JPS6140774Y2 - - Google Patents
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- JPS6140774Y2 JPS6140774Y2 JP16767283U JP16767283U JPS6140774Y2 JP S6140774 Y2 JPS6140774 Y2 JP S6140774Y2 JP 16767283 U JP16767283 U JP 16767283U JP 16767283 U JP16767283 U JP 16767283U JP S6140774 Y2 JPS6140774 Y2 JP S6140774Y2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案はプラズマ気相成長（CVD）装置に係
り、特に該プラズマCVD装置の電極構造の改良
に関する。
り、特に該プラズマCVD装置の電極構造の改良
に関する。
(b) 従来の技術と問題点
試料、たとえば半導体基板上に層間絶縁膜或は
パツシベーシヨン膜を形成する場合にはプラズマ
気相成長法が用いられ、その際に使用される従来
のプラズマCVD装置について第１図の模式的該
略構成図を用いて説明する。
パツシベーシヨン膜を形成する場合にはプラズマ
気相成長法が用いられ、その際に使用される従来
のプラズマCVD装置について第１図の模式的該
略構成図を用いて説明する。
同図において１は反応室であり、たとえば石英
製の上蓋２と受台３によつて構成されており、該
反応室１内は完全に密閉される構造になつてい
る。上蓋２の中央部にはプラズマ発生用のアルミ
ニウム或はカーボン製よりなる高周波電極（上部
電極）４がシールパツキング５を介して設けら
れ、該高周波電極４の表面は炭化硅素（SiC）或
はアルミナ（Al2O3）の被覆膜６によつて被覆さ
れている。
製の上蓋２と受台３によつて構成されており、該
反応室１内は完全に密閉される構造になつてい
る。上蓋２の中央部にはプラズマ発生用のアルミ
ニウム或はカーボン製よりなる高周波電極（上部
電極）４がシールパツキング５を介して設けら
れ、該高周波電極４の表面は炭化硅素（SiC）或
はアルミナ（Al2O3）の被覆膜６によつて被覆さ
れている。
受台３の中央には回転シヤフト支持管７及び側
面に排気管８が設けられている。
面に排気管８が設けられている。
回転シヤフト支持管７の内部に反応室１内の回
転サセプタ（下部電極）９に連動した回転シヤフ
ト１０がシールパツキング１１を介して設けられ
ており、該回転シヤフト１０の中心部は中空で反
応ガス導入孔１２になつている。
転サセプタ（下部電極）９に連動した回転シヤフ
ト１０がシールパツキング１１を介して設けられ
ており、該回転シヤフト１０の中心部は中空で反
応ガス導入孔１２になつている。
又回転サセプタ９上に載置された半導体基板
（試料）１３を所定温度に加熱するための加熱用
ヒータ１４が受台３の底部に設けられている。
（試料）１３を所定温度に加熱するための加熱用
ヒータ１４が受台３の底部に設けられている。
かかる構造のプラズマCVD装置を用いて半導
体基板１３上に、たとえばシラン（SiH4）、アン
モニア（NH3）を用いて窒化シリコン膜（Si3N4）
を形成する場合には、先ず上蓋２を開き回転サセ
プタ９上に半導体基板１３を載置する。次いで上
蓋２を密閉し、真空ポンプ（図示せず）を駆動さ
せ反応室１内を真空に排気し、半導体基板１３を
加熱用ヒータ１４によつて所定温度（約400℃）
に加熱する。次いで反応ガス導入孔１２より所要
のシラン（SiH4）とアンモニア（NH3）の混合ガス
とキヤリアガス（N2）と共に反応室１内に導入し
て内圧が約0.5Torrとなるように調整し、高周波
電極４に13.56MHzの高周波電力を印加して、前
記反応ガスをプラズマ化させ次の反応式で示され
る化学反応によつて基板１３上に窒化膜を形成す
る 3SiH4＋4NH3→Si3N4＋12H2 所でこの場合大半の反応ガスは上記化学反応に
よりSi3N4となり、半導体基板１３上に析出し、
副産物は排気管８から排気されるが一部は反応室
内の低温部たとえば該高周波電極４、上蓋２、受
台３の内壁に析出して付着する。
体基板１３上に、たとえばシラン（SiH4）、アン
モニア（NH3）を用いて窒化シリコン膜（Si3N4）
を形成する場合には、先ず上蓋２を開き回転サセ
プタ９上に半導体基板１３を載置する。次いで上
蓋２を密閉し、真空ポンプ（図示せず）を駆動さ
せ反応室１内を真空に排気し、半導体基板１３を
加熱用ヒータ１４によつて所定温度（約400℃）
に加熱する。次いで反応ガス導入孔１２より所要
のシラン（SiH4）とアンモニア（NH3）の混合ガス
とキヤリアガス（N2）と共に反応室１内に導入し
て内圧が約0.5Torrとなるように調整し、高周波
電極４に13.56MHzの高周波電力を印加して、前
記反応ガスをプラズマ化させ次の反応式で示され
る化学反応によつて基板１３上に窒化膜を形成す
る 3SiH4＋4NH3→Si3N4＋12H2 所でこの場合大半の反応ガスは上記化学反応に
よりSi3N4となり、半導体基板１３上に析出し、
副産物は排気管８から排気されるが一部は反応室
内の低温部たとえば該高周波電極４、上蓋２、受
台３の内壁に析出して付着する。
特に半導体基板１３に対向する高周波電極面に
析出した付着物が、次回のプラズマ気相成長時に
剥離して半導体基板上に付着しピンホールの原因
となるなどの不都合を生ずる。この為付着物を剥
れにくくする為高周波電極４は通常炭化硅素
（SiC）或はアルミナ（Al2O3）の被覆膜６によつ
てコーテイングされている。
析出した付着物が、次回のプラズマ気相成長時に
剥離して半導体基板上に付着しピンホールの原因
となるなどの不都合を生ずる。この為付着物を剥
れにくくする為高周波電極４は通常炭化硅素
（SiC）或はアルミナ（Al2O3）の被覆膜６によつ
てコーテイングされている。
しかしながらかかる電極構造は高価であり、又
再生がきわめて困難であるなどの問題があつた。
再生がきわめて困難であるなどの問題があつた。
(c) 考案の目的
本考案の目的はかかる問題点に鑑みなされたも
ので、炭化硅素（SiC）或はアルミナ（Al2O3）で
被覆された高周波電極と同等の効果を有し、安価
で再生の容易な電極を具備してなるプラズマ
CVD装置の提供にある。
ので、炭化硅素（SiC）或はアルミナ（Al2O3）で
被覆された高周波電極と同等の効果を有し、安価
で再生の容易な電極を具備してなるプラズマ
CVD装置の提供にある。
(d) 考案の構成
その目的を達成するため、本考案は凹凸ある粗
面からなる試料対向面を有する電極が設けられた
ことを特徴とする。
面からなる試料対向面を有する電極が設けられた
ことを特徴とする。
(e) 考案の実施例
以下本考案の実施例について図面を参照して説
明する。第２図は本考案の一実施例のプラズマ気
相成長（CVD）装置の模式的概略構成図であり
第１図と同等の部分については同一符号を付して
いる。
明する。第２図は本考案の一実施例のプラズマ気
相成長（CVD）装置の模式的概略構成図であり
第１図と同等の部分については同一符号を付して
いる。
図から明らかなように本考案が従来と特に異な
る点は高周波電極２０の表面が炭化硅素
（SiC）、或はアルミナ（Al2O3）の被覆膜で覆われ
ることなく、半導体基板（試料）１３に対向する
面２１を凹凸ある粗面にみた点にある。
る点は高周波電極２０の表面が炭化硅素
（SiC）、或はアルミナ（Al2O3）の被覆膜で覆われ
ることなく、半導体基板（試料）１３に対向する
面２１を凹凸ある粗面にみた点にある。
即ち上記高周波電極２０の試料対向面２１にた
とえばサンドプラストにより所望のサンド粒子
（＃40〜＃60）を吹きつけ該試料方向２１を凹凸
ある粗面とした点である。
とえばサンドプラストにより所望のサンド粒子
（＃40〜＃60）を吹きつけ該試料方向２１を凹凸
ある粗面とした点である。
かかる構造の高周波電極２０によれば、プラズ
マ気相成長時に、該高周波電極２０の試料対向面
２１に付着する成長膜の剥離が凹凸ある粗面によ
つて剥れにくくなり、従来の被覆膜を有する高周
波電極と比較して安価でしかも同等の効果を有
し、更に多数回使用後の再生もサンドプラストに
よつて容易に行なうことができる。
マ気相成長時に、該高周波電極２０の試料対向面
２１に付着する成長膜の剥離が凹凸ある粗面によ
つて剥れにくくなり、従来の被覆膜を有する高周
波電極と比較して安価でしかも同等の効果を有
し、更に多数回使用後の再生もサンドプラストに
よつて容易に行なうことができる。
従つて装置の保守における費用が大巾に低減さ
れる効果がある。
れる効果がある。
(f) 考案の効果
以上説明したごとく本考案によれば、プラズマ
気相成長装置の高周波電極本体の試料対向面を直
接凹凸ある粗面とする構造とすることにより安価
で再生可能な電極構造を具備してなるプラズマ気
相成長装置となり、装置の保守費用が大巾に低減
され、率いては半導体装置の原価低減に寄与する
ものである。
気相成長装置の高周波電極本体の試料対向面を直
接凹凸ある粗面とする構造とすることにより安価
で再生可能な電極構造を具備してなるプラズマ気
相成長装置となり、装置の保守費用が大巾に低減
され、率いては半導体装置の原価低減に寄与する
ものである。
第１図は従来装置の模式的概略構成図、第２図
は本発明の一実施例の模式的概略構成図である。 図において、１は反応室、２は上蓋、３は受
台、４は高周波電極、５はシールパツキング、６
は被覆膜、７は回転シヤフト支持管、８は排気
管、９は回転サセプタ、１０は回転シヤフト、１
１はシールパツキング、１２は反応ガス導入孔、
１３は半導体基板（試料）、１４は加熱ヒータ、
２０は高周波電極、２１は高周波電極２０の試料
対向面を示す。
は本発明の一実施例の模式的概略構成図である。 図において、１は反応室、２は上蓋、３は受
台、４は高周波電極、５はシールパツキング、６
は被覆膜、７は回転シヤフト支持管、８は排気
管、９は回転サセプタ、１０は回転シヤフト、１
１はシールパツキング、１２は反応ガス導入孔、
１３は半導体基板（試料）、１４は加熱ヒータ、
２０は高周波電極、２１は高周波電極２０の試料
対向面を示す。
Claims (1)
- 凹凸のある粗面からなる試料対向面を有する電
極が設けられたことを特徴とするプラズマ気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16767283U JPS6075460U (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | プラズマ気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16767283U JPS6075460U (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | プラズマ気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075460U JPS6075460U (ja) | 1985-05-27 |
| JPS6140774Y2 true JPS6140774Y2 (ja) | 1986-11-20 |
Family
ID=30366770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16767283U Granted JPS6075460U (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | プラズマ気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075460U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2601488B2 (ja) * | 1987-10-13 | 1997-04-16 | 三井東圧化学株式会社 | 膜形成装置 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP16767283U patent/JPS6075460U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6075460U (ja) | 1985-05-27 |
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