JPH0751479B2 - 単結晶成長方法 - Google Patents
単結晶成長方法Info
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- JPH0751479B2 JPH0751479B2 JP1054000A JP5400089A JPH0751479B2 JP H0751479 B2 JPH0751479 B2 JP H0751479B2 JP 1054000 A JP1054000 A JP 1054000A JP 5400089 A JP5400089 A JP 5400089A JP H0751479 B2 JPH0751479 B2 JP H0751479B2
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- crystal
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はInP単結晶の育成技術に関し、特にイオウもし
くは亜鉛をドープしたInP単結晶を液体封止チョクラル
スキー法（以下、LEC法と称する）により製造する場合
に利用して効果のある技術に関する。
くは亜鉛をドープしたInP単結晶を液体封止チョクラル
スキー法（以下、LEC法と称する）により製造する場合
に利用して効果のある技術に関する。
［従来の技術］ InP単結晶の育成法の一つにLEC法がある。LEC法によりI
nP単結晶を育成する場合、温度勾配が小さいと、液体封
止剤の表面温度が高くなりすぎて結晶引上げ中に封止剤
上にさらされた単結晶の表面が分解し、はなはだしくは
溶解が始まり引上げができなくなる。そのため、LEC法
によるInP単結晶の育成では結晶軸方向の温度勾配を大
きくしなくてはならなかった。しかし、逆に温度勾配が
大きすぎると、結晶内の熱応力が大きくなり、EPD（転
位密度）が増加するという問題が生じる。
nP単結晶を育成する場合、温度勾配が小さいと、液体封
止剤の表面温度が高くなりすぎて結晶引上げ中に封止剤
上にさらされた単結晶の表面が分解し、はなはだしくは
溶解が始まり引上げができなくなる。そのため、LEC法
によるInP単結晶の育成では結晶軸方向の温度勾配を大
きくしなくてはならなかった。しかし、逆に温度勾配が
大きすぎると、結晶内の熱応力が大きくなり、EPD（転
位密度）が増加するという問題が生じる。
このように、従来のLEC法によるInP単結晶の育成におい
ては、温度勾配の制御で単結晶化と低EPD化の両方の要
求を同時に達成することができなかった。
ては、温度勾配の制御で単結晶化と低EPD化の両方の要
求を同時に達成することができなかった。
このうな問題点を解決するため、VM−FEC法や直接合成
法、蒸気圧制御法等様々な技術が提案されている（例え
ばば特開昭63−274690号）。
法、蒸気圧制御法等様々な技術が提案されている（例え
ばば特開昭63−274690号）。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来技術はいずれも実用化する上で問題を残してい
る。その理由は、VM−FEC法や直接合成法では単結晶化
率が低く歩留りが悪い。また蒸気圧制御法では、容器を
高圧にするため引上げ軸やるつぼ回転軸を封止剤で封止
するなどして容器を密密閉構造にしなくてはならないの
で、装置および作業が複雑になり、はなはだしくは育成
ごとに密閉容器の一部を破壊しければならなくなるから
である。
る。その理由は、VM−FEC法や直接合成法では単結晶化
率が低く歩留りが悪い。また蒸気圧制御法では、容器を
高圧にするため引上げ軸やるつぼ回転軸を封止剤で封止
するなどして容器を密密閉構造にしなくてはならないの
で、装置および作業が複雑になり、はなはだしくは育成
ごとに密閉容器の一部を破壊しければならなくなるから
である。
さらに、イオウや亜鉛を含むInP単結晶では、不純物硬
化作用を利用して、転位密度を低くすることが可能であ
る。しかし、直径２インチのInP単結晶において平均EPD
を500cm-2以下とするには、キャリア濃度が６〜７×10
19cm-3以上になるまでドーパント（不純物）を注入しな
ければならない。このようにキャリア濃度の高い単結晶
にあっては、デバイスを製造する際に基板上にエピタキ
シャル成長を行なうと、結晶中のドーパントがエピタキ
シャル層中に拡散して抵抗率が変化してしまうという問
題を生じる。
化作用を利用して、転位密度を低くすることが可能であ
る。しかし、直径２インチのInP単結晶において平均EPD
