JPH075226A - モニタード・バーイン装置 - Google Patents
モニタード・バーイン装置Info
- Publication number
- JPH075226A JPH075226A JP3022526A JP2252691A JPH075226A JP H075226 A JPH075226 A JP H075226A JP 3022526 A JP3022526 A JP 3022526A JP 2252691 A JP2252691 A JP 2252691A JP H075226 A JPH075226 A JP H075226A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2868—Complete testing stations; systems; procedures; software aspects
- G01R31/287—Procedures; Software aspects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】被エージングＩＣ集合体１の各ＩＣの動作状態
を監視するモニター部３ａから出力される不良発生数を
所定の経過時間毎に累積不良数を計数する累積不良数計
数部１と、この累積不良数計数部１からの順次送られる
経過時間における累積不良率を算出するとともに経過時
間より前の経過時間に対する累積不良率の増加率を出力
する累積不良率算出部５と、設定される累積不良率の増
加率と累積不良率算出部５からの増加率とを比較して駆
動部２の電源の供給及び動作信号の発生を停止してい
る。 【効果】あらかじめ設定時間を決めるＩＣのデータを必
要とすることなくエージング時間を自動的に設定出来
る。
を監視するモニター部３ａから出力される不良発生数を
所定の経過時間毎に累積不良数を計数する累積不良数計
数部１と、この累積不良数計数部１からの順次送られる
経過時間における累積不良率を算出するとともに経過時
間より前の経過時間に対する累積不良率の増加率を出力
する累積不良率算出部５と、設定される累積不良率の増
加率と累積不良率算出部５からの増加率とを比較して駆
動部２の電源の供給及び動作信号の発生を停止してい
る。 【効果】あらかじめ設定時間を決めるＩＣのデータを必
要とすることなくエージング時間を自動的に設定出来
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣの加速試験を行な
うバーイン装置に関し、特にバーン・イン中にＩＣの動
作状態が観察できるモニターを備えるモニタード・バー
イン装置に関する。
うバーイン装置に関し、特にバーン・イン中にＩＣの動
作状態が観察できるモニターを備えるモニタード・バー
イン装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＩＣの製造は、まず、半導体基板
であるウェーハを拡散し、配線を形成してからダイシン
グを行ない半導体チップにする。そして、この半導体チ
ップをリードフレームに搭載してから樹脂封止してＩＣ
として形成している。また、この製造後のＩＣの製品検
査には、一定温度環境下で一定時間ＩＣを通電し、初期
故障を加速促進させ早期に不良を発見し、選別する装置
としてバーイン装置がある。
であるウェーハを拡散し、配線を形成してからダイシン
グを行ない半導体チップにする。そして、この半導体チ
ップをリードフレームに搭載してから樹脂封止してＩＣ
として形成している。また、この製造後のＩＣの製品検
査には、一定温度環境下で一定時間ＩＣを通電し、初期
故障を加速促進させ早期に不良を発見し、選別する装置
としてバーイン装置がある。
【０００３】また、このバーイン装置には、エージング
中にＩＣの動作状態を監視するモニターをもつモニター
ド・バーイン装置がある。このモニタード・バーイン装
置は、モニター装置が具備されているのでエージング中
に、ＩＣに正しく通電及び動作駆動用お信号が伝えらて
いるか否かを判定することが容易で、ひいてはエージン
グプロセスの信頼性を高める装置であるとの評価があ
り、今後、広く普及するものと期待がもたれている。
中にＩＣの動作状態を監視するモニターをもつモニター
ド・バーイン装置がある。このモニタード・バーイン装
置は、モニター装置が具備されているのでエージング中
に、ＩＣに正しく通電及び動作駆動用お信号が伝えらて
いるか否かを判定することが容易で、ひいてはエージン
グプロセスの信頼性を高める装置であるとの評価があ
り、今後、広く普及するものと期待がもたれている。
【０００４】図３は従来の一例を示すモニタード・バー
イン装置のブロック図、図４はＩＣを試験したときのエ
ージング時間と累積不良率を示すグラフである。従来、
この種のモニタード・バーイン装置は、例えば、図３に
示すように、ＩＣを複数個取付ける被エージングＩＣ集
合体１と、被エージングＩＣを一定の温度環境下に保つ
温度制御部をもつとともに被エージングＩＣに動作電流
及び動作駆動入力信号を供給する駆動部２と、被エージ
ングＩＣの動作状態を監視するモニター部３とを有して
いる。また、図面には示していないが、被エージングＩ
Ｃ集合体１を包合する恒温槽や、試験条件等を入力する
設定操作部がある。
イン装置のブロック図、図４はＩＣを試験したときのエ
ージング時間と累積不良率を示すグラフである。従来、
この種のモニタード・バーイン装置は、例えば、図３に
示すように、ＩＣを複数個取付ける被エージングＩＣ集
合体１と、被エージングＩＣを一定の温度環境下に保つ
温度制御部をもつとともに被エージングＩＣに動作電流
及び動作駆動入力信号を供給する駆動部２と、被エージ
ングＩＣの動作状態を監視するモニター部３とを有して
いる。また、図面には示していないが、被エージングＩ
Ｃ集合体１を包合する恒温槽や、試験条件等を入力する
設定操作部がある。
【０００５】一方、このエージング時間を設定するに
は、図４に示すように、あらかじめ、エージング時間と
被エージングＩＣの不良が発生する累積不良率との相関
を求め、累積不良率がλで飽和したときのエージング時
間ｔｎを求め、エージンング時間を設定し、被エージン
グＩＣ集合体１にＩＣを取付け、この設定されたエージ
ング時間でＩＣを試験していた。
は、図４に示すように、あらかじめ、エージング時間と
被エージングＩＣの不良が発生する累積不良率との相関
を求め、累積不良率がλで飽和したときのエージング時
間ｔｎを求め、エージンング時間を設定し、被エージン
グＩＣ集合体１にＩＣを取付け、この設定されたエージ
ング時間でＩＣを試験していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たモニタード・バーイン装置では、そのエージング時間
を設定するのに、ＩＣの種類ごとに設定時間を決めるデ
ータを採集する必要があり、多くの時間と労力を浪費す
るという欠点がある。また、同じ種類のＩＣでも、製造
プロセスの変動によるＩＣの出来ばえのばらつきに対し
ては非力で、品質保証上万全な手段とは言い難い。
たモニタード・バーイン装置では、そのエージング時間
を設定するのに、ＩＣの種類ごとに設定時間を決めるデ
ータを採集する必要があり、多くの時間と労力を浪費す
るという欠点がある。また、同じ種類のＩＣでも、製造
プロセスの変動によるＩＣの出来ばえのばらつきに対し
ては非力で、品質保証上万全な手段とは言い難い。
【０００７】本発明の目的は、かかる問題を解消すべく
エージング時間を設定すべき改善する手段をもつ合理的
なモニタード・バーイン装置を提供することである。
エージング時間を設定すべき改善する手段をもつ合理的
なモニタード・バーイン装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のモニタード・バ
ーイン装置は、複数のＩＣをエージングをし、ＩＣの良
否を判定するモニタード・バーイン装置において、エー
ジングの所定の経過時間に伴ない前記１Ｃの累積不良数
を計数する累積不良数計数部と、この累積不良数計数部
からの順次送られる前記経過時間における累積不良率を
算出するとともに前記経過時間より前の経過時間に対す
る累積不良率の増加率を出力する累積不良率算出部とを
備え、この累積不良率算出部からの前記累積不良率の増
加率が所定の増加率を含め、より小さい値のときエージ
ングを終了することを特徴としている。
ーイン装置は、複数のＩＣをエージングをし、ＩＣの良
否を判定するモニタード・バーイン装置において、エー
ジングの所定の経過時間に伴ない前記１Ｃの累積不良数
を計数する累積不良数計数部と、この累積不良数計数部
からの順次送られる前記経過時間における累積不良率を
算出するとともに前記経過時間より前の経過時間に対す
る累積不良率の増加率を出力する累積不良率算出部とを
備え、この累積不良率算出部からの前記累積不良率の増
加率が所定の増加率を含め、より小さい値のときエージ
ングを終了することを特徴としている。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１は本発明のー実施例を示すモニタード
・バーイン装置のブロック図、図２は図１のモニタード
・バーイン装置の動作を説明するための累積不良率とエ
ージング時間とを示すグラフである。このモニタード・
バーイン装置は、図１に示すように、被エージングＩＣ
集合体１の各ＩＣの動作状態を監視するモニター部３ａ
から出力される不良発生信号を所定の経過時間毎に１Ｃ
の累積不良数を計数する累積不良数計数部１と、この累
積不良数計数部１からの順次送られる経過時間における
累積不良率を算出するとともに経過時間より前の経過時
間に対する累積不良率の増加率を出力する累積不良率算
出部５と、設定される累積不良率の増加率と累積不良率
算出部５からの増加率とを比較して、駆動部２の電源の
供給及び動作信号の発生を停止する信号を出力する比較
制御部６とを設けたことである。それ以外は従来例と同
じである。
・バーイン装置のブロック図、図２は図１のモニタード
・バーイン装置の動作を説明するための累積不良率とエ
ージング時間とを示すグラフである。このモニタード・
バーイン装置は、図１に示すように、被エージングＩＣ
集合体１の各ＩＣの動作状態を監視するモニター部３ａ
から出力される不良発生信号を所定の経過時間毎に１Ｃ
の累積不良数を計数する累積不良数計数部１と、この累
積不良数計数部１からの順次送られる経過時間における
累積不良率を算出するとともに経過時間より前の経過時
間に対する累積不良率の増加率を出力する累積不良率算
出部５と、設定される累積不良率の増加率と累積不良率
算出部５からの増加率とを比較して、駆動部２の電源の
供給及び動作信号の発生を停止する信号を出力する比較
制御部６とを設けたことである。それ以外は従来例と同
じである。
【００１１】次に、このモニタード・バーイン装置の動
作を説明する。まず、被エージング集合体１にＩＣを取
り付ける。次に、駆動部２を動作させ、各ＩＣに動作信
号を供給するとともに恒温槽にも、必要な電流を供給す
る。これと同時にモニター部３ａは各ＩＣの動作状況を
監視する。そして、モニター部３ａが動作不良を起した
ＩＣが発生する毎に信号を発生し、累積不良数計数部４
に信号を送る。累積不良数計数部４は送られる信号数を
所定時間だけ累計する。次に、図２に示すように、累計
不良率算出部５は、順次に、ｔｎ−１時間及びｔｎの時
間における累計不良数より累積不良率λｎ−１及びλｎ
を演算し、不良数増加率Δλを算出する。次に、比較制
御部６は、不良数増加率Δλをデジタル信号として入力
し、規定の不良週増加率と比較し、不良数増加率Δλが
規定の不良数増加率と同じかあるいは小さいとき駆動部
に信号を送り、駆動部２の電源供給及び動作信号を停止
する。
作を説明する。まず、被エージング集合体１にＩＣを取
り付ける。次に、駆動部２を動作させ、各ＩＣに動作信
号を供給するとともに恒温槽にも、必要な電流を供給す
る。これと同時にモニター部３ａは各ＩＣの動作状況を
監視する。そして、モニター部３ａが動作不良を起した
ＩＣが発生する毎に信号を発生し、累積不良数計数部４
に信号を送る。累積不良数計数部４は送られる信号数を
所定時間だけ累計する。次に、図２に示すように、累計
不良率算出部５は、順次に、ｔｎ−１時間及びｔｎの時
間における累計不良数より累積不良率λｎ−１及びλｎ
を演算し、不良数増加率Δλを算出する。次に、比較制
御部６は、不良数増加率Δλをデジタル信号として入力
し、規定の不良週増加率と比較し、不良数増加率Δλが
規定の不良数増加率と同じかあるいは小さいとき駆動部
に信号を送り、駆動部２の電源供給及び動作信号を停止
する。
【００１２】このようなモニタード・バーイン装置であ
れば、エージング時間が装置自身で自動的に設定される
ので、あらかじめＩＣのエージング時間を設定するため
の予備的な試験も不用になるばかりか、ＩＣの不良数が
飽和する時間を適切に把わく出来るので、無駄なエージ
ング時間でエネルギーを浪費することもなくなるという
利点がある。
れば、エージング時間が装置自身で自動的に設定される
ので、あらかじめＩＣのエージング時間を設定するため
の予備的な試験も不用になるばかりか、ＩＣの不良数が
飽和する時間を適切に把わく出来るので、無駄なエージ
ング時間でエネルギーを浪費することもなくなるという
利点がある。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＩＣの動
作状態を観察するモニター部より送られるＩＣの不良数
を計数する不良数計数部と、この不良数計数部からの信
号によりエージング所定経過時間でのＩＣの累計不良数
を計数し、累計不良率を算出し前の経過時間からの不良
数増加率を演算する累積不良率算出部を設け、この累積
不良率算出部の不良数増加率と設定された増加率と比較
し、エージング時間を制御することによって、あらかじ
め設定時間を決めるＩＣのデータを必要とすることなく
エージング時間を自動的に設定出来る合理的なモニター
ド・バーイン装置が得られるという効果がある。
作状態を観察するモニター部より送られるＩＣの不良数
を計数する不良数計数部と、この不良数計数部からの信
号によりエージング所定経過時間でのＩＣの累計不良数
を計数し、累計不良率を算出し前の経過時間からの不良
数増加率を演算する累積不良率算出部を設け、この累積
不良率算出部の不良数増加率と設定された増加率と比較
し、エージング時間を制御することによって、あらかじ
め設定時間を決めるＩＣのデータを必要とすることなく
エージング時間を自動的に設定出来る合理的なモニター
ド・バーイン装置が得られるという効果がある。
【図１】本発明のー実施例を示すモニタード・バーイン
装置のブロック図である。
装置のブロック図である。
【図２】図１のモニタード・バーイン装置の動作を説明
するための累積不良率とエージング時間とを示すグラフ
である。
するための累積不良率とエージング時間とを示すグラフ
である。
【図３】従来の一例を示すモニタード・バーイン装置の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図４】ＩＣを試験したときのエージング時間と累積不
良率を示すグラフである。
良率を示すグラフである。
１ 被エージングＩＣ集合体 ２ 駆動部 ３、３ａ モニター部 ４ 累積不良数計数部 ５ 累積不良率算出部 ６ 比較制御部
Claims (1)
- 【請求項１】 複数のＩＣをエージングをし、ＩＣの良
否を判定するモニタード・バーイン装置において、エー
ジングの所定の経過時間に伴ない前記１Ｃの累積不良数
を計数する累積不良数計数部と、この累積不良数計数部
からの順次送られる前記経過時間における累積不良率を
算出するとともに前記経過時間より前の経過時間に対す
る累積不良率の増加率を出力する累積不良率算出部とを
備え、この累積不良率算出部からの前記累積不良率の増
加率が所定の増加率を含め、より小さい値のときエージ
ングを終了することを特徴とするモニタード・バーイン
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022526A JPH075226A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | モニタード・バーイン装置 |
| DE69203252T DE69203252T2 (de) | 1991-02-18 | 1992-02-18 | Gesteuertes Burn-in-System für Halbleiterbauelemente. |
| US07/836,512 US5204618A (en) | 1991-02-18 | 1992-02-18 | Monitored burn-in system |
| EP92102696A EP0500056B1 (en) | 1991-02-18 | 1992-02-18 | Monitored burn-in system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022526A JPH075226A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | モニタード・バーイン装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075226A true JPH075226A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=12085236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3022526A Pending JPH075226A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | モニタード・バーイン装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5204618A (ja) |
| EP (1) | EP0500056B1 (ja) |
| JP (1) | JPH075226A (ja) |
| DE (1) | DE69203252T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462574B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-10-08 | Fujitsu Limited | Burn-in system, burn-in control technique, and semiconductor device production method using said system and technique |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528161A (en) * | 1994-09-15 | 1996-06-18 | Venturedyne Limited | Through-port load carrier and related test apparatus |
| US5798653A (en) * | 1995-04-20 | 1998-08-25 | Sun Microsystems, Inc. | Burn-in system for reliable integrated circuit manufacturing |
| US6392432B1 (en) | 2000-06-26 | 2002-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated protection of IC devices from EOS (electro over stress) damage due to an undesired DC transient |
| US6820029B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-11-16 | United Microelectronics Corp. | Method for determining failure rate and selecting best burn-in time |
| US7194366B2 (en) * | 2001-10-19 | 2007-03-20 | Auburn University | System and method for estimating reliability of components for testing and quality optimization |
| US6813572B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-11-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for managing reliability of semiconductor devices |
| US7265561B2 (en) * | 2003-09-30 | 2007-09-04 | International Business Machines Corporation | Device burn in utilizing voltage control |
| JPWO2006025140A1 (ja) * | 2004-09-02 | 2008-05-08 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路装置およびその検査方法、半導体ウエハ、およびバーンイン検査装置 |
| JP5043839B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2012-10-10 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 予知保全用インテリジェント状態監視及び障害診断システム |
| US9104650B2 (en) | 2005-07-11 | 2015-08-11 | Brooks Automation, Inc. | Intelligent condition monitoring and fault diagnostic system for preventative maintenance |
| US7793119B2 (en) * | 2006-12-21 | 2010-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Adaptive voltage scaling with age compensation |
| CN103870366A (zh) * | 2012-12-13 | 2014-06-18 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 时间记录装置及方法 |
| CN109342921A (zh) * | 2018-10-09 | 2019-02-15 | 天津芯海创科技有限公司 | 一种高速交换芯片的老化测试方法与系统 |
| CN111209152B (zh) * | 2020-01-10 | 2023-08-08 | 记忆科技(深圳)有限公司 | Dram芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290076A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-29 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4145620A (en) * | 1977-10-05 | 1979-03-20 | Serel Corporation | Modular dynamic burn-in apparatus |
| JPS6168569A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-08 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 電子装置を鑑別するための最大温度の決定方法 |
| US4683424A (en) * | 1984-11-07 | 1987-07-28 | Wehr Corporation | Apparatus for use in testing circuit boards |
| US4866714A (en) * | 1987-10-15 | 1989-09-12 | Westinghouse Electric Corp. | Personal computer-based dynamic burn-in system |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP3022526A patent/JPH075226A/ja active Pending
-
1992
- 1992-02-18 EP EP92102696A patent/EP0500056B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-18 DE DE69203252T patent/DE69203252T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-18 US US07/836,512 patent/US5204618A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0290076A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-29 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462574B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-10-08 | Fujitsu Limited | Burn-in system, burn-in control technique, and semiconductor device production method using said system and technique |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5204618A (en) | 1993-04-20 |
| DE69203252T2 (de) | 1996-04-04 |
| EP0500056A1 (en) | 1992-08-26 |
| EP0500056B1 (en) | 1995-07-05 |
| DE69203252D1 (de) | 1995-08-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970902 |