JPH0758032A - 圧力制御装置および圧力制御方法 - Google Patents
圧力制御装置および圧力制御方法Info
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- JPH0758032A JPH0758032A JP21703693A JP21703693A JPH0758032A JP H0758032 A JPH0758032 A JP H0758032A JP 21703693 A JP21703693 A JP 21703693A JP 21703693 A JP21703693 A JP 21703693A JP H0758032 A JPH0758032 A JP H0758032A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ０．１Torrのような高真空状態から大気圧付
近の圧力まで広範囲にわたって圧力を制御することので
きる新規な圧力制御装置を提供する。 【構成】 気相反応装置の反応室の一端に接続されたメ
イン配管と、該メイン配管の途中に、反応室寄り側から
順に設けられた、第１のＡＰＣバルブ、第１のバルブ、
第２のバルブ、第１の真空ポンプ及び第２の真空ポンプ
と、第２のバルブの上流側と第１の真空ポンプの下流側
とを結ぶ第１のバイパスと、第２の真空ポンプの上流側
と下流側とを結ぶ第２のバイパスと、第１のＡＰＣバル
ブと第１のバルブの間と第２の真空ポンプの下流側とを
結ぶ第３のバイパスと、反応室と第１のＡＰＣバルブと
の間で前記メイン配管に接続された調圧用Ｎ2 ガス送入
パイプとからなり、第１のバイパスには第３のバルブ
が、第２のバイパスには第４のバルブと第２のＡＰＣバ
ルブが、第３のバイパスには第５のバルブが、調圧用Ｎ
2 ガス送入パイプには第６のバルブがそれぞれ配設され
ている。
近の圧力まで広範囲にわたって圧力を制御することので
きる新規な圧力制御装置を提供する。 【構成】 気相反応装置の反応室の一端に接続されたメ
イン配管と、該メイン配管の途中に、反応室寄り側から
順に設けられた、第１のＡＰＣバルブ、第１のバルブ、
第２のバルブ、第１の真空ポンプ及び第２の真空ポンプ
と、第２のバルブの上流側と第１の真空ポンプの下流側
とを結ぶ第１のバイパスと、第２の真空ポンプの上流側
と下流側とを結ぶ第２のバイパスと、第１のＡＰＣバル
ブと第１のバルブの間と第２の真空ポンプの下流側とを
結ぶ第３のバイパスと、反応室と第１のＡＰＣバルブと
の間で前記メイン配管に接続された調圧用Ｎ2 ガス送入
パイプとからなり、第１のバイパスには第３のバルブ
が、第２のバイパスには第４のバルブと第２のＡＰＣバ
ルブが、第３のバイパスには第５のバルブが、調圧用Ｎ
2 ガス送入パイプには第６のバルブがそれぞれ配設され
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧力制御装置に関する。
更に詳細には、本発明は気相反応装置の反応室の圧力
を、０．１Torr〜７６０Torrの広範囲にわたって制御可
能な圧力制御装置に関する。
更に詳細には、本発明は気相反応装置の反応室の圧力
を、０．１Torr〜７６０Torrの広範囲にわたって制御可
能な圧力制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、ウエハの
表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成する工程がある。
薄膜の形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用い
られており、ＣＶＤ法は大別すると、常圧法、減圧法お
よびプラズマ法の３種類がある。最近の超ＬＳＩにおい
ては高集積化に対応して高品質で高精度な薄膜が要求さ
れ続けている。
表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成する工程がある。
薄膜の形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用い
られており、ＣＶＤ法は大別すると、常圧法、減圧法お
よびプラズマ法の３種類がある。最近の超ＬＳＩにおい
ては高集積化に対応して高品質で高精度な薄膜が要求さ
れ続けている。
【０００３】従来からシリコン酸化膜の形成材料には例
えば、ＳｉＨ4 （別名、モノシラン）などが使用されて
きたが、半導体デバイスの微細化に伴ってステップカバ
レージの低下が問題となってきた。このモノシランガス
の代わりに、最近、液体のテトラエチルオルソシリケー
ト（ＴＥＯＳ）［Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ］が使用される
ようになってきた。ＴＥＯＳはステップカバレージに優
れた緻密な膜を形成できるためである。ＴＥＯＳを用い
てシリコン酸化膜を成膜する場合、ＴＥＯＳを加熱して
気化させ、ＴＥＯＳガスとし、これに酸素ガスまたはオ
ゾンガスを混合して反応炉に供給する。
えば、ＳｉＨ4 （別名、モノシラン）などが使用されて
きたが、半導体デバイスの微細化に伴ってステップカバ
レージの低下が問題となってきた。このモノシランガス
の代わりに、最近、液体のテトラエチルオルソシリケー
ト（ＴＥＯＳ）［Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ］が使用される
ようになってきた。ＴＥＯＳはステップカバレージに優
れた緻密な膜を形成できるためである。ＴＥＯＳを用い
てシリコン酸化膜を成膜する場合、ＴＥＯＳを加熱して
気化させ、ＴＥＯＳガスとし、これに酸素ガスまたはオ
ゾンガスを混合して反応炉に供給する。
【０００４】オゾンおよびＴＥＯＳからなる反応ガスは
一般的に非プラズマ雰囲気下で反応されてシリコン酸化
膜を生成し、酸素およびＴＥＯＳからなる反応ガスは一
般的にプラズマ雰囲気下で反応されてシリコン酸化膜を
生成する。プラズマ雰囲気下で酸素が分解されてオゾン
が形成され、この発生期のオゾンとＴＥＯＳが反応す
る。
一般的に非プラズマ雰囲気下で反応されてシリコン酸化
膜を生成し、酸素およびＴＥＯＳからなる反応ガスは一
般的にプラズマ雰囲気下で反応されてシリコン酸化膜を
生成する。プラズマ雰囲気下で酸素が分解されてオゾン
が形成され、この発生期のオゾンとＴＥＯＳが反応す
る。
【０００５】非プラズマ雰囲気下でオゾンおよびＴＥＯ
Ｓを反応させる場合、反応室の圧力は約１００Torr〜７
６０Torrの範囲内で制御され、プラズマ雰囲気下で酸素
およびＴＥＯＳを反応させる場合、反応室の圧力は約
０．１Torr〜７６０Torrの範囲内で制御される。
Ｓを反応させる場合、反応室の圧力は約１００Torr〜７
６０Torrの範囲内で制御され、プラズマ雰囲気下で酸素
およびＴＥＯＳを反応させる場合、反応室の圧力は約
０．１Torr〜７６０Torrの範囲内で制御される。
