JPS5837388B2 - キソウセイチヨウホウホウ

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【発明の詳細な説明】本発明は、気相，戊長方法に関する。

エレクトロニクス工業の分野において、気相成長方法に
よる膜の形膚が広く用いられている。

この方法は通常の蒸着法、スパッタリング法、メッキ法
などに比して膜の純度、基板に対する相傷の有無、段差
部における段切れの点等ですぐれた方法である。

例えば、モリブデン（ＭＯ）を戒長させる場合ＭｏＣｌ
！，を水素中で還元することにより行う。

この場合、ハロゲ゛ン化物の還元温度は非常に高いため
成長基板の温度を上げなくてはならず、基板の劣化を生
じ易い欠点がある。

このことは、例えばアルミニウムの気相成長方法などに
ついてはさらに問題となる。

即ち、従来行われているアルミニウムの有機化合物熱分
解法は、炭素などの混入のため半導体工業にとり入れる
ことは難かしいので、ハロゲン化物例えばＡｌＣｌ３を
水素還元する方法が考えられるが、ＡＩ！ＣＩ！３が１
？に変換される反応温度は、ＡＩ！の融点よりはるかに
高温であり、成長は困難なためである。

本発明は、上記点に鑑みなされたもので気相成長方法に
新たなプラズマ反応を加えることにより単体や化合物膜
の戒長を容易ならしめる方法を提供するものである。

以下、本発明を一実施例により図面を用いて説明する。

反応装置は反応容器本体１とふた２及びプラズマ生成用
高周波コイル３、基板加熱ヒータ４とを備えている。

反応容器本体１は石英製管であり、この内部の基板設置
部に成長用基板５，６・・・・・・が支持台７で保持さ
れている。

支持台７はシリコンカーバイト或いはグラファイト等で
構成されており、外部の加熱ヒータ４例えば高周波コイ
ルに電力を加えることにより、加熱される。

本実施例では基板を３００℃に保った。

又、前記ふた２は着脱自在で、前記成長基板５，６・・
・・・・の取り入れ取り出しが行えるとともに、排気口
８を介して真空ポンプ（図示せず）に連結されている。

ふた２と反応容器本体１とは密封性よく構成してある。

一方、前記反応容器本体１には、ガス導入口９が設けら
れ、ここから水素ガス及びＡｌＣｌ３ガスが導入される
。

この反応容器本体１内部は１０Ｔｏｒｒ程度に減
圧してある。

これは、後述するプラズマ生成を良好にするためであり
、前記真空ポンプによって真空度調整が行える。

又、ＡＩＣＩＩ３ガスは、溶液中にガスを通してバブル
して供給する。

このようにして、反応容器本体１内に水素ガス、ＡｌＣ
ｌ３ガスを導入し、前記高周波コイルにプラズマを生或
するに十分な電力例えば３００Ｗを加える。

この結果、前記成長基板５，６・・・・・・上には、Ａ
ｌが成長する。

この時、基板温度は３００℃であり、融点以下で良好な
Ａｌ膜が形成できた。

プラズマ生或部と基板設置部とを離隔してもＡｌの成長
が行えることが確認された。

プラズマ生戊部と基板設置部とが離隔していると、基板
がプラズマによる損傷を受けることがなく、またアルミ
ニウム膜の成長状況を良好に観察することができその実
用的価値は太きい。

なお、装置の小型化のためには、基板設置部にプラズマ
を生成するようにしてもよい。

上記実施例では単体膜の形或を例にとって説明したが、
気相成長源ガス内に２種類以上の戒長物質を含ませてお
き、化合物膜を形成することも出来る。

，本発明の効果としては、基板温度を十分低温にしてし
かも成長が行えることが挙げられる。

このため特に低融点物質の成長に本発明方法を適用する
ことは有効である。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例方法を説明するための断面図であ
る。

【特許請求の範囲】