JPH0754803B2 - 気相成長方法 - Google Patents

気相成長方法

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JPH0754803B2
JPH0754803B2 JP11126486A JP11126486A JPH0754803B2 JP H0754803 B2 JPH0754803 B2 JP H0754803B2 JP 11126486 A JP11126486 A JP 11126486A JP 11126486 A JP11126486 A JP 11126486A JP H0754803 B2 JPH0754803 B2 JP H0754803B2
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JP
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rotating
carbon
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和美 河西
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Fujitsu Ltd
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【発明の詳細な説明】 〔概要〕 有機金属気相成長（MOCVD）法や通常の化学気相成長（C
VD）法において、成長膜の膜厚分布をよくするためにサ
セプタを回転させる方法がとられているが、とくに減圧
して成長を行う場合にはサセプタの回転部と固定部の摩
擦のため滑らかな回転ができなかった。そのためにキャ
リアガスをサセプタの回転部と固定部の隙間より導入し
て潤滑剤の役目をさせることにより、サセプタを円滑に
回転させる方法を提起する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はCVD法におけるサセプタの回転を円滑にする方
法に関する。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕
第３図は従来例を説明するサセプタの断面図である。
図において、被成長基板４を載せたカーボン製のサセプ
タ回転部１は、カーボン製のサセプタ固定部２の凹部に
勘合し、回転用カーボンロッド３によりそれぞれの部材
（サセプタ回転部１と回転用カーボンロッド３）に刻ま
れた傘歯車を介して回転できる構造となっている。
第４図は従来のCVD装置の一例を示す断面図である。
図において、成長室６内に被成長基板４を載せたサセプ
タ１、２を入れ、フランジ７で蓋をし、フランジ７より
回転用カーボンロッド３を外部に導出する。
成長室６は原料ガスとキャリアガスをガス導入口８より
導入し、排気口９より排気して所定の圧力に減圧する。
なお、10は被成長基板４の加熱用高周波コイルである。
従来から減圧CVD装置内のサセプタの回転部には潤滑油
等を用いることができないため、カーボン部材の組み合
わせで回転部を固定部より分離して回転させようとして
きた。
例えば、カーボンベアリング等が考えられたが、構造が
複雑で、本質的に接触部に気体の膜をつくれないため、
滑らかに回転させることが困難であった。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点の解決は、成長室内に導入するキャリアガス
を、被成長基板を載せるサセプタを構成するサセプタ回
転部とサセプタ固定部との間の隙間を通って供給する気
相成長方法により達成される。
〔作用〕
本発明は、サセプタの回転部と固定部との間に気体が存
在することによって、回転が滑らかになるという特性を
利用したものである。
この方法は、とくに減圧成長装置内でも滑らかに回転さ
せることができる。
〔実施例〕
第１図は本発明を説明するサセプタの断面図である。
図において、被成長基板４を載せたカーボン製のサセプ
タ回転部１は、カーボン製のサセプタ固定部２の凹部に
勘合し、回転用カーボンロッド３によりそれぞれの部材
（サセプタ回転部１と回転用カーボンロッド３）に刻ま
れた傘歯車を介して回転できる構造となっている。
キャリアガスはサセプタ固定部２に接続されたキャリア
ガス導入口５よりサセプタ回転部１とサセプタ固定部２
の隙間を通って成長室内に供給される。
第２図は本発明を実施するCVD装置の構成を示す断面図
である。
図において、成長室６内に被成長基板４を載せたサセプ
タ１、２を入れ、フランジ７で蓋をし、フランジ７より
回転用カーボンロッド３とキャリアガス導入口５を外部
に導出する。
成長室６は原料ガス、例えばアルシン（AsH3）や、ある
いはトリメチルガリウム〔TMG、（CH3）3Ga〕等の有機
金属ガスを原料ガス導入口８より導入し、排気口９より
通常の排気系を用いて排気し、所定の圧力に減圧する。
また、キャリアガス、例えば水素（H2）をキャリアガス
導入口５よりサセプタの隙間を通って成長室６内に供給
される。
なお、10は被成長基板４の加熱用高周波コイルである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、減圧CVD法におい
ても容易に回転できるサセプタを提供できるので、均一
性のよい成長が行え、素子形成の歩留を向上することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明を説明するサセプタの断面図、 第２図は本発明を実施するCVD装置の構成を示す断面
図、 第３図は従来例を説明するサセプタの断面図、 第４図は従来のCVD装置の一例を示す断面図である。 図において、 １はサセプタ回転部、 ２はサセプタ固定部、 ３は回転用カーボンロッド、 ４は被成長基板、 ５はキャリアガス導入口、 ６は成長室、 ７はフランジ、 ８は原料ガス導入口、 ９は排気口 である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】成長室内に導入するキャリアガスを、被成
    長基板を載せるサセプタを構成するサセプタ回転部
    （１）とサセプタ固定部（２）との間の隙間を通って供
    給することを特徴とする気相成長方法。
JP11126486A 1986-05-15 1986-05-15 気相成長方法 Expired - Lifetime JPH0754803B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0720912Y2 (ja) * 1988-05-12 1995-05-15 富士通株式会社 半導体基板の回転サセプタ
JP2733518B2 (ja) * 1989-04-29 1998-03-30 豊田合成株式会社 化合物半導体膜の気相成長装置

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JPS62266825A (ja) 1987-11-19

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