【０００６】反応室の圧力を約２０Torr程度までの真空
状態にする従来の真空排気系の一例を図７に示す。図示
されているように、反応室１００の一端にメイン配管１
１０が接続されており、このメイン配管１１０には真空
源として真空ポンプ１２０が配設されており、更に、真
空ポンプ１２０と反応室１００との間のメイン配管の途
中には自動圧力コントローラ（ＡＰＣ）バルブ１３０
が、また、ＡＰＣバルブと反応室との間のメイン配管の
途中には圧力調整用のＮ2 ガス送入用パイプ１４０がそ
れぞれ配設されている。調圧用Ｎ2 ガス送入用パイプ１
４０はバルブ１５０を有する。通常、ＡＰＣは大気側に
調圧したい場合、開閉度を減少させ、絶対真空側に調圧
したい場合、開閉度を増大させるように制御される。
状態にする従来の真空排気系の一例を図７に示す。図示
されているように、反応室１００の一端にメイン配管１
１０が接続されており、このメイン配管１１０には真空
源として真空ポンプ１２０が配設されており、更に、真
空ポンプ１２０と反応室１００との間のメイン配管の途
中には自動圧力コントローラ（ＡＰＣ）バルブ１３０
が、また、ＡＰＣバルブと反応室との間のメイン配管の
途中には圧力調整用のＮ2 ガス送入用パイプ１４０がそ
れぞれ配設されている。調圧用Ｎ2 ガス送入用パイプ１
４０はバルブ１５０を有する。通常、ＡＰＣは大気側に
調圧したい場合、開閉度を減少させ、絶対真空側に調圧
したい場合、開閉度を増大させるように制御される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示され
た亜真空発生機構を使用し、ＡＰＣバルブ１３０を前記
の論理に従って制御すると、２０Torrのような高い真空
度は容易に得られるが、１００Torr〜７６０Torr程度の
亜真空および常圧状態を形成するのは困難である。ＡＰ
Ｃバルブ１３０の開閉度の他に、真空ポンプの排気能力
および調圧用Ｎ2の送入量を調整したとしても所望の亜
真空状態を形成するのは容易ではない。
た亜真空発生機構を使用し、ＡＰＣバルブ１３０を前記
の論理に従って制御すると、２０Torrのような高い真空
度は容易に得られるが、１００Torr〜７６０Torr程度の
亜真空および常圧状態を形成するのは困難である。ＡＰ
Ｃバルブ１３０の開閉度の他に、真空ポンプの排気能力
および調圧用Ｎ2の送入量を調整したとしても所望の亜
真空状態を形成するのは容易ではない。
【０００８】従来の真空排気系ではＡＰＣバルブと真空
ポンプとの相関的な応答性が悪いので、図示された真空
排気系は圧力分解能の点で非常に劣る。従って、微小な
圧力範囲の調整は極めて困難か、または不可能である。
また、図７に示された排気系では真空ポンプの駆動を停
止したとしても大気圧付近の圧力状態を形成することは
できない。
ポンプとの相関的な応答性が悪いので、図示された真空
排気系は圧力分解能の点で非常に劣る。従って、微小な
圧力範囲の調整は極めて困難か、または不可能である。
また、図７に示された排気系では真空ポンプの駆動を停
止したとしても大気圧付近の圧力状態を形成することは
できない。
【０００９】更に、図示された真空発生機構ではプラズ
マ雰囲気下で酸素とＴＥＯＳを反応させるのに必要な高
真空状態（例えば、０．１Torr）を形成するのが困難あ
るいは不可能である。
マ雰囲気下で酸素とＴＥＯＳを反応させるのに必要な高
真空状態（例えば、０．１Torr）を形成するのが困難あ
るいは不可能である。
【００１０】従って、本発明の目的は、０．１Torrのよ
うな高真空状態から大気圧付近の圧力まで広範囲にわた
って圧力を制御することのできる新規な圧力制御装置を
提供することである。
うな高真空状態から大気圧付近の圧力まで広範囲にわた
って圧力を制御することのできる新規な圧力制御装置を
提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、気相反応装置の反応室の一端に接続さ
れたメイン配管と、該メイン配管の途中に配設された真
空ポンプと、前記真空ポンプの上流側と下流側とを結
ぶ、前記メイン配管に接続されたバイパス配管と、前記
バイパス配管内に配設された自動圧力コントローラ（Ａ
ＰＣ）バルブとからなる圧力制御装置を提供する。
に、本発明では、気相反応装置の反応室の一端に接続さ
れたメイン配管と、該メイン配管の途中に配設された真
空ポンプと、前記真空ポンプの上流側と下流側とを結
ぶ、前記メイン配管に接続されたバイパス配管と、前記
バイパス配管内に配設された自動圧力コントローラ（Ａ
ＰＣ）バルブとからなる圧力制御装置を提供する。
【００１２】更に、本発明では、気相反応装置の反応室
の一端に接続されたメイン配管と、該メイン配管の途中
に、反応室寄り側から順に設けられた、第１のＡＰＣバ
ルブ、第１のバルブ、第２のバルブ、第１の真空ポンプ
および第２の真空ポンプと、前記第２のバルブの上流側
と前記第１の真空ポンプの下流側とを結ぶ、前記メイン
配管に接続された第１のバイパスと、前記第２の真空ポ
ンプの上流側と下流側とを結ぶ、前記メイン配管に接続
された第２のバイパス配管と、前記第１のＡＰＣバルブ
と前記第１のバルブの間と前記第２の真空ポンプの下流
側とを結ぶ、前記メイン配管に接続された第３のバイパ
ス配管とからなり、前記第１のバイパス配管には第３の
バルブが配設されており、前記第２のバイパス配管には
第４のバルブと第２のＡＰＣバルブが配設されており、
前記第３のバイパスには第５のバルブが配設されている
圧力制御装置を提供する。
の一端に接続されたメイン配管と、該メイン配管の途中
に、反応室寄り側から順に設けられた、第１のＡＰＣバ
ルブ、第１のバルブ、第２のバルブ、第１の真空ポンプ
および第２の真空ポンプと、前記第２のバルブの上流側
と前記第１の真空ポンプの下流側とを結ぶ、前記メイン
配管に接続された第１のバイパスと、前記第２の真空ポ
ンプの上流側と下流側とを結ぶ、前記メイン配管に接続
された第２のバイパス配管と、前記第１のＡＰＣバルブ
と前記第１のバルブの間と前記第２の真空ポンプの下流
側とを結ぶ、前記メイン配管に接続された第３のバイパ
ス配管とからなり、前記第１のバイパス配管には第３の
バルブが配設されており、前記第２のバイパス配管には
第４のバルブと第２のＡＰＣバルブが配設されており、
前記第３のバイパスには第５のバルブが配設されている
圧力制御装置を提供する。
【００１３】
【作用】本発明の圧力制御装置では、メイン配管にバイ
パス配管が接続されているので、これらを適当に組み合
わせて使用することにより０．１Torr〜７６０Torrの非
常に広い範囲にわたって反応室の圧力を制御することが
できる。特に、バイパス配管を利用し、真空ポンプによ
り排気された気体の一部を下流側から上流側に向かって
返送し、この返送気体量を制御することにより反応室の
圧力を１００Torr程度の亜真空状態にすることができ
る。また、バイパス配管の使用により反応室の圧力を高
分解能で制御することができる。
