JPH0654549B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH0654549B2 JPH0654549B2 JP60175138A JP17513885A JPH0654549B2 JP H0654549 B2 JPH0654549 B2 JP H0654549B2 JP 60175138 A JP60175138 A JP 60175138A JP 17513885 A JP17513885 A JP 17513885A JP H0654549 B2 JPH0654549 B2 JP H0654549B2
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- optical recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関し、さらに詳しくは集光したレーザ
光の熱作用により薄膜にビットを形成して記録する光記
録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関し、さらに詳しくは集光したレーザ
光の熱作用により薄膜にビットを形成して記録する光記
録媒体に関するものである。
（従来の技術） レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する追
記型光ディスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。このような
追記型光ディスクメモリの記録媒体としては、低融点金
属であるTe,Bi あるいはそれらを含有する合金が使用さ
れている（例えば、特公昭54-15483号）。
記型光ディスクメモリは、記録密度が高いことから大容
量記録装置として優れた特徴を有している。このような
追記型光ディスクメモリの記録媒体としては、低融点金
属であるTe,Bi あるいはそれらを含有する合金が使用さ
れている（例えば、特公昭54-15483号）。
（発明が解決しようとする問題点） しかし、低融点金属であり高感度であるSnは、記録再生
信号の品質が悪く実用に供することはできない。
信号の品質が悪く実用に供することはできない。
また、第４図は従来の光記録媒体の構造を示す断面図で
ある。１は基板、２は記録層を表わす。
ある。１は基板、２は記録層を表わす。
一般に、光記録再生装置においてはフォーカスサーボ及
びトラッキングサーボの安定性を確保するために光記録
媒体の反射率は大きくかつ、所定の値にする必要があ
る。第４図のような従来の媒体構造において反射率を所
定の値に調整するには、記録層の厚さを調整するかもし
くは組成を調整しなければならないので、一定の記録再
生特性を維持するのは困難であった。
びトラッキングサーボの安定性を確保するために光記録
媒体の反射率は大きくかつ、所定の値にする必要があ
る。第４図のような従来の媒体構造において反射率を所
定の値に調整するには、記録層の厚さを調整するかもし
くは組成を調整しなければならないので、一定の記録再
生特性を維持するのは困難であった。
本発明の目的は、記録感度が高く、かつ信号品質の良好
な光記録媒体を提供することにある。
な光記録媒体を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明の光記録媒体は透明な基板の片側に記録層を設
け、レーザ光の照射によって情報を記録しかつ読みとる
光記録媒体において、前記レーザ光に対して実質的に透
明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率が前記基板の屈
折率より大きい第１のスペーサ層と、前記レーザ光に対
して実質的に透明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率
が前記第１のスーペーサ層より小さい第２のスペーサ層
と、スズを体積率で３０％以上含有しかつニッケル酸化
物を体積率で２０％以上含有する膜よりなる記録層とを
有する構成、並びに前記第２のスペーサ層と記録層との
間に有機層が形成されている構成である。
け、レーザ光の照射によって情報を記録しかつ読みとる
光記録媒体において、前記レーザ光に対して実質的に透
