JPH0754574B2 - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH0754574B2 JPH0754574B2 JP60259857A JP25985785A JPH0754574B2 JP H0754574 B2 JPH0754574 B2 JP H0754574B2 JP 60259857 A JP60259857 A JP 60259857A JP 25985785 A JP25985785 A JP 25985785A JP H0754574 B2 JPH0754574 B2 JP H0754574B2
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- soft magnetic
- layer
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Description
【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は高密度磁気記録ができるCoCr/パーマロイ積層
膜の如く垂直記録層と軟磁性層とを有する二層膜構造の
垂直磁気記録媒体に関する。
膜の如く垂直記録層と軟磁性層とを有する二層膜構造の
垂直磁気記録媒体に関する。
［従来技術］ 近年、高密度記録特性の優れた磁気記録方式として、垂
直磁気記録方式が提案されている。この方式は、特公昭
58-91号公報，特公昭58-10764号公報等で公知の如く、
磁化容易軸が膜面に対して垂直な方向を有する記録媒体
を用い、残留磁化が膜面に対して垂直に向くように記録
するもので、信号が高密度になるほど媒体内反磁界は減
少し、優れた記録及び再生を行なうことができる。この
方式に適する記録媒体としてCo系合金薄膜（特にCoCr合
金薄膜）が公知である。特に、特公昭58-91号公報に提
案されているCo系合金薄膜の下地にパーマロイ合金のよ
うな軟磁性層を設けた垂直磁気記録媒体は、記録効率が
向上できるとともに、大きな再生出力が得られる点から
注目されている。
直磁気記録方式が提案されている。この方式は、特公昭
58-91号公報，特公昭58-10764号公報等で公知の如く、
磁化容易軸が膜面に対して垂直な方向を有する記録媒体
を用い、残留磁化が膜面に対して垂直に向くように記録
するもので、信号が高密度になるほど媒体内反磁界は減
少し、優れた記録及び再生を行なうことができる。この
方式に適する記録媒体としてCo系合金薄膜（特にCoCr合
金薄膜）が公知である。特に、特公昭58-91号公報に提
案されているCo系合金薄膜の下地にパーマロイ合金のよ
うな軟磁性層を設けた垂直磁気記録媒体は、記録効率が
向上できるとともに、大きな再生出力が得られる点から
注目されている。
しかしながら軟磁性層を設けたことにより新たに発生し
た問題点もいくつか報告されている。例えば特開昭60-3
8718号公報には軟磁性層の磁気特性に由来し、一つの媒
体において磁気ヘッドの走行方向で再生出力が異なると
いう現象が述べられており、その解決法として軟磁性層
の面内磁気異方性を小さくすべきことが開示されてい
る。また、電子通信学会技術研究報告MR84-6（vol.84,N
o.61,1984）には、信号の再生時に発生するパルス状ノ
イズが軟磁性層に起因していることが述べられ、その解
決法として軟磁性層のHcを５エルステッド（Oe）より大
きくすればよいことが述べられている。
た問題点もいくつか報告されている。例えば特開昭60-3
8718号公報には軟磁性層の磁気特性に由来し、一つの媒
体において磁気ヘッドの走行方向で再生出力が異なると
いう現象が述べられており、その解決法として軟磁性層
の面内磁気異方性を小さくすべきことが開示されてい
る。また、電子通信学会技術研究報告MR84-6（vol.84,N
o.61,1984）には、信号の再生時に発生するパルス状ノ
イズが軟磁性層に起因していることが述べられ、その解
決法として軟磁性層のHcを５エルステッド（Oe）より大
きくすればよいことが述べられている。
以上の如く、軟磁性層と記録層との二層膜構造の垂直磁
気記録媒体（以下、二層膜媒体と称す）は再生出力が大
きいというすぐれた特徴を有し、実用化が一番期待され
ているものであるが、軟磁性層の不安定さに由来する種