パス配管が接続されているので、これらを適当に組み合
わせて使用することにより０．１Torr〜７６０Torrの非
常に広い範囲にわたって反応室の圧力を制御することが
できる。特に、バイパス配管を利用し、真空ポンプによ
り排気された気体の一部を下流側から上流側に向かって
返送し、この返送気体量を制御することにより反応室の
圧力を１００Torr程度の亜真空状態にすることができ
る。また、バイパス配管の使用により反応室の圧力を高
分解能で制御することができる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明を更に詳細
に説明する。
に説明する。
【００１５】図１は本発明の圧力制御装置の一例の模式
的構成図である。図示されているように、気相反応装置
（例えば、ＣＶＤ装置）の反応室１の適当な一端に排気
用のメイン配管３が接続されている。メイン配管の途中
には真空ポンプ５が配設されている。真空ポンプは例え
ば、メカニカルブースターポンプまたはドライポンプな
ど当業者に周知のポンプを使用することができる。メイ
ン配管に配設された真空ポンプの上流側と下流側とをつ
なぐように（すなわち、真空ポンプをバイパスするよう
に）、バイパス配管７がメイン配管に接続されている。
バイパス配管７の管路にはＡＰＣバルブ９が配設されて
いる。ＡＰＣバルブ自体は公知であり、例えば、日本エ
ム・ケー・エス株式会社から市販されている。メイン配
管３には更に調圧用のＮ2 ガス送入パイプ１１も接続さ
れている。調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ１１の途中にはバ
ルブ（例えば、エアーオペレイトバルブなど）１３が配
設されていて、このバルブ１３によりＮ2 ガスの送入量
を調節し、圧力調整の目的を果たす。調圧用Ｎ2 ガス送
入パイプ１１はバイパス配管７よりも上流側に存在する
ことが好ましい。別法として、調圧用Ｎ2 ガス送入パイ
プ１１をメイン配管３に設けず、反応室１に直結し、反
応室１に直接、調圧用Ｎ2 ガスを送入することにより反
応室の圧力調整の目的を果たすこともできる。
的構成図である。図示されているように、気相反応装置
（例えば、ＣＶＤ装置）の反応室１の適当な一端に排気
用のメイン配管３が接続されている。メイン配管の途中
には真空ポンプ５が配設されている。真空ポンプは例え
ば、メカニカルブースターポンプまたはドライポンプな
ど当業者に周知のポンプを使用することができる。メイ
ン配管に配設された真空ポンプの上流側と下流側とをつ
なぐように（すなわち、真空ポンプをバイパスするよう
に）、バイパス配管７がメイン配管に接続されている。
バイパス配管７の管路にはＡＰＣバルブ９が配設されて
いる。ＡＰＣバルブ自体は公知であり、例えば、日本エ
ム・ケー・エス株式会社から市販されている。メイン配
管３には更に調圧用のＮ2 ガス送入パイプ１１も接続さ
れている。調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ１１の途中にはバ
ルブ（例えば、エアーオペレイトバルブなど）１３が配
設されていて、このバルブ１３によりＮ2 ガスの送入量
を調節し、圧力調整の目的を果たす。調圧用Ｎ2 ガス送
入パイプ１１はバイパス配管７よりも上流側に存在する
ことが好ましい。別法として、調圧用Ｎ2 ガス送入パイ
プ１１をメイン配管３に設けず、反応室１に直結し、反
応室１に直接、調圧用Ｎ2 ガスを送入することにより反
応室の圧力調整の目的を果たすこともできる。
【００１６】通常、ＡＰＣバルブは大気側に調圧したい
場合、開閉度を減少させ、絶対真空側に調圧したい場
合、開閉度を増大させるように動作される。しかし、本
発明では従来のＡＰＣバルブの使用方法と全く逆の使用
方法で動作させる。すなわち、反応室１を真空ポンプ５
により排気する際、炉内圧力よりも大気圧に近付けたい
場合、バイパスライン７のＡＰＣバルブ９の開閉度を増
加させるか、調圧用Ｎ2の流量を増大させることにより
実現できる。ＡＰＣバルブ９の開閉度が増加するとバイ
パス配管７により真空ポンプの下流側から上流側に戻る
気体量が増大する（従って、反応室１内の気体は排気さ
れず、炉内に残る）ので、調圧用Ｎ2 ガスの流量の増大
により炉内圧力は徐々に上昇し大気圧に近づく。一方、
絶対真空側に調圧したい場合、バイパスライン７のＡＰ
Ｃバルブ９の開閉度を減少させ、調圧用Ｎ2 ガスの流量
を減少させることにより実現できる。ＡＰＣバルブ９の
開閉度が減少するとバイパス配管７により真空ポンプの
下流側から上流側に戻る気体量が減少する（従って、反
応室１内の気体はどんどん排気され、炉内は空になる）
ので、炉内圧力は徐々に下降し真空状態になる。
場合、開閉度を減少させ、絶対真空側に調圧したい場
合、開閉度を増大させるように動作される。しかし、本
発明では従来のＡＰＣバルブの使用方法と全く逆の使用
方法で動作させる。すなわち、反応室１を真空ポンプ５
により排気する際、炉内圧力よりも大気圧に近付けたい
場合、バイパスライン７のＡＰＣバルブ９の開閉度を増
加させるか、調圧用Ｎ2の流量を増大させることにより
実現できる。ＡＰＣバルブ９の開閉度が増加するとバイ
パス配管７により真空ポンプの下流側から上流側に戻る
気体量が増大する（従って、反応室１内の気体は排気さ
れず、炉内に残る）ので、調圧用Ｎ2 ガスの流量の増大
により炉内圧力は徐々に上昇し大気圧に近づく。一方、
絶対真空側に調圧したい場合、バイパスライン７のＡＰ
Ｃバルブ９の開閉度を減少させ、調圧用Ｎ2 ガスの流量
を減少させることにより実現できる。ＡＰＣバルブ９の
開閉度が減少するとバイパス配管７により真空ポンプの
下流側から上流側に戻る気体量が減少する（従って、反
応室１内の気体はどんどん排気され、炉内は空になる）
ので、炉内圧力は徐々に下降し真空状態になる。
【００１７】このように真空ポンプをバイパスするよう
にバイパス配管を設け、そのバイパス管路内にＡＰＣバ
ルブを設けることにより反応室内を約１００Torr〜７６
０Torr程度の亜真空状態にすることができる。図７に示
した従来の構成の圧力制御装置では高真空状態の形成に
は適するが、約１００Torr〜７６０Torr程度の亜真空状
態を形成するには適さない。図７に示した従来の構成の
圧力制御装置ではＡＰＣバルブと真空ポンプとの相関的
な応答性が悪いので、微小な圧力調整を行うことは困難
である。すなわち、従来の圧力制御装置は分解能に劣る
が、本発明の圧力制御装置によれば、バイパスラインに
迂回される排気気体量を調整することにより容易に約１
００Torr〜７６０Torr程度の亜真空状態を形成すること
ができ、しかも、分解能が高いので微小な圧力調整を行
うことが可能になる。
にバイパス配管を設け、そのバイパス管路内にＡＰＣバ
ルブを設けることにより反応室内を約１００Torr〜７６
０Torr程度の亜真空状態にすることができる。図７に示
した従来の構成の圧力制御装置では高真空状態の形成に
は適するが、約１００Torr〜７６０Torr程度の亜真空状
態を形成するには適さない。図７に示した従来の構成の
圧力制御装置ではＡＰＣバルブと真空ポンプとの相関的
な応答性が悪いので、微小な圧力調整を行うことは困難
である。すなわち、従来の圧力制御装置は分解能に劣る
が、本発明の圧力制御装置によれば、バイパスラインに
迂回される排気気体量を調整することにより容易に約１
００Torr〜７６０Torr程度の亜真空状態を形成すること
ができ、しかも、分解能が高いので微小な圧力調整を行
うことが可能になる。
【００１８】所望の成膜圧力条件および／または成膜プ
ロセスシーケンス処理条件は予めプログラムされてメモ
リ１５に記憶されている。キーボード１７から所望のコ
マンドを入力すると、インタフェース１９を介してＭＰ
Ｕ２１に伝えられ、メモリ内の所定のプログラムが起動
される。この起動されたプログラムの内容に応じてＭＰ
Ｕ２１からインタフェース１９を介してバルブ駆動回路
２３、真空ポンプ駆動回路２５および圧力コントローラ
２７に所定の信号を送り、圧力制御を開始させる。圧力
コントローラ２７からはＡＰＣバルブ駆動回路２９に所
定の信号が送出され、ＡＰＣバルブ９の開閉度を調節す
る。反応室１には適当な圧力センサ（例えば、ＭＫＳバ
ラトロン・キャパシタンス・マノメータ）３１が配設さ
れており、炉内圧力を検出し、その信号を圧力コントロ
ーラ２７に送る。圧力コントローラ２７はその検出信号
を設定値と比較し、実際の圧力が要求圧力と等しくなる
ように必要な信号をＡＰＣバルブ駆動回路２９に送り、
ＡＰＣバルブ９の開閉度を調整する。ＡＰＣバルブ９の
開閉度の調整に併せて、必要に応じて、調圧用Ｎ2ガス
送入バルブ１３を開閉し、および／または真空ポンプの
排気能力を調整する。これらはいずれもＭＰＵからの信
号に基づいてバルブ駆動回路および真空ポンプ駆動回路
により自動的に行われる。
ロセスシーケンス処理条件は予めプログラムされてメモ
リ１５に記憶されている。キーボード１７から所望のコ
マンドを入力すると、インタフェース１９を介してＭＰ
Ｕ２１に伝えられ、メモリ内の所定のプログラムが起動
される。この起動されたプログラムの内容に応じてＭＰ
Ｕ２１からインタフェース１９を介してバルブ駆動回路
２３、真空ポンプ駆動回路２５および圧力コントローラ
２７に所定の信号を送り、圧力制御を開始させる。圧力
コントローラ２７からはＡＰＣバルブ駆動回路２９に所
定の信号が送出され、ＡＰＣバルブ９の開閉度を調節す
る。反応室１には適当な圧力センサ（例えば、ＭＫＳバ
ラトロン・キャパシタンス・マノメータ）３１が配設さ
れており、炉内圧力を検出し、その信号を圧力コントロ
ーラ２７に送る。圧力コントローラ２７はその検出信号
を設定値と比較し、実際の圧力が要求圧力と等しくなる
ように必要な信号をＡＰＣバルブ駆動回路２９に送り、
ＡＰＣバルブ９の開閉度を調整する。ＡＰＣバルブ９の
開閉度の調整に併せて、必要に応じて、調圧用Ｎ2ガス
送入バルブ１３を開閉し、および／または真空ポンプの
排気能力を調整する。これらはいずれもＭＰＵからの信
号に基づいてバルブ駆動回路および真空ポンプ駆動回路
により自動的に行われる。
【００１９】圧力コントローラ２７は比例、微分および
積分の３種類のコントロール・モードを備えている。比
例動作はエラー信号（検出値と設定値のずれ）の直線因
子をＡＰＣバルブに直接伝えてバルブを開閉させる。微
分動作はエラー信号の変化率（最大まで）に比例する信
号をＡＰＣバルブに伝える。この微分動作によって予測
的要素が与えられ、微分動作のないものよりも早くＡＰ
Ｃバルブが適切な安定状態に達することができる。積分
動作はエラー信号の持続時間に比例する信号をＡＰＣバ
ルブに伝える。すなわち、時間の経過につれてバルブ開
閉度はエラー信号がゼロになるまで変化する。
積分の３種類のコントロール・モードを備えている。比
例動作はエラー信号（検出値と設定値のずれ）の直線因
子をＡＰＣバルブに直接伝えてバルブを開閉させる。微
分動作はエラー信号の変化率（最大まで）に比例する信
号をＡＰＣバルブに伝える。この微分動作によって予測
的要素が与えられ、微分動作のないものよりも早くＡＰ
Ｃバルブが適切な安定状態に達することができる。積分
動作はエラー信号の持続時間に比例する信号をＡＰＣバ
ルブに伝える。すなわち、時間の経過につれてバルブ開
閉度はエラー信号がゼロになるまで変化する。
【００２０】図１の圧力制御装置は約１００Torr〜７６
０Torrの範囲内の圧力制御に特に適する。プラズマ雰囲
気で成膜処理を行うには更に高い真空度（例えば、０．
１Torr）が必要であるが、反応室内に反応ガス、キャリ
アガスなどが送入される場合、図１の装置のように真空
ポンプ１台では０．１Torrのような高真空状態を形成す
るのは困難である。そこで、０．１Torr〜７６０Torrの
ような広範囲の圧力制御を可能にする圧力制御装置の一
例を図２に示す。
０Torrの範囲内の圧力制御に特に適する。プラズマ雰囲
気で成膜処理を行うには更に高い真空度（例えば、０．
１Torr）が必要であるが、反応室内に反応ガス、キャリ
アガスなどが送入される場合、図１の装置のように真空
ポンプ１台では０．１Torrのような高真空状態を形成す
るのは困難である。そこで、０．１Torr〜７６０Torrの
ような広範囲の圧力制御を可能にする圧力制御装置の一
例を図２に示す。
【００２１】図２に図示されているように、本発明の別
の実施例による圧力制御装置では、気相反応装置（例え
ば、ＣＶＤ装置）の反応室１の適当な一端に排気用のメ
イン配管３が接続されている。メイン配管３の、反応室
１との接続箇所の直ぐ近くに調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ
１１が接続されている。調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ１１
の途中にはバルブ（例えば、エアーオペレイトバルブな
ど）１３が配設されていて、このバルブ１３によりＮ2
ガスの送入量を調節し、圧力調整の目的を果たす。別法
として、調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ１１をメイン配管３
に設けず、反応室１に直結し、反応室１に直接、調圧用
Ｎ2 ガスを送入することにより反応室の圧力調整の目的
を果たすこともできる。調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ１１
の直ぐ下流側のメイン配管３に第１のＡＰＣバルブ３２
が配設されている。メイン配管３には、この第１のＡＰ
Ｃバルブ３２の他に更に、ＡＰＣバルブ３２の下流側に
第１のバルブ３３、第２のバルブ３５、第１の真空ポン
プ３７および第２の真空ポンプ３９がそれぞれこの順に
配設されている。第１の真空ポンプは例えば、メカニカ
ルブースターポンプであり、第２の真空ポンプはドライ
ポンプであることができる。その他、当業者に公知のポ
ンプ類も当然使用できる。
の実施例による圧力制御装置では、気相反応装置（例え
ば、ＣＶＤ装置）の反応室１の適当な一端に排気用のメ
イン配管３が接続されている。メイン配管３の、反応室
１との接続箇所の直ぐ近くに調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ
１１が接続されている。調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ１１
の途中にはバルブ（例えば、エアーオペレイトバルブな
ど）１３が配設されていて、このバルブ１３によりＮ2
ガスの送入量を調節し、圧力調整の目的を果たす。別法
として、調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ１１をメイン配管３
に設けず、反応室１に直結し、反応室１に直接、調圧用
Ｎ2 ガスを送入することにより反応室の圧力調整の目的
を果たすこともできる。調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ１１
の直ぐ下流側のメイン配管３に第１のＡＰＣバルブ３２
が配設されている。メイン配管３には、この第１のＡＰ
Ｃバルブ３２の他に更に、ＡＰＣバルブ３２の下流側に
第１のバルブ３３、第２のバルブ３５、第１の真空ポン
プ３７および第２の真空ポンプ３９がそれぞれこの順に
配設されている。第１の真空ポンプは例えば、メカニカ
ルブースターポンプであり、第２の真空ポンプはドライ
ポンプであることができる。その他、当業者に公知のポ
ンプ類も当然使用できる。
【００２２】また、メイン配管３には、第２のバルブと
第１の真空ポンプをバイパスする第１のバイパス配管４
１が接続されている。この第１のバイパス配管の管路内
には第３のバルブ４３が配設されている。更に、この第
１のバイパス配管４１よりもメイン配管の下流側であっ
て、第２の真空ポンプ３９をバイパスする第２のバイパ
ス配管４５が接続されている。この第２のバイパス配管
の管路内には第４のバルブ４７と第２のＡＰＣバルブ４
９が配設されている。更に、第１のＡＰＣバルブ３２と
第１のバルブの間と第２のバイパス配管よりも下流側と
を結ぶ第３のバイパス配管５１がメイン配管３に接続さ
れており、この第３のバイパス配管の管路内には第５の
バルブが配設されている。
第１の真空ポンプをバイパスする第１のバイパス配管４
１が接続されている。この第１のバイパス配管の管路内
には第３のバルブ４３が配設されている。更に、この第
１のバイパス配管４１よりもメイン配管の下流側であっ
て、第２の真空ポンプ３９をバイパスする第２のバイパ
ス配管４５が接続されている。この第２のバイパス配管
の管路内には第４のバルブ４７と第２のＡＰＣバルブ４
９が配設されている。更に、第１のＡＰＣバルブ３２と
第１のバルブの間と第２のバイパス配管よりも下流側と
を結ぶ第３のバイパス配管５１がメイン配管３に接続さ
れており、この第３のバイパス配管の管路内には第５の
バルブが配設されている。
【００２３】前記のように本発明の第２の実施例による
圧力制御装置では、メイン配管３の他に、バイパスライ
ンが３本あるので、結果的に排気系統ラインを４ライン
有することとなる。これにより、図２に示された圧力制
御装置は０．１Torr程度の高真空から７６０Torrの大気
圧付近まで非常に広範囲にわたって反応室の圧力を効果
的に制御することができる。
圧力制御装置では、メイン配管３の他に、バイパスライ
ンが３本あるので、結果的に排気系統ラインを４ライン
有することとなる。これにより、図２に示された圧力制
御装置は０．１Torr程度の高真空から７６０Torrの大気
圧付近まで非常に広範囲にわたって反応室の圧力を効果
的に制御することができる。
【００２４】所望の成膜圧力条件および／または成膜プ
ロセスシーケンス処理条件に合致する排気系統ラインの
構築は、処理プログラムおよび実行プログラムが格納さ
れたメモリ６０、ＭＰＵ６２、インタフェース６４およ
びキーボード６６からなるコンピュータシステムにより
行われる。実際には、例えば、所望の圧力条件の形成に
必要な最適の排気系統ラインの番号または所望の設定圧
力値をキーボードから入力すると、このコマンドに応答
して、メモリ内の対応テーブルを参照し、所定のバルブ
を開閉させるＯＮ／ＯＦＦ信号、所定の真空ポンプを駆
動させるＯＮ／ＯＦＦ信号および／または所定のＡＰＣ
バルブを動作させる駆動信号などがＭＰＵ６２からイン
タフェース６４を介してバルブ駆動回路６７，真空ポン
プ駆動回路６８，第１の圧力コントローラ７０および第
２の圧力コントローラ７２などに送信される。
ロセスシーケンス処理条件に合致する排気系統ラインの
構築は、処理プログラムおよび実行プログラムが格納さ
れたメモリ６０、ＭＰＵ６２、インタフェース６４およ
びキーボード６６からなるコンピュータシステムにより
行われる。実際には、例えば、所望の圧力条件の形成に
必要な最適の排気系統ラインの番号または所望の設定圧
力値をキーボードから入力すると、このコマンドに応答
して、メモリ内の対応テーブルを参照し、所定のバルブ
を開閉させるＯＮ／ＯＦＦ信号、所定の真空ポンプを駆
動させるＯＮ／ＯＦＦ信号および／または所定のＡＰＣ
バルブを動作させる駆動信号などがＭＰＵ６２からイン
タフェース６４を介してバルブ駆動回路６７，真空ポン
プ駆動回路６８，第１の圧力コントローラ７０および第
２の圧力コントローラ７２などに送信される。
【００２５】各排気系統ラインとその実現可能な圧力範
囲との関係について更に詳細に説明する。
囲との関係について更に詳細に説明する。
【００２６】(1) ０．１Torr〜２０Torrの範囲内の圧力
制御の場合 図３に示されるように、メイン配管３のみを使用し、バ
イパスラインは全て使用しない。具体的には、第１のバ
ルブ３３および第２のバルブ３５を開成し、各バイパス
ライン内の第３のバルブ４３，第４のバルブ４７および
第５のバルブ５３を閉成する。そして、第１の真空ポン
プ３７および第２の真空ポンプ３９を両方とも稼働させ
る。これと共に、第１のＡＰＣバルブ３２を正論理に従
って可変させ、調圧用バルブ１３を開いてＮ2 を流して
調圧することにより実現させることができる。ＡＰＣバ
ルブの正論理とは、大気圧側に調圧したい場合、バルブ
開閉度を減少させ、絶対真空側に調圧したい場合、バル
ブ開閉度を増大させる動作論理のことである。従って、
この場合は、バルブ開閉度を増大させるように動作させ
る。反応室１には適当な圧力センサ（例えば、ＭＫＳバ
ラトロン・キャパシタンス・マノメータ）３１が配設さ
れており、炉内圧力を検出し、その信号をライン７８を
介して第１の圧力コントローラ７０に送る。第１の圧力
コントローラ７０はその検出信号を設定値と比較し、実
際の圧力が要求圧力と等しくなるように必要な信号を第
１のＡＰＣバルブ駆動回路７４に送り、第１のＡＰＣバ
ルブ３２の開閉度を調整する。第１のＡＰＣバルブ９の
開閉度の調整に併せて、必要に応じて、調圧用Ｎ2 ガス
送入バルブ１３を開閉し、および／または真空ポンプの
排気能力を調整する。これらはいずれもＭＰＵからの信
号に基づいてバルブ駆動回路および真空ポンプ駆動回路
により自動的に行われる。図２の第１の圧力コントロー
ラ７０は図１における圧力コントローラ２７と同様に比
例、微分および積分の３種類のコントロール・モードを
備えている。
制御の場合 図３に示されるように、メイン配管３のみを使用し、バ
イパスラインは全て使用しない。具体的には、第１のバ
ルブ３３および第２のバルブ３５を開成し、各バイパス
ライン内の第３のバルブ４３，第４のバルブ４７および
第５のバルブ５３を閉成する。そして、第１の真空ポン
プ３７および第２の真空ポンプ３９を両方とも稼働させ
る。これと共に、第１のＡＰＣバルブ３２を正論理に従
って可変させ、調圧用バルブ１３を開いてＮ2 を流して
調圧することにより実現させることができる。ＡＰＣバ
ルブの正論理とは、大気圧側に調圧したい場合、バルブ
開閉度を減少させ、絶対真空側に調圧したい場合、バル
ブ開閉度を増大させる動作論理のことである。従って、
この場合は、バルブ開閉度を増大させるように動作させ
る。反応室１には適当な圧力センサ（例えば、ＭＫＳバ
ラトロン・キャパシタンス・マノメータ）３１が配設さ
れており、炉内圧力を検出し、その信号をライン７８を
介して第１の圧力コントローラ７０に送る。第１の圧力
コントローラ７０はその検出信号を設定値と比較し、実
際の圧力が要求圧力と等しくなるように必要な信号を第
１のＡＰＣバルブ駆動回路７４に送り、第１のＡＰＣバ
ルブ３２の開閉度を調整する。第１のＡＰＣバルブ９の
開閉度の調整に併せて、必要に応じて、調圧用Ｎ2 ガス
送入バルブ１３を開閉し、および／または真空ポンプの
排気能力を調整する。これらはいずれもＭＰＵからの信
号に基づいてバルブ駆動回路および真空ポンプ駆動回路
により自動的に行われる。図２の第１の圧力コントロー
ラ７０は図１における圧力コントローラ２７と同様に比
例、微分および積分の３種類のコントロール・モードを
備えている。
【００２７】(2) ２０Torr〜１００Torrの範囲内の圧力
制御の場合 図４に示されるように、真空ポンプは第２の真空ポンプ
３９（例えば、ドライポンプ）のみを使用する。第１の
真空ポンプ３７（例えば、メカニカルブースターポン
プ）は停止されるので、メイン配管３を迂回するために
第１のバイパス配管４１を使用する。具体的には、第１
のバルブ３３および第３のバルブ４３を開成し、第２の
バルブ３５，第４のバルブ４７および第５のバルブ５３
を閉成する。そして、第２の真空ポンプ３９のみを稼働
させる。これと共に、第１のＡＰＣバルブ３２を正論理
に従って可変させ、調圧用バルブ１３を開いてＮ2 を流
して調圧することにより２０Torr〜１００Torrの範囲内
の圧力制御を実現させることができる。
制御の場合 図４に示されるように、真空ポンプは第２の真空ポンプ
３９（例えば、ドライポンプ）のみを使用する。第１の
真空ポンプ３７（例えば、メカニカルブースターポン
プ）は停止されるので、メイン配管３を迂回するために
第１のバイパス配管４１を使用する。具体的には、第１
のバルブ３３および第３のバルブ４３を開成し、第２の
バルブ３５，第４のバルブ４７および第５のバルブ５３
を閉成する。そして、第２の真空ポンプ３９のみを稼働
させる。これと共に、第１のＡＰＣバルブ３２を正論理
に従って可変させ、調圧用バルブ１３を開いてＮ2 を流
して調圧することにより２０Torr〜１００Torrの範囲内
の圧力制御を実現させることができる。
【００２８】(3) １００Torr〜７４０Torr付近の範囲内
の圧力制御の場合 図５に示されるように、真空ポンプは第２の真空ポンプ
３９のみを使用する。第１の真空ポンプ３７は停止され
るので、メイン配管３を迂回するために第１のバイパス
配管４１を使用する。更に、亜真空状態の圧力を形成す
るために第２のバイパス配管４５も使用しなければなら
ない。具体的には、第１のバルブ３３，第３のバルブ４
３および第４のバルブ４７を開成し、第２のバルブ３５
および第５のバルブ５３を閉成する。第１のＡＰＣバル
ブ３２の開度を１００％に固定し、第２の真空ポンプ３
９のみを稼働させる。これと共に、第２のＡＰＣバルブ
４９を逆論理に従って可変させ、調圧用バルブ１３を開
いてＮ2 を流して調圧することにより１００Torr〜７４
０Torrの範囲内の圧力制御を実現させることができる。
結果的にこの真空排気系は図１に示された圧力制御装置
の排気系と実質的に同一になる。“第２のＡＰＣバルブ
４９を逆論理に従って可変させる”とは、大気圧側に調
圧したい場合、バルブ開閉度を増大させ、絶対真空側に
調圧したい場合、バルブ開閉度を減少させることであ
る。すなわち、前記のように、第２のＡＰＣバルブ４９
の開閉度が増大するとメイン配管３の上流側に返送され
る気体量が増大するので、調圧用Ｎ2 ガスの送入により
反応室の圧力は大気圧に近づいていく。一方、第２のＡ
ＰＣバルブ４９の開閉度が減少するとメイン配管３の上
流側に返送される気体量も減少するので、調圧用Ｎ2 ガ
スを送入しなければ反応室の圧力は低下し続ける。前記
のように、反応室１には圧力センサ３１が配設されてお
り、炉内圧力を検出し、その信号をライン８０を介して
第２の圧力コントローラ７２に送る。第２の圧力コント
ローラ７２はその検出信号を設定値と比較し、実際の圧
力が要求圧力と等しくなるように必要な信号を第２のＡ
ＰＣバルブ駆動回路７６に送り、第２のＡＰＣバルブ４
９の開閉度を調整する。第２のＡＰＣバルブ４９の開閉
度の調整に併せて、必要に応じて、調圧用Ｎ2 ガス送入
バルブ１３を開閉し、および／または第２の真空ポンプ
３９の排気能力を調整する。これらはいずれもＭＰＵか
らの信号に基づいてバルブ駆動回路および真空ポンプ駆
動回路により自動的に行われる。図５の第２の圧力コン
トローラ７２は図１における圧力コントローラ２７と同
様に比例、微分および積分の３種類のコントロール・モ
ードを備えている。
の圧力制御の場合 図５に示されるように、真空ポンプは第２の真空ポンプ
３９のみを使用する。第１の真空ポンプ３７は停止され
るので、メイン配管３を迂回するために第１のバイパス
配管４１を使用する。更に、亜真空状態の圧力を形成す
るために第２のバイパス配管４５も使用しなければなら
ない。具体的には、第１のバルブ３３，第３のバルブ４
３および第４のバルブ４７を開成し、第２のバルブ３５
および第５のバルブ５３を閉成する。第１のＡＰＣバル
ブ３２の開度を１００％に固定し、第２の真空ポンプ３
９のみを稼働させる。これと共に、第２のＡＰＣバルブ
４９を逆論理に従って可変させ、調圧用バルブ１３を開
いてＮ2 を流して調圧することにより１００Torr〜７４
０Torrの範囲内の圧力制御を実現させることができる。
結果的にこの真空排気系は図１に示された圧力制御装置
の排気系と実質的に同一になる。“第２のＡＰＣバルブ
４９を逆論理に従って可変させる”とは、大気圧側に調
圧したい場合、バルブ開閉度を増大させ、絶対真空側に
調圧したい場合、バルブ開閉度を減少させることであ
る。すなわち、前記のように、第２のＡＰＣバルブ４９
の開閉度が増大するとメイン配管３の上流側に返送され
る気体量が増大するので、調圧用Ｎ2 ガスの送入により
反応室の圧力は大気圧に近づいていく。一方、第２のＡ
ＰＣバルブ４９の開閉度が減少するとメイン配管３の上
流側に返送される気体量も減少するので、調圧用Ｎ2 ガ
スを送入しなければ反応室の圧力は低下し続ける。前記
のように、反応室１には圧力センサ３１が配設されてお
り、炉内圧力を検出し、その信号をライン８０を介して
第２の圧力コントローラ７２に送る。第２の圧力コント
ローラ７２はその検出信号を設定値と比較し、実際の圧
力が要求圧力と等しくなるように必要な信号を第２のＡ
ＰＣバルブ駆動回路７６に送り、第２のＡＰＣバルブ４
９の開閉度を調整する。第２のＡＰＣバルブ４９の開閉
度の調整に併せて、必要に応じて、調圧用Ｎ2 ガス送入
バルブ１３を開閉し、および／または第２の真空ポンプ
３９の排気能力を調整する。これらはいずれもＭＰＵか
らの信号に基づいてバルブ駆動回路および真空ポンプ駆
動回路により自動的に行われる。図５の第２の圧力コン
トローラ７２は図１における圧力コントローラ２７と同
様に比例、微分および積分の３種類のコントロール・モ
ードを備えている。
【００２９】(4) ７６０Torrの圧力制御の場合 図６に示されるように、真空ポンプは全く使用せず、押
出方式で行う。具体的には、第１のバルブ３３を閉成
し、第５のバルブを開成する。第１のＡＰＣバルブの開
度を１００％固定とし、調圧用Ｎ2 ガス送入バルブ１３
を開成し、Ｎ2 ガスを流して調圧することにより７６０
Torrの圧力を形成することができる。
出方式で行う。具体的には、第１のバルブ３３を閉成
し、第５のバルブを開成する。第１のＡＰＣバルブの開
度を１００％固定とし、調圧用Ｎ2 ガス送入バルブ１３
を開成し、Ｎ2 ガスを流して調圧することにより７６０
Torrの圧力を形成することができる。
【００３０】図１および図２に示された本発明の圧力制
御装置は高真空状態〜亜真空状態の形成が必要なＣＶＤ
装置の反応室に接続して使用されるが、これ以外にも、
エッチング装置などの装置の反応室に接続して使用する
こともできる。また、接続される対象は反応室に限ら
ず、真空装置などであることもできる。
御装置は高真空状態〜亜真空状態の形成が必要なＣＶＤ
装置の反応室に接続して使用されるが、これ以外にも、
エッチング装置などの装置の反応室に接続して使用する
こともできる。また、接続される対象は反応室に限ら
ず、真空装置などであることもできる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の圧力制御装置では、メイン配管
にバイパス配管が接続されているので、これらを適当に
組み合わせて使用することにより０．１Torr〜７６０To
rrの非常に広い範囲にわたって反応室の圧力を効果的に
制御することができる。特に、バイパス配管を利用し、
真空ポンプにより排気された気体の一部を下流側から上
流側に向かって返送し、この返送気体量を制御すること
により反応室の圧力を１００Torr程度の亜真空状態にす
ることができる。また、バイパス配管の使用により反応
室の圧力を高分解能で制御することができる。
にバイパス配管が接続されているので、これらを適当に
組み合わせて使用することにより０．１Torr〜７６０To
rrの非常に広い範囲にわたって反応室の圧力を効果的に
制御することができる。特に、バイパス配管を利用し、
真空ポンプにより排気された気体の一部を下流側から上
流側に向かって返送し、この返送気体量を制御すること
により反応室の圧力を１００Torr程度の亜真空状態にす
ることができる。また、バイパス配管の使用により反応
室の圧力を高分解能で制御することができる。
【図１】本発明の第１の実施例による、気相反応装置の
反応室の圧力を制御するためのシステム構成図である。
反応室の圧力を制御するためのシステム構成図である。
【図２】本発明の第２の実施例による、気相反応装置の
反応室の圧力を制御するためのシステム構成図である。
反応室の圧力を制御するためのシステム構成図である。
【図３】図２の圧力制御システムにおいて、０．１Torr
〜２０Torrの範囲内の圧力制御を行う場合の排気管路構
成図である。
〜２０Torrの範囲内の圧力制御を行う場合の排気管路構
成図である。
【図４】図２の圧力制御システムにおいて、２０Torr〜
１００Torrの範囲内の圧力制御を行う場合の排気管路構
成図である。
１００Torrの範囲内の圧力制御を行う場合の排気管路構
成図である。
【図５】図２の圧力制御システムにおいて、１００Torr
〜７４０Torrの範囲内の圧力制御を行う場合の排気管路
構成図である。
〜７４０Torrの範囲内の圧力制御を行う場合の排気管路
構成図である。
【図６】図２の圧力制御システムにおいて、７６０Torr
の圧力制御を行う場合の排気管路構成図である。
の圧力制御を行う場合の排気管路構成図である。
【図７】従来の真空排気系の構成である。
１ 反応室 ３ 排気系メイン配管 ５ 真空ポンプ ７ バイパス配管 ９ 逆論理ＡＰＣバルブ １１ 調圧用Ｎ2 ガス送入パイプ １３ バルブ １５ メモリ １７ キーボード １９ インタフェース ２１ ＭＰＵ ２３ バルブ駆動回路 ２５ 真空ポンプ駆動回路 ２７ 圧力コントローラ ２９ ＡＰＣバルブ駆動回路 ３１ 圧力センサ ３２ 正論理ＡＰＣバルブ ３３ 第１のバルブ ３５ 第２のバルブ ３７ 第１の真空ポンプ ３９ 第２の真空ポンプ ４１ 第１のバイパス配管 ４３ 第３のバルブ ４５ 第２のバイパス配管 ４７ 第４のバルブ ４９ 逆論理ＡＰＣバルブ ５１ 第３のバイパス配管 ５３ 第５のバルブ ６０ メモリ ６２ ＭＰＵ ６４ インタフェース ６６ キーボード ６７ バルブ駆動回路 ６８ 真空ポンプ駆動回路 ７０ 第１の圧力コントローラ ７２ 第２の圧力コントローラ ７４ 第１のＡＰＣバルブ駆動回路 ７６ 第２のＡＰＣバルブ駆動回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長崎 恵一 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 日 立電子エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 本間 喜夫 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 斉藤 政良 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 中西 成彦 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 飯島 晋平 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】 気相反応装置の反応室の一端に接続され
たメイン配管と、該メイン配管の途中に配設された真空
ポンプと、前記真空ポンプの上流側と下流側とを結ぶ、
前記メイン配管に接続されたバイパス配管と、前記バイ
パス配管内に配設された自動圧力コントローラ（ＡＰ
Ｃ）バルブとからなり、前記ＡＰＣバルブは前記反応室
の圧力を大気側に調圧する場合、開閉度を増大させ、真
空側に調圧する場合、開閉度を減少させるように駆動さ
れることを特徴とする圧力制御装置。 - 【請求項２】 反応室の圧力を１００〜７６０Torrの範
囲内に調整する請求項１の圧力制御装置。 - 【請求項３】 前記バイパスパイプの上流側よりも更に
上流側のメインパイプに圧力調整用のＮ2 ガス導入パイ
プが更に接続されている請求項１の圧力制御装置。 - 【請求項４】 反応室はＣＶＤ装置の反応室である請求
項１の圧力制御装置。 - 【請求項５】 気相反応装置の反応室の一端に接続され
たメイン配管と、該メイン配管の途中に、反応室寄り側
から順に設けられた、第１のＡＰＣバルブ、第１のバル
ブ、第２のバルブ、第１の真空ポンプおよび第２の真空
ポンプと、前記第２のバルブの上流側と前記第１の真空
ポンプの下流側とを結ぶ、前記メイン配管に接続された
第１のバイパスと、前記第２の真空ポンプの上流側と下
流側とを結ぶ、前記メイン配管に接続された第２のバイ
パス配管と、前記第１のＡＰＣバルブと前記第１のバル
ブの間と前記第２の真空ポンプの下流側とを結ぶ、前記
メイン配管に接続された第３のバイパス配管と、前記反
応室と第１のＡＰＣバルブとの間で前記メイン配管に接
続された調圧用Ｎ2 ガス送入パイプとからなり、前記第
１のバイパス配管には第３のバルブが配設されており、
前記第２のバイパス配管には第４のバルブと第２のＡＰ
Ｃバルブが配設されており、前記第３のバイパスには第
５のバルブが配設されており、前記調圧用Ｎ2 ガス送入
パイプには第６のバルブが配設されていることを特徴と
する圧力制御装置。 - 【請求項６】 反応室の圧力を０．１Torr〜７６０Torr
の範囲内に調整する請求項５の圧力制御装置。 - 【請求項７】 反応室はＣＶＤ装置の反応室である請求
項５の圧力制御装置。 - 【請求項８】 気相反応装置の反応室の一端に接続され
たメイン配管と、該メイン配管の途中に、反応室寄り側
から順に設けられた、第１のＡＰＣバルブ、第１のバル
ブ、第２のバルブ、第１の真空ポンプおよび第２の真空
ポンプと、前記第２のバルブの上流側と前記第１の真空
ポンプの下流側とを結ぶ、前記メイン配管に接続された
第１のバイパスと、前記第２の真空ポンプの上流側と下
流側とを結ぶ、前記メイン配管に接続された第２のバイ
パス配管と、前記第１のＡＰＣバルブと前記第１のバル
ブの間と前記第２の真空ポンプの下流側とを結ぶ、前記
メイン配管に接続された第３のバイパス配管と、前記反
応室と第１のＡＰＣバルブとの間で前記メイン配管に接
続された調圧用Ｎ2 ガス送入パイプとからなり、前記第
１のバイパス配管には第３のバルブが配設されており、
前記第２のバイパス配管には第４のバルブと第２のＡＰ
Ｃバルブが配設されており、前記第３のバイパスには第
５のバルブが配設されており、前記調圧用Ｎ2 ガス送入
パイプには第６のバルブが配設されている真空排気系を
用いて前記反応室の圧力を制御する際、 (a) 第１のバルブおよび第２のバルブを開成し、各バイ
パス配管内の第３のバルブ，第４のバルブおよび第５の
バルブを閉成し、そして、第１の真空ポンプおよび第２
の真空ポンプを両方とも稼働させ、これと共に、第１の
ＡＰＣバルブの開閉度を、大気圧側に調圧したい場合、
バルブ開閉度を減少させ、真空側に調圧したい場合、バ
ルブ開閉度を増大させることからなる正論理に従って可
変させ、第６のバルブを開いてＮ2 ガスを流して調圧す
ることにより、反応室の圧力を０．１Torr〜２０Torrの
範囲内に調整し； (b) 第１のバルブおよび第３のバルブを開成し、第２の
バルブ，第４のバルブおよび第５のバルブを閉成し、そ
して、第１の真空ポンプを停止させ、第２の真空ポンプ
のみを稼働させ、これと共に、第１のＡＰＣバルブの開
閉度を前記正論理に従って可変させ、第６のバルブを開
いてＮ2 ガスを流して調圧することにより、反応室の圧
力を２０Torr〜１００Torrの範囲内に調整し； (c) 第１のバルブ，第３のバルブおよび第４のバルブを
開成し、第２のバルブおよび第５のバルブを閉成し、第
１のＡＰＣバルブの開度を１００％に固定し、第１の真
空ポンプを停止させ、第２の真空ポンプ３９を稼働さ
せ、これと共に、第２のＡＰＣバルブの開閉度を、大気
圧側に調圧したい場合、バルブ開閉度を増大させ、真空
側に調圧したい場合、バルブ開閉度を減少させることか
らなる逆論理に従って可変させ、第６のバルブを開いて
Ｎ2 ガスを流して調圧することにより、反応室の圧力を
１００Torr〜７４０Torrの範囲内に調整し；または、 (d) 第１のバルブを閉成し、第５のバルブを開成し、第
１のＡＰＣバルブの開度を１００％固定とし、第６のバ
ルブを開いてＮ2 ガスを流して調圧することにより、反
応室の圧力を７６０Torrに調整する； ことからなる気相反応装置の反応室の圧力制御方法。 - 【請求項９】 反応室はＣＶＤ装置の反応室である請求
項８の圧力制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21703693A JPH0758032A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 圧力制御装置および圧力制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21703693A JPH0758032A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 圧力制御装置および圧力制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758032A true JPH0758032A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16697837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21703693A Pending JPH0758032A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 圧力制御装置および圧力制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758032A (ja) |
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