JPH0749797Y2 - 多層配線構造 - Google Patents
多層配線構造Info
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- JPH0749797Y2 JPH0749797Y2 JP1989065758U JP6575889U JPH0749797Y2 JP H0749797 Y2 JPH0749797 Y2 JP H0749797Y2 JP 1989065758 U JP1989065758 U JP 1989065758U JP 6575889 U JP6575889 U JP 6575889U JP H0749797 Y2 JPH0749797 Y2 JP H0749797Y2
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- wiring
- layer
- line
- capacitance
- signal line
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Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はイメージセンサ等の電子デバイスにおける多層
配線構造に関し、特に絶縁層を介して上下に形成された
配線層間において、配線の交差部分がそれぞれの配線に
与える電気的影響を小さくした多層配線構造に関する。
配線構造に関し、特に絶縁層を介して上下に形成された
配線層間において、配線の交差部分がそれぞれの配線に
与える電気的影響を小さくした多層配線構造に関する。
（従来の技術） 多層配線構造を有する電子デバイスとしては、ファクシ
ミリなどの画像読取装置に使用されるTFT駆動型イメー
ジセンサが存在する。TFT駆動型イメージセンサは、薄
膜トランジスタスイッチ素子（TFT）とマトリックス配
線により、イメージセンサを駆動する駆動ICの個数を少
なくするもので、その等価回路図を第12図に示す。
ミリなどの画像読取装置に使用されるTFT駆動型イメー
ジセンサが存在する。TFT駆動型イメージセンサは、薄
膜トランジスタスイッチ素子（TFT）とマトリックス配
線により、イメージセンサを駆動する駆動ICの個数を少
なくするもので、その等価回路図を第12図に示す。
すなわち、TFT駆動型イメージセンサは、複数の受光素
子（フォトダイオード＝PD）21をライン状に配置した受
光素子アレイ22と、これを駆動する駆動回路から構成さ
れている。各受光素子21に発生した電荷は一定時間蓄積
された後、TFT23を電荷転送用のスイッチとして用いて
特定数の受光素子21を一ブロック単位としてブロック毎
にマトリックス配線24の配線容量部分に転送貯蔵し、IC
チップで形成されたアナログマルチプレクサ25の制御に
よるスイッチによって、配線容量部分の電荷が共通信号
線26から順次COM出力線に抽出される（特開昭63−9358
号公報参照）。ここでマトリックス配線24とは、多数の
受光素子21とこれら受光素子21にそれぞれ直列に接続さ
れたTFT23とを具備した上記TFT駆動型イメージセンサの
うちで、TFT23からアナログマルチプレクサ25までの配
線構造をいう。
子（フォトダイオード＝PD）21をライン状に配置した受
光素子アレイ22と、これを駆動する駆動回路から構成さ
れている。各受光素子21に発生した電荷は一定時間蓄積
された後、TFT23を電荷転送用のスイッチとして用いて
特定数の受光素子21を一ブロック単位としてブロック毎
にマトリックス配線24の配線容量部分に転送貯蔵し、IC
チップで形成されたアナログマルチプレクサ25の制御に
よるスイッチによって、配線容量部分の電荷が共通信号
線26から順次COM出力線に抽出される（特開昭63−9358
号公報参照）。ここでマトリックス配線24とは、多数の
受光素子21とこれら受光素子21にそれぞれ直列に接続さ
れたTFT23とを具備した上記TFT駆動型イメージセンサの
うちで、TFT23からアナログマルチプレクサ25までの配
線構造をいう。
上記マトリックス配線24の平面図を第10図に、断面図を
第11図に示す。マトリックス配線24は、基板31上に下層
配線層32,絶縁層33,上層配線層34を順次形成して構成さ
れている。下層配線層32には、横方向信号線32aと横方
向グランド線32bとが交互に配列され、上層配線層34に
は、縦方向信号線34aと縦方向グランド線34bとが交互に
配列されている。横方向信号線32a及び横方向グランド
線32bと、縦方向信号線34a及び横方向グランド線34bと
は、互いに直交するように配列され、上下の信号線相互
間の接続が必要な箇所はコンタクトホール35を介して接
続されている。
第11図に示す。マトリックス配線24は、基板31上に下層