々の課題を有しており、これら課題の解決が待望されて
いる。
気記録媒体（以下、二層膜媒体と称す）は再生出力が大
きいというすぐれた特徴を有し、実用化が一番期待され
ているものであるが、軟磁性層の不安定さに由来する種
々の課題を有しており、これら課題の解決が待望されて
いる。
［本発明の目的］ 本発明は記録層と軟磁性層とを有する二層膜構造の垂直
磁気記録媒体において、すぐれた再生出力の安定性、す
なわち出力エンベロープの滑らかさを有する垂直磁気記
録媒体を提案するものである。
磁気記録媒体において、すぐれた再生出力の安定性、す
なわち出力エンベロープの滑らかさを有する垂直磁気記
録媒体を提案するものである。
［本発明の構成および作用効果］ 本発明者らは50μｍ程度の厚さを有する有機高分子フイ
ルムを支持体とする二層膜媒体を研究する過程で、ある
種の軟磁性層を有する二層膜媒体において再生出力に波
打ちが生じる、又は／及び再生出力エンベロープに突起
状の凸部が発生することを見い出した。その例を第５
図，第６図に示した。本発明者らはかかる不都合な現象
は軟磁性層の磁歪に関与し、記録，再生時にヘッドが摺
動することにより部分的に軟磁性層の磁気特性が変化す
ることに起因するのであろうと考え、研究を重ねること
により本発明に至った。
ルムを支持体とする二層膜媒体を研究する過程で、ある
種の軟磁性層を有する二層膜媒体において再生出力に波
打ちが生じる、又は／及び再生出力エンベロープに突起
状の凸部が発生することを見い出した。その例を第５
図，第６図に示した。本発明者らはかかる不都合な現象
は軟磁性層の磁歪に関与し、記録，再生時にヘッドが摺
動することにより部分的に軟磁性層の磁気特性が変化す
ることに起因するのであろうと考え、研究を重ねること
により本発明に至った。
すなわち、本発明は記録層と軟磁性層を有する垂直磁気
記録媒体において、軟磁性層が膜面内で測定される磁歪
定数（λ）が−１×10-6より大きく１×106以下であ
り、かつ保磁力（Hc）が30エルステッド（Oe）以下の軟
磁性層（但し、磁化容易軸が膜面にほぼ垂直を向いてい
るかあるいは面内でもリング状磁気ヘッドで記録・再生
する時に軟磁性層を流れる磁力線に対しほぼ直角方向を
向いている軟磁性層を除く）であることを特徴とする垂
直磁気記録媒体である。
記録媒体において、軟磁性層が膜面内で測定される磁歪
定数（λ）が−１×10-6より大きく１×106以下であ
り、かつ保磁力（Hc）が30エルステッド（Oe）以下の軟
磁性層（但し、磁化容易軸が膜面にほぼ垂直を向いてい
るかあるいは面内でもリング状磁気ヘッドで記録・再生
する時に軟磁性層を流れる磁力線に対しほぼ直角方向を
向いている軟磁性層を除く）であることを特徴とする垂
直磁気記録媒体である。
以下、本発明の詳細を説明する。
第１図に本発明の好ましい垂直磁気記録媒体の構成を示
した。図においてＦは支持材であり、非磁性の金属，非
金属のシートが通常は使用される。磁気テープ，フロッ
ピーディスク，スチル電子カメラ，画像ファイル等の用
途には、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレン−
2,6−ナフタレンジカルボキシレート，ポリイミド等の
４μｍ〜120μｍ程度の厚さの有機高分子フイルムが好
ましく用いられる。特に磁気ヘッドとの摺動により発生
する歪の大きい，軟質の有機高分子フイルムを支持体と
する場合に本発明の効果は大きい。
した。図においてＦは支持材であり、非磁性の金属，非
金属のシートが通常は使用される。磁気テープ，フロッ
ピーディスク，スチル電子カメラ，画像ファイル等の用
途には、ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレン−
2,6−ナフタレンジカルボキシレート，ポリイミド等の
４μｍ〜120μｍ程度の厚さの有機高分子フイルムが好
ましく用いられる。特に磁気ヘッドとの摺動により発生
する歪の大きい，軟質の有機高分子フイルムを支持体と
する場合に本発明の効果は大きい。
図のＳは本発明の特徴をなす軟磁性層であり、詳細は後
述する。50Oe程度以下のHcを有する厚さ0.1μｍ〜0.7μ
ｍ程度のものが通常は用いられる。材質は種々のものが
適用可能であり、CoZr系のアモルファス合金膜やNiFe系
合金（パーマロイ）薄膜等を例示できる。特に原材料コ
ストが安く、材料入手が容易で、かつ適当な磁気特性を
有することよりパーマロイが好ましい。パーマロイには
NiFe合金のみでなくMoパーマロイ,CuMoパーマロイ，耐
食性パーマロイ，高硬度パーマロイ等の種々のものがあ
り、いずれも適用可能である。作製法は真空蒸着，スパ
ッタリング，イオンプレーティング，メッキ等が例示で
きるが、軟磁気特性と膜強度，膜付着強度が良好であ
り、合金の組成のコントロールが容易なスパッタリング
法が最も好ましく本発明に適用される。
述する。50Oe程度以下のHcを有する厚さ0.1μｍ〜0.7μ
ｍ程度のものが通常は用いられる。材質は種々のものが
適用可能であり、CoZr系のアモルファス合金膜やNiFe系
合金（パーマロイ）薄膜等を例示できる。特に原材料コ
ストが安く、材料入手が容易で、かつ適当な磁気特性を
有することよりパーマロイが好ましい。パーマロイには
NiFe合金のみでなくMoパーマロイ,CuMoパーマロイ，耐
食性パーマロイ，高硬度パーマロイ等の種々のものがあ
り、いずれも適用可能である。作製法は真空蒸着，スパ
ッタリング，イオンプレーティング，メッキ等が例示で
きるが、軟磁気特性と膜強度，膜付着強度が良好であ
り、合金の組成のコントロールが容易なスパッタリング
法が最も好ましく本発明に適用される。
図のＲは記録層であり、飽和磁化（Ms）が200〜900emu/
cc程度のCoとCrの合金薄膜が好ましく使用される。他に
CoとCrにさらに数wt％のRe,W,Mo,Ta等の第３元素を添加
したものや、CoV合金薄膜,FeCr合金薄膜や、さらにはCo
-CoO蒸着膜であってもよい。要は適度のMsと数百OeのHc
と垂直磁気異方性を有する厚さ0.1μｍ〜0.5μｍ程度の
薄膜が使用される。
cc程度のCoとCrの合金薄膜が好ましく使用される。他に
CoとCrにさらに数wt％のRe,W,Mo,Ta等の第３元素を添加
したものや、CoV合金薄膜,FeCr合金薄膜や、さらにはCo
-CoO蒸着膜であってもよい。要は適度のMsと数百OeのHc
と垂直磁気異方性を有する厚さ0.1μｍ〜0.5μｍ程度の
薄膜が使用される。
図のＰは必要に応じて設けられる耐久性等を目的とした
保護層である。例えば耐久性を保証するためにSiO2，硬
質カーボン,SiN等の厚さ0.01μｍ〜0.03μｍ程度の薄膜
が設けられる。
保護層である。例えば耐久性を保証するためにSiO2，硬
質カーボン,SiN等の厚さ0.01μｍ〜0.03μｍ程度の薄膜
が設けられる。
さらに、各層F,S,R,P間に他の中間層，下地層，接着層
等を有してもよい。またフロッピーディスク等のディス
ク状媒体では支持体Ｆの両面に同じ構成の各層が形成さ
れるのが普通である。
等を有してもよい。またフロッピーディスク等のディス
ク状媒体では支持体Ｆの両面に同じ構成の各層が形成さ
れるのが普通である。
以下に本発明の特徴である軟磁性層を説明する。
本発明においては、再生出力を安定ならしめるために、
膜面内で測定されるλを−１×10-6以上で１×10-6以下
の範囲とする。すなわち、絶対値が１×10-6より小さい
λの軟磁性膜を用いる。ただし該軟磁性膜のHcが30Oeよ
り大なる時は軟磁気特性（例えばHcや透磁率）の外乱に
対して安定でありλを規定する意味はない。
膜面内で測定されるλを−１×10-6以上で１×10-6以下
の範囲とする。すなわち、絶対値が１×10-6より小さい
λの軟磁性膜を用いる。ただし該軟磁性膜のHcが30Oeよ
り大なる時は軟磁気特性（例えばHcや透磁率）の外乱に
対して安定でありλを規定する意味はない。
膜のλの絶対値が１×10-6より大きい時は、膜の軟磁気
特性は不安定であり、磁気ヘッドが媒体を摺動する時に
軟磁気特性が変化し、再生出力エンベロープに波打ちや
凸部や突起が発生することが判明した。
特性は不安定であり、磁気ヘッドが媒体を摺動する時に
軟磁気特性が変化し、再生出力エンベロープに波打ちや
凸部や突起が発生することが判明した。
記録，再生感度をより一層向上せしめるには軟磁性層の
Hcは15Oe程度以下が必要であり、さらに前述の様にノイ
ズを小さくするために、又はディスク状媒体におけるモ
ジュレーション（JIS C 6291参照）を小さくするために
は軟磁性層の面内磁気異方性を小さくする必要がある
が、かかる目的のためにはHcは3Oe程度以上が必要であ
る。このようなHcを有する軟磁性膜ではそのλは−７×
10-7以上で７×10-7以下の範囲、すなわちHcが小さいこ
とは軟磁気特性が不安定てあることを意味し、かかる場
合は、より絶対値が小さいλが要求されることが判明し
た。
Hcは15Oe程度以下が必要であり、さらに前述の様にノイ
ズを小さくするために、又はディスク状媒体におけるモ
ジュレーション（JIS C 6291参照）を小さくするために
は軟磁性層の面内磁気異方性を小さくする必要がある
が、かかる目的のためにはHcは3Oe程度以上が必要であ
る。このようなHcを有する軟磁性膜ではそのλは−７×
10-7以上で７×10-7以下の範囲、すなわちHcが小さいこ
とは軟磁気特性が不安定てあることを意味し、かかる場
合は、より絶対値が小さいλが要求されることが判明し
た。
第２図〜第６図に種々のHcとλを有する軟磁性膜持つCo
Cr/パーマロイからなる二層膜媒体の一定長の間の再生
出力エンベロープを示した。図で縦軸は出力，横軸は時
間換言すればサンプル位置である。媒体の作製条件と電
磁変換特性の測定方法は後述の実施例に述べる。
Cr/パーマロイからなる二層膜媒体の一定長の間の再生
出力エンベロープを示した。図で縦軸は出力，横軸は時
間換言すればサンプル位置である。媒体の作製条件と電
磁変換特性の測定方法は後述の実施例に述べる。
第７図は後述の実施例，比較例と同様にして磁歪定数
（λ）と保磁力（Hc）とが異なる種々のパーマロイ膜を
軟磁性層とし、その上にCoCr合金膜からなる記録層を設
けた二層媒体の再生出力を評価した結果を示したもの
で、Hcとλの絶対値に対して再生出力エンベロープの良
否を◎印〜×印の４段階評価で示した。第２図の様なノ
イズがなく平坦な良好なエンベロープ波形を示した時を
◎印で示し、これに近いものは○印，第３図と第４図の
様な明確に小さな突起や凸部が観察される時を△印，第
５図と第６図の様な凸部や突起も大きく長周期の波も観
察される時を×印で示した。△印の場合は記録再生シス
テムやヘッド搭載方法によっては良好な形状のエンベロ
ープを得る可能性があるものである。第７図より安定し
た均一な再生出力を得るためには｜λ｜≦１×10-6，好
ましくは｜λ｜≦７×10-7が必要なことが理解される。
（λ）と保磁力（Hc）とが異なる種々のパーマロイ膜を
軟磁性層とし、その上にCoCr合金膜からなる記録層を設
けた二層媒体の再生出力を評価した結果を示したもの
で、Hcとλの絶対値に対して再生出力エンベロープの良
否を◎印〜×印の４段階評価で示した。第２図の様なノ
イズがなく平坦な良好なエンベロープ波形を示した時を
◎印で示し、これに近いものは○印，第３図と第４図の
様な明確に小さな突起や凸部が観察される時を△印，第
５図と第６図の様な凸部や突起も大きく長周期の波も観
察される時を×印で示した。△印の場合は記録再生シス
テムやヘッド搭載方法によっては良好な形状のエンベロ
ープを得る可能性があるものである。第７図より安定し
た均一な再生出力を得るためには｜λ｜≦１×10-6，好
ましくは｜λ｜≦７×10-7が必要なことが理解される。
次に磁歪定数（λ）の測定方法を支持体フイルムＦの片
面にλが正の一つの軟磁性層（Ｓ）を有する場合を例と
して、第８図〜第12図を用いて説明する。本発明に言う
膜面内で測定される磁歪定数（λ）とは、下記の手法で
求められる値である。
面にλが正の一つの軟磁性層（Ｓ）を有する場合を例と
して、第８図〜第12図を用いて説明する。本発明に言う
膜面内で測定される磁歪定数（λ）とは、下記の手法で
求められる値である。
（１）軟磁性膜（Ｓ）が磁化容易（easy）軸と磁化困難
（hard）軸を有するときは、第８図のようにeasy軸を長
さ方向としｍの幅に試料を切り出す。そして、図示の如
くｍ×ｍの正方形に軟磁性膜（Ｓ）を残し、他の部分を
除去する。ｍは磁化特性の測定機の感度により適当に選
べばよいが、本発明ではｍ＝7mmとした。このような形
状にするのは後述のように張力ｆを膜（Ｓ）に加えなが
ら飽和磁化特性（Ｍ−Ｈ曲線）を測定するのに都合がよ
いからである。
（hard）軸を有するときは、第８図のようにeasy軸を長
さ方向としｍの幅に試料を切り出す。そして、図示の如
くｍ×ｍの正方形に軟磁性膜（Ｓ）を残し、他の部分を
除去する。ｍは磁化特性の測定機の感度により適当に選
べばよいが、本発明ではｍ＝7mmとした。このような形
状にするのは後述のように張力ｆを膜（Ｓ）に加えなが
ら飽和磁化特性（Ｍ−Ｈ曲線）を測定するのに都合がよ
いからである。
（２）第９図のようにフイルムＦに張力ｆを加えながら
Ｍ−Ｈ曲線を測定する。第９図は公知の交流Ｍ−Ｈトレ
ーサーの概略構成図であり、張力を加えながら測定でき
る様に試料ホルダーは工夫してある。
Ｍ−Ｈ曲線を測定する。第９図は公知の交流Ｍ−Ｈトレ
ーサーの概略構成図であり、張力を加えながら測定でき
る様に試料ホルダーは工夫してある。
図の１はヘルムホルツコイル,2は検出コイル,3はフリー
ロール,Sは軟磁性膜である。チャック４によりフイルム
Ｆの一端を固定し、他端に張力ｆを加えるようになって
いる。本図は張力ｆを加えた方向のＭ−Ｈ曲線を測定す
るようになっているが、λ＞０の場合は張力を加えた方
向に直角な方向（試料の巾方向）のＭ−Ｈ曲線を測定す
るのが好ましい。
ロール,Sは軟磁性膜である。チャック４によりフイルム
Ｆの一端を固定し、他端に張力ｆを加えるようになって
いる。本図は張力ｆを加えた方向のＭ−Ｈ曲線を測定す
るようになっているが、λ＞０の場合は張力を加えた方
向に直角な方向（試料の巾方向）のＭ−Ｈ曲線を測定す
るのが好ましい。
（３）第10図は張力ｆ＝0.4kgfを加えながら測定したha
rd軸方向のＭ−Ｈ曲線である。原点より増磁曲線に接線
を引き、飽和磁化（Ms）のラインとの交点を求め、交点
の示す磁場をHkとする。
rd軸方向のＭ−Ｈ曲線である。原点より増磁曲線に接線
を引き、飽和磁化（Ms）のラインとの交点を求め、交点
の示す磁場をHkとする。
第11図は張力ｆ＝1kgfを加えた時のhard軸方向のＭ−Ｈ
軸線である。張力を大きくした時に、張力を加えた方向
に直角な方向をhard軸とする磁気異方性（Hk）が増大す
る場合がλ＞０である。
軸線である。張力を大きくした時に、張力を加えた方向
に直角な方向をhard軸とする磁気異方性（Hk）が増大す
る場合がλ＞０である。
（４）第12図は、上記第10図と第11図に示した手法によ
り測定したHkの値を張力ｆに対してプロットしたもので
ある。
り測定したHkの値を張力ｆに対してプロットしたもので
ある。
第12図よりHkとｆとの関係の勾配（b/a）が求まり、単
位張力当りのHkの変化巾を求めることができる。Hkの変
化巾（ΔHkと以下に記す）はλの大小に関与し、後述の
第（６）項に示すλの計算式に用いる。
位張力当りのHkの変化巾を求めることができる。Hkの変
化巾（ΔHkと以下に記す）はλの大小に関与し、後述の
第（６）項に示すλの計算式に用いる。
上記第（１）項ではeasy軸方向を長さ方向としてサンプ
リングするとしたが、λ＜０の場合はhard軸方向よりサ
ンプリングし、第９図の構成でhard軸方向を測定するの
がよい。また無張力下で異方性（Hk）が非常に大きい場
合は張力を加えることによるHkの減少分を求めてもよ
い。また、面内で等方的な磁気特性を有する時は任意の
方向で測定してもよい。
リングするとしたが、λ＜０の場合はhard軸方向よりサ
ンプリングし、第９図の構成でhard軸方向を測定するの
がよい。また無張力下で異方性（Hk）が非常に大きい場
合は張力を加えることによるHkの減少分を求めてもよ
い。また、面内で等方的な磁気特性を有する時は任意の
方向で測定してもよい。
以下にλの計算式を示す。
（５）第８図において、フイルムＦの厚さをDf,ヤング
率をEfとし、軟磁性膜（Ｓ）の厚さをDs,ヤング率をEs
とする。ｆの張力が加わることによる膜（Ｓ）に働く応
力（σ）は下記式となる。
率をEfとし、軟磁性膜（Ｓ）の厚さをDs,ヤング率をEs
とする。ｆの張力が加わることによる膜（Ｓ）に働く応
力（σ）は下記式となる。
応力（σ）＝（ｆ・Es）／（Es・Df・ｍ＋Ef・Df・ｍ） 以上は膜（Ｓ）に働く応力（σ）を求める一例を示した
ものであり、歪ゲージ等を用いて応力（σ）を求めても
よい。
ものであり、歪ゲージ等を用いて応力（σ）を求めても
よい。
（６）下記式により磁歪定数（λ）を求めるものとす
る。
る。
磁歪定数（λ）＝（Is/3）×（ΔHk/σ′） ただし、Isは飽和磁化［wb/m2］，σ′は単位張力当り
の膜（Ｓ）に加わる応力［（N/m2）/kgf］，ΔHkは上述
の単位張力当りのHkの変化分［（A/m）/kgf］である。
の膜（Ｓ）に加わる応力［（N/m2）/kgf］，ΔHkは上述
の単位張力当りのHkの変化分［（A/m）/kgf］である。
以上述べた手法は軟質の支持材、すなわち有機高分子フ
イルムに好適である。硬質の支持材では上記の手法に開
示されている原理に従ってλを求めることができる。ま
た、記録層が積層された状態のものでも上記（５）項に
示されている原理に従い、記録層のヤング率がわかれば
求めることができる。軟磁性層（Ｓ）と記録層（Ｒ）の
ヤング率は、λに与える誤差は小さいのでおおよその値
が判ればよい。
イルムに好適である。硬質の支持材では上記の手法に開
示されている原理に従ってλを求めることができる。ま
た、記録層が積層された状態のものでも上記（５）項に
示されている原理に従い、記録層のヤング率がわかれば
求めることができる。軟磁性層（Ｓ）と記録層（Ｒ）の
ヤング率は、λに与える誤差は小さいのでおおよその値
が判ればよい。
磁歪定数（λ）が絶対値で１×10-6より小さい軟磁性層
を得るには、まず軟磁性層の構成元素の組成を選べばよ
い。しかし、公知のようにλは結晶軸の方向により異る
のが普通であり、軟磁性膜の結晶格子構造と、該膜の結
晶配向性の影響等も受ける。
を得るには、まず軟磁性層の構成元素の組成を選べばよ
い。しかし、公知のようにλは結晶軸の方向により異る
のが普通であり、軟磁性膜の結晶格子構造と、該膜の結
晶配向性の影響等も受ける。
よって、軟磁性膜の作製方法と作製条件に由来する膜の
微細構造を考慮しつつ組成を選択する必要がある。第13
図にMoを5wt％含有するNiFeMo（Moパーマロイ）におけ
るNi含有量と磁歪定数（λ）との関係を示した。第13図
は、スパッタリング法で作製した面心立方結晶構造を有
し＜111＞軸が弱く垂直配向した約0.25μｍ〜0.50μｍ
のMoパーマロイ薄膜の一例であり、本特許を何ら制限す
るものではない。
微細構造を考慮しつつ組成を選択する必要がある。第13
図にMoを5wt％含有するNiFeMo（Moパーマロイ）におけ
るNi含有量と磁歪定数（λ）との関係を示した。第13図
は、スパッタリング法で作製した面心立方結晶構造を有
し＜111＞軸が弱く垂直配向した約0.25μｍ〜0.50μｍ
のMoパーマロイ薄膜の一例であり、本特許を何ら制限す
るものではない。
以下に実施例を示す。
［実施例］ 50μｍの厚さの二軸配向ポリエチレンテレフタレートの
フイルムを支持体Ｆとし、該支持体上に、直流二極マグ
ネトロンスパッタ装置を用い下記の条件下でパーマロイ
薄膜ＳとCoCr合金薄膜Ｒを順次積層した。
フイルムを支持体Ｆとし、該支持体上に、直流二極マグ
ネトロンスパッタ装置を用い下記の条件下でパーマロイ
薄膜ＳとCoCr合金薄膜Ｒを順次積層した。
（１）装置 日電アネルバ（株）製，型式SPF-430Hを用いた。４イン
チのターゲット３個を有し、真空中で３つの層の積層が
可能である。
チのターゲット３個を有し、真空中で３つの層の積層が
可能である。
また、強力な永久磁石を配し、4mm厚さの強磁性体ター
ゲットのスパッタが可能な様に改造した。さらに、基板
取付部は、下記の条件が可能な様に改造した。
ゲットのスパッタが可能な様に改造した。さらに、基板
取付部は、下記の条件が可能な様に改造した。
（２）基板 上記フイルムを16cm直径の円型金枠に展張し取り付け、
膜堆積中は18rpmで回転させた。また外部より直流電位
（Vb;バイアス電圧）を印加できるようになっている
（バイアススパッタ法は、例えば、特開昭57-34324号の
第４図参照）。
膜堆積中は18rpmで回転させた。また外部より直流電位
（Vb;バイアス電圧）を印加できるようになっている
（バイアススパッタ法は、例えば、特開昭57-34324号の
第４図参照）。
（３）スパッタ条件 （３−１）パーマロイ薄膜S; Mo5.0wt％,Mn0.02wt％,Fe16.1wt％，残部Ni（99.9％純
度）の組成を有するパーマロイターゲットを使用し、基
板とターゲットとの間隔55.5mm,アルゴンガス圧0.8Pa,
投入電力300wattで10分37秒間、基板に−100voltのVb電
圧を印加しながらスパッタした。
度）の組成を有するパーマロイターゲットを使用し、基
板とターゲットとの間隔55.5mm,アルゴンガス圧0.8Pa,
投入電力300wattで10分37秒間、基板に−100voltのVb電
圧を印加しながらスパッタした。
なお、このスパッタ条件で得られるパーマロイ薄膜のλ
は5.2×10-7であった。
は5.2×10-7であった。
（３−２）CoCr合金薄膜R; Cr20wt％，残部Co（99.9％純度）より成るCoCr合金ター
ゲットを使用し、基板とターゲットとの間隔55.5mm,ア
ルゴンガス圧0.4Pa,投入電力500wattで２分17秒間のス
パッタを行った。スパッタ時に−70voltの電圧（Vb）を
印加した。
ゲットを使用し、基板とターゲットとの間隔55.5mm,ア
ルゴンガス圧0.4Pa,投入電力500wattで２分17秒間のス
パッタを行った。スパッタ時に−70voltの電圧（Vb）を
印加した。
（４）評価結果 得られたCoCr/パーマロイ二層膜媒体の中心より半径45m
mの所の静特性は下記であった。
mの所の静特性は下記であった。
CoCr膜： 膜厚…0.20μｍ 垂直方向保磁力（Hcv）…680Oe 実効的異方性磁界（Hk）…（4.3±0.1）kOeパーマロイ
膜： 膜厚…0.53μｍ 保磁力…（９±１）Oe（CoCr膜とパーマロイ膜の積層状
態で、Ｍ−Ｈトレーサーを用い評価した。） 半径45mmの所を中心とし、半径方向と円周方向の２方向
より0.5インチ巾,60mm長の長方形の試料をサンプリング
し、市販の0.5インチ巾のVTRテープにつなぎ込み下記表
−１の条件で電磁変換特性を測定した。測定結果を表−
２に示した。
膜： 膜厚…0.53μｍ 保磁力…（９±１）Oe（CoCr膜とパーマロイ膜の積層状
態で、Ｍ−Ｈトレーサーを用い評価した。） 半径45mmの所を中心とし、半径方向と円周方向の２方向
より0.5インチ巾,60mm長の長方形の試料をサンプリング
し、市販の0.5インチ巾のVTRテープにつなぎ込み下記表
−１の条件で電磁変換特性を測定した。測定結果を表−
２に示した。
前述の第２図は本実施例の半径方向の2KBPIKの記録密度
における再生出力エンベロープを示したものである。な
お、第２図〜第６図はすべて各サンプルの2KBPIにおけ
るエンベロープの測定長約40mmの部分である。
における再生出力エンベロープを示したものである。な
お、第２図〜第６図はすべて各サンプルの2KBPIにおけ
るエンベロープの測定長約40mmの部分である。
［比較例］ 実施例と同様に、ただし、パーマロイ・ターゲットとし
て、Cu4.51wt％,Mo3.82wt％,Mn0.52wt％,Fe13.64wt％，
残部NiよりなるCuMoパーマロイを用い、二層膜媒体を作
製した。このCuMoパーマロイ薄膜のλは1.2×10-6であ
り、Hcは4.5±3OeであったCoCr膜の特性は実施例と略同
じであった。
て、Cu4.51wt％,Mo3.82wt％,Mn0.52wt％,Fe13.64wt％，
残部NiよりなるCuMoパーマロイを用い、二層膜媒体を作
製した。このCuMoパーマロイ薄膜のλは1.2×10-6であ
り、Hcは4.5±3OeであったCoCr膜の特性は実施例と略同
じであった。
実施例と同様に評価した電磁変換特性の結果を表−３に
示す。
示す。
以上のように本発明になる軟磁性層を有する二層膜媒体
はすぐれた再生出力の安定性を示した。
はすぐれた再生出力の安定性を示した。
第１図は本発明の垂直磁気記録媒体の代表的な構成を示
した断面図であり、Ｆは支持体,Sは軟磁性層,Rは記録
層,Pは保護層である。 第２図〜第６図は再生出力エンベロープの代表的な形を
示したもので、第２図が良好な場合、第５図と第６図が
不良なものであり、第３図と第４図が両者の中間的なも
のである。 第７図は種々の軟磁性層の保磁力Hcと磁歪定数の絶対値
｜λ｜に対して、該軟磁性層を有する二層膜媒体の再生
出力エンベロープの良否を示したものである。 第８図〜第11図は磁歪定数λを求める方法の説明図であ
り、第８図は測定サンプルの形状，第９図はＭ−Ｈトレ
ーサーにサンプルをセットした状態，第10図と第11図は
張力を加えながら測定された磁化困難軸方向のＭ−Ｈル
ープとHk値の求め方を示したものである。第12図は張力
ｆによるHkの変化をプロットしたものである。 第13図はMoパーマロイにおいて、Ni含有量に対し磁歪定
数λを示したものである。
した断面図であり、Ｆは支持体,Sは軟磁性層,Rは記録
層,Pは保護層である。 第２図〜第６図は再生出力エンベロープの代表的な形を
示したもので、第２図が良好な場合、第５図と第６図が
不良なものであり、第３図と第４図が両者の中間的なも
のである。 第７図は種々の軟磁性層の保磁力Hcと磁歪定数の絶対値
｜λ｜に対して、該軟磁性層を有する二層膜媒体の再生
出力エンベロープの良否を示したものである。 第８図〜第11図は磁歪定数λを求める方法の説明図であ
り、第８図は測定サンプルの形状，第９図はＭ−Ｈトレ
ーサーにサンプルをセットした状態，第10図と第11図は
張力を加えながら測定された磁化困難軸方向のＭ−Ｈル
ープとHk値の求め方を示したものである。第12図は張力
ｆによるHkの変化をプロットしたものである。 第13図はMoパーマロイにおいて、Ni含有量に対し磁歪定
数λを示したものである。
Claims (3)
- 【請求項１】支持体上に軟磁性層と記録層とを有する二
層膜構造の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性層を
膜面内で測定される磁歪定数（λ）が−１×10-6以上１
×10-6以下であり、かつ保磁力（Hc）が30エルステッド
（Oe）以下の軟磁性層（但し、磁化容易軸が膜面にほぼ
垂直を向いているかあるいは面内でもリング状磁気ヘッ
ドで記録・再生する時に軟磁性層を流れる磁力線に対し
ほぼ直角方向を向いている軟磁性層を除く）としたこと
を特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記軟磁性層の保磁力（Hc）が15Oe以下で
あり、かつ磁歪定数（λ）が−７×10-7以上７×10-7以
下である特許請求の範囲第（１）項記載の垂直磁気記録
媒体。 - 【請求項３】前記軟磁性層がパーマロイである特許請求
の範囲第（１）項、若しくは第（２）項記載の垂直磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60259857A JPH0754574B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60259857A JPH0754574B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121924A JPS62121924A (ja) | 1987-06-03 |
| JPH0754574B2 true JPH0754574B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=17339935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60259857A Expired - Lifetime JPH0754574B2 (ja) | 1985-11-21 | 1985-11-21 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754574B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4207140B2 (ja) | 2000-04-06 | 2009-01-14 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP4539282B2 (ja) | 2004-04-16 | 2010-09-08 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体用ディスク基板及びそれを用いた垂直磁気記録媒体 |
| JP5737676B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-06-17 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5868226A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-23 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-11-21 JP JP60259857A patent/JPH0754574B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62121924A (ja) | 1987-06-03 |
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