JPH0748669Y2 - 分子線セル - Google Patents
分子線セルInfo
- Publication number
- JPH0748669Y2 JPH0748669Y2 JP1989100220U JP10022089U JPH0748669Y2 JP H0748669 Y2 JPH0748669 Y2 JP H0748669Y2 JP 1989100220 U JP1989100220 U JP 1989100220U JP 10022089 U JP10022089 U JP 10022089U JP H0748669 Y2 JPH0748669 Y2 JP H0748669Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- crucible
- molecular beam
- graphite layer
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、分子線結晶成長装置に於て、分子線を生ず
るために用いられる分子線セルに関する。 分子線結晶成長装置は、10-10〜10-11Torr程度の超高真
空に引かれる分子線結晶成長室で、加熱した基板に斜め
下方から原料物質の分子線を照射し、基板上に単結晶薄
膜を成長させてゆくものである。
るために用いられる分子線セルに関する。 分子線結晶成長装置は、10-10〜10-11Torr程度の超高真
空に引かれる分子線結晶成長室で、加熱した基板に斜め
下方から原料物質の分子線を照射し、基板上に単結晶薄
膜を成長させてゆくものである。
原料物質の分子線を生ずるため、分子線結晶成長室の下
方壁面には適数の分子線セルが設けられる。 第２図に従来例にかかる分子線セルの断面図を示す。 有底円筒状のるつぼ１、ヒータ２、反射板３、熱電対４
などよりなつている。るつぼ１はPBN製であり、この中
に原料物質が充填される。 たとえばGaAs基板の上に、GaAs薄膜、AlGaAs薄膜などを
成長させる場合は、Ga、As、Si、Alの分子線セルが必要
である。 ヒータ２はコイル状或は上下に折曲げられたリボン状の
抵抗加熱ヒータであり、るつぼの中の原料を加熱し、蒸
発あるいは昇華させる。 反射板３はヒータ２の熱が外部へ逃げるのを防ぐもの
で、Ta、Moなどの高融点金属で作られている。 熱電対４はるつぼ下底の温度を測定し、温度調節のため
に用いられる。 第２図の例では、ヒータ２がるつぼ１の上から下までほ
ぼ均一に分布している。 第３図に示す例では、ヒータ２がるつぼ１の上端近傍の
みに存在し、るつぼ１の下方近傍にはヒータが存在しな
い。 さらに本考案者等は、るつぼ１の上端近傍にのみグラフ
アイトをコーテイングし赤外輻射熱を有効に吸収できる
ようにしたるつぼを提案している（実願平1-80502 H1.
7.7出願）。
方壁面には適数の分子線セルが設けられる。 第２図に従来例にかかる分子線セルの断面図を示す。 有底円筒状のるつぼ１、ヒータ２、反射板３、熱電対４
などよりなつている。るつぼ１はPBN製であり、この中
に原料物質が充填される。 たとえばGaAs基板の上に、GaAs薄膜、AlGaAs薄膜などを
成長させる場合は、Ga、As、Si、Alの分子線セルが必要
である。 ヒータ２はコイル状或は上下に折曲げられたリボン状の
抵抗加熱ヒータであり、るつぼの中の原料を加熱し、蒸
発あるいは昇華させる。 反射板３はヒータ２の熱が外部へ逃げるのを防ぐもの
で、Ta、Moなどの高融点金属で作られている。 熱電対４はるつぼ下底の温度を測定し、温度調節のため
に用いられる。 第２図の例では、ヒータ２がるつぼ１の上から下までほ
ぼ均一に分布している。 第３図に示す例では、ヒータ２がるつぼ１の上端近傍の
みに存在し、るつぼ１の下方近傍にはヒータが存在しな
い。 さらに本考案者等は、るつぼ１の上端近傍にのみグラフ
アイトをコーテイングし赤外輻射熱を有効に吸収できる
ようにしたるつぼを提案している（実願平1-80502 H1.
7.7出願）。
第２図に示す分子線セルにおいては、るつぼ上方の開口
部が、るつぼ下底に比べて、より低温になる。このため
加熱されていつたん蒸気になつた原料がるつぼ上方に当
り冷却されてここに付着する。るつぼ開口部に付着した
原料物質が再び蒸発すると、結晶膜上に表面欠陥を発生
させる原因となる。表面欠陥は分子線結晶成長法で成長
させたエピタキシヤル薄膜によく見られる。 均一に分布したヒータによつて加熱するのにも拘わら
ず、底部が高温に、上方開口部が低温になるのは次のよ
うな理由による。 PBNるつぼは赤外線の吸収が悪く、ほとんどそのまま赤
外線を通してしまう。ヒータ２が発生する輻射熱を、PB
Nるつぼ自体は吸収しない。輻射熱はるつぼを自由に透
過する。るつぼの内部に原料物質があれば、これによつ
て吸収される。 るつぼ内でも原料物質の存在しない部分は輻射熱がすど
おりしてしまう。 るつぼ１の上方まで原料が充填されていれば、殆ど問題
がない。上下で温度がほぼ一様になる。 ところが、エピタキシヤル成長を何度も繰返すうちに原
料物質が減少してくる。原料物質がるつぼの底近くにの
み存在するようになる。すると、ヒータの輻射熱はるつ
ぼ底近くの原料によつて吸収され、るつぼの大部分は熱
を吸収できなくなる。 このようなわけで、るつぼの底はより高温に、るつぼの
開口部はより低温になるのである。また、開口部の方が
底部に比べ放熱が大きいことも原因の１つである。 第３図に示すものは、このような難点を解決するための
もので、ヒータ２をるつぼ１の上方にのみ限つている。 これはるつぼの上方開口部を積極的に加熱し、開口部の
温度の低下を防ごうとするものである。 しかし、既に述べたように、PBNは赤外線の吸収が良く
ないので、ヒータの赤外輻射を効率的に吸収できない。
原料物質が減少してゆくと、るつぼ上方開口部には輻射
を吸収するものがないのでやはり温度が低下してしま
う。 また、このようなヒータ構造では、温度があまり上らな
いので、比較的融点の高い金属を分子線にすることがで
きない。抵抗加熱によるこのような分子線セルの最高加
熱温度は1500℃程度である。 分子線セルのるつぼの上方開口部を高温に維持し表面欠
陥の発生を有効に防ぐことのできる分子線セルを提供す
ることが本考案の第１の目的である。 比較的融点の高い物質をも分子線にする事のできる分子
線セルを提供することが本考案の第２の目的である。
部が、るつぼ下底に比べて、より低温になる。このため
加熱されていつたん蒸気になつた原料がるつぼ上方に当
り冷却されてここに付着する。るつぼ開口部に付着した
原料物質が再び蒸発すると、結晶膜上に表面欠陥を発生
させる原因となる。表面欠陥は分子線結晶成長法で成長
させたエピタキシヤル薄膜によく見られる。 均一に分布したヒータによつて加熱するのにも拘わら
ず、底部が高温に、上方開口部が低温になるのは次のよ
うな理由による。 PBNるつぼは赤外線の吸収が悪く、ほとんどそのまま赤
外線を通してしまう。ヒータ２が発生する輻射熱を、PB
Nるつぼ自体は吸収しない。輻射熱はるつぼを自由に透
過する。るつぼの内部に原料物質があれば、これによつ
て吸収される。 るつぼ内でも原料物質の存在しない部分は輻射熱がすど
おりしてしまう。 るつぼ１の上方まで原料が充填されていれば、殆ど問題
がない。上下で温度がほぼ一様になる。 ところが、エピタキシヤル成長を何度も繰返すうちに原
料物質が減少してくる。原料物質がるつぼの底近くにの
み存在するようになる。すると、ヒータの輻射熱はるつ
ぼ底近くの原料によつて吸収され、るつぼの大部分は熱
を吸収できなくなる。 このようなわけで、るつぼの底はより高温に、るつぼの
開口部はより低温になるのである。また、開口部の方が
底部に比べ放熱が大きいことも原因の１つである。 第３図に示すものは、このような難点を解決するための
もので、ヒータ２をるつぼ１の上方にのみ限つている。 これはるつぼの上方開口部を積極的に加熱し、開口部の
温度の低下を防ごうとするものである。 しかし、既に述べたように、PBNは赤外線の吸収が良く
ないので、ヒータの赤外輻射を効率的に吸収できない。
原料物質が減少してゆくと、るつぼ上方開口部には輻射
を吸収するものがないのでやはり温度が低下してしま
う。 また、このようなヒータ構造では、温度があまり上らな
いので、比較的融点の高い金属を分子線にすることがで
きない。抵抗加熱によるこのような分子線セルの最高加
熱温度は1500℃程度である。 分子線セルのるつぼの上方開口部を高温に維持し表面欠
陥の発生を有効に防ぐことのできる分子線セルを提供す
ることが本考案の第１の目的である。 比較的融点の高い物質をも分子線にする事のできる分子
線セルを提供することが本考案の第２の目的である。
前述の目的を達成するため、本考案の分子線セルは、 上方の開口した有底の容器であつて原料物質を収容す
るためのPBN製のるつぼと、 るつぼの上方開口部周縁にコーテイングされたグラフ
アイト層と、 るつぼの上方開口部の近傍に設けられたヒータと ヒータに通電し発熱させるためのヒータ加熱用電源と ヒータの熱を内方へ反射するためヒータの外側、るつ
ぼの底部に設けられた反射板と、 るつぼの温度を測定するための熱電対と、 グラフアイト層とヒータの間に直流電圧を加えヒータ
から生じた熱電子を加速してグラフアイト層に当てるた
めの電界用電源と、 を含んでいる。第１図は本考案の分子線セルの縦断面を
示している。これにより再び説明する。 上方の開口したPBN製のるつぼ１の上方開口部の近傍に
ヒータ７が設けられる。ヒータ７は螺旋状に巻いたコイ
ル状ヒータであつても、上下に折曲つた形状のリボン状
ヒータであつてもよい。ヒータ７はTa又はＷ製とする。 ヒータ７からリード12、13が出ており、これらがヒータ
加熱用電源10につながつている。 るつぼ１の上方開口部の周縁にグラフアイト層６がコー
テイングされている。グラフアイト層６の適当な部位に
接続端子16があり、リード14が接続されている。グラフ
アイト層６が正、ヒータ７が負になるように電界用電源
11が、グラフアイト層６、ヒータ７の間に直流電界を印
加する。 リード14、リード15によつて、電界用電源11がグラフア
イト層６、ヒータ７に接続される。 ヒータの外側やるつぼの底部には反射板３が設けられ
る。これは熱を内方へ反射するためであり、従来のもの
と同じである。 るつぼ１の下底には熱電対４が設けられる。 ヒータ加熱用電源10は直流でも交流でもよい。電界用電
源11は直流である。
るためのPBN製のるつぼと、 るつぼの上方開口部周縁にコーテイングされたグラフ
アイト層と、 るつぼの上方開口部の近傍に設けられたヒータと ヒータに通電し発熱させるためのヒータ加熱用電源と ヒータの熱を内方へ反射するためヒータの外側、るつ
ぼの底部に設けられた反射板と、 るつぼの温度を測定するための熱電対と、 グラフアイト層とヒータの間に直流電圧を加えヒータ
から生じた熱電子を加速してグラフアイト層に当てるた
めの電界用電源と、 を含んでいる。第１図は本考案の分子線セルの縦断面を
示している。これにより再び説明する。 上方の開口したPBN製のるつぼ１の上方開口部の近傍に
ヒータ７が設けられる。ヒータ７は螺旋状に巻いたコイ
ル状ヒータであつても、上下に折曲つた形状のリボン状
ヒータであつてもよい。ヒータ７はTa又はＷ製とする。 ヒータ７からリード12、13が出ており、これらがヒータ
加熱用電源10につながつている。 るつぼ１の上方開口部の周縁にグラフアイト層６がコー
テイングされている。グラフアイト層６の適当な部位に
接続端子16があり、リード14が接続されている。グラフ
アイト層６が正、ヒータ７が負になるように電界用電源
11が、グラフアイト層６、ヒータ７の間に直流電界を印
加する。 リード14、リード15によつて、電界用電源11がグラフア
イト層６、ヒータ７に接続される。 ヒータの外側やるつぼの底部には反射板３が設けられ
る。これは熱を内方へ反射するためであり、従来のもの
と同じである。 るつぼ１の下底には熱電対４が設けられる。 ヒータ加熱用電源10は直流でも交流でもよい。電界用電
源11は直流である。
PBN製るつぼ１の中に原料物質を入れる。分子線結晶成
長室を超高真空に引く。搬送装置（図示せず）により、
基板ホルダに取り付けた基板を搬送し、マニピユレータ
（図示せず）にセツトする。この後、分子線セルで分子
線を発生し、エピタキシヤル成長を開始する。 分子線セルに於ては、ヒータ加熱用電源10に通電し、ヒ
ータ７を抵抗加熱する。これにより原料物質が加熱され
る。 従来の分子線セルでは、原料が減少してゆくと、るつぼ
の開口部近傍が低温になり、原料物質が開口部近傍に付
着することがあつた。これが再飛散して表面欠陥の原因
となつた。これはGaセルに著しい。 本考案ではるつぼ開口部にのみヒータがあるし、赤外線
をよく吸収するグラフアイトをるつぼ開口部周縁にコー
テイングしてあるのでヒータ輻射熱を効率的に吸収する
ことができる。 ヒータの温度が高くなると、ヒータの表面から熱電子が
放出される。これがグラフアイト層６とヒータ７間に加
わつている直流電圧によつて加速される。加速電圧は電
界用電源11の電圧に等しい。これは500V〜数kVの程度で
ある。 加速された熱電子がグラフアイト層６に衝突する。グラ
フアイト層６が正電位なので、全ての熱電子がグラフア
イト層６に当る。もつていた運動エネルギーがここで熱
に変化する。このためグラフアイト層６がさらに高温に