配線層32,絶縁層33,上層配線層34を順次形成して構成さ
れている。下層配線層32には、横方向信号線32aと横方
向グランド線32bとが交互に配列され、上層配線層34に
は、縦方向信号線34aと縦方向グランド線34bとが交互に
配列されている。横方向信号線32a及び横方向グランド
線32bと、縦方向信号線34a及び横方向グランド線34bと
は、互いに直交するように配列され、上下の信号線相互
間の接続が必要な箇所はコンタクトホール35を介して接
続されている。
すなわち、マトリックス配線24の配線容量CL（第12図）
は、１本の信号線に対して、同一層の隣接するグランド
線との間の線間容量（容量Ａとする）と、他層の配線の
うちのグランド線との交差部分の線間容量（容量Ｂとす
る）との和がその信号線が蓄積可能とする容量値となっ
ている。
は、１本の信号線に対して、同一層の隣接するグランド
線との間の線間容量（容量Ａとする）と、他層の配線の
うちのグランド線との交差部分の線間容量（容量Ｂとす
る）との和がその信号線が蓄積可能とする容量値となっ
ている。
このようなマトリックス配線24では、受光素子21側の容
量に比較してマトリックス配線24の配線容量を大きく
し、受光素子21で発生した電荷が有効かつ高速にマトリ
ックス配線24の配線容量へ転送されることを目的とし
て、マトリックス配線24の配線容量を大きくしている。
つまり、信号線とグランド線の配線の幅を広く形成する
ことにより、信号線とグランド線の交差部分における線
間容量を大きくして、全体としての配線容量を大きくし
ている。
量に比較してマトリックス配線24の配線容量を大きく
し、受光素子21で発生した電荷が有効かつ高速にマトリ
ックス配線24の配線容量へ転送されることを目的とし
て、マトリックス配線24の配線容量を大きくしている。
つまり、信号線とグランド線の配線の幅を広く形成する
ことにより、信号線とグランド線の交差部分における線
間容量を大きくして、全体としての配線容量を大きくし
ている。
（考案が解決しようとする課題） しかしながら、上記のようなマトリックス配線24の構造
では、第10図に示すように、信号線32a,34aは、信号線
同士の交差部分に該当するか否かに拘らず均一の広い配
線幅となっているため、信号線同士が交差する交差部分
の面積も大きくなり、両者間に生じる結合容量が大きく
なる。その結果、信号線同士の交差部分において、一方
の信号線からの出力が他の信号線との電位差の変化によ
って影響を受けて変化し、正確な電荷が読み取れなかっ
たり、読み取り信号に雑音が生じたり等のクロストーク
が発生するとの問題点があった。
では、第10図に示すように、信号線32a,34aは、信号線
同士の交差部分に該当するか否かに拘らず均一の広い配
線幅となっているため、信号線同士が交差する交差部分
の面積も大きくなり、両者間に生じる結合容量が大きく
なる。その結果、信号線同士の交差部分において、一方
の信号線からの出力が他の信号線との電位差の変化によ
って影響を受けて変化し、正確な電荷が読み取れなかっ
たり、読み取り信号に雑音が生じたり等のクロストーク
が発生するとの問題点があった。
第10図で示したマトリックス配線24の構造では、それぞ
れの層における隣接する信号線32aと信号線32a間（信号
線34aと信号線34a間）のクロストークの問題は信号線32
a（34a）の間にグランド線32b（34b）（接地配線）を設
けて解決されるが、第11図に示すように上下間の信号線
が交差する部分（信号線交差部）36についてはクロスト
ークの問題に十分対応するに至っていなかった。
れの層における隣接する信号線32aと信号線32a間（信号
線34aと信号線34a間）のクロストークの問題は信号線32
a（34a）の間にグランド線32b（34b）（接地配線）を設
けて解決されるが、第11図に示すように上下間の信号線
が交差する部分（信号線交差部）36についてはクロスト
ークの問題に十分対応するに至っていなかった。
本考案は上記実情に鑑みてなされたもので、多層配線構
造において、配線容量を大きくしつつ、上下層の配線間
に生じるクロストークの問題を解決し、信号線からの電
荷を正確に出力できる多層配線構造を提供することを目
的とする。
造において、配線容量を大きくしつつ、上下層の配線間
に生じるクロストークの問題を解決し、信号線からの電
荷を正確に出力できる多層配線構造を提供することを目
的とする。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため請求項１記載の考案は、絶縁層
を介して形成された複数の配線層から成る多層配線構造
であって、次の構成を含む。
を介して形成された複数の配線層から成る多層配線構造
であって、次の構成を含む。
