JPH0750533B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH0750533B2 JPH0750533B2 JP60226141A JP22614185A JPH0750533B2 JP H0750533 B2 JPH0750533 B2 JP H0750533B2 JP 60226141 A JP60226141 A JP 60226141A JP 22614185 A JP22614185 A JP 22614185A JP H0750533 B2 JPH0750533 B2 JP H0750533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer layer
- film
- layer
- substrate
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関し、さらに詳しくは有機物を主成分
とする光記録媒体に関する。
きる光記録媒体に関し、さらに詳しくは有機物を主成分
とする光記録媒体に関する。
（従来技術） レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する追
記型光ディスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。このような
追記型光ディスクメモリの記録媒体としては、Te,Bi等
の半金属薄膜及び有機薄膜が使用されている（例えば、
特公昭54−15483号）。有機薄膜は、半金属薄膜より優
れた熱特性、即ち低い熱伝導率と小さな熱容量を持って
いるので吸収エネルギー密度当りの膜の温度上昇は大き
く、高い記録感度が期待できる。
記型光ディスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。このような
追記型光ディスクメモリの記録媒体としては、Te,Bi等
の半金属薄膜及び有機薄膜が使用されている（例えば、
特公昭54−15483号）。有機薄膜は、半金属薄膜より優
れた熱特性、即ち低い熱伝導率と小さな熱容量を持って
いるので吸収エネルギー密度当りの膜の温度上昇は大き
く、高い記録感度が期待できる。
（発明が解決しようとする問題点） しかし有機薄膜は、半導体レーザの波長域（〜800nm）
で半金属薄膜ほどには大きな反射率を示さないで、半導
体レーザを再生用光源とする場合、再生信号及びサーボ
信号の品質に問題を生じる。又有機薄膜は、半金属薄膜
ほどには大きな吸収率を示さないので感度の点でも問題
を生じる。
で半金属薄膜ほどには大きな反射率を示さないで、半導
体レーザを再生用光源とする場合、再生信号及びサーボ
信号の品質に問題を生じる。又有機薄膜は、半金属薄膜
ほどには大きな吸収率を示さないので感度の点でも問題
を生じる。
すなわち、本発明の目的は再生信号及びサーボ信号が大
きく、かつ感度の高い光記録媒体を提供することにあ
る。
きく、かつ感度の高い光記録媒体を提供することにあ
る。
（問題点を解決するための手段） 本発明の光記録媒体は透明な基板の片側に記録層を設
け、レーザ光の照射によって情報を記録しかつ読み取る
光記録媒体において、前記レーザ光に対して実質的に透
明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率が前記基板の屈
折率より大きい第１のスペーサ層と、前記レーザ光に対
して実質的に透明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率
が前記第１のスペーサ層より小さい第２のスペーサ層
と、アイランド形状の極薄の不連続膜と有機物を主成分
とする膜とからなる複合膜よりなる記録層とを有するこ
とを特徴とする。
け、レーザ光の照射によって情報を記録しかつ読み取る
光記録媒体において、前記レーザ光に対して実質的に透
明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率が前記基板の屈
折率より大きい第１のスペーサ層と、前記レーザ光に対
して実質的に透明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率
が前記第１のスペーサ層より小さい第２のスペーサ層
と、アイランド形状の極薄の不連続膜と有機物を主成分
とする膜とからなる複合膜よりなる記録層とを有するこ
とを特徴とする。
（作用） 透明な基板上に記録層が形成されている光記録媒体の基
板入射の反射率は、記録層と基板の光学定数（複桑屈折
率）および記録層の厚さに依存する。透明な基板として
は、通常、各種合成樹脂又はガラスが使用される。これ
らの屈折率は可視光から近赤外光域でほぼ1.5であり、
この範囲の波長にはほとんど依存しない。したがって媒
体の反射率は、記録層の光学定数と厚さで決定される。
記録層として有機色素膜あるいは色素を分散させた樹脂
膜あるいは金属を分散させた有機膜を用いる場合、これ