加熱される事になる。 熱電子が発生する温度や最高到達温度はヒータの材料に
よつて異なる。 たとえば、ヒータがTaである場合、ヒータの温度が約14
00℃で熱電子放出が始まる。ヒータの輻射熱と、熱電子
ボンバードメントの２つの作用によりグラフアイト層６
が加熱される。このため従来は1500℃までしかるつぼの
温度が上らなかつたものが、本考案では約2000℃にまで
るつぼ温度を上げる事ができる。 るつぼ開口部の温度が高いので、蒸発した原料がるつぼ
開口部に付着しない。 また、るつぼの温度を上げることができるので、従来の
分子線セルで取扱えなかつたNi、Cu、Ｂ、Laなども分子
線とする事ができる。 グラフアイト層はここで２つの機能を果している。 ひとつは赤外線を吸収する吸収体としての機能である。
グラフアイトはPBNよりも赤外輻射をよく吸収する。 もうひとつは、電子ボンバードのための陽極としての機
能である。PBNは絶縁体であるので、導体をコートして
陽極としなければならない。このためグラフアイト層を
必要とする。 グラフアイトを選ぶのは、赤外吸収が良く、導体である
という事の他に、PBNの表面にコーテイングしやすいか
らである。 PBNはCVD法などで作られる六方晶系のBNである。BNは多
様な製法で多様な晶系のものが作られるが、ここでは六
方晶系のPBN（pyrolitic）を使う。グラフアイトは炭素
を成分とし、六方晶系の物質である。物理的な性質が近
似しており、PBNの上にコーテイングしやすい。
長室を超高真空に引く。搬送装置（図示せず）により、
基板ホルダに取り付けた基板を搬送し、マニピユレータ
（図示せず）にセツトする。この後、分子線セルで分子
線を発生し、エピタキシヤル成長を開始する。 分子線セルに於ては、ヒータ加熱用電源10に通電し、ヒ
ータ７を抵抗加熱する。これにより原料物質が加熱され
る。 従来の分子線セルでは、原料が減少してゆくと、るつぼ
の開口部近傍が低温になり、原料物質が開口部近傍に付
着することがあつた。これが再飛散して表面欠陥の原因
となつた。これはGaセルに著しい。 本考案ではるつぼ開口部にのみヒータがあるし、赤外線
をよく吸収するグラフアイトをるつぼ開口部周縁にコー
テイングしてあるのでヒータ輻射熱を効率的に吸収する
ことができる。 ヒータの温度が高くなると、ヒータの表面から熱電子が
放出される。これがグラフアイト層６とヒータ７間に加
わつている直流電圧によつて加速される。加速電圧は電
界用電源11の電圧に等しい。これは500V〜数kVの程度で
ある。 加速された熱電子がグラフアイト層６に衝突する。グラ
フアイト層６が正電位なので、全ての熱電子がグラフア
イト層６に当る。もつていた運動エネルギーがここで熱
に変化する。このためグラフアイト層６がさらに高温に
加熱される事になる。 熱電子が発生する温度や最高到達温度はヒータの材料に
よつて異なる。 たとえば、ヒータがTaである場合、ヒータの温度が約14
00℃で熱電子放出が始まる。ヒータの輻射熱と、熱電子
ボンバードメントの２つの作用によりグラフアイト層６
が加熱される。このため従来は1500℃までしかるつぼの
温度が上らなかつたものが、本考案では約2000℃にまで
るつぼ温度を上げる事ができる。 るつぼ開口部の温度が高いので、蒸発した原料がるつぼ
開口部に付着しない。 また、るつぼの温度を上げることができるので、従来の
分子線セルで取扱えなかつたNi、Cu、Ｂ、Laなども分子
線とする事ができる。 グラフアイト層はここで２つの機能を果している。 ひとつは赤外線を吸収する吸収体としての機能である。
グラフアイトはPBNよりも赤外輻射をよく吸収する。 もうひとつは、電子ボンバードのための陽極としての機
能である。PBNは絶縁体であるので、導体をコートして
陽極としなければならない。このためグラフアイト層を
必要とする。 グラフアイトを選ぶのは、赤外吸収が良く、導体である
という事の他に、PBNの表面にコーテイングしやすいか
らである。 PBNはCVD法などで作られる六方晶系のBNである。BNは多
様な製法で多様な晶系のものが作られるが、ここでは六
方晶系のPBN（pyrolitic）を使う。グラフアイトは炭素
を成分とし、六方晶系の物質である。物理的な性質が近
似しており、PBNの上にコーテイングしやすい。
るつぼ開口部の温度が下らないので、蒸発した原料物質
がるつぼ開口部に付着するということがない。このため
エピタキシヤル成長させた薄膜に表面欠陥が生じるのを
防ぐことができる。 るつぼをより高温に加熱できるので、比較的融点の高い
Ni、Cu、Ｂ、Laなどの物質も分子線にする事ができる。
分子線結晶成長法の用途を拡げる事ができる。
がるつぼ開口部に付着するということがない。このため
エピタキシヤル成長させた薄膜に表面欠陥が生じるのを
防ぐことができる。 るつぼをより高温に加熱できるので、比較的融点の高い
Ni、Cu、Ｂ、Laなどの物質も分子線にする事ができる。
分子線結晶成長法の用途を拡げる事ができる。
第１図は本考案の分子線セルの概略縦断面図。 第２図はヒータが上下均一に分布した従来例にかかる分
子線セルの縦断面図。 第３図はヒータが上方にのみ存在する従来例にかかる分
子線セルの縦断面図。 １……るつぼ ２……ヒータ ３……反射板 ４……熱電対 ６……グラフアイト層 ７……ヒータ 10……ヒータ加熱用電源 11……電界用電源 12〜15……リード 16……接続端子
子線セルの縦断面図。 第３図はヒータが上方にのみ存在する従来例にかかる分
子線セルの縦断面図。 １……るつぼ ２……ヒータ ３……反射板 ４……熱電対 ６……グラフアイト層 ７……ヒータ 10……ヒータ加熱用電源 11……電界用電源 12〜15……リード 16……接続端子
Claims (1)
- 【請求項１】上方の開口した有底の容器であって原料物
質を収容するためのPBN製のるつぼと、るつぼの上方開
口部周縁にコーティングされたグラファイト層と、るつ
ぼ上方開口部の近傍に設けられたヒータと、ヒータに通
電し発熱させるためのヒータ加熱用電源と、ヒータの熱
を内方へ反射するためヒータの外側、るつぼの底部に設
けられた反射板と、るつぼの温度を測定するための熱電
対と、グラファイト層とヒータの間に直流電圧を加えヒ
ータから生じた熱電子を加速してグラファイト層に当て
るための電界用電源とを含み、熱電子がグラファイトに
衝突して発生する熱と、ヒータから輻射される熱によっ
てるつぼが加熱されるようにしたことを特徴とする分子
線セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989100220U JPH0748669Y2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 分子線セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989100220U JPH0748669Y2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 分子線セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0338367U JPH0338367U (ja) | 1991-04-12 |
| JPH0748669Y2 true JPH0748669Y2 (ja) | 1995-11-08 |
Family
ID=31649239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989100220U Expired - Fee Related JPH0748669Y2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 分子線セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748669Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100959733B1 (ko) * | 2003-04-16 | 2010-05-25 | 독키 가부시키가이샤 | 증착장치에 있어서의 증발원 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200895A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線結晶成長装置の噴出セル構造 |
| JPS62244122A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体薄膜の製造装置 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1989100220U patent/JPH0748669Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100959733B1 (ko) * | 2003-04-16 | 2010-05-25 | 독키 가부시키가이샤 | 증착장치에 있어서의 증발원 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338367U (ja) | 1991-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |