JPH07507842A - パターン化ウェーハ基体上の膜の化学蒸着（ｃｖｄ）法 - Google Patents

パターン化ウェーハ基体上の膜の化学蒸着（ｃｖｄ）法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 パターン化ウェーハ基体上の膜の化学蒸着（ＣＶＤ）法〔技術分野〕 本発明は、半導体ウェーハを製造するための化学蒸着（ＣＶＤ）法に関し、詳し くは、膜の品質を犠牲にすることなく一層大きな膜付着速度及び反応物転化率を 達成する、パターン化ウェーハ基体上に膜を蒸着する方法に関する。
〔背景技術〕
半導体装置の製造では、化学蒸着（ＣＶＤ）により成る被覆工程を行う。
ＣＶＤ法の二つの一般的な型はブランケットＣＶＤ及び選択ＣＶＤである。ブラ ンケットＣＶＤては、半導体ウェーハの全露出表面に亙って希望の膜被覆を付着 する。選択ＣＶＤては、半導体ウニ／％上の絶縁層を通過する接点穴又はノくイ アホールの露出表面に希望の膜被覆を適用し、例えば、絶縁１を通る配線を作る 目的で伝導性材料の充填物を与える。
ＣＶＤ法で目的とする最終的結果が、穴又はバイアを充填して半導体ウェーッ１ 上の層間に配線を形成することにあることはしばしばある。これは二つの方法、 ■）選択蒸着によりウェーハ表面の選択した部分にだけ希望の膜被覆を形成する 、及び２）後のエツチングを伴う膜ブランケット蒸着、の一方で達成することが できる。膜被覆のＣＶＤによる直接の選択的適用は信頼性がなく、失敗したり、 遅かったりするため、高価な機械類の高速処理能力及び効果的な使用が重要にな る商業的規模では望ましくなく、そのためブランケット蒸着及びその後で行う永 久的被覆か不必要な領域からのエツチング除去により選択被覆が屡々行われてい る。
ブランケットＣＶＤを用い、次に付着物質のエツチング除去を行う場合、ブラン ケット被覆厚さか高度に均一であることが必要であり、特に付着した物質をエツ チングしなければならない領域ではそうである。エツチング除去すべき領域中の 膜被覆の厚さが不規則であると、エツチング処理が下の層を選択的に損傷するこ とかあり、或は残留被覆が残っている領域を与える結果になったりする。従来技 術による既知のブランケットＣ〜′Ｄ法は、低い均−性及び（又は）低い速度て 基体を被覆してきた。従って、許容可能な厚さ均一性をもち、比較的大きな速度 でブランケット被覆を適用できる方法か要求されている。
ＣＶＤによりタングステン（Ｗ）の如き被覆を半導体ウェーハに均一に適用する ために、ウェーハの表面を横切って反応物ガスを確実に均一に供給し、被覆され た表面から使用済みガス及び反応副生成物を均一に除去することが望ましい。
これに関し、従来のＣＶＤ法を行なっても限定された成功しか収めていない。従 って、ブランケット或は選択のどちらでもＣＶＤ法で被覆するウェーハの表面へ の反応ガスの供給及びそれら表面からの反応副生成物の除去を一層効果的及び− 府均一に行うことができる方法がめられている。
既知の反応器を用いたＣＶＤ法では、反応ガスの流れの乱れは、被覆工程の効率 及び均一性を悪くし、反応室内の汚染物の付着及び移動を大きくしている。従っ て、ガスの流れを改良し、ガスの流乱を少なくしたＣＶＤ法が必要である。
選択及びブランケットの両方のＣＶＤ法で、特にタングステンＣＶＤ法では、反 応物ガスとして六フッ化タングステン（ＷＦ、　）を用いている。六フッ化タン グステンは非常に高価であり、従って、多くの従来法の如く、反応物ガスの利用 効率が低いと、全処理コストは著しく増大する。例えば、成る従来法のＣＶＤ法 では、約２０％以下位の低いＷＦ、の使用効率しかもたないと考えられ、従って ＷＦ、のコストはそのＣＶＤ法の全コストの３０％をしばしば越えている。従っ てＷＦ、の如き反応物ガスの消費（転化）を一層効率的にするＣＶＤ法が望まし い。
平坦でパターン化されていない基体上の蒸着膜特性の制御を向上させるために回 転円盤型ＣＶＤ反応器を使用することが示されている。回転円盤型反応器を用い ることにより、全ウェーハ表面を通る境界層厚さを制御することができるため、 全ウェーハの直径に亙って良好な厚さ均一性を達成することができることが示さ れている。そのような境界層厚さの制御は、回転円盤型装置の幾何学性の基本的 特徴である。これに対し、シリコンウェーハに薄膜を付着させるためのＣＶＤで 一般に用いられている他の既知の型の反応器は、与えられたウェーハを横切って ガスの流れの方向に連続的に変化する境界層を有する。ニブシロン・テクノロジ ー社（Ｅｐｓｉｌｏｎ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、　Ｉｎｃ、）は、シリコンウェ ーハでエピタキシャルシリコンＣＶＤを行うのに回転円盤型反応器を用いると有 効であることを示している。
しかし、この従来の研究の中で、パターン化ウェーハに対して行なったものはな く、従って、ブランケット又は選択蒸着のいずれについても、パターン化穴又は バイアを充填するウェーハ上への高品質膜の均一な付着は実際には行われていな いと考えられる。従って、均一な厚さ、良好なステップカバレッジ（ｓｔｅｐｃ ｏｖｅｒａｇｅ）　、均一な抵抗率、及び他の望ましい膜品質を示すパターン化 半導体基体上の伝導性層の選択的及びブランケット蒸着のためのＣＶＤ法が要求 されている。
〔発明の要旨〕
本発明のＣＶＤ法は、従来のＣＶＤ法に伴われる多（の欠点を解決又は回避する ことができると考えられている。特に、本発明のＣＶＤ法では、一層大きな付着 速度及び一層大きな反応物転化率に基づき、今まで知られていたものよりも著し く経済的なやり方でパターン化ウェーハ基体上に希望の組成の膜をＣＶＤにより 付着させ、高品質の膜を与える結果になる。ここで用いられる用語「膜」とは、 ブランケット膜又は選択的に付着させた膜のいずれでも意味するものとする。
パターン化ウェーハ基体はパターン化穴又はバイアを有するので、最終製品の品 質及び信頼性を低下する傾向がある空隙領域を持つ半導体ウェーッ１を生じない ように、完全で均一なステップカバレッジが達成されることが絶対に必要である 。
本発明の方法は、付着した膜層に優れたステップカバレッジ及び厚さ均一性を与 える。本発明の方法を用いて付着した膜は、抵抗率、結晶性、粒径、応力、粒子 数、表面粗さ、及び反射率に関し、高い品質も存する。
本発明の方法を用いることにより得られる付加的、そして恐らく一層重要な有利 な結果は、著しく改良された付着速度及び反応物転化率が実現されることにより 得られるウェーハ処理速度の向上及び反応物材料消費量の減少である。これらの 利点は、パターン化ウェーハを処理できる速度に著しく貢献すると同時に、転い てブランケット膜を形成し、それを後でエツチング除去してパターン化ウェーハ 基体上に配線、接点、及びバイアプラグを形成する。別法として、希望の配線、 接点及びプラグは、希望の接点又はバイアの所にだけ選択的に付着する。膜をブ ランケットか又は選択のどちらのやり方で蒸着するかの調節は、反応条件を制御 することにより達成することができる。典型的には、成る条件下では、電気伝導 性表面でのみ付着物質は核生成するので選択が起きる。接点又はバイアの穴の底 は導電性（例えば、シリコン）であるのが典型的であるので、またウェーハの露 出した外側表面は典型的には絶縁性（例えば、二酸化珪素）であるので、蒸着し た膜は接点又はバイアの底てのみ核生成し、成長する。
本発明の方法は、パターン化ウェーハ基体上にブランケット又は選択単体膜、化 合物膜、合金膜、及び固溶体膜を付着することに対し適合性を有すると考えられ る。特に、本発明は、タングステン、銅、アルミニウム、珪素、及びチタンの如 き単体膜を付着することを目的とする。本発明は、更に窒化チタン（ＴｉＭ）、 二珪化チタン（ＴｉＳｉｘ）、二珪化タングステン（ＷＳ　１　！　）　、二酸 化珪素（ＳｉＯｚ）、及び窒化珪素（Ｓｉ３　Ｎｓ　）の如き化合物膜を付着す ることを目的とする合金膜は、アルミニウムと珪素の合金、及びアルミニウム、 銅及び珪素の合金である。最後に、本発明は、燐酸珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）及び 硼燐珪酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）の如き固溶体の膜を付着することを目的とする。
最も広い態様として、本発明の方法は、ＣＶＤ反応室内でパターン化ウェーハ基 体をその軸の周りに回転させながら、反応物ガスをＣＶＤ反応室中へ、パターン 化ウェーハ基体の回転面に対し大略直角の方向にパターン化基体の方へ導入する 。反応室を効果的な圧力に維持し、パターン化ウェーハ基体を効果的な温度に加 熱し、それによって希望の膜を化学蒸着によりそのパターン化ウェーハ基体上に 付着させる。パターン化半導体ウェーハをその中心軸の周りに平面内で回転させ ることにより、従来のＣＶＤ反応器で達成されている速度よりも３倍までの大き い付着速度が得られ、現在達成されている転化率の２倍までの反応物転化率が得 られている。優れたバイア充填を含めた高品質の膜を、バイアのアスペクト比（ 即ち、バイアの深さ対輻比）が大きくても得ることができる。高品質の膜が得ら れることの外に、付着速度及び反応物転化率は、他の型の方法で得られているも のよりもかなり高い。これは、生産ラインでウェーハ処理能力を大きくし、操作 コストを低下させることになる。
ＣＶＤ反応室中の操作圧力及びパターン化ウェーハ基体を加熱する温度について の特定の操作パラメーターは、ブランケット蒸着か又は選択蒸着のどちらが望ま れるかと言うこと及び蒸着する膜の組成によって左右される。単なる例として、 高品質ブランケットタングステンを得るためには、反応器をｌθ〜２４０トール の範囲に維持するのが好ましく、ウェーハを約４２５℃〜５２５℃の範囲の温度 に加熱するのが好ましい。選択タングステン蒸着が望まれる場合、反応室中の圧 力は約０．１−１）−ルの範囲に維持するのが好ましく、パターン化ウェーハ基 体を約２５０°Ｃ〜３００°Ｃに加熱するのが好ましい。タングステンのブラン ケット蒸着又は選択蒸着のどちらの場合でも、ウェーハ基体を約１００〜１５０ ０ｒｐｍの範囲の速度で回転し、反応物ガスの流員を約０．５〜５．Ｏｓｌｐｍ の範囲にするのが好ましい。
本発明の範囲は、特定の回転円盤型反応器の形態に限定されるものではないが、 本発明の方法の発展に伴って、本発明の方法を遂行するのに特に適している回転 円盤型反応器装置が開発された。この回転円盤型反応器は、本願と同じ日に出願 されたロバートＦ、７ｔスター（Ｒｏｂｅｒｔ　Ｐ、　Ｆｏｓｔｅｒ）、ヘレン Ｅ、レベン（Ｈｅｌｅｎ　Ｅ。
Ｒｅｂｅｎｎｅ）、レーンＥ、ルブラン（Ｒｅｎｅ　ＩＥ、　ＬｅＢｌｅｎｃ） 　、カールし、ホワイト（ＣａｒｌＬ、　Ｔｈ１ｔｅ）　、及びリキート・アロ ラ（Ｒ４ｋｈｉｔ　Ａｒｏｒａ）を発明者とする「回転サセプタタングステンＣ ＶＤ反応器半導体ウェーハ処理用集合モジュール装置」（Ｒｏｔａｔｉｎｇ　５ ｕｓｃｅｐｔｏｒ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　ＣＶＤ　Ｒｅａｃｔｏｒ　Ｓｅｍ１ｃｏ ｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗａｆｅｒ　Ｐｒ盾モ■唐唐奄獅■ Ｃｌｕｓｔｅｒ　Ｔｏｏｌ　Ｍｏｄｕｌｅ）と題する同じ譲受は人に譲渡されて いる係属中の特許出願の主題であり、その明細は参考のため特にここに入れであ る。
本発明の方法を実施する際に、処理するパターン化ウニ／％を、サセプタと呼ば れている回転円盤又は板の上に置く、反応物ガスを混合し、反応器に入れ、回転 するサセプタ及びウェーハの方へ下向きに送る。サセプタの回転はガス混合物に 対し吸引作用を及ぼし、ウェーハ表面の方へガスを引っ張る。表面ではガスが実 質的に均一な状態でウェーハ表面上を径方向に外側へ流れ、次にサセプタの横を 通って下がり、排気口の方へ流れる。ガスは排気管中のポンプを用いて反応室か ら引き出す。ウェーハはサセプタにより加熱さ托そのサセプタは、サセプタ組立 体の内部に配置された加熱用素子により抵抗加熱してもよい。ウェーッ＼の熱い 表面近くに境界層が形成され、その層は、反応物ガスと反応する表面へのその拡 散を遅くする。反応物ガスはこの境界層を取って拡散し、ウェーハ表面上に吸着 され、反応して希望の膜及び付随する副生成物を形成する。次に副生成物は表面 から離脱し、境界層を通ってガス流本体へ拡散し、そこでそれらは流れるガスの 運動により運び去られる。
ウェーハ表面の膜蒸着速度は、表面−にの反応物濃度及び表面温度によって支配 される。表面上の反応物の濃度は、今度は境界層の厚さに関係し、その厚さは主 にクセブタ／ウェーハ全体の回転速度によって支配される。即ち、境界層の厚さ は、一般に回転速度が増大するに従って減少する。一般的に言って、境界層が薄 くなる程、ウェーハ表面への反応物の流れは速くなり、表面から離れる副生成物 の流れも早くなる。ウェーハ表面の方へ行く反応物の流束及び表面から離れる副 生成物の流束のこの増大により、付着速度は大きくなり、反応物転化率は大きく なる。さらに、ウェーハ表面全体に亙る膜蒸着の均一性は、同じ領域に亙る境界 層の均一性によって直接決定される。
本発明のこれら及び他の目的、利点及び特徴は、図面を参照して以下に詳細に記 述する。
〔図面の簡単な説明〕
図面は本発明の実施するのに有用なＣＶＤ反応器の概略的断面図である。
〔本発明の詳細な説明〕
図面は、本発明の方法を実施するのに適した回転円盤型反応器の関係のある部分 のａ１３的図を示している。反応室１０は、その中に配置された回転サセプタ１ ２を有し、それはその上にパターン化ウェーハ基体１４を支持する。ウェーハサ セプタは、モーター（図示されていなしり駆動軸１６によって時計方向に回転す る。サセプタＩ２には、更にウェーハを希望の温度に加熱するための温度制御装 置か配備されている。反応室には排気口１８が与えられており、それを通って反 応ガス副生成物及び未反応出発材料を排出する。
反応物ガスを反応室の頂部近くにある貯槽２２へ送り、そこでそれらを混合する 。混合反応物ガスは、サセプタによって回転しているウェーハの方へ下向きに、 ウェーハの回転面に対し一般に垂直方向に流れる。図面中点線のガス流線によっ て示したように、ガスがウェーハ表面に近づくと、それは全ウェーハ表面に亙っ て均一な仕方て径方向に外側に流れ、次にサセプタの横を通って下の排気口１８ の方へ流れる。前に述べたように、サセプタの回転は反応物ガスをウェーハ表面 の方へ引っ張り、ウェーハ表面を横切って実質的に均一な境界層を確立する。
従来のＣＶＤ法に対する本発明の利点を確認する実験研究を行い、上述の琶の回 転円盤型の反応器で大きな反応物転化率と共に大きなタングステン付着速度を達 成するのにその方法が有効であることを実証している。その実験研究では、直径 １５０ｍｍのパターン化ウェーハ基体が、本発明の方法を用いて達成することが できるステップカバレッジ及び他の膜特性を試験する目的で、マヂリアルズ・リ サーチ・コーポレーションから供給された。そのウェーッ１は１μｍＸ１μｍの 大きさのバイアをもち、下の膜はスパッターしたＴｉＷであった。操作条件は次 の通りてあった：１）４２５°Ｃ〜５２５°Ｃの範囲のウェー７１温度；２）約 ７０トールの反応室圧力ニ３）約７５０ｒｐｍのサセプタ回転速度、４）回転速 度に適合するように設定され、約１〜２ｓｌｐｍ（ｆｉ準リすトル／分）になる と推定された導入反応物ガス流量：５）約２５°Ｃの導入ガス温度、及び６）約 ７５秒の蒸着時間。得られたタングステン膜は厚さが１．　６μｍであり、それ は約１．　３μｍ／分の付着速度に相当していた。六フッ化タングステン（ＷＦ ｓ）出発材料の転化率は、約２５％〜５５％の範囲であった。得られたウェーｌ ＼の抵抗率は平均８．　ＩμΩ−ｃｍて標準偏差は６．８％であった。ステップ カバレッジは１００％であった。
マテリアルズ・リサーチ・コーポレーションにより供給されたウェー７屯対して 行われた他の同様な試験の実験結果を表１に収集しである。
ウェーハ番号 比較として、典型的には、ウェーハを回転させないＣＶＤ法により、水素（Ｈ２ ）　、シラン（ＳｉＨ４）、又はそれらの両方による六フッ化タングステン（Ｗ ＦＩ）の還元を用いて適用したタングステン膜は、高品質の膜を生ずることはで きるが、比較的低い付着速度及び比較的低いＷＦ、転化率のために制約されてい るのが典型的である。特に回転サセプタ・ウェーッ１を用いない既知のＣＶＤ法 での付着速度は、０．５μｍ／分以下の程度の付着速度、及び３０％以下の程度 のＷＦ、転化率を有する。表■に示したように、本発明の方法を用いてタングス テン膜を付着すると、膜の品質を劣化せずに３．５μｍ／分までの付着速度及び ５５％までのＷＦ、転化率を達成する。更に、その方法は、従来の方法と比較し て高品質のタングステン膜を達成するためのプロセスウィンド（温度及び圧力） を一層広くすることを目的としている。
本発明の方法は、成る範囲の操作条件に亙って高品質のプランケ・ノドタングス テン膜蒸着を達成することが示されており、それは本発明の適用性のプロセスウ ィンドか広いことを示している。これらの操作条件は：ｌ）約４２５〜５２５℃ のウェーハ温度：２）約ｌＯ〜２４０トールの圧力ニ３）約１０Ｏｒｐｍ−１５ １００ｒｐのサセプタ回転速度、４）約０．５ｓｌｐｍ　〜５．Ｏｓｌｐｍの導 入ガス流量、及び５）約２５°Ｃの導入ガス温度、である。本発明の方法で回転 円盤型反応器を用いることは、つニー／１を高速で回転させた場合、付加的利点 を与えることに注意すべきである。即ち、ウェーハの高速回転は、反応室内のガ ス分布の均−性及び活性物質の制御を向上する。このことは、典型的なＣＶＤ法 と比較して反応器効率の増大及び望ましくない場所（即ち、反応器壁）での膜付 着の減少を与える結果になる。
ブランケット蒸着ではなく、タングステンを選択的に蒸着させたい場合、温度及 び圧力の操作パラメーターを変化させた方か良いと考えられる。特に、タングス テン選択蒸着は、約２５０〜３００°Ｃのウェーハ温度及び約０．ｌトール〜ｌ Ｏトールの圧力で行うのが有利である。本発明の方法で実現された反応物転化率 の増大は、大気中にｔＪＦ出する前に排除しなければならない未反応の反応物の ポンプ系通過量を減少させることに注意すべきである。
本発明の方法は、パターン化ウェーハ基体の接点及びバイアの露出表面にタング ステン又は他の希望の膜を選択的に付着させるのに独特の利点を有する。回転円 盤法は、ウェーハ近辺のガスの流れの方向のために、選択性を達成するのに理想 的である。特に、慣用的反応器では、ウェー７１縁に隣接するサセプタ上へ膜が 付着し、ウェーハ上を越えて成長し、ウェー７１の平らな表面上の続く膜蒸着の ための核生成点として働く場合、膜蒸着選択性はウェーｔｚＪ二では失われると 考えられる。回転円盤法ては、ウェーハ表面ての流れの方向が径方向に外側へ向 いているため、この現象は極めて起きにくいと考えられる。従って、ウェー７１ 縁とサセプタ表面との間の界面では、ガスはウェーハから離れるように流れ、膜 がサセプタ上で成長し、ウェーハ上を越えて成長するのを困難にしている。更に 、回転円盤では、反応物ガスか露出サセプタ表面に達する時までに実質的な枯渇 が起きているので、サセプタ上に膜を付着させるのに利用できる反応物材料は少 なくなっている。
上で述へたように、本発明の方法は、半導体装置で有用な極めて多種類の膜をブ ランケット蒸着及び選択蒸着する両方を含むように考えられている。プランケッ トタングステン蒸着に関して特別な例を与えてきたが、そのような例は本発明の 範囲を何等限定するものではなく、その範囲は請求の範囲に規定されている通り である。パターン化ウェーハ基体の回転を使用することは、選択又はプランケラ １−蒸着のどちらかめられても、本方法の全ての適用に対して共通のものである から、回転円盤を利用する利点は本方法の全ての意図する用途で存在している。
このことは、回転ウェーハ法が独特の仕方でウェーハ表面へ反応物ガスを均一に 供給し、流体力学によりウェーハ表面から副生成物をフラッシュ（ｆｌｕｓｈ） 除去することができるため確かである。従って、反応物ガスの組成とは無関係に 、回転ウェーハ法は均一な境界層厚さを達成し、ガス相中の乱れを最小にする。
これらの因子は全て、ここに論じたように、本方法によって達成される有利な結 果に貢献するものである。
上の態様で記述した回転サセプタを用いて最適処理均一性を達成するために、膜 の均−性又は性質を犠牲にすることなく最高の付着速度及び反応物転化率を達成 するように、回転速度により予測される条件下でＣＶＤ法を実施すべきである。
ガスの全質量流蓋は、噴出口からサセプタ表面の方へ軸に沿って流れるガスのそ れと等しい質量流量によって均衡させる。軸方向の流量は、導入ガスの注入速度 によって与えられ、制御される。もし導入ガス流量が小さ過ぎるとサセプタは流 体不足になり、もし導入ガス流量が大き過ぎると、流体はサセプタ表面近くで蓄 積する。どちらの場合でも速度プロファイルは、サセプタ表面近くで均一な境界 層厚さを与えるのに適切な形ではなくなり、従って、回転の利点は充分実現され なくなる。与えられた温度、圧力、導入ガス組成、及びサセプタ回転速度で、唯 一つの導入ガス流量又は狭い範囲の導入ガス流量により最適操作が与えられる。
この流量は一般に、与えられた一組の条件について［均衡流量Ｊ　（ｍａｔｃｈ ｅｄ　ｆｌｏｗｒａｔｅ）と呼ばれている。それらは理論的に、又は実験により 夫々の方法及び反応器について決定することができ、好ましくは先ず理論的に決 定し、次に実験的にＳ認するか又は細かく調節する。タングステンのプランケッ ト及び選択ＣＶＤについて、導入ガス流量は、上で述べた温度、圧力、ガス組成 、及び回転速度に対し一般に０．５ｓｌｐｍ〜５．Ｏｓｌｐｍの範囲内に入るで あろう。例えば、ブランケットタングステン蒸着の場合、２．ｌｓｌｐｍの全流 量に対し０．１ｓｌｐｍのＷＦ、及び２．ＯｓｌｐｍのＨ８が、４２５℃、８０ トール及び７５０ｒｐｍの場合に好ましいことが判明している。選択タングステ ンＣＶＤの場合、３．０ｓｌｐｍの全流量に対し０．Ｉｓｌｐｍの５ｉＨａ、０ ．１５ｓｌｐｍのＷＦ−及び２．７５ｓｌｐｍのＨ３が、２８０℃、５トール及 び２５　Ｏｒ　ｐｍの場合に好ましいことが判明している。一般に、流量は、温 度、回転速度又は粘度が上昇すると、又は圧力が減少し、他のパラメーターが一 定に保たれている場合、増大しなければならない。
補正書の写しく翻訳文）提出書（特許法第１８４条の７１Ｒ１組’ｔデｉ譚乍庁 長宮　殿 １、特ｆｆ出１１１＋７）表示　ｒ’ｃＴ／Ｕ３９３１０５５１７３、特を出聞 人 氏名（名称）　マテイリアルズ　リサーチ　コーポレイション請求の範囲 １．パターン化ウェーハ基体上に化学蒸着によりブランケットタングステン膜を 蒸着する方法において、 ＣＶＤ反応室中でパターン化ウェーハ基体をその軸の周りに回転し、反応物ガス をＣＶＤ反応室中へ前記パターン化ウェーハ基体の方へ、前記パターン化ウェー ハ基体の回転面に対し一般に垂直な方向に導入し、然も、前記反応室を約ｌＯ〜 ２４０トールの範囲の圧力に維持し、前記パターン化ウェーハ基体を効果的な温 度に加熱し、それによって高品質膜をｎｉｚ記パターン化ウェつハ基体上に化学 蒸着により蒸着する、 ８８］二程からなる膜蒸着法。
２、パターン化ウェーハ基体を約４２５〜５２５°Ｃの範囲の温度に加熱する、 請求項１に記載の方法。
３、パターン化ウェーハ基体を約１００〜！５０Ｏｒｐｍの範囲の速度で回転す る、請求項２に記載の方法。
４、反応物ガスを約０．５〜５．０ｓｌｐｍの範囲の流量で反応室へ供給する、 請求項３に記載の方法。
５、パターン化ウェーハ基体上に化学蒸着により燐珪酸塩ガラス及び硼燐珪酸塩 ガラスからなる群から選ｔｒ＜　ｔ、た固溶体膜を蒸着する方法において、ＣＶ Ｄ反応室中でパターン化ウェーハ基体をその軸の周りに回転、し、反応物ガスを ＣＶＤ反応室中へ前記パターン化ウェーハ基体の方へ、前記パターン化ウェーハ 基体の回転面に対し一般に垂直な方向に導入し、然も、前記反応室を効果的な圧 力に維持し、前記パターン化ウェーハ基体を効果的な温度に加熱し、それによっ て燐珪酸塩ガラス及び硼燐珪酸塩ガラスからなる群から選択した高品質固溶体膜 を前記パターン化ウェーハ基体上に化学蒸着により蒸着する、諸工程からなる膜 蒸着法。
６　パターン化ウェーハ基体のパターン化領域上に化学蒸着により選択タングス テン膜を蒸着する方法において、 ＣＶＤ反応室中でパターン化ウェーハ基体をその軸の周りに回転し、反応物ガス をＣＶＤ反応室中へ前記パターン化ウェーハ基体の方へ、前記パターン化ウェー ハ基体の回転面に対し一般に垂直な方向に導入し、然も、前記反応室を約０．１ 〜ｌＯトールの範囲の圧力に維持し、前記パターン化ウェーハ基体を約２５０° Ｃ〜３００°Ｃの範囲の温度に加熱し、それによって高品質選択タングステン膜 を前記パターン化ウェーハ基体上に化学蒸着により蒸着する、諸工程からなる膜 蒸着法。
７、パターン化ウェーハ基体を約１００〜１５００ｒｐｒｎの範囲の速度で回転 する、請求項６に記載の方法。
８、反応物ガスを約０．５〜５．０ｓｌｐｍの範囲の流量で反応室へ供給する、 請求項７に記載の方法。
９、パターン化ウェーハ基体」二に化学蒸着によりプランケットタングステン膜 を蒸着する方法において、 ＣＶＤ反応室中でパターン化ウェーハ基体をその軸の周りに約１００〜１５００ ｒｐｍの範囲の速度で回転し、 反応物ガスをＣＶＤ反応室中へ前記パターン化ウェーハ基体の方へ、前記パター ン化ウェーハ基体の回転面に対し一般に垂直な方向に約０．５〜５．０ｓｌｐｍ の範囲の流量で導入し、然も、前記反応室を約ｌθ〜２４０トールの範囲の圧力 に維持し、前記パターン化ウェーハ基体を約４２５〜５２５°Ｃの範囲の温度に 加熱し、それによって高品質ブランケットタングステン膜を前記パターン化ウェ ーハ基体上に化学蒸着により蒸着する、諸工程からなる膜蒸着法。
１０、パターン化ウェーハ基体上に化学蒸着により選択タングステン膜を蒸着す る方法において、 ＣＶＤ反応室中でパターン化ウェーハ基体をその軸の周りに約１００〜１５００ ｒｐｍの範囲の速度で回転し、 反応物ガスをＣＶＤ反応室中へ前記パターン化ウェーハ基体の方へ、前記パター ン化ウェーハ基体の回転面に対し一般に垂直な方向に約０．　５〜５．０ｓ　］ 　ｐｍの範囲の流量で導入し、然も、前記反応室を約０．１−１０トールの範囲 の圧力に維持し、前記パターン化ウェーハ基体を約２５０〜３００°Ｃの範囲の 温度に加熱し、それによって高品質選択タングステン膜を前記パターン化ウェー ハ基体上に化学蒸着により蒸着する、 諸工程からなる膜蒸着法。
補正書の写しく翻訳文）提出書（曲法第１８４条）８）

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. １．パターン化ウェーハ基体上に化学蒸着により膜を蒸着する方法において、Ｃ ＶＤ反応室中でパターン化ウェーハ基体をその軸の周りに回転し、反応物ガスを ＣＶＤ反応室中へ前記パターン化ウェーハ基体の方へ、前記パターン化ウェーハ 基体の回転面に対し一般に垂直な方向に導入し、然も、前記反応室を効果的な圧 力に維持し、前記パターン化ウェーハ基体を効果的な温度に加熱し、それによっ て高品質膜を前記パターン化ウェーハ基体上に化学蒸着により蒸着する、 諸工程からなる膜蒸着法。
  2. ２．膜を、単体膜、化合物膜、合金膜、及び固溶体膜からなる群から選択する、 請求項１に記載の方法。
  3. ３．膜が、タングステン、銅、アルミニウム、珪素、及びチタンからなる群から 選択した単体膜である、請求項２に記載の方法。
  4. ４．膜が、窒化チタン、二珪化チタン、二珪化タングステン、二酸化珪素、及び 窒化珪素からなる群から選択した化合物膜である、請求項２に記載の方法。
  5. ５．膜が、アルミニウム／珪素合金、及びアルミニウム／銅／珪素合金からなる 群から選択した合金膜である、請求項２に記載の方法。
  6. ６．膜が、燐珪酸塩ガラス及び棚燐珪酸塩ガラスからなる群から選択した固溶体 膜である、請求項２に記載の方法。
  7. ７．単体膜がブランケットタングステン膜である、請求項３に記載の方法。
  8. ８．反応空中の圧力を約１０〜２４０トールの範囲に維持する、請求項７に記載 の方法。
  9. ９．パターン化ウェーハ基体を約４２５〜５２５℃の範囲の温度に加熱する、請 求項８に記載の方法。
  10. １０．パターン化ウェーハ基体を約１００〜１５００ｒｐｍの範囲の速度で回転 する、請求項９に記載の方法。
  11. １１．反応物ガスを約０．５〜５．０ｓｌｐｍの範囲の流量で反応室へ供給する 、請求項１０に記載の方法。
  12. １２．単体膜が、パターン化ウェーハ基体のパターン化領域に蒸着した選択タン グステン膜である、請求項３に記載の方法。
  13. １３．反応室中の圧力を約０．１〜１０トールの範囲に維持する、請求項１２に 記載の方法。
  14. １４．パターン化ウェーハ基体を約２５０℃〜３００℃の範囲の温度に加熱する 、請求項１３に記載の方法。
  15. １５．パターン化ウェーハ基体を約１００〜１５００ｒｐｍの範囲の速度で回転 する、請求項１４に記載の方法。
  16. １６．反応物ガスを約０．５〜５．Ｏｓｌｐｍの範囲の流量で反応室へ供給する 、請求項１５に記載の方法。
  17. １７．パターン化ウェーハ基体上に化学蒸着によりブランケットタングステン膜 を蒸着する方法において、 ＣＶＤ反応室中でパターン化ウェーハ基体をその軸の周りに約１００〜１５００ ｒｐｍの範囲の速度で回転し、 反応物ガスをＣＶＤ反応室中へ前記パターン化ウェーハ基体の方へ、前記パター ン化ウェーハ基体の回転面に対し一般に垂直な方向に約０．５〜５．０ｓｌｐｍ の範囲の流量で導入し、然も、前記反応室を約１０〜２４０トールの範囲の圧力 に維持し、前記パターン化ウェーハ基体を約４２５〜５２５℃の範囲の温度に加 熱し、それによって高品質ブランケットタングステン膜を前記パターン化ウェー ハ基体上に化学蒸着により蒸着する、諸工程からなる膜蒸着法。
  18. １８．パターン化ウェーハ基体上に化学蒸着により選択タングステン膜を蒸着す る方法において、 ＣＶＤ反応室中でパターン化ウェーハ基体をその軸の周りに約１００〜１５００ ｒｐｍの範囲の速度で回転し、 反応物ガスをＣＶＤ反応室中へ前記パターン化ウェーハ基体の方へ、前記パター ン化ウェーハ基体の回転面に対し一般に垂直な方向に約０．５〜５．０ｓｌｐｍ の範囲の流量で導入し、然も、前記反応室を約０．１〜１０トールの範囲の圧力 に維持し、前記パターン化ウェーハ基体を約２５０〜３００℃の範囲の温度に加 熱し、それによって高品質選択タングステン膜を前記パターン化ウェーハ基体上 に化学蒸着により蒸着する、 諸工程からなる膜蒸着法。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758036A (ja) * 1993-08-16 1995-03-03 Ebara Corp 薄膜形成装置
WO1995034092A1 (en) 1994-06-03 1995-12-14 Materials Research Corporation A method of nitridization of titanium thin films
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US5975912A (en) 1994-06-03 1999-11-02 Materials Research Corporation Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits
US5628829A (en) 1994-06-03 1997-05-13 Materials Research Corporation Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films
US5610106A (en) * 1995-03-10 1997-03-11 Sony Corporation Plasma enhanced chemical vapor deposition of titanium nitride using ammonia
US5567483A (en) * 1995-06-05 1996-10-22 Sony Corporation Process for plasma enhanced anneal of titanium nitride
US5811762A (en) * 1996-09-25 1998-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heater assembly with dual temperature control for use in PVD/CVD system
US5963836A (en) * 1996-12-03 1999-10-05 Genus, Inc. Methods for minimizing as-deposited stress in tungsten silicide films
US6335280B1 (en) * 1997-01-13 2002-01-01 Asm America, Inc. Tungsten silicide deposition process
US5989652A (en) * 1997-01-31 1999-11-23 Tokyo Electron Limited Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications
US5834371A (en) * 1997-01-31 1998-11-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for preparing and metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts to reduce the resistivity thereof
US6271121B1 (en) 1997-02-10 2001-08-07 Tokyo Electron Limited Process for chemical vapor deposition of tungsten onto a titanium nitride substrate surface
US5906866A (en) * 1997-02-10 1999-05-25 Tokyo Electron Limited Process for chemical vapor deposition of tungsten onto a titanium nitride substrate surface
US5926737A (en) * 1997-08-19 1999-07-20 Tokyo Electron Limited Use of TiCl4 etchback process during integrated CVD-Ti/TiN wafer processing
US6161500A (en) 1997-09-30 2000-12-19 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions
US5976990A (en) * 1998-01-09 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Method for optimization of thin film deposition
US6289842B1 (en) 1998-06-22 2001-09-18 Structured Materials Industries Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition system
US6302057B1 (en) 1998-09-15 2001-10-16 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for electrically isolating an electrode in a PECVD process chamber
US6245668B1 (en) * 1998-09-18 2001-06-12 International Business Machines Corporation Sputtered tungsten diffusion barrier for improved interconnect robustness
JP3069336B2 (ja) * 1998-12-04 2000-07-24 キヤノン販売株式会社 成膜装置
US6173673B1 (en) 1999-03-31 2001-01-16 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for insulating a high power RF electrode through which plasma discharge gases are injected into a processing chamber
JP2001060564A (ja) * 1999-08-23 2001-03-06 Nec Corp 半導体装置の製造方法
CN100358098C (zh) 2005-08-05 2007-12-26 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺件处理装置
US8859417B2 (en) 2013-01-03 2014-10-14 Globalfoundries Inc. Gate electrode(s) and contact structure(s), and methods of fabrication thereof

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4930319B1 (ja) * 1969-08-29 1974-08-12
US4794019A (en) * 1980-09-04 1988-12-27 Applied Materials, Inc. Refractory metal deposition process
JPS5772318A (en) * 1980-10-24 1982-05-06 Seiko Epson Corp Vapor growth method
US4565157A (en) * 1983-03-29 1986-01-21 Genus, Inc. Method and apparatus for deposition of tungsten silicides
US4851295A (en) * 1984-03-16 1989-07-25 Genus, Inc. Low resistivity tungsten silicon composite film
DE3675415D1 (de) * 1985-03-11 1990-12-13 Applied Materials Inc Herstellungsverfahren fuer borphosphorsilicatglas.
US4654509A (en) * 1985-10-07 1987-03-31 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
US4798165A (en) * 1985-10-07 1989-01-17 Epsilon Apparatus for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow
US4789771A (en) * 1985-10-07 1988-12-06 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
JPS632330A (ja) * 1986-06-23 1988-01-07 Fujitsu Ltd 化学気相成長方法
DE3751755T2 (de) * 1986-06-30 1997-04-03 Nihon Sinku Gijutsu K K Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden aus der Gasphase
US4772356A (en) * 1986-07-03 1988-09-20 Emcore, Inc. Gas treatment apparatus and method
US4800105A (en) * 1986-07-22 1989-01-24 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Method of forming a thin film by chemical vapor deposition
US4839145A (en) * 1986-08-27 1989-06-13 Massachusetts Institute Of Technology Chemical vapor deposition reactor
US4868003A (en) * 1986-11-26 1989-09-19 Optical Coating Laboratory, Inc. System and method for vacuum deposition of thin films
JPS63137158A (ja) * 1986-11-27 1988-06-09 Nissin Electric Co Ltd アルミ薄膜の作製方法
US4976996A (en) * 1987-02-17 1990-12-11 Lam Research Corporation Chemical vapor deposition reactor and method of use thereof
US4993355A (en) * 1987-03-31 1991-02-19 Epsilon Technology, Inc. Susceptor with temperature sensing device
US4821674A (en) * 1987-03-31 1989-04-18 Deboer Wiebe B Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
US4996942A (en) * 1987-03-31 1991-03-05 Epsilon Technology, Inc. Rotatable substrate supporting susceptor with temperature sensors
US4828224A (en) * 1987-10-15 1989-05-09 Epsilon Technology, Inc. Chemical vapor deposition system
US4846102A (en) * 1987-06-24 1989-07-11 Epsilon Technology, Inc. Reaction chambers for CVD systems
JPH02295116A (ja) * 1989-05-10 1990-12-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH0687463B2 (ja) * 1989-08-24 1994-11-02 株式会社東芝 半導体気相成長装置
JPH0394061A (ja) * 1989-09-07 1991-04-18 Nisshin Steel Co Ltd タングステンルツボの製造方法
US5068124A (en) * 1989-11-17 1991-11-26 International Business Machines Corporation Method for depositing high quality silicon dioxide by pecvd
US5106453A (en) * 1990-01-29 1992-04-21 At&T Bell Laboratories MOCVD method and apparatus
US5040046A (en) * 1990-10-09 1991-08-13 Micron Technology, Inc. Process for forming highly conformal dielectric coatings in the manufacture of integrated circuits and product produced thereby
JPH0613701A (ja) * 1992-06-25 1994-01-21 Fujitsu Ltd 半導体レーザの製造方法

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