を500cm-2以下とするには、キャリア濃度が６〜７×10
19cm-3以上になるまでドーパント（不純物）を注入しな
ければならない。このようにキャリア濃度の高い単結晶
にあっては、デバイスを製造する際に基板上にエピタキ
シャル成長を行なうと、結晶中のドーパントがエピタキ
シャル層中に拡散して抵抗率が変化してしまうという問
題を生じる。
この発明は、上記のような問題点を解決すべくなされた
もので、その目的とするところは、比較的簡単な装置を
用いて、しかも装置の一部を破壊したり、ドーパント量
を増加させることなく、転位密度が低くかつ単結晶化率
の高いＳまたはZn含有InP単結晶を工業的に製造できる
ような結晶製造技術を提供することにある。
もので、その目的とするところは、比較的簡単な装置を
用いて、しかも装置の一部を破壊したり、ドーパント量
を増加させることなく、転位密度が低くかつ単結晶化率
の高いＳまたはZn含有InP単結晶を工業的に製造できる
ような結晶製造技術を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ この発明は、上記目的を達成するため、LEC法によりイ
オウもしくは亜鉛を含むInP単結晶を育成するにあた
り、上記るつぼの周囲を、少なくとも結晶引上げ軸が貫
通する部位に上記引上げ軸と嵌合する円筒部が形成され
てなる半密閉型容器で覆うとともに、上記円筒部と引上
げ軸との隙間断面積Ａと円筒部の長さＬとの比A/Lを0.0
6cm以下に設定し、上記半密閉型容器には、引上げ軸の
隙間から流出する揮発性元素の蒸気の減少分を補給する
蒸気補給手段を接続し、該蒸気補給手段によって上記半
密閉型容器内に0.01atm以上4atm以下のリン蒸気圧を加
え、かつ液体封止剤の鉛直方向温度勾配を50℃/cm以上9
0℃/cm以下に制御して結晶の引上げを行なうようにし
た。
オウもしくは亜鉛を含むInP単結晶を育成するにあた
り、上記るつぼの周囲を、少なくとも結晶引上げ軸が貫
通する部位に上記引上げ軸と嵌合する円筒部が形成され
てなる半密閉型容器で覆うとともに、上記円筒部と引上
げ軸との隙間断面積Ａと円筒部の長さＬとの比A/Lを0.0
6cm以下に設定し、上記半密閉型容器には、引上げ軸の
隙間から流出する揮発性元素の蒸気の減少分を補給する
蒸気補給手段を接続し、該蒸気補給手段によって上記半
密閉型容器内に0.01atm以上4atm以下のリン蒸気圧を加
え、かつ液体封止剤の鉛直方向温度勾配を50℃/cm以上9
0℃/cm以下に制御して結晶の引上げを行なうようにし
た。
なお、ここで、温度勾配とは融液界面と封止剤表面の温
度差を封止剤の厚さで除した値である。
度差を封止剤の厚さで除した値である。
［作用］ 上記した手段によれば、半密閉容器内に印加されたリン
蒸気圧によって封止剤上にさらされた単結晶の表面から
蒸気圧の高いリンが蒸発するのを防止できるとともに、
温度勾配が低すぎないため単結晶の表面の溶解や双晶の
発生を防止でき、かつ温度勾配が高すぎないため転位の
増殖を抑えることができるので、転位密度が低くかつ単
結晶化率の高いＳまたはZn含有InP単結晶を製造するこ
とができる。
蒸気圧によって封止剤上にさらされた単結晶の表面から
蒸気圧の高いリンが蒸発するのを防止できるとともに、
温度勾配が低すぎないため単結晶の表面の溶解や双晶の
発生を防止でき、かつ温度勾配が高すぎないため転位の
増殖を抑えることができるので、転位密度が低くかつ単
結晶化率の高いＳまたはZn含有InP単結晶を製造するこ
とができる。
しかも、リン蒸気圧を4atm以下としたので引上げ軸が貫
通する部位に引上げ軸と嵌合する円筒部を有する構造簡
単でかつ破壊せずに取外し可能な半密閉型容器を用いて
InP単結晶を育成できるようになり、工業的に実用化す
ることが容易となる。
通する部位に引上げ軸と嵌合する円筒部を有する構造簡
単でかつ破壊せずに取外し可能な半密閉型容器を用いて
InP単結晶を育成できるようになり、工業的に実用化す
ることが容易となる。
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
［実施例］ 第１図は本発明方法を実施する際に使用される単結晶成
長装置の一実施例を示す。
長装置の一実施例を示す。
第１図において、１は不活性ガスもしくは窒素ガスによ
って加圧される高圧容器、２は高圧容器１の中央に配置
され、回転軸３によって支持されたるつぼで、このるつ
ぼ２内に原料（InP多結晶塊）とB2O3のような封止剤４
が収納される。また、高圧容器１の上方からは、るつぼ
２内に向かって引上げ軸５が回転可能かつ上下動可能に
垂下されている。
って加圧される高圧容器、２は高圧容器１の中央に配置
され、回転軸３によって支持されたるつぼで、このるつ
ぼ２内に原料（InP多結晶塊）とB2O3のような封止剤４
が収納される。また、高圧容器１の上方からは、るつぼ
２内に向かって引上げ軸５が回転可能かつ上下動可能に
垂下されている。
この実施例では、上記るつぼ２の周囲にカバー部材６が
設けられ、その外側に加熱用ヒータ７が配置されてい
る。カバー部材６の底壁には、るつぼを支持する回転軸
３と嵌合する円筒部6aが形成されている。また、カバー
部材６の上部には、覆い部材８が取り付けられ、カバー
部材６と覆い部材８とにより半密閉型容器が構成されて
いる。そして、上記覆い部材８の周囲には保温用ヒータ
が配置され、覆い部材８の上端には、上記引上げ軸５と
嵌合する円筒部8aが形成されている。
設けられ、その外側に加熱用ヒータ７が配置されてい
る。カバー部材６の底壁には、るつぼを支持する回転軸
３と嵌合する円筒部6aが形成されている。また、カバー
部材６の上部には、覆い部材８が取り付けられ、カバー
部材６と覆い部材８とにより半密閉型容器が構成されて
いる。そして、上記覆い部材８の周囲には保温用ヒータ
が配置され、覆い部材８の上端には、上記引上げ軸５と
嵌合する円筒部8aが形成されている。
この実施例では、上記円筒部8aと引上げ軸５との隙間お
よび回転軸３と円筒部6aとの隙間が、その隙間の断面積
Ａと円筒部6a,8aの長さＬとの比A/Lが各々0.06cm以下と
なるように設計してある。
よび回転軸３と円筒部6aとの隙間が、その隙間の断面積
Ａと円筒部6a,8aの長さＬとの比A/Lが各々0.06cm以下と
なるように設計してある。
さらに、この実施例の装置では、カバー部材６の底壁の
一部から下方に向かって下端が閉塞された導管6bが延設
されており、導管6bの下部周囲には補助ヒータ10が配置
されている。この導管6b内にヒ素のような揮発性元素を
入れ、補助ヒータ10により加熱することによって、その
蒸気を適宜量だけカバー部材６と覆い部材８とで位まれ
た結晶成長雰囲気となる空間内に供給できるようにされ
ている。つまり、導管6bの一部と補助ヒータ10とによ
り、蒸気補給手段としてのリザーバが構成されている。
一部から下方に向かって下端が閉塞された導管6bが延設
されており、導管6bの下部周囲には補助ヒータ10が配置
されている。この導管6b内にヒ素のような揮発性元素を
入れ、補助ヒータ10により加熱することによって、その
蒸気を適宜量だけカバー部材６と覆い部材８とで位まれ
た結晶成長雰囲気となる空間内に供給できるようにされ
ている。つまり、導管6bの一部と補助ヒータ10とによ
り、蒸気補給手段としてのリザーバが構成されている。
このリザーバを構成するヒータ10の温度を調節すること
により、引上げ軸５と回転軸３の隙間から流出するリン
の蒸気量に見合った量の蒸気を発生させて補うことがで
きる。これにより、るつぼ２の周囲のリン蒸気圧を、長
時間（＋数時間）の結晶育成中ずっと一定に保つことが
できる。
により、引上げ軸５と回転軸３の隙間から流出するリン
の蒸気量に見合った量の蒸気を発生させて補うことがで
きる。これにより、るつぼ２の周囲のリン蒸気圧を、長
時間（＋数時間）の結晶育成中ずっと一定に保つことが
できる。
このように、リンの蒸気圧が一定に保たれると、るつぼ
内の原料融液16および成長結晶体17の表面からのリンの
揮散を極力防止することができる。また、本実施例の装
置は構造が簡単であるとともに、２重融液シール法で問
題となっていた軸と容器との密着が回避され、装置を繰
り返し使用できるようになり、生産性が飛躍的に向上す
るとともに、融液シール部からのシール材料の滴下によ
る汚染が防止され、高品質の単結晶を再現性良く製造す
ることができる。
内の原料融液16および成長結晶体17の表面からのリンの
揮散を極力防止することができる。また、本実施例の装
置は構造が簡単であるとともに、２重融液シール法で問
題となっていた軸と容器との密着が回避され、装置を繰
り返し使用できるようになり、生産性が飛躍的に向上す
るとともに、融液シール部からのシール材料の滴下によ
る汚染が防止され、高品質の単結晶を再現性良く製造す
ることができる。
次に、第１図に示す単結晶引上げ装置を用いて、実際に
InP単結晶の成長を行なった際の手順について説明す
る。
InP単結晶の成長を行なった際の手順について説明す
る。
先ず、原料としてHB法によって合成したInP多結晶2300g
を、また添加剤としてIn2S30.8gをるつぼ内に仕込み、
その上に封止剤としてB2C3を700g入れた。使用したるつ
ぼは石英ガラス製で、内径が６インチの大きさである。
また、B2O3中の温度勾配を75℃/cmとするとともに、高
圧容器１内は40atmのN2ガスで満たし、リザーバーによ
り補給するリンの蒸気圧は0.1atmとした。そして、引上
げ軸５を10rpmの速度で、また、るつぼ２の回転軸３を3
0rpmの速度で引上げ軸と逆方向に回転させながら、10mm
/hrの速さで引上げ軸５を上昇させ、およそ12時間かけ
て結晶の成長を行なった。
を、また添加剤としてIn2S30.8gをるつぼ内に仕込み、
その上に封止剤としてB2C3を700g入れた。使用したるつ
ぼは石英ガラス製で、内径が６インチの大きさである。
また、B2O3中の温度勾配を75℃/cmとするとともに、高
圧容器１内は40atmのN2ガスで満たし、リザーバーによ
り補給するリンの蒸気圧は0.1atmとした。そして、引上
げ軸５を10rpmの速度で、また、るつぼ２の回転軸３を3
0rpmの速度で引上げ軸と逆方向に回転させながら、10mm
/hrの速さで引上げ軸５を上昇させ、およそ12時間かけ
て結晶の成長を行なった。
その結果、直胴部の直径60mm、長さ150mm、重量約2.0kg
のInp単結晶が得られた。結晶の表面は金属光沢を呈
し、リンの分解のないことを示していた。容器を半密閉
とせず開放系とし、蒸気圧を制御しないで育成した結晶
は表面分解が大きく、成長方向に垂直に切断してウェー
ハを切り出すと周辺部に分解に起因するInのドロップレ
ットがみられたが、上記実施例の蒸気圧制御を行なって
育成した結晶ではInドロップレットの発生はなかった。
のInp単結晶が得られた。結晶の表面は金属光沢を呈
し、リンの分解のないことを示していた。容器を半密閉
とせず開放系とし、蒸気圧を制御しないで育成した結晶
は表面分解が大きく、成長方向に垂直に切断してウェー
ハを切り出すと周辺部に分解に起因するInのドロップレ
ットがみられたが、上記実施例の蒸気圧制御を行なって
育成した結晶ではInドロップレットの発生はなかった。
上記のようにして得られたＳドープInP結晶を引上げ軸
と直交する方向に切断し、キャリア濃度、転位密度を測
定した。
と直交する方向に切断し、キャリア濃度、転位密度を測
定した。
第２図はそのEPDとキャリア濃度の関係を示し、比較の
ために従来のLEC法によって引上げた結晶の結果も併記
した。同図において、◆印は温度勾配を120〜150℃/cm
とした従来の一般的なLEC法により育成したInP単結晶に
ついて測定されたEPD値をプロットとしたもの、また□
印は本発明方法を適用して得られたInP単結晶について
測定されたEPD値をプロットしたものである。第２図か
らわかるように従来よりも低いキャリア濃度でも低EPD
化されていることがわかる。
ために従来のLEC法によって引上げた結晶の結果も併記
した。同図において、◆印は温度勾配を120〜150℃/cm
とした従来の一般的なLEC法により育成したInP単結晶に
ついて測定されたEPD値をプロットとしたもの、また□
印は本発明方法を適用して得られたInP単結晶について
測定されたEPD値をプロットしたものである。第２図か
らわかるように従来よりも低いキャリア濃度でも低EPD
化されていることがわかる。
第３図はキャリア濃度6.0×1019cm-3におけるEPD分布を
示したものである。このうち同図（Ａ）は従来のLEC法
により育成された結晶に関するもの、また同図（Ｂ）は
本実施例により育成された結晶に関するものである。同
図において、□は一辺5mmの正方形領域内における平均E
PD値が500cm-2以下の領域、 は同じくEPD値が500〜5000cm-2以下の領域、 はEPD値が5000cm-2を超える領域であることをそれぞれ
示している。同図より本実施例では転位密度500/cm2以
下の無転位領域が40mmφ以上あるが、従来法では20mmφ
程度であることがわかる。
示したものである。このうち同図（Ａ）は従来のLEC法
により育成された結晶に関するもの、また同図（Ｂ）は
本実施例により育成された結晶に関するものである。同
図において、□は一辺5mmの正方形領域内における平均E
PD値が500cm-2以下の領域、 は同じくEPD値が500〜5000cm-2以下の領域、 はEPD値が5000cm-2を超える領域であることをそれぞれ
示している。同図より本実施例では転位密度500/cm2以
下の無転位領域が40mmφ以上あるが、従来法では20mmφ
程度であることがわかる。
なお、上記実施例では封止剤中の温度勾配を75℃/cmと
したが、これに限定されたものではない。ただし、温度
勾配を90℃/cm以上とすると無転位領域が狭くなり、50
℃/cm以下とすると双晶が発生し易くなるので、50〜90
℃/cmの範囲が妥当である。
したが、これに限定されたものではない。ただし、温度
勾配を90℃/cm以上とすると無転位領域が狭くなり、50
℃/cm以下とすると双晶が発生し易くなるので、50〜90
℃/cmの範囲が妥当である。
また、上記実施例ではイオウをドープしたInP単結晶の
製造を説明したが亜鉛を含むInP単結晶の製造にも適用
でき、同様の効果が得られる。
製造を説明したが亜鉛を含むInP単結晶の製造にも適用
でき、同様の効果が得られる。
［発明の効果］ 以上説明したごとくこの発明は、イオウもしくは亜鉛を
含むInP単結晶を育成するにあたり、少なくとも結晶引
上げ軸が貫通する部位に上記引上げ軸と嵌合する円筒部
が形成されてなる半密閉型容器でるつぼの周囲を覆うと
ともに、上記円筒部と引上げ軸との隙間断面積Ａと円筒
部の長さＬとの比A/Lを0.06cm以下に設定し、上記半密
閉容器には、引上げ軸の隙間から流出する揮発性元素の
蒸気の減少分を補給する蒸気補給手段を接続し、該蒸気
補給手段によって上記半密閉型容器内に0.01atm以上4at
m以下のリン蒸気圧を加え、かつ液体封止剤の鉛直方向
温度勾配を50℃/cm以上90℃/cm以下に制御して結晶の引
上げを行なうようにしたので、半密閉容器内に印加され
たリン蒸気圧によって封止剤上にさらされた単結晶の表
面からリンが蒸発するのを防止できるとともに、温度勾
配が低すぎないため単結晶の表面の溶解や双晶の発生を
防止でき、かつ温度勾配が高すぎないため転位の増殖を
抑えることができるので、転位密度が低くかつ単結晶化
率の高いＳまたはZn含有InP単結晶を製造することがで
きる。
含むInP単結晶を育成するにあたり、少なくとも結晶引
上げ軸が貫通する部位に上記引上げ軸と嵌合する円筒部
が形成されてなる半密閉型容器でるつぼの周囲を覆うと
ともに、上記円筒部と引上げ軸との隙間断面積Ａと円筒
部の長さＬとの比A/Lを0.06cm以下に設定し、上記半密
閉容器には、引上げ軸の隙間から流出する揮発性元素の
蒸気の減少分を補給する蒸気補給手段を接続し、該蒸気
補給手段によって上記半密閉型容器内に0.01atm以上4at
m以下のリン蒸気圧を加え、かつ液体封止剤の鉛直方向
温度勾配を50℃/cm以上90℃/cm以下に制御して結晶の引
上げを行なうようにしたので、半密閉容器内に印加され
たリン蒸気圧によって封止剤上にさらされた単結晶の表
面からリンが蒸発するのを防止できるとともに、温度勾
配が低すぎないため単結晶の表面の溶解や双晶の発生を
防止でき、かつ温度勾配が高すぎないため転位の増殖を
抑えることができるので、転位密度が低くかつ単結晶化
率の高いＳまたはZn含有InP単結晶を製造することがで
きる。
しかも、リン蒸気圧を4atm以下としたので引上げ軸が貫
通する部位に引上げ軸と嵌合する円筒部を有する構造が
簡単でかつ破壊せずに取外し可能な半密閉型容器を用い
てInP単結晶を育成できるようになり、工業的に実用化
することが容易となるという効果がある。
通する部位に引上げ軸と嵌合する円筒部を有する構造が
簡単でかつ破壊せずに取外し可能な半密閉型容器を用い
てInP単結晶を育成できるようになり、工業的に実用化
することが容易となるという効果がある。
なお、上記実施例ではるつぼを支持する回転軸３と引上
げ軸５の両方の軸のまわりに、隙間断面積Ａと長さＬの
比A/Lが所定値以下となる円筒部6a,8aを設けているが、
少なくとも引上げ軸５についてそのような構造としてお
けば容器を開閉できるので、回転軸３に関してはB2O3の
ような封止剤で封止する構造とすることも可能であり、
実用上何ら差し支えない。
げ軸５の両方の軸のまわりに、隙間断面積Ａと長さＬの
比A/Lが所定値以下となる円筒部6a,8aを設けているが、
少なくとも引上げ軸５についてそのような構造としてお
けば容器を開閉できるので、回転軸３に関してはB2O3の
ような封止剤で封止する構造とすることも可能であり、
実用上何ら差し支えない。
第１図は、本発明方法に使用される単結晶成長装置の一
実施例を示す断面図、 第２図は本発明方法と従来法によりそれぞれ育成された
結晶の転位密度とキャリア濃度との関係を示すグラフ、 第３図（Ａ），（Ｂ）は、従来法と本発明方法によりそ
れぞれ育成された結晶のウェーハ面内での転位密度分布
を示すEPDマップである。 １……高圧容器、２……るつぼ、３……回転軸、５……
引上げ軸、6,8……半密閉型容器、７……ヒータ、6a,8a
……円筒部、6b,10……蒸気補給手段（リザーバ）。
実施例を示す断面図、 第２図は本発明方法と従来法によりそれぞれ育成された
結晶の転位密度とキャリア濃度との関係を示すグラフ、 第３図（Ａ），（Ｂ）は、従来法と本発明方法によりそ
れぞれ育成された結晶のウェーハ面内での転位密度分布
を示すEPDマップである。 １……高圧容器、２……るつぼ、３……回転軸、５……
引上げ軸、6,8……半密閉型容器、７……ヒータ、6a,8a
……円筒部、6b,10……蒸気補給手段（リザーバ）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田 修 埼玉県戸田市新曽南３丁目17番35号 日本 鉱業株式会社電子材料・部品研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−11299（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】るつぼ内に原料と添加物および封止剤を入
れてヒータにより加熱、融解させ、原料融液表面を液体
封止剤で覆った状態で種結晶を接触させてこれを徐々に
引き上げることによりイオウもしくは亜鉛を含むInP単
結晶を育成するにあたり、上記るつぼの周囲を、少なく
とも結晶引上げ軸が貫通する部位に上記引上げ軸と嵌合
する円筒部が形成されてなる半密閉型容器で覆うととも
に、上記円筒部と引上げ軸との隙間断面積Ａと円筒部の
長さＬとの比A/Lを0.06cm以下に設定し、上記半密閉型
容器には、引上げ軸の隙間から流出する揮発性元素の蒸
気の減少分を補給する蒸気補給手段を接続し、該蒸気補
給手段によって上記半密閉型容器内に0.01atm以上4atm
以下のリン蒸気圧を加え、かつ液体封止剤の鉛直方向温
度勾配を50℃/cm以上90℃/cm以下に制御して結晶の引上
げを行なうことを特徴とする単結晶成長方法。 - 【請求項２】上記蒸気補給手段を上記半密閉型容器の下
部に接続された有底円筒状の導管とその周囲に設けられ
たヒータとにより構成し、該ヒータの温度を調節するこ
とにより上記引上げ軸の隙間から流出する揮発性元素の
蒸気の量に見合った量のリン蒸気を補給するようにした
ことを特徴とする請求項１に記載の単結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1054000A JPH0751479B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 単結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1054000A JPH0751479B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 単結晶成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02233588A JPH02233588A (ja) | 1990-09-17 |
| JPH0751479B2 true JPH0751479B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=12958333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1054000A Expired - Lifetime JPH0751479B2 (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | 単結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0751479B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014156596A1 (ja) | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 化合物半導体ウエハ、光電変換素子、およびｉｉｉ－ｖ族化合物半導体単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-03-06 JP JP1054000A patent/JPH0751479B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02233588A (ja) | 1990-09-17 |
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