らの膜の複素屈折率（ｎ−ik）は半導体レーザ波長域
（〜800nm）で高々2.7−i1.7であり、安定性のあるもの
では高々2.6−i0.8である。例えば、記録層の複素屈折
率が2.1−i0.7であり、基板の屈折率が1.5の場合、波長
830nmでの基板入射の媒体反射率と吸収率は第８図に示
すように記録層の厚さに依存する。これにより、記録層
の厚さが60nmのときには反射率10.1％、吸収率48.6％が
得られ、これらの値が小さいことがわかる。このような
反射率、吸収率が小さいという問題は第１図に示す本発
明の一つの媒体構成例により解決される。即ち基板10の
上に第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12を設け、
その上にアイランド形状の極薄の不連続膜13と有機物を
主成分とする膜14とからなる複合膜よりなる記録層を設
けることにより、有機物を主成分とする単層膜の光記録
媒体よりも反射率及び吸収率を大きくすることができ、
第１のスペーサ層の屈折率11の屈折率と厚さ及び第２の
スペーサ層12の屈折率と厚さとを調整することにより、
同じ記録層で任意の値の反射率に調整することができ
る。
板入射の反射率は、記録層と基板の光学定数（複桑屈折
率）および記録層の厚さに依存する。透明な基板として
は、通常、各種合成樹脂又はガラスが使用される。これ
らの屈折率は可視光から近赤外光域でほぼ1.5であり、
この範囲の波長にはほとんど依存しない。したがって媒
体の反射率は、記録層の光学定数と厚さで決定される。
記録層として有機色素膜あるいは色素を分散させた樹脂
膜あるいは金属を分散させた有機膜を用いる場合、これ
らの膜の複素屈折率（ｎ−ik）は半導体レーザ波長域
（〜800nm）で高々2.7−i1.7であり、安定性のあるもの
では高々2.6−i0.8である。例えば、記録層の複素屈折
率が2.1−i0.7であり、基板の屈折率が1.5の場合、波長
830nmでの基板入射の媒体反射率と吸収率は第８図に示
すように記録層の厚さに依存する。これにより、記録層
の厚さが60nmのときには反射率10.1％、吸収率48.6％が
得られ、これらの値が小さいことがわかる。このような
反射率、吸収率が小さいという問題は第１図に示す本発
明の一つの媒体構成例により解決される。即ち基板10の
上に第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12を設け、
その上にアイランド形状の極薄の不連続膜13と有機物を
主成分とする膜14とからなる複合膜よりなる記録層を設
けることにより、有機物を主成分とする単層膜の光記録
媒体よりも反射率及び吸収率を大きくすることができ、
第１のスペーサ層の屈折率11の屈折率と厚さ及び第２の
スペーサ層12の屈折率と厚さとを調整することにより、
同じ記録層で任意の値の反射率に調整することができ
る。
第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12の材料及び膜
厚は下記する条件を満すように選択する。まず、基板10
上に第１のスペーサ層11のみが形成されている第５図に
示すような構成を考える。基板10を通して入射した光10
0は、基板10と第１のスペーサ層11との界面及び第１の
スペーサ層11と空気との界面でその一部は反射されて反
射光200となる。反射光200の大きさ（反射光）は、第１
のスペーサ層11の屈折率と厚さに依存する。本発明で使
用される第１のスペーサ層11の材料及び厚さは、この反
射光200を大きくするように選ばれる。即ち、第１のス
ペーサ層11の屈折率は基板10の屈折率よりも大きいこと
が必要である。次に、基板10上に第１のスペーサ層11を
上記のように設け、その上に第２のスペーサ層12が形成
されている第６図に示すような構成を考える。基板10を
通して入射した光100は、基板10と第１スペーサ層11と
の界面、第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12との
界面、及び第２のスペーサ層12と空気との界面でその一
部は反射されて反射光300となる。反射光300の大きさ
（反射率）は、第２のスペーサ層12の屈折率と厚さに依
存する。本発明で使用される第２のスペーサ層12の材料
及び厚さは、この反射光300を小さくするように選ばれ
る。即ち、第２のスペーサ層12の屈折率は第１のスペー
サ層11の屈折率よりも小さいことが必要である。
厚は下記する条件を満すように選択する。まず、基板10
上に第１のスペーサ層11のみが形成されている第５図に
示すような構成を考える。基板10を通して入射した光10
0は、基板10と第１のスペーサ層11との界面及び第１の
スペーサ層11と空気との界面でその一部は反射されて反
射光200となる。反射光200の大きさ（反射光）は、第１
のスペーサ層11の屈折率と厚さに依存する。本発明で使
用される第１のスペーサ層11の材料及び厚さは、この反
射光200を大きくするように選ばれる。即ち、第１のス
ペーサ層11の屈折率は基板10の屈折率よりも大きいこと
が必要である。次に、基板10上に第１のスペーサ層11を
上記のように設け、その上に第２のスペーサ層12が形成
されている第６図に示すような構成を考える。基板10を
通して入射した光100は、基板10と第１スペーサ層11と
の界面、第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12との
界面、及び第２のスペーサ層12と空気との界面でその一
部は反射されて反射光300となる。反射光300の大きさ
（反射率）は、第２のスペーサ層12の屈折率と厚さに依
存する。本発明で使用される第２のスペーサ層12の材料
及び厚さは、この反射光300を小さくするように選ばれ
る。即ち、第２のスペーサ層12の屈折率は第１のスペー
サ層11の屈折率よりも小さいことが必要である。
本発明で使用される第１及び第２のスペーサ層として
は、読み出しレーザ波長で実質的に透明であるものが望
ましい。第１のスペーサ層としては、基板の屈折率より
も大きな屈折率よりも大きな屈折率のものであればよ
い。例えば、Al2O3,CeO2,Cr2O3,Fe2O3,Fe3O4,GeO2,In2O
3,MgO2,MnO2,MoO3,Nb2O5,NiO,SiO,Sm2O3,SnO2,Ta2O5,Te
O2,TiO2,V2O5,WO3,Y2O3,ZnO,ZrO2等の各種酸化物、Si3N
4,ZrN等の各種窒化物、ZrC等の各種炭化物、GeS,ZnS等
の各種硫化物、コバルトフタロシアニン、銅フタロシア
ニン，マグネシウムフタロシアニン，ニッケルフタロシ
アニン，亜鉛フタロシアニン等の各種有機色素、二無水
3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸，グアニン，クリ
スタルバイオレットラクトン等の各種有機物、各種磁性
カーネット、及びSi,Se,Ge,B或いはこれらの化合物を使
用できる。
は、読み出しレーザ波長で実質的に透明であるものが望
ましい。第１のスペーサ層としては、基板の屈折率より
も大きな屈折率よりも大きな屈折率のものであればよ
い。例えば、Al2O3,CeO2,Cr2O3,Fe2O3,Fe3O4,GeO2,In2O
3,MgO2,MnO2,MoO3,Nb2O5,NiO,SiO,Sm2O3,SnO2,Ta2O5,Te
O2,TiO2,V2O5,WO3,Y2O3,ZnO,ZrO2等の各種酸化物、Si3N
4,ZrN等の各種窒化物、ZrC等の各種炭化物、GeS,ZnS等
の各種硫化物、コバルトフタロシアニン、銅フタロシア
ニン，マグネシウムフタロシアニン，ニッケルフタロシ
アニン，亜鉛フタロシアニン等の各種有機色素、二無水
3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸，グアニン，クリ
スタルバイオレットラクトン等の各種有機物、各種磁性
カーネット、及びSi,Se,Ge,B或いはこれらの化合物を使
用できる。
第２のスペーサ層としては、第１のスペーサ層の屈折率
よりも小さな屈折率のものであればよい。例えば、Al
F3,BaF2,CaF2,CaF3,DyF3,ErF3,EuF3,GdF3,HfF4,HoF3,La
F3,MgF2,NdF3,PrF3,SmF3,SrF2,YF3,YbF3等の各種フッ化
物、Al2O3,CeO2,Cr2O3,Dy2O3,Er2O3,En2O3,Fe2O3,Fe
3O4,Gd2O3,GeO2,HfO2,Ho2O3,In2O3,Lu2O3,MgO,MnO2,MoO
3,Nb2O5NiO,SiO,SiO2,Sm2O3,SnO2,Ta2O5,TiO2,V2O5,W
O3,Y2O3,ZnO,ZrO2等の各種酸化物、ZrN等の各種窒化
物、ZrC等の各種炭化物、GeS,ZnS等の各種硫化物、コバ
ルトフタロシアニン，銅フタロシアニン，モリブデンフ
タロシアニン，マグネシウムフタロシアニン，ニッケル
フタロシアニン，亜鉛フタロシアニン，スーダンブロッ
クＢ等の各種有機色素、各種フォトレジスト、各種電子
線レジスト、ポリスチレン，グアニン，二無水3,4,9,10
−ペリレンテトラカルボン酸，クリスタルバイオレット
ラクトン等の各種有機物を使用することができる。
よりも小さな屈折率のものであればよい。例えば、Al
F3,BaF2,CaF2,CaF3,DyF3,ErF3,EuF3,GdF3,HfF4,HoF3,La
F3,MgF2,NdF3,PrF3,SmF3,SrF2,YF3,YbF3等の各種フッ化
物、Al2O3,CeO2,Cr2O3,Dy2O3,Er2O3,En2O3,Fe2O3,Fe
3O4,Gd2O3,GeO2,HfO2,Ho2O3,In2O3,Lu2O3,MgO,MnO2,MoO
3,Nb2O5NiO,SiO,SiO2,Sm2O3,SnO2,Ta2O5,TiO2,V2O5,W
O3,Y2O3,ZnO,ZrO2等の各種酸化物、ZrN等の各種窒化
物、ZrC等の各種炭化物、GeS,ZnS等の各種硫化物、コバ
ルトフタロシアニン，銅フタロシアニン，モリブデンフ
タロシアニン，マグネシウムフタロシアニン，ニッケル
フタロシアニン，亜鉛フタロシアニン，スーダンブロッ
クＢ等の各種有機色素、各種フォトレジスト、各種電子
線レジスト、ポリスチレン，グアニン，二無水3,4,9,10
−ペリレンテトラカルボン酸，クリスタルバイオレット
ラクトン等の各種有機物を使用することができる。
本発明の記録層はアイランド形状の極薄の不連続膜と有
機物を主成分とする膜との複合膜により形成される。記
録層にレーザ光を集光照射することにより、アイランド
状極薄不連続膜は局所的に集塊化されるとともに有機物
を主成分とする膜にはピットが形成される。
機物を主成分とする膜との複合膜により形成される。記
録層にレーザ光を集光照射することにより、アイランド
状極薄不連続膜は局所的に集塊化されるとともに有機物
を主成分とする膜にはピットが形成される。
第７図は屈折率1.5の基板の上に屈折率2.05の第１のス
ペーサ層を100nm厚形成し、その上に屈折率1.65の第２
のスペーサ層を60nm厚形成し、その上に複素屈折率4.0
−i3.5の3nm厚のアイランド状の不連属膜との複素屈折
率2.1−i0.7の有機色素膜を形成し、この複合膜を記録
層としたときの波長830nmにおける基板入射反射率及び
吸収率の有機色素膜厚さ依存を示したものである。第８
図と比較することにより、有機色素膜厚が60nmのときに
は本発明の構成では反射率が19％，吸収率が51％とな
り、有機色素単層膜のときの値10％,49％よりも改善さ
れていることがわかる。
ペーサ層を100nm厚形成し、その上に屈折率1.65の第２
のスペーサ層を60nm厚形成し、その上に複素屈折率4.0
−i3.5の3nm厚のアイランド状の不連属膜との複素屈折
率2.1−i0.7の有機色素膜を形成し、この複合膜を記録
層としたときの波長830nmにおける基板入射反射率及び
吸収率の有機色素膜厚さ依存を示したものである。第８
図と比較することにより、有機色素膜厚が60nmのときに
は本発明の構成では反射率が19％，吸収率が51％とな
り、有機色素単層膜のときの値10％,49％よりも改善さ
れていることがわかる。
アイランド形状の不連続膜は幅が約２〜100nm、厚さが
１〜数10nmであり、材料としては金、パラジウム，白金
が望ましい。他の材料としては銀、銅及びロジウムがあ
り、これらを主成分とする合金であってもよい。
１〜数10nmであり、材料としては金、パラジウム，白金
が望ましい。他の材料としては銀、銅及びロジウムがあ
り、これらを主成分とする合金であってもよい。
有機膜14としては、各種ナフトキノン色素、各種アント
ラキノン色素、各種スクアリリウム色素、各種フタロシ
アニン色素等の各種有機色素、Te,Bi等を含有したプラ
ズマ重合有機膜、Te,Bi等がアルキル基で囲まれている
有機膜,Te,Bi等がフルオロカーボンで囲まれている有機
膜、各種色素が分散されている樹脂膜、各種金属，各種
金属化合物が分散されている樹脂膜等を用いることがで
きる。この中ではとくに、５−アミノ−８−置換アニリ
ノ−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素、5,8−置
換アニリノ−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素か
あるいはそれらの混合物かあるいはそれらの金属錯体が
望ましく、置換基としては、炭素数４以下のアルコキシ
ル基、アルキル基が最も望ましい。又、バナジルフタロ
シアニン色素かあるいはアルキル置換したバナジルフタ
ロシアニン色素が望ましい。
ラキノン色素、各種スクアリリウム色素、各種フタロシ
アニン色素等の各種有機色素、Te,Bi等を含有したプラ
ズマ重合有機膜、Te,Bi等がアルキル基で囲まれている
有機膜,Te,Bi等がフルオロカーボンで囲まれている有機
膜、各種色素が分散されている樹脂膜、各種金属，各種
金属化合物が分散されている樹脂膜等を用いることがで
きる。この中ではとくに、５−アミノ−８−置換アニリ
ノ−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素、5,8−置
換アニリノ−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素か
あるいはそれらの混合物かあるいはそれらの金属錯体が
望ましく、置換基としては、炭素数４以下のアルコキシ
ル基、アルキル基が最も望ましい。又、バナジルフタロ
シアニン色素かあるいはアルキル置換したバナジルフタ
ロシアニン色素が望ましい。
基板としては種々のものを使用できるが、一般には合成
樹脂，ガラス，磁器が望ましい。合成樹脂としては、ポ
リメチルメタクリレート等のアクリル樹脂，ポリカーポ
ネート，ポリエーテルイミド，ポリサルホン，エポキシ
樹脂，塩化ビニル樹脂等がある。基板にはその上に断熱
層やスムージング層を設けてもよい。基板の形状は、円
板状，シート状，テープ状とすることができる。
樹脂，ガラス，磁器が望ましい。合成樹脂としては、ポ
リメチルメタクリレート等のアクリル樹脂，ポリカーポ
ネート，ポリエーテルイミド，ポリサルホン，エポキシ
樹脂，塩化ビニル樹脂等がある。基板にはその上に断熱
層やスムージング層を設けてもよい。基板の形状は、円
板状，シート状，テープ状とすることができる。
記録層への情報の記録は、記録層にピットを形成するこ
とによりなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体
では、ピットは同心円状又はスパイラル状の多数のトラ
ックに形成するように記録される。多数のトラックを一
定間隔で精度よく記録するには、通常基板上に光の案内
溝が設けられる。ビーム径程度の溝に光が入射すると光
が回折される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折
光強度の空間分布が異なり、これを検出してビームを溝
の中心に入射させるようにサーボ系を構成できる。通常
溝の幅は0.3〜1.2μｍ、その深さは使用する記録再生レ
ーザ波長の1/12〜1/4の範囲に設定される。本発明の記
録媒体は基板の溝付面上に形成される。
とによりなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体
では、ピットは同心円状又はスパイラル状の多数のトラ
ックに形成するように記録される。多数のトラックを一
定間隔で精度よく記録するには、通常基板上に光の案内
溝が設けられる。ビーム径程度の溝に光が入射すると光
が回折される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折
光強度の空間分布が異なり、これを検出してビームを溝
の中心に入射させるようにサーボ系を構成できる。通常
溝の幅は0.3〜1.2μｍ、その深さは使用する記録再生レ
ーザ波長の1/12〜1/4の範囲に設定される。本発明の記
録媒体は基板の溝付面上に形成される。
第２図は本発明の他の一つの媒体構成例である。即ち、
基板10の上に第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12
を設け、その上にアイランド形状の極薄の不連続膜13,1
6で有機物を主成分とする膜14をサンドイッチした複合
膜からなる記録層を設ける構成である。不連続薄膜16を
設けることにより、第１図の構成よりもさらに吸収率を
大きくすることができる。
基板10の上に第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12
を設け、その上にアイランド形状の極薄の不連続膜13,1
6で有機物を主成分とする膜14をサンドイッチした複合
膜からなる記録層を設ける構成である。不連続薄膜16を
設けることにより、第１図の構成よりもさらに吸収率を
大きくすることができる。
第３図は本発明の他の一つの媒体構成例である。即ち、
基板10の上に第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12
を設け、その上に有機物からなる薄い層17を設けたの
ち、アイランド形状の極薄の不連続膜13と有機物を主成
分とする膜14との複合膜からなる記録層を設ける構成で
ある。本構成の有機物からなる薄い層17は第２のスペー
サ層12が無機物からなるときに高感度化の観点でとくに
有効である。又、不連続薄膜13が金を主成分とするとき
にも安定性の点で有効である。有機物からなる薄い層17
の厚さは光学特性に影響を与えないように１〜50nmが望
ましく、材料としてはコバルトフタロシアニン，銅フタ
ロシアニン，モリブデンフタロシアニン，マグネシウム
フタロシアニン，ニッケルフタロシアニン，亜鉛フタロ
シアニン，バナジルフタロシアニン，鉛フタロシアニ
ン，鉄フタロシアニン等の各種フタロシアニン色素、各
種ナフトキノン色素、各種アントラキノン色素、各種ス
クアリリウム色素等の各種有機色素やグアニン，二無水
3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸，クリスタルヴァ
イオレットラクトン等を使用することができる。なお、
第３図においては記録層を不連続薄膜13と有機膜14との
２層複合膜にしているが、第２図の構成例のように３層
複合膜であってもよい。
基板10の上に第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12
を設け、その上に有機物からなる薄い層17を設けたの
ち、アイランド形状の極薄の不連続膜13と有機物を主成
分とする膜14との複合膜からなる記録層を設ける構成で
ある。本構成の有機物からなる薄い層17は第２のスペー
サ層12が無機物からなるときに高感度化の観点でとくに
有効である。又、不連続薄膜13が金を主成分とするとき
にも安定性の点で有効である。有機物からなる薄い層17
の厚さは光学特性に影響を与えないように１〜50nmが望
ましく、材料としてはコバルトフタロシアニン，銅フタ
ロシアニン，モリブデンフタロシアニン，マグネシウム
フタロシアニン，ニッケルフタロシアニン，亜鉛フタロ
シアニン，バナジルフタロシアニン，鉛フタロシアニ
ン，鉄フタロシアニン等の各種フタロシアニン色素、各
種ナフトキノン色素、各種アントラキノン色素、各種ス
クアリリウム色素等の各種有機色素やグアニン，二無水
3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸，クリスタルヴァ
イオレットラクトン等を使用することができる。なお、
第３図においては記録層を不連続薄膜13と有機膜14との
２層複合膜にしているが、第２図の構成例のように３層
複合膜であってもよい。
第４図は本発明の他の一つの媒体構成例である。即ち、
基板10の上に第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12
を設け、その上に有機物を主成分とする膜14とアイラン
ド形状の極薄の不連続膜18との複合膜からなる記録層を
設ける構成である。本構成によっても、有機物を主成分
とする単層膜の光記録媒体よりも反射率及び吸収率を大
きくすることができる。
基板10の上に第１のスペーサ層11と第２のスペーサ層12
を設け、その上に有機物を主成分とする膜14とアイラン
ド形状の極薄の不連続膜18との複合膜からなる記録層を
設ける構成である。本構成によっても、有機物を主成分
とする単層膜の光記録媒体よりも反射率及び吸収率を大
きくすることができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１） 内径15mm,外径130mm,厚さ1,2mmの案内溝付きポリカーボ
ネイト樹脂ディスク基板に、電子ビーム加熱でSnO2を10
0nm厚蒸着して第１のスペーサ層を形成し、ひきつづき
同一真空装置内の抵抗加熱でその上にクリスタルヴァイ
オレトラクトンを60nm厚蒸着して第２のスペーサ層を形
成し、ひきつづき同一真空装置内の電子ビーム加熱で金
を3nm厚蒸着して不連続膜を形成し、その上に抵抗加熱
で５−アミノ−８−（Ｐ−エトキシアニリノ）−2,3−
ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素を50nm厚蒸着して記
録層を形成して第１図のような構成の光記録媒体を作製
した。波長830nmにおける基板入射の媒体入射率及び吸
収率はそれぞれ15％,51％であり、有機色素膜単層のと
きの８％,46％よりも大幅に改善された。半導体レーザ
を用いて記録再生実験を行なったところ、線速5m/sec,
レーザパワー5mWで良好な記録ができ、サーボ信号も良
好であった。
ネイト樹脂ディスク基板に、電子ビーム加熱でSnO2を10
0nm厚蒸着して第１のスペーサ層を形成し、ひきつづき
同一真空装置内の抵抗加熱でその上にクリスタルヴァイ
オレトラクトンを60nm厚蒸着して第２のスペーサ層を形
成し、ひきつづき同一真空装置内の電子ビーム加熱で金
を3nm厚蒸着して不連続膜を形成し、その上に抵抗加熱
で５−アミノ−８−（Ｐ−エトキシアニリノ）−2,3−
ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素を50nm厚蒸着して記
録層を形成して第１図のような構成の光記録媒体を作製
した。波長830nmにおける基板入射の媒体入射率及び吸
収率はそれぞれ15％,51％であり、有機色素膜単層のと
きの８％,46％よりも大幅に改善された。半導体レーザ
を用いて記録再生実験を行なったところ、線速5m/sec,
レーザパワー5mWで良好な記録ができ、サーボ信号も良
好であった。
（実施例２） 実施例１と同様にして第２のスペーサ層を電子ビーム加
熱で100nm厚のSiO2で形成し、不連続膜を電子ビーム加
熱で3nm厚のパラジウムで形成し、ナフトキノン色素を3
0nm厚で形成した。波長830nmにおける基板入射反射率，
吸収率はそれぞれ20％,41％であり、半導体レーザを用
いて高感度で良好な記録ができた。
熱で100nm厚のSiO2で形成し、不連続膜を電子ビーム加
熱で3nm厚のパラジウムで形成し、ナフトキノン色素を3
0nm厚で形成した。波長830nmにおける基板入射反射率，
吸収率はそれぞれ20％,41％であり、半導体レーザを用
いて高感度で良好な記録ができた。
（実施例３） 実施例１と同様にして、第２のスペーサ層のクリスタル
ヴァイオレットラクトンを80nm厚で形成し、有機色素を
ナフトキノン色素のかわりにバナジルフタロシアニン色
素とし、膜厚を25nmとして光記録媒体を作製した。波長
830nmにおける基板入射反射率，吸収率はそれぞれ13％,
43％であり、半導体レーザを用いて高感度で良好な記録
ができた。
ヴァイオレットラクトンを80nm厚で形成し、有機色素を
ナフトキノン色素のかわりにバナジルフタロシアニン色
素とし、膜厚を25nmとして光記録媒体を作製した。波長
830nmにおける基板入射反射率，吸収率はそれぞれ13％,
43％であり、半導体レーザを用いて高感度で良好な記録
ができた。
（実施例４） 内径15mm,外径130mm,厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボ
ネイト樹脂ディスク基板に、電子ビーム加熱でSnO2を10
0nm厚蒸着して第１のスペーサ層を形成し、ひきつづき
同一真空装置内の抵抗加熱でその上にクリスタルヴァイ
オレットラクトンを100nm厚蒸着して第２のスペーサ層
を形成し、ひきつづき同一真空装置内の電子ビーム加熱
で金を2nm厚蒸着して不連続膜を形成し、その上に抵抗
加熱で５−アミノ−８−（Ｐ−エトキシアニリノ）−2,
3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素を30nm厚蒸着し、
その上に電子ビーム加熱で金を2nm厚蒸着して不連続膜
を形成して第２図のような構成の光記録媒体を作製し
た。波長830nmにおける基板入射反射率，吸収率はそれ
ぞれ19％,48％であり、半導体レーザを用いて高感度で
良好な記録ができた。
ネイト樹脂ディスク基板に、電子ビーム加熱でSnO2を10
0nm厚蒸着して第１のスペーサ層を形成し、ひきつづき
同一真空装置内の抵抗加熱でその上にクリスタルヴァイ
オレットラクトンを100nm厚蒸着して第２のスペーサ層
を形成し、ひきつづき同一真空装置内の電子ビーム加熱
で金を2nm厚蒸着して不連続膜を形成し、その上に抵抗
加熱で５−アミノ−８−（Ｐ−エトキシアニリノ）−2,
3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素を30nm厚蒸着し、
その上に電子ビーム加熱で金を2nm厚蒸着して不連続膜
を形成して第２図のような構成の光記録媒体を作製し
た。波長830nmにおける基板入射反射率，吸収率はそれ
ぞれ19％,48％であり、半導体レーザを用いて高感度で
良好な記録ができた。
（実施例５） 実施例４と同様にして、第２のスペーサ層を電子ビーム
加熱で100nm厚のSiO2で形成し、不連続膜を金のかわり
に2nm厚のパラジウムで形成し、ナフトキノン色素のか
わりに20nm厚のバナジルフタロシアニンを用いて光記録
媒体を作製した。波長830nmにおける基板入射反射率，
吸収率はそれぞれ18％,40％であり、半導体レーザを用
いて高感度で良好な記録ができた。
加熱で100nm厚のSiO2で形成し、不連続膜を金のかわり
に2nm厚のパラジウムで形成し、ナフトキノン色素のか
わりに20nm厚のバナジルフタロシアニンを用いて光記録
媒体を作製した。波長830nmにおける基板入射反射率，
吸収率はそれぞれ18％,40％であり、半導体レーザを用
いて高感度で良好な記録ができた。
（実施例６） 内径15mm,外径120mm,厚さ1,2mmの案内溝付きアクリル樹
脂ディスク基板に、電子ビーム加熱でSnO2を100nm厚蒸
着して第１のスペーサ層を形成し、ひきつづき同一の真
空装置内の電子ビーム加熱でSiO2を100nm厚蒸着して第
２のスペーサ層を形成し、ひきつづき抵抗加熱でクリス
タルヴァイオレットラクトンを10mm厚形成したのち、金
2nm厚の不連続膜と５−アミノ−８−（Ｐ−エトキシア
ニリノ）−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素40nm
厚との複合膜からなる記録層を形成して、第３図のよう
な構成の光記録媒体を作製した。波長830nmにおける基
板入射反射率，吸収率はそれぞれ28％,39％であり、半
導体レーザを用いて高感度で良好な記録ができた。
脂ディスク基板に、電子ビーム加熱でSnO2を100nm厚蒸
着して第１のスペーサ層を形成し、ひきつづき同一の真
空装置内の電子ビーム加熱でSiO2を100nm厚蒸着して第
２のスペーサ層を形成し、ひきつづき抵抗加熱でクリス
タルヴァイオレットラクトンを10mm厚形成したのち、金
2nm厚の不連続膜と５−アミノ−８−（Ｐ−エトキシア
ニリノ）−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素40nm
厚との複合膜からなる記録層を形成して、第３図のよう
な構成の光記録媒体を作製した。波長830nmにおける基
板入射反射率，吸収率はそれぞれ28％,39％であり、半
導体レーザを用いて高感度で良好な記録ができた。
（実施例７） 内径15mm,外径130mm,厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボ
ネイト樹脂ディスク基板に、電子ビーム加熱でNiOを100
nm厚蒸着して第１のスペーサ層を形成し、ひきつづき電
子ビーム加熱でSiO2を80nm厚蒸着して第２のスペーサ層
を形成し、５−アミノ−８−（Ｐ−エトキシアニリノ）
−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素55nm厚と金2n
m厚の不連続膜との複合膜からなる記録層を形成して、
第４図のような構成の光記録媒体を作製した。波長830n
mにおける基板入射反射率，吸収率はそれぞれ21％,49％
であり、半導体レーザを用いて高感度で良好な記録がで
きた。
ネイト樹脂ディスク基板に、電子ビーム加熱でNiOを100
nm厚蒸着して第１のスペーサ層を形成し、ひきつづき電
子ビーム加熱でSiO2を80nm厚蒸着して第２のスペーサ層
を形成し、５−アミノ−８−（Ｐ−エトキシアニリノ）
−2,3−ジシアノ−1,4−ナフトキノン色素55nm厚と金2n
m厚の不連続膜との複合膜からなる記録層を形成して、
第４図のような構成の光記録媒体を作製した。波長830n
mにおける基板入射反射率，吸収率はそれぞれ21％,49％
であり、半導体レーザを用いて高感度で良好な記録がで
きた。
（発明の効果） 上記実施例から明らかなように、本発明により高感度で
かつ再生信号，サーボ信号の良好な光記録媒体が得られ
る。
かつ再生信号，サーボ信号の良好な光記録媒体が得られ
る。
第１図は本発明の一実施例である光記録媒体の概略図、
第２図，第３図，第４図は本発明の他の実施例の概略
図、第５図，第６図は本発明の光記録媒体の原理を説明
するための概略図、第７図は本発明の一実施例における
光記録媒体の反射率，吸収率の有機膜厚さによる変化を
示す図、第８図は従来の光記録媒体の反射率，吸収率の
有機膜厚さによる変化を示す図である。 図において、10は基板,11は第１のスペーサ層、12は第
２のスペーサ層、13,16,18は不連続膜、14は有機膜、1
5,100,200,300は光を示す。
第２図，第３図，第４図は本発明の他の実施例の概略
図、第５図，第６図は本発明の光記録媒体の原理を説明
するための概略図、第７図は本発明の一実施例における
光記録媒体の反射率，吸収率の有機膜厚さによる変化を
示す図、第８図は従来の光記録媒体の反射率，吸収率の
有機膜厚さによる変化を示す図である。 図において、10は基板,11は第１のスペーサ層、12は第
２のスペーサ層、13,16,18は不連続膜、14は有機膜、1
5,100,200,300は光を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】透明な基板の片側に記録層を設け、レーザ
光の照射によって情報を記録しかつ読み取る光記録媒体
において、前記レーザ光に対して実質的に透明でかつ前
記レーザ光の波長での屈折率が前記基板の屈折率より大
きい第１のスペーサ層と、前記レーザ光に対して実質的
に透明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率が前記第１
のスペーサ層より小さい第２のスペーサ層と、アイラン
ド形状の極薄の不連続膜と有機物主成分とする膜からな
る複合膜よりなる記録層とを有することを特徴とする光
記録媒体。 - 【請求項２】第２のスペーサ層と記録層との間に有機物
からなる薄い層を挿入した特許請求の範囲第１項に記載
の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226141A JPH0750533B2 (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226141A JPH0750533B2 (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286555A JPS6286555A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0750533B2 true JPH0750533B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=16840495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60226141A Expired - Lifetime JPH0750533B2 (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750533B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2000597C (en) * | 1988-10-21 | 1995-07-11 | Toshio Ishikawa | Optical recording element |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60226141A patent/JPH0750533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6286555A (ja) | 1987-04-21 |
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