明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率が前記基板の屈
折率より大きい第１のスペーサ層と、前記レーザ光に対
して実質的に透明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率
が前記第１のスーペーサ層より小さい第２のスペーサ層
と、スズを体積率で３０％以上含有しかつニッケル酸化
物を体積率で２０％以上含有する膜よりなる記録層とを
有する構成、並びに前記第２のスペーサ層と記録層との
間に有機層が形成されている構成である。
（作用） 本発明は第１図に示す媒体構造により、この問題を解決
する。即ち、基板１０と記録層２０の間に第１のスペー
サ層３０と第２のスペーサ層４０とを設けることによ
り、媒体の反射率を高めることができ、第１のスペーサ
層３０の屈折率と厚さ及び第２のスペーサ層４０の屈折
率と厚さとを調整することにより、同じ記録層で任意の
値の反射率に調整することができる。
する。即ち、基板１０と記録層２０の間に第１のスペー
サ層３０と第２のスペーサ層４０とを設けることによ
り、媒体の反射率を高めることができ、第１のスペーサ
層３０の屈折率と厚さ及び第２のスペーサ層４０の屈折
率と厚さとを調整することにより、同じ記録層で任意の
値の反射率に調整することができる。
第１のスペーサ層３０と第２のスペーサ層４０の材料及
び膜厚は下記する条件を満すように選択する。まず、基
板１０上に第１のスペーサ層３０のみが形成されている
第２図に示すような構成を考える。基板１０を通して入
射した光１００は、基板１０と第１のスペーサ３０との
界面及び第１のスペーサ３０と空気との界面でその一部
は反射されて反射光２００となる。反射光２００の大き
さ（反射光）は、第１のスペーサ層３０の屈折率と厚さ
に依存する。本発明で使用される第１のスペーサ層３０
の材料及び厚さは、この反射光２００を大きくするよう
に選ばれる。即ち、第１のスペーサ層３０の屈折率は基
板１０の屈折率よりも大きいことが必要である。次に、
基板１０上に第１のスペーサ層３０を上記のように設
け、その上に第２のスペーサ層４０が形成されている第
３図に示すような構成を考える。基板１０を通して入射
した光１００は、基板１０と第１のスペーサ層３０との
界面、第１のスペーサ層３０と第２のスペーサ層４０と
の界面、及び第２のスペーサ層４０と空気との界面でそ
の一部は反射されて反射光３００となる。反射光３００
の大きさ（反射率）は、第２のスペーサ層４０の屈折率
と厚さに依存する。本発明で使用される第２のスペーサ
層４０の材料及び厚さは、この反射光３００を小さくす
るように選ばれる。即ち、第２のスペーサ層４０の屈折
率は第１のスペーサ層３０の屈折率よりも小さいことが
必要である。
び膜厚は下記する条件を満すように選択する。まず、基
板１０上に第１のスペーサ層３０のみが形成されている
第２図に示すような構成を考える。基板１０を通して入
射した光１００は、基板１０と第１のスペーサ３０との
界面及び第１のスペーサ３０と空気との界面でその一部
は反射されて反射光２００となる。反射光２００の大き
さ（反射光）は、第１のスペーサ層３０の屈折率と厚さ
に依存する。本発明で使用される第１のスペーサ層３０
の材料及び厚さは、この反射光２００を大きくするよう
に選ばれる。即ち、第１のスペーサ層３０の屈折率は基
板１０の屈折率よりも大きいことが必要である。次に、
基板１０上に第１のスペーサ層３０を上記のように設
け、その上に第２のスペーサ層４０が形成されている第
３図に示すような構成を考える。基板１０を通して入射
した光１００は、基板１０と第１のスペーサ層３０との
界面、第１のスペーサ層３０と第２のスペーサ層４０と
の界面、及び第２のスペーサ層４０と空気との界面でそ
の一部は反射されて反射光３００となる。反射光３００
の大きさ（反射率）は、第２のスペーサ層４０の屈折率
と厚さに依存する。本発明で使用される第２のスペーサ
層４０の材料及び厚さは、この反射光３００を小さくす
るように選ばれる。即ち、第２のスペーサ層４０の屈折
率は第１のスペーサ層３０の屈折率よりも小さいことが
必要である。
基板としては種々のものを使用できるが、一般には合成
樹脂，ガラス，磁器が望ましい。合成樹脂としては、ポ
リメチルメタクリレート等のアクリル樹脂，ポリカーボ
ネート，ポリエーテルイミド，ポリサルホン，エポキシ
樹脂，塩化ビニル樹脂等がある。基板にはその上に断熱
層やスムージング層を設けてもよい。基板の形状は、円
板状，シート状，テープ状とすることができる。
樹脂，ガラス，磁器が望ましい。合成樹脂としては、ポ
リメチルメタクリレート等のアクリル樹脂，ポリカーボ
ネート，ポリエーテルイミド，ポリサルホン，エポキシ
樹脂，塩化ビニル樹脂等がある。基板にはその上に断熱
層やスムージング層を設けてもよい。基板の形状は、円
板状，シート状，テープ状とすることができる。
記録層への情報の記録は、記録層にピットを形成するこ
とによりなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体
では、ピットは同必円状又はスパイラル状の多数のトラ
ックに形成するように記録される。多数のトラックを一
定間隔で精度よく記録するには、通常基板上に光の案内
溝が設けられる。ビーム径程度の溝に光が入射すると光
が回折される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折
光強度の空間分布が異なり、これを検出してビームを溝
の中心に入射させるようにサーボ系を構成できる。通常
溝の幅は0.3〜1.2μｍ、その深さは使用する記録再生レ
ーザ波長の1/12〜1/4の路囲に設定される。
とによりなされる。円板状の基板を用いるディスク媒体
では、ピットは同必円状又はスパイラル状の多数のトラ
ックに形成するように記録される。多数のトラックを一
定間隔で精度よく記録するには、通常基板上に光の案内
溝が設けられる。ビーム径程度の溝に光が入射すると光
が回折される。ビーム中心が溝からずれるにつれて回折
光強度の空間分布が異なり、これを検出してビームを溝
の中心に入射させるようにサーボ系を構成できる。通常
溝の幅は0.3〜1.2μｍ、その深さは使用する記録再生レ
ーザ波長の1/12〜1/4の路囲に設定される。
本発明で使用される第１及び第２のスペーサ層として
は、読み出しレーザ波長で実質的に透明であるものが望
ましい。第１のスペーサ層としては、基板の屈折率より
も大きな屈折率のものであればよい。
は、読み出しレーザ波長で実質的に透明であるものが望
ましい。第１のスペーサ層としては、基板の屈折率より
も大きな屈折率のものであればよい。
例えば、Al2O2，CeO2，Cr2O3，Fe2O3，Fe3O4，GeO2，In
2O2，MgO，MnO2，MoO3，Nb2O5，NiO，SiO，Sm2O2，Sn
O2，Ta2O5，TeO2，TiO2，V2O5，WO2，Y2O3，ZnO，ZrO2
等の各種酸化物、Si3N4，ZrN 等の各種窒化物、ZrC 等
の各種炭化物、GeS，ZnS等の各種硫化物、コバルトフタ
ロシアニン，銅フタロシアニン，マグネシウムフタロシ
アニン，ニッケルフタロシアニン，亜鉛フタロシアニン
等の各種有機色素，二無水3,4,9,10−ペリレンテトラカ
ルボン酸，グアニン等の各種有機物、各種磁性ガーネッ
ト及びSi，Se，Ge，B 或いはこれらの化合物が使用でき
る。第２のスペーサ層としては、第１のスペーサ層の屈
折率よりも小さな屈折率のものであればよい。
2O2，MgO，MnO2，MoO3，Nb2O5，NiO，SiO，Sm2O2，Sn
O2，Ta2O5，TeO2，TiO2，V2O5，WO2，Y2O3，ZnO，ZrO2
等の各種酸化物、Si3N4，ZrN 等の各種窒化物、ZrC 等
の各種炭化物、GeS，ZnS等の各種硫化物、コバルトフタ
ロシアニン，銅フタロシアニン，マグネシウムフタロシ
アニン，ニッケルフタロシアニン，亜鉛フタロシアニン
等の各種有機色素，二無水3,4,9,10−ペリレンテトラカ
ルボン酸，グアニン等の各種有機物、各種磁性ガーネッ
ト及びSi，Se，Ge，B 或いはこれらの化合物が使用でき
る。第２のスペーサ層としては、第１のスペーサ層の屈
折率よりも小さな屈折率のものであればよい。
例えば、AlF3，BaF2，CaF2，CeF3，DyF3，ErF3，EuF3，
GdF3，HfF4，HoF3，LaF3，LiF，MgF2，NaF，NdF3，Pr
F3，SmF3，SrF2，YF3，YbF3等の各種フッ化物、Al2O3，
CeO2，Cr2O3，Dy2O3，Er2O3，Eu2O3，Fe2O3，Fe3O4，Gd
2O3，GeO2，HfO2，Ho2O3，In2O3，Lu2O3，MgO ，MnO2，
MoO3，Nb2O5，NiO，SiO，SiO2，Sm2O3，SnO2，Ta2O5，T
iO2，V2O5，WO3，Y2O3，ZnO，ZrO2等の各種酸化物、ZrN
等の各種窒化物、ZrC 等の各種炭化物、GeS，ZnS等の
各種硫化物、コバルトフタロシアニン，銅フタロシアニ
ン，モリブデンフタロシアニン，マグネシウムフタロシ
アニン，ニッケルフタロシアニン，亜鉛フタロシアニ
ン，スーダンブラックＢ等の各種有機色素，各種フォト
レジスト，各種電子線レジスト，ポリスチレン，グアニ
ン等の各種有機物を使用することができる。
GdF3，HfF4，HoF3，LaF3，LiF，MgF2，NaF，NdF3，Pr
F3，SmF3，SrF2，YF3，YbF3等の各種フッ化物、Al2O3，
CeO2，Cr2O3，Dy2O3，Er2O3，Eu2O3，Fe2O3，Fe3O4，Gd
2O3，GeO2，HfO2，Ho2O3，In2O3，Lu2O3，MgO ，MnO2，
MoO3，Nb2O5，NiO，SiO，SiO2，Sm2O3，SnO2，Ta2O5，T
iO2，V2O5，WO3，Y2O3，ZnO，ZrO2等の各種酸化物、ZrN
等の各種窒化物、ZrC 等の各種炭化物、GeS，ZnS等の
各種硫化物、コバルトフタロシアニン，銅フタロシアニ
ン，モリブデンフタロシアニン，マグネシウムフタロシ
アニン，ニッケルフタロシアニン，亜鉛フタロシアニ
ン，スーダンブラックＢ等の各種有機色素，各種フォト
レジスト，各種電子線レジスト，ポリスチレン，グアニ
ン等の各種有機物を使用することができる。
本発明の記録層は体積率で３０％以上のスズに加えて体
積率で２０％以上のニッケル酸化物を不可欠な構成要素
として含んでいる。スズは低融点の半金属のため高い記
録感度を有している。しかし、材料の結晶性に起因して
表面性が悪いので、未記録ノイズが大きく問題であり実
用上供することはできない。本発明者らは体積率で２０
％以上のニッケル酸化物をスズに含有させることにより
表面性が著しく改善されることを見出し、本発明に到っ
たものである。
積率で２０％以上のニッケル酸化物を不可欠な構成要素
として含んでいる。スズは低融点の半金属のため高い記
録感度を有している。しかし、材料の結晶性に起因して
表面性が悪いので、未記録ノイズが大きく問題であり実
用上供することはできない。本発明者らは体積率で２０
％以上のニッケル酸化物をスズに含有させることにより
表面性が著しく改善されることを見出し、本発明に到っ
たものである。
記録層の膜厚は100〜1000Å程度が記録感度，信号品質
の点で望ましく、とくに150〜500Åが望ましい。
の点で望ましく、とくに150〜500Åが望ましい。
記録層はスズとニッケル酸化物のみの混合物でも充分に
優れた光記録媒体特性を有するが、更に耐候性を向上さ
せたり、反射率を所定の値に調整するためには第３物質
等を含有させてもよい。第３物質としては、炭素，アル
ミニウム，チタン，クロム，鉄，コバルト，ニッケル，
銅，亜鉛，ゲルマニウム，ジルコニウム，ニオブ，モリ
ブデン，ロジウム，パラジウム，銀，タンタル，タング
ステン，白金，金のうちの１以上が望ましい。これらは
体積率で約１０〜１５％以下で効果を示すものが多いが
物質によってはこれらより多く含ませることもある。
優れた光記録媒体特性を有するが、更に耐候性を向上さ
せたり、反射率を所定の値に調整するためには第３物質
等を含有させてもよい。第３物質としては、炭素，アル
ミニウム，チタン，クロム，鉄，コバルト，ニッケル，
銅，亜鉛，ゲルマニウム，ジルコニウム，ニオブ，モリ
ブデン，ロジウム，パラジウム，銀，タンタル，タング
ステン，白金，金のうちの１以上が望ましい。これらは
体積率で約１０〜１５％以下で効果を示すものが多いが
物質によってはこれらより多く含ませることもある。
第２のスペーサ層が無機物の場合には、記録層と第２ス
ペーサ層との間に有機物からなる層を挿入すると、より
高感度な光記録媒体が得られる。この有機物としては、
二無水3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸（PTCD
A），グアニン，クリスタルヴァイオレットラクトン等
や、コバルトフタロシアニン，銅フタロシアニン，マグ
ネシウムフタロシアニン，ニッケルフタロシアニン等の
フタロシアニン色素や、これらのアルキル置換フタロシ
アニン色素や、アントラキノン色素等各種の有機色素を
使用することができ、５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素等の近赤外に吸収のある有機色素をも使用すること
ができる。吸収のある色素を使用する場合には厚さ３０
０Å以下と薄い膜を挿入することが望ましい。吸収のな
い有機物を使用する場合においても、その屈折率が第２
のスペーサ層の屈折率よりも大きい場合には薄くした方
が反射率増大効果を大きくできる。
ペーサ層との間に有機物からなる層を挿入すると、より
高感度な光記録媒体が得られる。この有機物としては、
二無水3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸（PTCD
A），グアニン，クリスタルヴァイオレットラクトン等
や、コバルトフタロシアニン，銅フタロシアニン，マグ
ネシウムフタロシアニン，ニッケルフタロシアニン等の
フタロシアニン色素や、これらのアルキル置換フタロシ
アニン色素や、アントラキノン色素等各種の有機色素を
使用することができ、５−アミノ−８−（ｐ−エトキシ
アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン
色素等の近赤外に吸収のある有機色素をも使用すること
ができる。吸収のある色素を使用する場合には厚さ３０
０Å以下と薄い膜を挿入することが望ましい。吸収のな
い有機物を使用する場合においても、その屈折率が第２
のスペーサ層の屈折率よりも大きい場合には薄くした方
が反射率増大効果を大きくできる。
（実施例１） 以下、本発明の実施例について説明する。
内径１５mm，外径１２０mm，厚さ1.2mmの案内溝付きア
クリル樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、２×
１０-5Torr 以下に排気した。蒸発源としては、モリブ
デン製の抵抗加熱用ボートにＳｎを入れ、電子ビーム加
熱用るつぼにNiO，SiO2を入れた。
クリル樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、２×
１０-5Torr 以下に排気した。蒸発源としては、モリブ
デン製の抵抗加熱用ボートにＳｎを入れ、電子ビーム加
熱用るつぼにNiO，SiO2を入れた。
まず、NiO を1100Å蒸着し、その上にSiO2を1300Å蒸着
した。次に、水晶振動子式膜厚モニターを用いてＳｎと
NiOの蒸着速度を制御しながら共蒸着することにより記
録層を形成した。
した。次に、水晶振動子式膜厚モニターを用いてＳｎと
NiOの蒸着速度を制御しながら共蒸着することにより記
録層を形成した。
第１表に、作製した光記録媒体の波長8300Åにおける基
板入射反射率，信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）を示す。NiO の
体積率が２０％よりも小さい場合にはノイズが大きいた
めＣ／Ｎが悪く，Ｓｎの体積率が３０％よりも小さい場
合には感度不足となる。したがって、NiO の体積率が２
０％以上で、かつＳｎの体積率が３０％以上の範囲が実
用可能な組成範囲である。なお、比較のために試料２〜
試料５の第１のスペーサ層（NiO）と第２のスペーサ層
（SiO2）がない場合の反射率を第２表に示す。本発明の
構成（第１表）にすることにより、反射率が大きくなっ
ていることがわかる。
板入射反射率，信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）を示す。NiO の
体積率が２０％よりも小さい場合にはノイズが大きいた
めＣ／Ｎが悪く，Ｓｎの体積率が３０％よりも小さい場
合には感度不足となる。したがって、NiO の体積率が２
０％以上で、かつＳｎの体積率が３０％以上の範囲が実
用可能な組成範囲である。なお、比較のために試料２〜
試料５の第１のスペーサ層（NiO）と第２のスペーサ層
（SiO2）がない場合の反射率を第２表に示す。本発明の
構成（第１表）にすることにより、反射率が大きくなっ
ていることがわかる。
（実施例２） 第１のスペーサ層としてSnO2 ，第２のスペーサ層とし
てグアニンを使用し、記録層としてＳｎとNiO を共蒸着
して光記録媒体を作製した。第３表にその特性を示す。
良好な媒体特性が得られている。本実施例の光記録媒体
は第２スペーサ層として有機物を用いているため、実施
例１の光記録媒体よりも高感度になっている。
てグアニンを使用し、記録層としてＳｎとNiO を共蒸着
して光記録媒体を作製した。第３表にその特性を示す。
良好な媒体特性が得られている。本実施例の光記録媒体
は第２スペーサ層として有機物を用いているため、実施
例１の光記録媒体よりも高感度になっている。
（実施例３） 第１のスペーサ層として1000Å厚の銅フタロシアニン，
第２のスペーサ層として1400Å厚のSiO2 を使用し、記
録層としてＳｎとNiOと重量比８０対２０のNiCr合金を
体積率で５５対４０対５となるようにアクリル基板上に
２００Å厚共蒸着して光記録媒体を作製した。反射率は
〜２１％であり、Ｃ／Ｎは４８dB以上と良好な特性であ
った。
第２のスペーサ層として1400Å厚のSiO2 を使用し、記
録層としてＳｎとNiOと重量比８０対２０のNiCr合金を
体積率で５５対４０対５となるようにアクリル基板上に
２００Å厚共蒸着して光記録媒体を作製した。反射率は
〜２１％であり、Ｃ／Ｎは４８dB以上と良好な特性であ
った。
（実施例４） 第１スペーサ層として900Å厚のSnO2 ，第２スペーサ層
として1100Å厚のCeC2 を使用し、記録層としてＳｎとN
iOを体積率で５８対４２となるようにアクリル基板上に
400Å厚共蒸着して光記録媒体を作製した。反射率は〜
２６％であり、Ｃ／Ｎは４８dB以上と良好な特性が得ら
れた。
として1100Å厚のCeC2 を使用し、記録層としてＳｎとN
iOを体積率で５８対４２となるようにアクリル基板上に
400Å厚共蒸着して光記録媒体を作製した。反射率は〜
２６％であり、Ｃ／Ｎは４８dB以上と良好な特性が得ら
れた。
（実施例５） 第１スペーサ層として900Å厚のSnO2 ，第２スペーサ層
として1000Å厚のCeO2 を使用し、その上にクリスタル
ヴァイオレットラクトンを100Å蒸着した後、記録層と
してＳｎとNiOを体積率で５８対４２となるようにアク
リル基板上に400Å厚共蒸着して光記録媒体を作製し
た。反射率は〜２６％であり、Ｃ／Ｎは４８dB以上と良
好な特性が得られた。とくに、本実施例の媒体は無機物
の第２スペーサ層と記録層との間に有機物を挿入してい
るため、実施例４の媒体よりも高感度であり、１０ｍ／
ｓ以上の高線速度においても４８dB以上のＣ／Ｎが得ら
れた。
として1000Å厚のCeO2 を使用し、その上にクリスタル
ヴァイオレットラクトンを100Å蒸着した後、記録層と
してＳｎとNiOを体積率で５８対４２となるようにアク
リル基板上に400Å厚共蒸着して光記録媒体を作製し
た。反射率は〜２６％であり、Ｃ／Ｎは４８dB以上と良
好な特性が得られた。とくに、本実施例の媒体は無機物
の第２スペーサ層と記録層との間に有機物を挿入してい
るため、実施例４の媒体よりも高感度であり、１０ｍ／
ｓ以上の高線速度においても４８dB以上のＣ／Ｎが得ら
れた。
（実施例６） 第１スペーサ層としてNiO，第２スペーサ層としてSiO2
を使用し、その上にPTCDA を蒸着した後、記録層として
ＳｎとNiOを共蒸着して光記録媒体を作製した。第４表
にその特性を示す。良好な媒体特性が得られている。
を使用し、その上にPTCDA を蒸着した後、記録層として
ＳｎとNiOを共蒸着して光記録媒体を作製した。第４表
にその特性を示す。良好な媒体特性が得られている。
（発明の効果） 上記実施例から明らかなように、本発明により記録感度
が高くかつ信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
が高くかつ信号品質の良好な光記録媒体が得られる。
第１図は本発明の一実施例である光記録媒体の概略図、
第２図，第３図は本発明の光記録媒体の原理を説明する
ための概略図、第４図は従来の光記録媒体の概略図であ
る。 図において、１，１０は基板、２，２０は記録層、３０
は第１のスペーサ層、４０は第２のスペーサ層、１００
は入射光、２００，３００は反射光を示す。
第２図，第３図は本発明の光記録媒体の原理を説明する
ための概略図、第４図は従来の光記録媒体の概略図であ
る。 図において、１，１０は基板、２，２０は記録層、３０
は第１のスペーサ層、４０は第２のスペーサ層、１００
は入射光、２００，３００は反射光を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−267949（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−177447（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−126480（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】透明な基板の片側に記録層を設け、レーザ
光の照射によって情報を記録しかつ読みとる光記録媒体
において、前記レーザ光に対して実質的に透明でかつ前
記レーザ光の波長での屈折率が前記基板の屈折率より大
きい第１のスペーサ層と、前記レーザ光に対して実質的
に透明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率が前記第１
のスペーサ層より小さい第２のスペーサ層と、スズを体
積率で３０％以上含有しかつニッケル酸化物を体積率で
２０％以上含有する材料よりなる記録層とを有すること
を特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】透明な基板の片側に記録層を設け、レーザ
光の照射によって情報を記録しかつ読みとる光記録媒体
において、前記レーザ光に対して実質的に透明でかつ前
記レーザ光の波長での屈折率が前記基板の屈折率より大
きい第１のスペーサ層と、前記レーザ光に対して実質的
に透明でかつ前記レーザ光の波長での屈折率が前記第１
のスペーサ層より小さい第２のスペーサ層と、有機物か
らなる層と、スズを体積率で３０％以上含有しかつニッ
ケル酸化物を体積率で２０％以上含有する材料よりなる
記録層とを有することを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175138A JPH0654549B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 光記録媒体 |
| US06/893,040 US4763139A (en) | 1985-08-08 | 1986-08-01 | Optical information storage medium |
| EP86110786A EP0211435B1 (en) | 1985-08-08 | 1986-08-04 | Optical information storage medium |
| DE8686110786T DE3679249D1 (de) | 1985-08-08 | 1986-08-04 | Optisches informationsspeicherungsmedium. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60175138A JPH0654549B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234344A JPS6234344A (ja) | 1987-02-14 |
| JPH0654549B2 true JPH0654549B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=15990953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60175138A Expired - Fee Related JPH0654549B2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654549B2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP60175138A patent/JPH0654549B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6234344A (ja) | 1987-02-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |