ティが形成され、さらに、上面に信号経路が配置された
基板を設けるステップと、上部表面と底部表面を備える熱伝導手段を基板の底面に
埋め込み、熱伝導手段の上部表面がキャビティと通じる
ようにするステップと、上部表面と底部表面を備え、上部表面に電気接点が含ま
れている複数の半導体チップを設けるステップと、チップの上部表面に、ビーム・リード及び開口部の形成
されたたわみ誘電フィルムを積層し、ビーム・リードが
内側に延びて、開口部内に突き出し、フィルムの周囲に
おいて開口部から外側に延びるようにし、開口部には、
チップが通るようにするステップと、チップの上部表面においてビーム・リードと電気接点の
ボンディングを行うステップと、基板のキャビティにチップを挿入し、チップの底部表面
が、熱伝導手段の上部表面と係合し、ビーム・リードが
基板の上面と同じ高さになるようにするステップと、たわみ性で、熱伝導性の熱可塑性材料を間に挿入し、熱
可塑性材料を硬化させることによって、チップの底部表
面を熱伝導手段の上部表面に結合するステップと、ビーム・リードと基板の信号経路のボンディングを行う
ステップとから構成されるマルチ・チップ・モジュール
を製造するための方法。