前記各配線層の配線は、信号線とグランド線とを交互に
配置して構成する。
配置して構成する。
前記信号線と同一層の隣接するグランド線との間の線間
容量と、前記信号線と他層のグランド線との交差部にお
ける線間容量とで、前記信号線を介して転送される電荷
を蓄積する配線容量を構成する。
容量と、前記信号線と他層のグランド線との交差部にお
ける線間容量とで、前記信号線を介して転送される電荷
を蓄積する配線容量を構成する。
前記配線層の信号線同士が上下で交差する部分の配線幅
を狭く形成する。
を狭く形成する。
前記配線層の信号線とグランド線が上下で交差する部分
の配線幅を広く形成する。
の配線幅を広く形成する。
また、請求項２の考案は、絶縁層を介して形成された複
数の配線層から成る多層配線構造であって、次の構成を
含む。
数の配線層から成る多層配線構造であって、次の構成を
含む。
前記各配線層の配線は、信号線とグランド線とを交互に
配置して構成する。
配置して構成する。
前記信号線と同一層の隣接するグランド線との間の線間
容量と、前記信号線と他層のグランド線との交差部にお
ける線間容量とで、前記信号線を介して転送される電荷
を蓄積する配線容量を構成する。
容量と、前記信号線と他層のグランド線との交差部にお
ける線間容量とで、前記信号線を介して転送される電荷
を蓄積する配線容量を構成する。
前記配線層の配線同士が上下で交差する部分のうち、信
号線同士の交差部分の前記絶縁層の膜厚を厚く形成す
る。
号線同士の交差部分の前記絶縁層の膜厚を厚く形成す
る。
そして、それ以外の交差部分の前記絶縁層の膜厚を薄く
形成してこの部分における上層の配線を厚くする。
形成してこの部分における上層の配線を厚くする。
（作用） 請求項１の考案によれば、電位差の変化による影響を防
止する必要のある上下関係にある信号線同士の配線幅を
狭く形成することにより、信号線同士が交差する交差面
積が小さくなり、配線間に生じる結合容量を小さくする
ことができる。
止する必要のある上下関係にある信号線同士の配線幅を
狭く形成することにより、信号線同士が交差する交差面
積が小さくなり、配線間に生じる結合容量を小さくする
ことができる。
また、信号線とグランド線が上下で交差する部分の配線
幅を広く形成することにより、配線容量を大きくするこ
とができる。
幅を広く形成することにより、配線容量を大きくするこ
とができる。
請求項２の考案によれば、電位差の変化による影響を防
止する必要のある上下関係にある信号線同士間の絶縁層
の膜厚を厚く形成することにより、信号線間の距離を離
して配線間に生じる結合容量を小さくすることができ
る。
止する必要のある上下関係にある信号線同士間の絶縁層
の膜厚を厚く形成することにより、信号線間の距離を離
して配線間に生じる結合容量を小さくすることができ
る。
また、信号線とグランド線、またはグランド線同士が上
下で交差する部分については、絶縁層の膜厚を薄く形成
してこの部分における上層の配線を厚くすることによ
り、信号線とグランド線の交差部における配線間の距離
を狭めて配線間に生じる容量を大きくするとともに、グ
ランド線と同一層にある両側の信号線とが対向する面積
を大きくし、配線容量を大きくすることができる。
下で交差する部分については、絶縁層の膜厚を薄く形成
してこの部分における上層の配線を厚くすることによ
り、信号線とグランド線の交差部における配線間の距離
を狭めて配線間に生じる容量を大きくするとともに、グ
ランド線と同一層にある両側の信号線とが対向する面積
を大きくし、配線容量を大きくすることができる。
（実施例） 本考案の一実施例について図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図及び第２図に請求項１記載の考案の一実施例に係
るマトリックス配線（金属多層配線）の多層配線構造を
示す。
るマトリックス配線（金属多層配線）の多層配線構造を
示す。
この多層配線構造は、基板１と、基板１上に形成した下
層配線層２と、この下層配線層２上に形成した絶縁層３
と、この絶縁層３上に形成した上層配線層４とによって
構成される。
層配線層２と、この下層配線層２上に形成した絶縁層３
と、この絶縁層３上に形成した上層配線層４とによって
構成される。
下層配線層２は、一定方向に細長く互いに並行な縦方向
信号線2aと縦方向グランド線2bを交互に配列して成る。
縦方向グランド線2bは、縦方向信号線2aと2aの間に形成
して縦方向信号線2aと2aの間の結合容量を減少させるも
のであり、配線端部（図示せず）で接地している。
信号線2aと縦方向グランド線2bを交互に配列して成る。
縦方向グランド線2bは、縦方向信号線2aと2aの間に形成
して縦方向信号線2aと2aの間の結合容量を減少させるも
のであり、配線端部（図示せず）で接地している。
上層配線層４も、上記下層配線層２と同様に、一定方向
に細長く互いに並行な横方向信号線4aと横方向グランド
線4bを交互に配列して成る。
に細長く互いに並行な横方向信号線4aと横方向グランド
線4bを交互に配列して成る。
下層配線層２と上層配線層３とは、絶縁層３を介して互
いに直交するように配置されている。縦方向信号線2aと
横方向信号線4aとは、コンタクトホール５を介して接続
されている。また、縦方向グランド部2bと横方向グラン
ド線4bとは、コンタクトホール５を介して接続されてい
る。
いに直交するように配置されている。縦方向信号線2aと
横方向信号線4aとは、コンタクトホール５を介して接続
されている。また、縦方向グランド部2bと横方向グラン
ド線4bとは、コンタクトホール５を介して接続されてい
る。
下層配線層２の縦方向信号線2aに着目すると、上層配線
層４の他の配線との間に信号線−グランド線交差部６、
信号線−信号線交差部７が形成され、縦方向グランド線
2bに着目すると、グランド線−グランド線交差部８、グ
ランド線−信号線交差部９が形成されている。上記交差
部6,7,8,9の内、交差部6,8,9については、少なくとも一
方の配線がグランド線なので、信号線の電荷に影響を与
えるものではない。しかし、交差部７では縦方向信号線
2aと横方向信号線4aとの間に結合容量が生じ、従来例で
説明したようなクロストークの問題が発生する。そこ
で、本実施例では、交差部７に対応する縦方向信号線2a
及び横方向信号線4aに首部10,11をそれぞれ形成するこ
とにより、交差部７における配線の幅を狭く形成し、絶
縁層３を介して配線同士が交差する交差面積が小さくな
るように構成する。首部10,11の幅を縦方向信号線2aや
横方向信号線4aの幅の1/3で形成すれば、交差部７の交
差面積は1/9とすることができ、両者間に生じる結合容
量を大幅に減少させることができる。
層４の他の配線との間に信号線−グランド線交差部６、
信号線−信号線交差部７が形成され、縦方向グランド線
2bに着目すると、グランド線−グランド線交差部８、グ
ランド線−信号線交差部９が形成されている。上記交差
部6,7,8,9の内、交差部6,8,9については、少なくとも一
方の配線がグランド線なので、信号線の電荷に影響を与
えるものではない。しかし、交差部７では縦方向信号線
2aと横方向信号線4aとの間に結合容量が生じ、従来例で
説明したようなクロストークの問題が発生する。そこ
で、本実施例では、交差部７に対応する縦方向信号線2a
及び横方向信号線4aに首部10,11をそれぞれ形成するこ
とにより、交差部７における配線の幅を狭く形成し、絶
縁層３を介して配線同士が交差する交差面積が小さくな
るように構成する。首部10,11の幅を縦方向信号線2aや
横方向信号線4aの幅の1/3で形成すれば、交差部７の交
差面積は1/9とすることができ、両者間に生じる結合容
量を大幅に減少させることができる。
また、交差部6,9については、縦方向信号線2a及び横方
向信号線4aの線間容量を大きくするため、ある程度の交
差面積を確保する必要があるので首部を形成せず、逆に
交差部６、９の面積が大きくなるようにする。つまり、
交差部６における縦方向信号線2aと横方向グランド線4b
に幅広部12、13をそれぞれ形成し、交差部９における縦
方向グランド線2bと横方向信号線4aに幅広部14、15をそ
れぞれ形成して、交差部６、９の交差面積を大きくす
る。このように交差部分における線間容量を大きくする
ことにより、信号線全体としての配線容量を大きくして
いるので、マトリックス配線の配線容量に、受光素子で
発生した電荷が有効かつ高速に転送される。
向信号線4aの線間容量を大きくするため、ある程度の交
差面積を確保する必要があるので首部を形成せず、逆に
交差部６、９の面積が大きくなるようにする。つまり、
交差部６における縦方向信号線2aと横方向グランド線4b
に幅広部12、13をそれぞれ形成し、交差部９における縦
方向グランド線2bと横方向信号線4aに幅広部14、15をそ
れぞれ形成して、交差部６、９の交差面積を大きくす
る。このように交差部分における線間容量を大きくする
ことにより、信号線全体としての配線容量を大きくして
いるので、マトリックス配線の配線容量に、受光素子で
発生した電荷が有効かつ高速に転送される。
次にこの多層配線構造の製造工程について説明する。
ガラスまたはセラミックから成る基板１に、下層配線層
２となるクロム（Cr）またはアルミニウム（Al）を蒸着
し、フォトリソ法によりパターニングして縦方向信号線
2a及び横方向グランド線2bを形成する。
２となるクロム（Cr）またはアルミニウム（Al）を蒸着
し、フォトリソ法によりパターニングして縦方向信号線
2a及び横方向グランド線2bを形成する。
次いで、窒化シリコン膜を着膜して絶縁層３を形成す
る。第12図で示したTFT駆動型イメージセンサにおいて
は、TFTの絶縁膜と同時に絶縁層３を形成することがで
きる。
る。第12図で示したTFT駆動型イメージセンサにおいて
は、TFTの絶縁膜と同時に絶縁層３を形成することがで
きる。
次に第８図に示すような複数の方形状の露光部41を有す
るフォトリソ用マスク40を絶縁層３上に配置して露光、
現像を行ない、エッチングによりパターニングして所望
の箇所にコンタクトホール５を形成する。
るフォトリソ用マスク40を絶縁層３上に配置して露光、
現像を行ない、エッチングによりパターニングして所望
の箇所にコンタクトホール５を形成する。
更に、上層配線層４となるクロム（Cr）またはアルミニ
ウム（Al）を蒸着し、フォトリソ法によりパターニング
して横方向信号線4a及び横方向グランド線4bを形成す
る。
ウム（Al）を蒸着し、フォトリソ法によりパターニング
して横方向信号線4a及び横方向グランド線4bを形成す
る。
本実施例によれば、信号線同士が交差する交差部７にお
いて、上下層の配線が交差する部分の線幅を狭く構成し
て交差面積を小さくしたので、信号線間の結合容量を減
らすことができる。また、信号線とグランド線が交差す
る交差部６、９において、上下層の配線が交差する部分
の線幅を広く構成して交差面積を大きくしたので、信号
線の線間容量を大きくでき、総体的に配線容量を大きく
できる。
いて、上下層の配線が交差する部分の線幅を狭く構成し
て交差面積を小さくしたので、信号線間の結合容量を減
らすことができる。また、信号線とグランド線が交差す
る交差部６、９において、上下層の配線が交差する部分
の線幅を広く構成して交差面積を大きくしたので、信号
線の線間容量を大きくでき、総体的に配線容量を大きく
できる。
次に請求項２記載の考案の一実施例に係るマトリックス
配線（金属多層配線）の多層配線構造について、第３図
乃至第７図を参照して説明する。第１図及び第２図と同
様の構成をとる部分については、同一符号を付してその
詳細な説明は省略する。
配線（金属多層配線）の多層配線構造について、第３図
乃至第７図を参照して説明する。第１図及び第２図と同
様の構成をとる部分については、同一符号を付してその
詳細な説明は省略する。
本実施例では、交差部6,7,8,9の内、交差部７の絶縁層
３について、その膜厚を厚く形成することにより、縦方
向信号線2aと横方向信号線4aとの間の距離を離し、両者
間に生じる結合容量を小さくするものである。すなわ
ち、下層配線層２上に絶縁層3aを形成し、交差部７に対
応する部分に更に絶縁層3bを形成する二重絶縁層により
絶縁層３の膜厚を厚く形成している。また、交差部6,8,
9部分については、大きな線間容量を確保するため、絶
縁層３の膜厚を薄く形成している。すなわち、交差部９
の直上における横方向信号線4aに膜厚部4a′を形成す
る。また、横方向グランド線4bについては全体に膜厚が
厚くなるよう形成する。
３について、その膜厚を厚く形成することにより、縦方
向信号線2aと横方向信号線4aとの間の距離を離し、両者
間に生じる結合容量を小さくするものである。すなわ
ち、下層配線層２上に絶縁層3aを形成し、交差部７に対
応する部分に更に絶縁層3bを形成する二重絶縁層により
絶縁層３の膜厚を厚く形成している。また、交差部6,8,
9部分については、大きな線間容量を確保するため、絶
縁層３の膜厚を薄く形成している。すなわち、交差部９
の直上における横方向信号線4aに膜厚部4a′を形成す
る。また、横方向グランド線4bについては全体に膜厚が
厚くなるよう形成する。
次にこの多層配線構造の製造工程について説明する。
ガラスまたはセラミックから成る基板１に、下層配線層
２となるクロム（Cr）またはアルミニウム（Al）を蒸着
し、フォトリソ法によりパターニングして縦方向信号線
2a及び横方向グランド線2bを形成する。
２となるクロム（Cr）またはアルミニウム（Al）を蒸着
し、フォトリソ法によりパターニングして縦方向信号線
2a及び横方向グランド線2bを形成する。
次いで、窒化シリコン膜を着膜して絶第１層目の絶層3a
を形成する。第12図で示したTFT駆動型イメージセンサ
においては、TFTの絶縁膜と同時にこの絶縁膜3aを形成
することができる。
を形成する。第12図で示したTFT駆動型イメージセンサ
においては、TFTの絶縁膜と同時にこの絶縁膜3aを形成
することができる。
次に第８図に示すような複数の方形状の露光部41を有す
るフォトリソ用マスク40を絶縁層3a上に配置して露光、
現像を行ない、エッチングによりパターニングして所望
の箇所にコンタクトホール５を形成する。
るフォトリソ用マスク40を絶縁層3a上に配置して露光、
現像を行ない、エッチングによりパターニングして所望
の箇所にコンタクトホール５を形成する。
次に、ポリイミド等の有機絶縁膜を着膜し、第２層目の
絶縁膜3bを形成する。
絶縁膜3bを形成する。
次いで、第９図に示すような複数の方形状の露光部51及
び格子状の露光部51′を有するフォトリソ用マスク50で
露光、現像を行ない、コンタクトホール５、下層配線２
の縦方向グランド線2b及び横方向グランド線4bに対応す
る位置の絶縁膜3bを取り除くようにパターニングする。
び格子状の露光部51′を有するフォトリソ用マスク50で
露光、現像を行ない、コンタクトホール５、下層配線２
の縦方向グランド線2b及び横方向グランド線4bに対応す
る位置の絶縁膜3bを取り除くようにパターニングする。
更に、上層配線層４となるクロム（Cr）またはアルミニ
ウム（Al）を蒸着し、フォトリソ法によりパターニング
して横方向信号線4a及び横方向グランド線4bを形成す
る。
ウム（Al）を蒸着し、フォトリソ法によりパターニング
して横方向信号線4a及び横方向グランド線4bを形成す
る。
上記実施例では、交差部７の絶縁層３を絶縁層3aと3bの
二層構造にすることにより、絶縁層３の膜厚を厚くして
いたが、他の実施例としては、予め十分な絶縁層（上記
実施例でいう絶縁層3aと3bの膜厚を総合した膜厚の絶縁
層）を形成し、エッチング処理により交差部７以外の絶
縁層の膜厚を薄くして、その上に上層配線をパターニン
グで形成することもできる。
二層構造にすることにより、絶縁層３の膜厚を厚くして
いたが、他の実施例としては、予め十分な絶縁層（上記
実施例でいう絶縁層3aと3bの膜厚を総合した膜厚の絶縁
層）を形成し、エッチング処理により交差部７以外の絶
縁層の膜厚を薄くして、その上に上層配線をパターニン
グで形成することもできる。
本実施例によると、上下間の信号線が交差する信号交差
部７について、第１の絶縁層3aに加え、第２の絶縁層3b
を形成して絶縁層３の膜厚を厚く形成するので、上層の
信号線と下層の信号線との間に生じる結合容量を小さく
することができる。また、交差部6,8,9部分において
は、縦方向グランド線2bの上側及び横方向グランド線4b
の下側に位置する第２の絶縁層3bを除去するようにした
ので、交差部分6,8,9の直上における横方向信号線4a及
び横方向グランド線4bの厚さを太く形成することによ
り、横方向信号線4a及び横方向グランド線4bとが対向す
る面積を大きくすることができ、線間容量に更に大きく
なり、全体の配線容量を大きくすることができる。その
ため、マトリックス配線の配線容量に、受光素子で発生
した電荷が有効かつ高速に転送される。
部７について、第１の絶縁層3aに加え、第２の絶縁層3b
を形成して絶縁層３の膜厚を厚く形成するので、上層の
信号線と下層の信号線との間に生じる結合容量を小さく
することができる。また、交差部6,8,9部分において
は、縦方向グランド線2bの上側及び横方向グランド線4b
の下側に位置する第２の絶縁層3bを除去するようにした
ので、交差部分6,8,9の直上における横方向信号線4a及
び横方向グランド線4bの厚さを太く形成することによ
り、横方向信号線4a及び横方向グランド線4bとが対向す
る面積を大きくすることができ、線間容量に更に大きく
なり、全体の配線容量を大きくすることができる。その
ため、マトリックス配線の配線容量に、受光素子で発生
した電荷が有効かつ高速に転送される。
また、本考案に係る多層配線の構造は、イメージセンサ
におけるマトリックス配線の構造に限定されることな
く、例えば静電プロッタのヘッド部分のマトリックス配
線にも応用できる。
におけるマトリックス配線の構造に限定されることな
く、例えば静電プロッタのヘッド部分のマトリックス配
線にも応用できる。
（考案の効果） 請求項１記載の考案によれば、多層配線構造において、
信号線同士が上下で交差する部分においては交差面積を
小さくして配線間に生じる結合容量を小さくし、信号線
とグランド線とが上下で交差する部分においては配線幅
を広くして配線容量を大きくしたので、上下信号線間に
生じるクロストークを軽減して正確な電荷を読み取り可
能とするとともに、信号線を介して有効かつ高速に電荷
を転送可能とすることができる。
信号線同士が上下で交差する部分においては交差面積を
小さくして配線間に生じる結合容量を小さくし、信号線
とグランド線とが上下で交差する部分においては配線幅
を広くして配線容量を大きくしたので、上下信号線間に
生じるクロストークを軽減して正確な電荷を読み取り可
能とするとともに、信号線を介して有効かつ高速に電荷
を転送可能とすることができる。
請求項２記載の考案によれば、多層配線構造において、
信号線同士間の絶縁層の膜厚を厚く形成することによ
り、信号線間の距離を離して配線間に生じる結合容量を
小さくし、また、信号線とグランド線、またはグランド
