JPH0750647B2 - 占積率の高い低損失アモルフアス磁心 - Google Patents
占積率の高い低損失アモルフアス磁心Info
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- JPH0750647B2 JPH0750647B2 JP61069965A JP6996586A JPH0750647B2 JP H0750647 B2 JPH0750647 B2 JP H0750647B2 JP 61069965 A JP61069965 A JP 61069965A JP 6996586 A JP6996586 A JP 6996586A JP H0750647 B2 JPH0750647 B2 JP H0750647B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
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- H01F1/15341—Preparation processes therefor
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波特に100KHzを越える周波数領域で使用さ
れる高周波トランス、可飽和リアクトル、チョーク等に
好適な占積率の高い低損失アモルファス磁心に関するも
のである。
れる高周波トランス、可飽和リアクトル、チョーク等に
好適な占積率の高い低損失アモルファス磁心に関するも
のである。
従来100KHzを越える周波数領域で使用される磁心として
はフェライト磁心が主に用いられてきた。
はフェライト磁心が主に用いられてきた。
近年アモルファス磁心が注目を集め各種用途に適用され
初めている。ところで、スイッチング電源は小型化のた
めに益々高周波化される傾向にあり、磁性部品も高周波
領域で更に低損失化することが要求されている。アモル
ファス磁心は従来のパーマロイ磁心等と比較すると低損
失であるが、数100KHz以上の周波数帯では、損失が増加
するため益々薄帯の板厚を薄くする必要がある。
初めている。ところで、スイッチング電源は小型化のた
めに益々高周波化される傾向にあり、磁性部品も高周波
領域で更に低損失化することが要求されている。アモル
ファス磁心は従来のパーマロイ磁心等と比較すると低損
失であるが、数100KHz以上の周波数帯では、損失が増加
するため益々薄帯の板厚を薄くする必要がある。
ところが従来の上記アモルファス磁心は、高周波特に10
0KHzを越える周波数帯で渦電流を低減させるために単ロ
ール法等で製造する際、アモルファス薄帯の板厚を薄く
すると薄帯の表面粗さが悪くなり磁心にした後占積率が
低下する問題点を有している。このため高周波化し磁心
の体積を小さくしようとしても思ったほど小型化されな
い。
0KHzを越える周波数帯で渦電流を低減させるために単ロ
ール法等で製造する際、アモルファス薄帯の板厚を薄く
すると薄帯の表面粗さが悪くなり磁心にした後占積率が
低下する問題点を有している。このため高周波化し磁心
の体積を小さくしようとしても思ったほど小型化されな
い。
本発明の目的は片面冷却法で製造された特定の組成の表
面粗さが良好なアモルファス合金薄帯を使用した占積率
が高い低損失の磁心を提供することである。
面粗さが良好なアモルファス合金薄帯を使用した占積率
が高い低損失の磁心を提供することである。
本発明は、組成式T100-w-x-y-zMowWXSiyBzで表され ここでＴはCo,Feから選ばれる少なくとも１種の元素で
あり 0.3≦ｗ≦3,0.2≦ｘ≦2,10≦ｙ≦18,8≦ｚ≦9.5 の関係を有する片面冷却法により作製されたアモルファ
ス合金薄帯よりなり、該アモルファス合金薄帯の板厚が
５μｍ以上15μｍ未満の間であって、占積率が80％以上
であることを特徴とする占積率の高い低損失アモルファ
ス磁心である。
あり 0.3≦ｗ≦3,0.2≦ｘ≦2,10≦ｙ≦18,8≦ｚ≦9.5 の関係を有する片面冷却法により作製されたアモルファ
ス合金薄帯よりなり、該アモルファス合金薄帯の板厚が
５μｍ以上15μｍ未満の間であって、占積率が80％以上
であることを特徴とする占積率の高い低損失アモルファ
ス磁心である。
本発明においてMo,Wは必須の元素であり、Mo量ｗ、Ｗ量
ｘが次の関係を有する場合表面粗さが良好なアモルファ
ス薄帯が作製しやすい。
ｘが次の関係を有する場合表面粗さが良好なアモルファ
ス薄帯が作製しやすい。
0.3≦ｗ≦3,0.2≦ｘ≦２ 表面粗さの改善の効果は板厚が５〜15μｍの間が特に顕
著であり、占積率が80％以上と高く数100KHzの周波数帯
でも低損失のものが得られる。
著であり、占積率が80％以上と高く数100KHzの周波数帯
でも低損失のものが得られる。
Si量ｙを10％以上18％以下に限定したのは10％未満では
低損失になりにくく18％を越えるとアモルファス薄帯が
脆化してしまうためである。
低損失になりにくく18％を越えるとアモルファス薄帯が
脆化してしまうためである。
Ｂ量ｚを８％以上9.5％以下に限定したのは８％未満で
はコア損失が増加し、9.5％を越えると薄帯を作製する
際にノズルと反応しやすくなりアモルファス合金薄帯の
面粗さが悪くなるためである。
はコア損失が増加し、9.5％を越えると薄帯を作製する
際にノズルと反応しやすくなりアモルファス合金薄帯の
面粗さが悪くなるためである。
また巻磁心の占積率を上げる場合は１×107Pα以上の張
力で巻回すのが望ましく、この場合高い占積率を達成で
きる。
力で巻回すのが望ましく、この場合高い占積率を達成で
きる。
また場合によっては占積率の低下にあまり影響を与えな
い程度の厚さの層間絶縁をしても良い。層間絶縁は酸化
物の微粉を表面につけるか、化学処理により酸化皮膜を
表面に形成し行なう。
い程度の厚さの層間絶縁をしても良い。層間絶縁は酸化
物の微粉を表面につけるか、化学処理により酸化皮膜を
表面に形成し行なう。
以下本発明を実施例に従って説明する。
実施例１ 単ロール法により平均厚さ８μｍ幅10mmのアモルファス
合金薄帯を作製し、外径19mm、内径15mmに１×107Pαの
張力をかけ巻回し、窒素雰囲気中で熱処理を行なった。
得られた磁心の占積率、周波数200KHz,Bm2kGのコア損失
を測定したところ下表の結果が得られた。
合金薄帯を作製し、外径19mm、内径15mmに１×107Pαの
張力をかけ巻回し、窒素雰囲気中で熱処理を行なった。
得られた磁心の占積率、周波数200KHz,Bm2kGのコア損失
を測定したところ下表の結果が得られた。
表からわかるように本発明によるアモルファス磁心は従
来のアモルファス磁心に比べて占積率が高くかつコア損
失も小さく、高周波化により磁心を小型化しようとする
場合に適している。
来のアモルファス磁心に比べて占積率が高くかつコア損
失も小さく、高周波化により磁心を小型化しようとする
場合に適している。
実施例２ 第１図は単ロール法により作製した平均厚さ８μｍのFe
76.5 -xMo1WxSi13.5B9アモルファス薄帯から作製した巻
磁心の占積率を示した図である。
76.5 -xMo1WxSi13.5B9アモルファス薄帯から作製した巻
磁心の占積率を示した図である。
Ｗ量ｘが0.2％未満、２％を越えると薄帯の表面粗さが
悪くなり、磁心の占積率が低下する。このためＷ量ｘは
0.2％以上２％以下が好ましい。
悪くなり、磁心の占積率が低下する。このためＷ量ｘは
0.2％以上２％以下が好ましい。
実施例３ 第２図は単ロール法により作製した平均厚さ８μｍのFe
76.5 -WMoWW1Si13.5B9アモルファス薄帯から作製した巻
磁心の占積率を示した図である。
76.5 -WMoWW1Si13.5B9アモルファス薄帯から作製した巻
磁心の占積率を示した図である。
Mo量ｗが0.3％未満、３％を越えると薄帯の表面粗さが
悪くなり、磁心の占積率が低下する。このためMo量ｗは
0.3％以上３％以下が好ましい。
悪くなり、磁心の占積率が低下する。このためMo量ｗは
0.3％以上３％以下が好ましい。
実施例４ 第３図は単ロール法により作製した本発明のFe73.5Mo2W
2Si13.5B9アモルファス薄帯から作製した磁心Ａと従来
のFe78Si9B13アモルファス薄帯から作製した磁心Ｂの占
積率の板厚依存性を示した図である。
2Si13.5B9アモルファス薄帯から作製した磁心Ａと従来
のFe78Si9B13アモルファス薄帯から作製した磁心Ｂの占
積率の板厚依存性を示した図である。
板厚が５μｍ以上15μｍ以下の範囲においては特に本発
明の磁心と従来の磁心との占積率の差が顕著となるのが
わかる。このように本発明磁心は特に板厚を薄くしなけ
ればならない数100KHzの周波数で使用する磁心として優
れている。
明の磁心と従来の磁心との占積率の差が顕著となるのが
わかる。このように本発明磁心は特に板厚を薄くしなけ
ればならない数100KHzの周波数で使用する磁心として優
れている。
実施例５ 第４図は本発明による巻磁心を作製するに際し巻き張力
を変えた場合の占積率の変化を示した図である。
を変えた場合の占積率の変化を示した図である。
張力が１×107Pα未満では占積率の低下が著しく、張力
は１×107Pα以上がより望ましいことがわかる。
は１×107Pα以上がより望ましいことがわかる。
本発明によれば、従来不充分であったアモルファス薄帯
の面粗さの悪化によるアモルファス磁心の占積率の低下
を低く抑えることができ、かつ低損失磁心が得られるた
め、高周波化による磁心の小型化が達成できる。
の面粗さの悪化によるアモルファス磁心の占積率の低下
を低く抑えることができ、かつ低損失磁心が得られるた
め、高周波化による磁心の小型化が達成できる。
第１図は単ロール法により作製した平均厚さ８μｍのFe
76.5 -xMo1WxSi13.5B9アモルファス薄帯から作製した巻
磁心の占積率を示した図、第２図は単ロール法により作
製した平均厚さ８μｍのFe76.5 -wMowW1Si13.5B9アモル
ファス薄帯から作製した巻磁心の占積率を示した図、第
３図は本発明によるFe73.5Mo2W2Si13.5B9アモルファス
薄帯から作製した磁心と従来のFe78Si9B13アモルファス
薄帯から作製した磁心の占積率の板厚依存性を示した
図、第４図は占積率の巻き張力による変化を示した図で
ある。
76.5 -xMo1WxSi13.5B9アモルファス薄帯から作製した巻
磁心の占積率を示した図、第２図は単ロール法により作
製した平均厚さ８μｍのFe76.5 -wMowW1Si13.5B9アモル
ファス薄帯から作製した巻磁心の占積率を示した図、第
３図は本発明によるFe73.5Mo2W2Si13.5B9アモルファス
薄帯から作製した磁心と従来のFe78Si9B13アモルファス
薄帯から作製した磁心の占積率の板厚依存性を示した
図、第４図は占積率の巻き張力による変化を示した図で
ある。
Claims (3)
- 【請求項１】組成式T100-w-x-y-zMowWXSiyBzで表され ここでＴはCo,Feから選ばれる少なくとも１種の元素で
あり 0.3≦ｗ≦3,0.2≦ｘ≦2,10≦ｙ≦18,8≦ｚ≦9.5 の関係を有する片面冷却法により作製されたアモルファ
ス合金薄帯よりなり、該アモルファス合金薄帯の板厚が
５μｍ以上15μｍ未満の間であって、占積率が80％以上
であることを特徴とする占積率の高い低損失アモルファ
ス磁心。 - 【請求項２】200kHzにおけるコア損失が550kW/m3以下で
ある特許請求の範囲第１項記載の占積率の高い低損失ア
モルファス磁心。 - 【請求項３】１×107Pa以上の張力で巻回したアモルフ
ァス合金薄帯よりなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項もしくは第２項記載の占積率の高い低損失アモル
ファス磁心。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069965A JPH0750647B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 占積率の高い低損失アモルフアス磁心 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069965A JPH0750647B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 占積率の高い低損失アモルフアス磁心 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226602A JPS62226602A (ja) | 1987-10-05 |
| JPH0750647B2 true JPH0750647B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=13417872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61069965A Expired - Lifetime JPH0750647B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 占積率の高い低損失アモルフアス磁心 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750647B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294605A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Hitachi Metals Ltd | 磁気パルス圧縮回路を含む励起回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5985846A (ja) * | 1982-11-10 | 1984-05-17 | Toshiba Corp | 低損失非晶質合金及びこの合金を用いた高周波トランス、チヨ−クコイル、ノイズフイルタ−、昇圧トランス、可飽和リアクトル |
| JPS6059708A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Hitachi Metals Ltd | 磁心 |
| JPH0742559B2 (ja) * | 1986-02-19 | 1995-05-10 | 川崎製鉄株式会社 | 占積率の優れた磁心用非晶質合金薄帯およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP61069965A patent/JPH0750647B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62226602A (ja) | 1987-10-05 |
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