JPH0753625B2 - セラミック用メタライズ組成物 - Google Patents
セラミック用メタライズ組成物Info
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- JPH0753625B2 JPH0753625B2 JP63026656A JP2665688A JPH0753625B2 JP H0753625 B2 JPH0753625 B2 JP H0753625B2 JP 63026656 A JP63026656 A JP 63026656A JP 2665688 A JP2665688 A JP 2665688A JP H0753625 B2 JPH0753625 B2 JP H0753625B2
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- Japan
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- weight
- cuo
- parts
- composition
- metallized
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、低温焼成セラミックスに金属化面を形成する
に際し、セラミックスと同時焼成可能な低融点低抵抗導
体材料、就中高密度多層セラミツクス配線基板およびパ
ッケージの製造に際して利用し得るメタライズ組成物に
関する。
に際し、セラミックスと同時焼成可能な低融点低抵抗導
体材料、就中高密度多層セラミツクス配線基板およびパ
ッケージの製造に際して利用し得るメタライズ組成物に
関する。
（従来の技術） 近年、ICパッケージ、多層配線基板等の超高密度化に伴
ない、低誘電率セラミックスと、低抵抗導体の実用化が
要請されているが、特に従来のメタライズ組成物用金属
としてはAu,Au−Pt,Ag−Pt,Ag−Pd等の基金属,W,Mo,Mo
−Mn等の高融点卑金属が広く用いられていた。前者のA
u,Au−Pt,Ag−Pt,Ag−Pd等の貴金属ペーストは空気中で
焼付けができるという利点のある反面、コストが高いと
いう問題がある。また後者のW,Mo,Mo−Mn等の高融点金
属は1600℃程度すなわちグリーンシートの焼結温度で同
時焼成するために多層化し易いが、導電性が低く、還元
雰囲気で焼成する必要があるため危険であり、更にハン
ダ付けのために導体表面にNi等のメッキ処理を施す必要
があるなどの問題を有している。そこで安価で導電性が
良く、ハンダ付け性の良いCuペーストを用いたセラミッ
ク配線基板が用いられるようになってきた。
ない、低誘電率セラミックスと、低抵抗導体の実用化が
要請されているが、特に従来のメタライズ組成物用金属
としてはAu,Au−Pt,Ag−Pt,Ag−Pd等の基金属,W,Mo,Mo
−Mn等の高融点卑金属が広く用いられていた。前者のA
u,Au−Pt,Ag−Pt,Ag−Pd等の貴金属ペーストは空気中で
焼付けができるという利点のある反面、コストが高いと
いう問題がある。また後者のW,Mo,Mo−Mn等の高融点金
属は1600℃程度すなわちグリーンシートの焼結温度で同
時焼成するために多層化し易いが、導電性が低く、還元
雰囲気で焼成する必要があるため危険であり、更にハン
ダ付けのために導体表面にNi等のメッキ処理を施す必要
があるなどの問題を有している。そこで安価で導電性が
良く、ハンダ付け性の良いCuペーストを用いたセラミッ
ク配線基板が用いられるようになってきた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら上記のようなCuペーストを用いた場合、セ
ラミック配線基板の製造において、Cuを酸化させずにペ
ースト中の有機成分を完全に燃焼させることが困難であ
り、Cu表面が酸化させればハンダ付け性が悪くなり、導
電性が低下する。又、CuOを発生させないようにすると
有機質バインダー等が完全に燃焼除去されず残存する。
ラミック配線基板の製造において、Cuを酸化させずにペ
ースト中の有機成分を完全に燃焼させることが困難であ
り、Cu表面が酸化させればハンダ付け性が悪くなり、導
電性が低下する。又、CuOを発生させないようにすると
有機質バインダー等が完全に燃焼除去されず残存する。
又、金属Cuを用いた場合、脱バインダー工程とCu焼付工
程とを分離しても金属Cuが脱バインダー工程で酸化さ
れ、CuOとなり体積膨張を起すため、基板からの剥離等
の問題を生ずる。
程とを分離しても金属Cuが脱バインダー工程で酸化さ
れ、CuOとなり体積膨張を起すため、基板からの剥離等
の問題を生ずる。
更に又、多層基板とする場合に、印刷、乾燥後、その都
度焼成を行なうのでリードタイムが長くなり、更には設
備などのコストアップにつながるという問題がある。
度焼成を行なうのでリードタイムが長くなり、更には設
備などのコストアップにつながるという問題がある。
その対策として特開昭61−288484号公報ではCuOとMnOと
バインダー、可塑剤、有機溶剤とからなるメタライズ組
成物が、特開昭61−292393号公報ではCuOと無機固体成
分とバインダー、可塑剤、有機溶剤からなるメタライズ
組成物が、特開昭61−292394号公報ではCuO,MnOとPt,P
d,Niのいずれか１種と、ビヒクル、溶剤とよりなるメタ
ライズ組成物が開示されているが、金属Cuに着目したも
のではない。
バインダー、可塑剤、有機溶剤とからなるメタライズ組
成物が、特開昭61−292393号公報ではCuOと無機固体成
分とバインダー、可塑剤、有機溶剤からなるメタライズ
組成物が、特開昭61−292394号公報ではCuO,MnOとPt,P
d,Niのいずれか１種と、ビヒクル、溶剤とよりなるメタ
ライズ組成物が開示されているが、金属Cuに着目したも
のではない。
本発明者等は既に特願昭62−129441号において高密度多
層セラミック配線基板のスルホール用として導体部の導
通不良を解決するためにCuO,Cuを主成分とするメタライ
ズ組成物を提案し、又、特願昭62−122486号において高
密度多層基板の製造のため、CuとCuOを主とするメタラ
イズ組成物が基板中のセラミックや結晶化ガラスに対
し、気密で接着強度のよいメタライズ組成物であること
を見出した。
層セラミック配線基板のスルホール用として導体部の導
通不良を解決するためにCuO,Cuを主成分とするメタライ
ズ組成物を提案し、又、特願昭62−122486号において高
密度多層基板の製造のため、CuとCuOを主とするメタラ
イズ組成物が基板中のセラミックや結晶化ガラスに対
し、気密で接着強度のよいメタライズ組成物であること
を見出した。
本発明は上記のような実情の中から更に検討の結果、特
願62−129441号および特願62−122486号に開示されたメ
タライズ組成物を更に改良した組成物を提供することを
目的とするものである。
願62−129441号および特願62−122486号に開示されたメ
タライズ組成物を更に改良した組成物を提供することを
目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明の概要はCuO 30〜70重量％、Cu 70〜30重量％よ
るなりCuO−Cuの合計量を100重量部とするときに、これ
に対しPt7重量部以下、Au 5重量部以下及びMnO2 10重量
部以下であって、少なくともPtもしくはAuを含有するよ
うに選択組み合わされた無機成分と、有機質バインダー
および溶剤とから構成されているセラミック用メタライ
ズ組成物であり、特にち密で導電性に優れクラックや剥
離の発生をしない改良されたメタライズ組成物に関する
ものである。
るなりCuO−Cuの合計量を100重量部とするときに、これ
に対しPt7重量部以下、Au 5重量部以下及びMnO2 10重量
部以下であって、少なくともPtもしくはAuを含有するよ
うに選択組み合わされた無機成分と、有機質バインダー
および溶剤とから構成されているセラミック用メタライ
ズ組成物であり、特にち密で導電性に優れクラックや剥
離の発生をしない改良されたメタライズ組成物に関する
ものである。
（作 用） 本発明におけるメタライズ組成物中CuO及びCuはセラミ
ックグリーンシートとともに還元又は中性雰囲気で加熱
還元されて導体化する。
ックグリーンシートとともに還元又は中性雰囲気で加熱
還元されて導体化する。
CuO 30〜70重量％に対し、Cu 70〜30重量％とした理由
は、脱脂工程におけるCuの酸化による体積膨張と還元工
程におけるCuOの還元による体積収縮とを相殺させ、全
体の体積変化を最少源に抑えるためである。これ以外の
混合比CuO/Cu 80/20では気密性が保てず、CuO/Cu 20/80
は逆に脱脂工程で酸化体積増のため、メタライズ剥離を
生じる。
は、脱脂工程におけるCuの酸化による体積膨張と還元工
程におけるCuOの還元による体積収縮とを相殺させ、全
体の体積変化を最少源に抑えるためである。これ以外の
混合比CuO/Cu 80/20では気密性が保てず、CuO/Cu 20/80
は逆に脱脂工程で酸化体積増のため、メタライズ剥離を
生じる。
次に、このCuOとCuの合計量100重量部に対し、MnO2を10
重量部以下とする理由はMnO2は還元されたときにMn2O3,
MnOもしくMnとなり、基板中のセラミックや結晶化ガラ
スと銅との濡れ性を高めるもので、その含有量が10重量
％を超える銅粒子同志の焼結を妨げ、リーク不良又は抵
抗の増大を招来する。
重量部以下とする理由はMnO2は還元されたときにMn2O3,
MnOもしくMnとなり、基板中のセラミックや結晶化ガラ
スと銅との濡れ性を高めるもので、その含有量が10重量
％を超える銅粒子同志の焼結を妨げ、リーク不良又は抵
抗の増大を招来する。
PtおよびAuはCuおよびCuOとともに必要な導電性を確保
するほか高温においても殆ど酸化も還元もされないた
め、導体全体としての体積変化率を更に低くする。但
し、Ptが７重量部を超えて多いと導体抵抗が大きくな
り、スルーホールが数ケ所も連なるような配線では若干
不利となる。又、Auが５重量部を超えて多いと、Cuと合
金をつくり、メタライズ粒子が粗らくなり、気密性を満
足しなくなる。
するほか高温においても殆ど酸化も還元もされないた
め、導体全体としての体積変化率を更に低くする。但
し、Ptが７重量部を超えて多いと導体抵抗が大きくな
り、スルーホールが数ケ所も連なるような配線では若干
不利となる。又、Auが５重量部を超えて多いと、Cuと合
金をつくり、メタライズ粒子が粗らくなり、気密性を満
足しなくなる。
（実施例） 以下本発明のメタライズ組成物を使用した製品の製造工
程の概略を説明する。
程の概略を説明する。
（１） 本出願人の出願に係る特開昭59−92943号公報
記載の発明「結晶化ガラス体」に開示された実施例No.5
と同様に、重量比でZnO・４％,MgO 13％,Al2O3 23％,
SiO2 58％,B2O3及びP2O5各１％の組成となるように、Z
nO,MgCO3,Al（OH）3,SiO2,H3BO3及びH3PO4を秤量し、ラ
イカイ機にて混合し、アルミナ坩堝を用いて1450℃で溶
融せしめた後、水中に投入し、急冷してガラス化した
後、アルミナ製ボールミルにて平均粒径２μに粉砕して
フリットを製造 （２） 上記フリットに有機質バインダーと溶剤を混合
してスラリー化し、ドクターブレード法によって厚さ0.
6mmのグリーンシートを製造 （３） 平均粒径0.5〜２μｍのCuOと平均粒径0.5〜2.0
μｍのCuと、平均粒径３μｍのMnO2粉末と、平均粒径0.
5μｍのPt又は平均粒径１〜３μｍのAuとを第１表の組
成に混合し、有機質バインダー（エチルセルロース）と
溶剤（ブチルカルビトール）とを配合してメノウ乳鉢で
混合し下記の表のメタライズペースト（本発明）を製造
した。
記載の発明「結晶化ガラス体」に開示された実施例No.5
と同様に、重量比でZnO・４％,MgO 13％,Al2O3 23％,
SiO2 58％,B2O3及びP2O5各１％の組成となるように、Z
nO,MgCO3,Al（OH）3,SiO2,H3BO3及びH3PO4を秤量し、ラ
イカイ機にて混合し、アルミナ坩堝を用いて1450℃で溶
融せしめた後、水中に投入し、急冷してガラス化した
後、アルミナ製ボールミルにて平均粒径２μに粉砕して
フリットを製造 （２） 上記フリットに有機質バインダーと溶剤を混合
してスラリー化し、ドクターブレード法によって厚さ0.
6mmのグリーンシートを製造 （３） 平均粒径0.5〜２μｍのCuOと平均粒径0.5〜2.0
μｍのCuと、平均粒径３μｍのMnO2粉末と、平均粒径0.
5μｍのPt又は平均粒径１〜３μｍのAuとを第１表の組
成に混合し、有機質バインダー（エチルセルロース）と
溶剤（ブチルカルビトール）とを配合してメノウ乳鉢で
混合し下記の表のメタライズペースト（本発明）を製造
した。
（４） 前記（２）の結晶化ガラスからなるグリーンシ
ートの表面に、上記（３）のメタライズペーストを厚さ
20μｍで、長さ40mm、幅0.5mmの帯状に1mm間隔で40条の
導電層となるパターンをスクリーン印刷 （５） 上記帯状のパターンの200箇所に300μｍφの貫
通孔を設け、この貫通孔に特願昭62−129441号で提案し
たスルホール用メタライズ組成物を充填し、上記帯状の
パターンに対し、直角方向で上記貫通孔を通る位置に同
じ帯状のパターンを上記（３）のペーストでスクリーン
印刷 （６） スクリーン印刷したグリーンシートを６枚とベ
ースとなる肉厚のシート１枚を積層し、熱圧着したの
ち、50mm×50mmに切断 （７） 切断した積層体を大気中８時間で750℃まで昇
温、加熱し、0.2〜１時間保持 （８） 次いで積層体を水素雰囲気中に移し、常温より
0.5℃／分の昇温速度で700℃まで加熱せしめ、続いて0.
5〜1.5時間保持し、水素雰囲気中又は中性雰囲気中で95
0℃で焼成する。
ートの表面に、上記（３）のメタライズペーストを厚さ
20μｍで、長さ40mm、幅0.5mmの帯状に1mm間隔で40条の
導電層となるパターンをスクリーン印刷 （５） 上記帯状のパターンの200箇所に300μｍφの貫
通孔を設け、この貫通孔に特願昭62−129441号で提案し
たスルホール用メタライズ組成物を充填し、上記帯状の
パターンに対し、直角方向で上記貫通孔を通る位置に同
じ帯状のパターンを上記（３）のペーストでスクリーン
印刷 （６） スクリーン印刷したグリーンシートを６枚とベ
ースとなる肉厚のシート１枚を積層し、熱圧着したの
ち、50mm×50mmに切断 （７） 切断した積層体を大気中８時間で750℃まで昇
温、加熱し、0.2〜１時間保持 （８） 次いで積層体を水素雰囲気中に移し、常温より
0.5℃／分の昇温速度で700℃まで加熱せしめ、続いて0.
5〜1.5時間保持し、水素雰囲気中又は中性雰囲気中で95
0℃で焼成する。
次に第１図に本発明のメタライズ組成物を用いたチップ
キャリアパッケージを示す。１は本発明によるメタライ
ズ、２は結晶化ガラスの如き低温焼成セラミックを示
す。
キャリアパッケージを示す。１は本発明によるメタライ
ズ、２は結晶化ガラスの如き低温焼成セラミックを示
す。
次に本発明のメタライズを用いた多層基板について気密
性および環境試験を行った。気密性はHeディテクターを
用い測定したところいずれの試料も1.0×10-8Std,cc/se
c以下であり、環境試験後の劣化もなかった。但し環境
試験条件は以下のとおりである。
性および環境試験を行った。気密性はHeディテクターを
用い測定したところいずれの試料も1.0×10-8Std,cc/se
c以下であり、環境試験後の劣化もなかった。但し環境
試験条件は以下のとおりである。
温度サイクル（−65℃〜200℃）10サイクル 熱衝撃 （ ０℃〜100℃）15サイクル 〃 （−55℃〜125℃）15サイクル 〃 （−65℃〜150℃）100サイクル なお本発明の実施に当り特開昭59−92943号公報に記載
されたものの外、特開昭59−83957号公報、特開昭59−1
37341号公報、特開昭59−129441号公報に記載された結
晶化ガラス体を用いて基板とする場合も同様に本発明の
メタライズ組成物が有効であり又一般に低温焼成基板に
も有効である。
されたものの外、特開昭59−83957号公報、特開昭59−1
37341号公報、特開昭59−129441号公報に記載された結
晶化ガラス体を用いて基板とする場合も同様に本発明の
メタライズ組成物が有効であり又一般に低温焼成基板に
も有効である。
（比較例） 特願昭61−294459号で「銅又は酸化銅を銅を基準にして
80重量％以上、MnO2を12重量％以下Ag2Oを８重量％以
下」の範囲としてCuO（1.5μ）をCu基準で96.5重量％、
MnO2 2.5重量％、Ag2O 1.0重量％の組成を開示したが、
このペーストはセラミックの焼成収縮率の影響により気
密性が不安定であった。又収縮率が25％以下になると気
密性に問題があり、実施例と同一組成の基板に適用した
場合、気密性は１×10-6Std,cc/secであった。注；焼成
収縮率は以下の式により算出した。
80重量％以上、MnO2を12重量％以下Ag2Oを８重量％以
下」の範囲としてCuO（1.5μ）をCu基準で96.5重量％、
MnO2 2.5重量％、Ag2O 1.0重量％の組成を開示したが、
このペーストはセラミックの焼成収縮率の影響により気
密性が不安定であった。又収縮率が25％以下になると気
密性に問題があり、実施例と同一組成の基板に適用した
場合、気密性は１×10-6Std,cc/secであった。注；焼成
収縮率は以下の式により算出した。
即ち上記のように本発明前はセラミックの焼成収縮量を
25％以上と大きくとりCuメタライズを緻密にしていた
が、今回の組成はCuメタライズ自体を緻密にしたため、
セラミックの焼成収縮率を25％以下と小さくとっても気
密性に問題はない。
25％以上と大きくとりCuメタライズを緻密にしていた
が、今回の組成はCuメタライズ自体を緻密にしたため、
セラミックの焼成収縮率を25％以下と小さくとっても気
密性に問題はない。
（発明の効果） 本発明によれば、CuOとCuを主体とする低抵抗のメタラ
イズにして、結晶化ガラスセラミックの低誘電率と低膨
張率に適したメタライズであり、多層基板のパッケージ
に用いたときにメタライズの気密性に著るしい向上を発
揮することができる。
イズにして、結晶化ガラスセラミックの低誘電率と低膨
張率に適したメタライズであり、多層基板のパッケージ
に用いたときにメタライズの気密性に著るしい向上を発
揮することができる。
従って、本発明では無機成分としてPt 7重量部以下、Au
5重量部以下の何れか１種以上を含有するために、CuO
−Cuと共に必要な導電性を確保し、しかも高温でも殆ど
酸化を還元もしないため、導体全体として体積変化率を
更に低くすることができる。
5重量部以下の何れか１種以上を含有するために、CuO
−Cuと共に必要な導電性を確保し、しかも高温でも殆ど
酸化を還元もしないため、導体全体として体積変化率を
更に低くすることができる。
第１図は本発明のメタライズ組成物を用いて製造したチ
ップキャリアパッケージの平面図（イ）及び断面図
（ロ）を示す。 １……メタライズ、２……低温焼成セラミック
ップキャリアパッケージの平面図（イ）及び断面図
（ロ）を示す。 １……メタライズ、２……低温焼成セラミック
Claims (1)
- 【請求項１】CuO 30〜70重量％、Cu 70〜30重量％より
なるCuO−Cu合計量100重量部と、Pt 7重量部以下、Au 5
重量部以下及びMnO2 10重量部以下であって、少なくと
もPtもしくはAuを含有するように選択組み合わされた無
機成分と、有機質バインダーおよび溶剤とにより構成さ
れていることを特徴とするセラミック用メタライズ組成
物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63026656A JPH0753625B2 (ja) | 1987-10-12 | 1988-02-09 | セラミック用メタライズ組成物 |
| US07/256,536 US5120473A (en) | 1987-10-12 | 1988-10-12 | Metallizing composition for use with ceramics |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-254595 | 1987-10-12 | ||
| JP25459587 | 1987-10-12 | ||
| JP63026656A JPH0753625B2 (ja) | 1987-10-12 | 1988-02-09 | セラミック用メタライズ組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201090A JPH01201090A (ja) | 1989-08-14 |
| JPH0753625B2 true JPH0753625B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=26364463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63026656A Expired - Fee Related JPH0753625B2 (ja) | 1987-10-12 | 1988-02-09 | セラミック用メタライズ組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5120473A (ja) |
| JP (1) | JPH0753625B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471011A (en) * | 1994-05-26 | 1995-11-28 | Ak Technology, Inc. | Homogeneous thermoplastic semi-conductor chip carrier package |
| US6507147B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-01-14 | Intevac, Inc. | Unitary vacuum tube incorporating high voltage isolation |
| US20050204864A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Borland William J | Thick-film dielectric and conductive compositions |
| US20110244303A1 (en) * | 2010-04-02 | 2011-10-06 | General Electric Company | Metalized Ceramic and Associated Method |
| JP2012122132A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-28 | Mitsubishi Materials Corp | 焼結体形成用の粘土状組成物、焼結体形成用の粘土状組成物用粉末、焼結体形成用の粘土状組成物の製造方法、銅焼結体及び銅焼結体の製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4172919A (en) * | 1977-04-22 | 1979-10-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions containing copper oxide and Bi2 O3 |
| JPS59146103A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | 昭和電工株式会社 | ドツテイングペ−スト |
| JPS61288484A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク配線基板用導体混練物 |
| JPS61292393A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 松下電器産業株式会社 | セラミック多層配線基板用酸化第二銅混練物 |
| JPS61292394A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-23 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク配線基板用メタライズ組成物 |
| KR900008781B1 (ko) * | 1985-06-17 | 1990-11-29 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 후막도체조성물 |
| JPS622405A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜導体組成物 |
| US4623482A (en) * | 1985-10-25 | 1986-11-18 | Cts Corporation | Copper conductive paint for porcelainized metal substrates |
| US4687597A (en) * | 1986-01-29 | 1987-08-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions |
| JPS63295491A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-12-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | メタライズ組成物 |
| JPS63289896A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 高密度多層基板の製造法 |
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1988
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