線同士が上下で交差する部分については、絶縁層の膜厚
を薄く形成してこの部分における上層の配線を厚くする
ことにより、信号線とグランド線の交差部における配線
間の距離を狭めて配線間に生じる容量を大きくするとと
もに、グランド線と同一層にある両側の信号線とが対向
する面積を大きくすることにより、配線容量を大きくし
たので、上下信号線間に生じるクロストークを軽減して
正確な電荷を読み取り可能とするとともに、信号線を介
して有効かつ高速に電荷を転送可能とすることができ
る。
信号線同士間の絶縁層の膜厚を厚く形成することによ
り、信号線間の距離を離して配線間に生じる結合容量を
小さくし、また、信号線とグランド線、またはグランド
線同士が上下で交差する部分については、絶縁層の膜厚
を薄く形成してこの部分における上層の配線を厚くする
ことにより、信号線とグランド線の交差部における配線
間の距離を狭めて配線間に生じる容量を大きくするとと
もに、グランド線と同一層にある両側の信号線とが対向
する面積を大きくすることにより、配線容量を大きくし
たので、上下信号線間に生じるクロストークを軽減して
正確な電荷を読み取り可能とするとともに、信号線を介
して有効かつ高速に電荷を転送可能とすることができ
る。
第１図は本考案の多層配線構造の一実施例を示す平面説
明図、第２図は第１図のＡ−Ａ′の断面説明図、第３図
は本考案の他の実施例を示す平面説明図、第４図は第３
図のＢ−Ｂ′の断面説明図、第５図は第３図のＣ−Ｃ′
の断面説明図、第６図は第３図のＤ−Ｄ′の断面説明
図、第７図は第３図のＥ−Ｅ′の断面説明図、第８図及
び第９図は本実施例の製造工程で使用するフォトリソ用
マスク図、第10図は従来の多層配線構造の平面説明図、
第11図は第10図のＺ−Ｚ′の断面説明図、第12図はTFT
駆動型イメージセンサの等価回路である。 2a……縦方向信号線 2b……縦方向グランド線 ３……絶縁層 4a……横方向信号線 4b……横方向グランド線 ５……コンタクトホール ７……信号線−信号線交差部 10,11……首部 21……受光素子 22……受光素子アレイ 23……TFT（薄膜トランジスタ） 24……マトリックス配線 25……アナログマルチプレクサ
明図、第２図は第１図のＡ−Ａ′の断面説明図、第３図
は本考案の他の実施例を示す平面説明図、第４図は第３
図のＢ−Ｂ′の断面説明図、第５図は第３図のＣ−Ｃ′
の断面説明図、第６図は第３図のＤ−Ｄ′の断面説明
図、第７図は第３図のＥ−Ｅ′の断面説明図、第８図及
び第９図は本実施例の製造工程で使用するフォトリソ用
マスク図、第10図は従来の多層配線構造の平面説明図、
第11図は第10図のＺ−Ｚ′の断面説明図、第12図はTFT
駆動型イメージセンサの等価回路である。 2a……縦方向信号線 2b……縦方向グランド線 ３……絶縁層 4a……横方向信号線 4b……横方向グランド線 ５……コンタクトホール ７……信号線−信号線交差部 10,11……首部 21……受光素子 22……受光素子アレイ 23……TFT（薄膜トランジスタ） 24……マトリックス配線 25……アナログマルチプレクサ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−209145（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−222443（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−46955（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−5550（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−255941（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−2676（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−137356（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁層を介して形成された複数の配線層か
ら成る多層配線構造であって、 前記各配線層の配線は、信号線とグランド線とを交互に
配置して構成し、 前記信号線と同一層の隣接するグランド線との間の線間
容量と、前記信号線と他層のグランド線との交差部にお
ける線間容量とで、前記信号線を介して転送される電荷
を蓄積する配線容量を構成し、 前記配線層の信号線同士が上下で交差する部分の配線幅
を狭く形成し、 前記配線層の信号線とグランド線が上下で交差する部分
の配線幅を広く形成する ことを特徴とする多層配線構造。 - 【請求項２】絶縁層を介して形成された複数の配線層か
ら成る多層配線構造であって、 前記各配線層の配線は、信号線とグランド線とを交互に
配置して構成し、 前記信号線と同一層の隣接するグランド線との間の線間
容量と、前記信号線と他層のグランド線との交差部にお
ける線間容量とで、前記信号線を介して転送される電荷
を蓄積する配線容量を構成し、 前記配線層の配線同士が上下で交差する部分のうち、 信号線同士の交差部分の前記絶縁層の膜厚を厚く形成
し、 それ以外の交差部分の前記絶縁層の膜厚を薄く形成して
この部分における上層の配線を厚くする ことを特徴とする多層配線構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989065758U JPH0749797Y2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 多層配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989065758U JPH0749797Y2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 多層配線構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036833U JPH036833U (ja) | 1991-01-23 |
| JPH0749797Y2 true JPH0749797Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=31597872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989065758U Expired - Lifetime JPH0749797Y2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 多層配線構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0749797Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011217420A (ja) * | 2006-02-24 | 2011-10-27 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、及びそれらを用いた高周波モジュール、通信機器 |
| JPWO2009116177A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2011-07-21 | 株式会社島津製作所 | 光マトリックスデバイスの製造方法 |
| CN116156738B (zh) * | 2023-02-02 | 2025-12-05 | 苏州元脑智能科技有限公司 | 印刷电路板、印刷电路板设计方法及服务器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS615550A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS63209145A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2592600B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1997-03-19 | 株式会社フロンテック | 薄膜トランジスタマトリツクスアレイ |
| JPS63255941A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS6446955A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-21 | Ricoh Kk | Method of wiring multilayer structure transistor |
| JPH022676A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Konica Corp | イメージセンサ |
| JPH02137356A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP1989065758U patent/JPH0749797Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH036833U (ja) | 1991-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |