JPH0758528B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0758528B2 JPH0758528B2 JP19435787A JP19435787A JPH0758528B2 JP H0758528 B2 JPH0758528 B2 JP H0758528B2 JP 19435787 A JP19435787 A JP 19435787A JP 19435787 A JP19435787 A JP 19435787A JP H0758528 B2 JPH0758528 B2 JP H0758528B2
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- thin film
- film
- magnetic head
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、磁気記録における薄膜磁気ヘツドの製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
第２図は、この種の薄膜磁気ヘツドの一例である従来の
垂直薄膜磁気ヘツドを示し、図において、Al2O3−TiC、
サフアイア等からなる非磁性の基板（１）に設けられた
一部磁極としての主磁極（２）は、Co−Zrアモルフアス
合金等からなる高飽和磁束密度、かつ、高透磁率の主要
主磁極膜（2b）と、同材料からなる主磁極膜増厚部（2
a）からなっている。主磁極（２）とCoZr等からなる下
部磁極としての補助磁極（４）の間には、Cu等からなる
コイル（３）が形成されている。コイル（３）はAl2O3
の層間絶縁膜（5a）で囲まれている。補助磁極（４）上
にはAl2O3の保護膜（5b）が形成され、この保護膜（5
b）は層間絶縁膜（5a）とともにAl2O3絶縁膜（５）を形
成している。
垂直薄膜磁気ヘツドを示し、図において、Al2O3−TiC、
サフアイア等からなる非磁性の基板（１）に設けられた
一部磁極としての主磁極（２）は、Co−Zrアモルフアス
合金等からなる高飽和磁束密度、かつ、高透磁率の主要
主磁極膜（2b）と、同材料からなる主磁極膜増厚部（2
a）からなっている。主磁極（２）とCoZr等からなる下
部磁極としての補助磁極（４）の間には、Cu等からなる
コイル（３）が形成されている。コイル（３）はAl2O3
の層間絶縁膜（5a）で囲まれている。補助磁極（４）上
にはAl2O3の保護膜（5b）が形成され、この保護膜（5
b）は層間絶縁膜（5a）とともにAl2O3絶縁膜（５）を形
成している。
層間絶縁膜（5a）、保護膜（5b）にAl2O3を使うのは耐
摩耗性、熱伝導性にすぐれ、かつ、基板（１）と線膨張
係数がほぼ等しいからである。Al2O3はこのような用途
には最適な材料と言えるが、穴あけ加工に問題がある。
摩耗性、熱伝導性にすぐれ、かつ、基板（１）と線膨張
係数がほぼ等しいからである。Al2O3はこのような用途
には最適な材料と言えるが、穴あけ加工に問題がある。
この種のヘツドの従来の製造方法を第３図（ａ）〜
（ｄ）により説明する。同図（ａ）は基板（１）上に主
磁極（２）、Al2O3絶縁膜（５）を形成後、Cuコイル
（３）およびAl2O3絶縁膜（５）を形成した状態を示し
ている。上コイルとの接続部（７）は増厚形成してあ
る。次に破線（９）に示すように平坦上研磨し、再度同
じ工程を繰返して同図（ｂ）を得る。次に、同図（ｃ）
に示すように、主磁極（２）と補助磁極（図示せず）の
磁気的結合を得るために、この部分（今後、磁極シヤン
ト部と称す）（６）以外を写真製版によりフオトレジス
ト（８）でマスクし、Al2O3をイオンビームエツチング
で穴あけし、同図（ｄ）を得る。このとき、周知のよう
にイオンビーム（10）の入射角を選択することによりテ
ーパエツチングができる。テーパを付けることは補助磁
極の磁気特性を劣化させないために必要である。この
後、補助磁極膜を成膜、エツチングし、保護膜を形成し
て第２図の磁気ヘツドを得る。
（ｄ）により説明する。同図（ａ）は基板（１）上に主
磁極（２）、Al2O3絶縁膜（５）を形成後、Cuコイル
（３）およびAl2O3絶縁膜（５）を形成した状態を示し
ている。上コイルとの接続部（７）は増厚形成してあ
る。次に破線（９）に示すように平坦上研磨し、再度同
じ工程を繰返して同図（ｂ）を得る。次に、同図（ｃ）
に示すように、主磁極（２）と補助磁極（図示せず）の
磁気的結合を得るために、この部分（今後、磁極シヤン
ト部と称す）（６）以外を写真製版によりフオトレジス
ト（８）でマスクし、Al2O3をイオンビームエツチング
で穴あけし、同図（ｄ）を得る。このとき、周知のよう
にイオンビーム（10）の入射角を選択することによりテ
ーパエツチングができる。テーパを付けることは補助磁
極の磁気特性を劣化させないために必要である。この
後、補助磁極膜を成膜、エツチングし、保護膜を形成し
て第２図の磁気ヘツドを得る。
以上のように従来の薄膜磁気ヘツドの製造方法では、磁
極接続部のAl2O3穴あけ加工時に、以下のような問題点
があつた。すなわち、Al3O3のイオンビームエツチング
速度がフオトレジスト（８）の1/2程度であり、したが
つてフオトレジスト厚はエツチングすべきAl2O3厚の２
倍以上は必要となる。第２図のようなヘツドの場合、コ
イル（３）厚2.5μｍ、層間Al2O3絶縁膜（5a）１μｍで
あるので、エツチングすべきAl2O3厚は2.5μｍ×２＋１
μｍ×３＝８μｍ程度となる。したがつて、必要なレジ
スト厚は16μｍ以上となる。この厚さのレジストを精度
良く写真製版することは難しいので、10μｍ厚程度のレ
ジストマスクを形成し、エツチングする工程を２回繰返
しているのが実状である。また、Al2O3のエツチング速
度が遅いのでエツチング時間が長くかかるという問題点
もある。さらに、ヘツドの再生出力を上げるためにはコ
イル（３）の積層数を増加させることが有効であるが、
このようにするとエツチングすべきAl2O3厚がより厚く
なるので、上記問題点が大きな障害となる。
極接続部のAl2O3穴あけ加工時に、以下のような問題点
があつた。すなわち、Al3O3のイオンビームエツチング
速度がフオトレジスト（８）の1/2程度であり、したが
つてフオトレジスト厚はエツチングすべきAl2O3厚の２
倍以上は必要となる。第２図のようなヘツドの場合、コ
イル（３）厚2.5μｍ、層間Al2O3絶縁膜（5a）１μｍで
あるので、エツチングすべきAl2O3厚は2.5μｍ×２＋１
μｍ×３＝８μｍ程度となる。したがつて、必要なレジ
スト厚は16μｍ以上となる。この厚さのレジストを精度
良く写真製版することは難しいので、10μｍ厚程度のレ
ジストマスクを形成し、エツチングする工程を２回繰返
しているのが実状である。また、Al2O3のエツチング速
度が遅いのでエツチング時間が長くかかるという問題点
もある。さらに、ヘツドの再生出力を上げるためにはコ
イル（３）の積層数を増加させることが有効であるが、
このようにするとエツチングすべきAl2O3厚がより厚く
なるので、上記問題点が大きな障害となる。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、従来の製造方法を殆んど変更せず、磁極シヤ
ント部の穴あけ時のマスク形成回数を減少させ、多層コ
イルに適用でき、製造時間を短縮できる薄膜磁気ヘツド
の製造方法を得ることを目的とする。
たもので、従来の製造方法を殆んど変更せず、磁極シヤ
ント部の穴あけ時のマスク形成回数を減少させ、多層コ
イルに適用でき、製造時間を短縮できる薄膜磁気ヘツド
の製造方法を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る薄膜磁気ヘツドの製造方法は、磁極シヤ
ント部のAl2O3をエツチングする代りにAl2O3絶縁膜より
もエツチング速度の大きい導電材をエツチングする。そ
のためにコイル形成時に磁極シヤント部にコイル材を形
成する。
ント部のAl2O3をエツチングする代りにAl2O3絶縁膜より
もエツチング速度の大きい導電材をエツチングする。そ
のためにコイル形成時に磁極シヤント部にコイル材を形
成する。
この発明においては、磁極シヤント部の被エツチング材
をAl2O3から例えばCuに変えると、イオンビームエツチ
ングレートが約６倍に増加するため、エツチング時間は
1/6に短縮され、必要なレジスト厚も約1/6になる。
をAl2O3から例えばCuに変えると、イオンビームエツチ
ングレートが約６倍に増加するため、エツチング時間は
1/6に短縮され、必要なレジスト厚も約1/6になる。
以下、この発明の一実施例を第１図を参照して説明す
る。第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は第３図（ａ）
（ｂ）（ｃ）（ｄ）に対応し、同一符号は互いに同一部
分を示している。
る。第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は第３図（ａ）
（ｂ）（ｃ）（ｄ）に対応し、同一符号は互いに同一部
分を示している。
第１図（ａ）に示すコイル（３）の形成時、および上下
コイル接続部（７）の増厚時に、磁極シヤント相当部
（６）にCuパターンを形成する。ただし、このパターン
はコイルパターンとは電気的に分離している。同図
（ｂ）で２層目Cuコイル（３）を形成するときも同様で
ある。このようにして、磁極シヤント相当部（６）をコ
イル材で形成することができるが、そのための新たな工
程の付加はない。次に同図（ｃ）で、フオトレジスト
（８）をマスクにして、磁極シヤント相当部（６）のCu
および主磁極（２）上のAl2O3（膜厚１μｍ程度）をイ
オンビーム（10）でエツチングする。主磁極（２）上の
Al2O3（５）は同図（ａ）で主磁極（２）上Al2O3膜形成
後にあらかじめイオンビームエツチング除去しておいて
もよい。なお同図（ｃ）におけるビーム入射角を選択す
ることにより、テーパが付けられるのは従来例と同じで
あるが、選択角度は変える必要がある。以上のようにし
て、磁極シヤント相当部（６）にスルーホールを形成し
た同図（ｄ）のものが得られる。この後、補助磁極膜を
成膜、エツチングして第２図の磁気ヘツドを得る。この
とき、同図（ｄ）に示すように、磁極シヤント相当部
（６）の周縁にCuが残るが、これはコイル（３）と電気
的に分離されているので差支えない。ただし、磁極磁性
膜とコイル膜の相互拡散により、磁性膜磁気特性が劣化
する場合は第１図（ｄ）の後、１μｍ厚程度のAl2O3膜
を成膜し、フオトレジストをマスクとして下部磁極上の
Al2O3をイオンビームエツチング除去すればよい。この
場合もエツチングすべきAl2O3膜厚は１μｍ程度である
から従来のような問題は生じない。
コイル接続部（７）の増厚時に、磁極シヤント相当部
（６）にCuパターンを形成する。ただし、このパターン
はコイルパターンとは電気的に分離している。同図
（ｂ）で２層目Cuコイル（３）を形成するときも同様で
ある。このようにして、磁極シヤント相当部（６）をコ
イル材で形成することができるが、そのための新たな工
程の付加はない。次に同図（ｃ）で、フオトレジスト
（８）をマスクにして、磁極シヤント相当部（６）のCu
および主磁極（２）上のAl2O3（膜厚１μｍ程度）をイ
オンビーム（10）でエツチングする。主磁極（２）上の
Al2O3（５）は同図（ａ）で主磁極（２）上Al2O3膜形成
後にあらかじめイオンビームエツチング除去しておいて
もよい。なお同図（ｃ）におけるビーム入射角を選択す
ることにより、テーパが付けられるのは従来例と同じで
あるが、選択角度は変える必要がある。以上のようにし
て、磁極シヤント相当部（６）にスルーホールを形成し
た同図（ｄ）のものが得られる。この後、補助磁極膜を
成膜、エツチングして第２図の磁気ヘツドを得る。この
とき、同図（ｄ）に示すように、磁極シヤント相当部
（６）の周縁にCuが残るが、これはコイル（３）と電気
的に分離されているので差支えない。ただし、磁極磁性
膜とコイル膜の相互拡散により、磁性膜磁気特性が劣化
する場合は第１図（ｄ）の後、１μｍ厚程度のAl2O3膜
を成膜し、フオトレジストをマスクとして下部磁極上の
Al2O3をイオンビームエツチング除去すればよい。この
場合もエツチングすべきAl2O3膜厚は１μｍ程度である
から従来のような問題は生じない。
あるいは第１図（ｃ′）のようにマスク開口部寸法を磁
極シヤント相当部（６）のCu寸法よりも若干大きくし、
周囲のAl2O3もエツチングするようにしてもよい。この
ようにしてもテーパを付けることができる。
極シヤント相当部（６）のCu寸法よりも若干大きくし、
周囲のAl2O3もエツチングするようにしてもよい。この
ようにしてもテーパを付けることができる。
以上のように、Al2O3の代りにCuをエツチングするよう
にすれば、Cuのイオンビームエツチング速度はAl2O3の
約６倍であるから、上記実施例におけるAl2O3換算膜厚
は７μm/6＋１μｍ2.2μｍとなり、必要レジスト厚は
５μｍ以上あればよいことになる。このレジスト厚であ
れば１回の写真製版で形成でき、エツチングも１回でよ
い。また、エツチング時間も約1/6程度に短縮できる。
さらに、コイル層数の増加にも対応できる。たとえば、
2.5μｍコイル４層の場合、コアシヤントAl2O3換算膜厚
は となり、必要レジスト厚は７μｍ程度となり、これも１
回のエツチングが可能である。なお、Cuを使つた場合、
CoZr磁極膜と色が異なるので、色変化からエツチング終
点を把握し易くなるという利点もある。
にすれば、Cuのイオンビームエツチング速度はAl2O3の
約６倍であるから、上記実施例におけるAl2O3換算膜厚
は７μm/6＋１μｍ2.2μｍとなり、必要レジスト厚は
５μｍ以上あればよいことになる。このレジスト厚であ
れば１回の写真製版で形成でき、エツチングも１回でよ
い。また、エツチング時間も約1/6程度に短縮できる。
さらに、コイル層数の増加にも対応できる。たとえば、
2.5μｍコイル４層の場合、コアシヤントAl2O3換算膜厚
は となり、必要レジスト厚は７μｍ程度となり、これも１
回のエツチングが可能である。なお、Cuを使つた場合、
CoZr磁極膜と色が異なるので、色変化からエツチング終
点を把握し易くなるという利点もある。
上記実施例では、コイルにCuを使つた場合について説明
したが、Au、Al、Ag等を用いても同様の効果を奏する。
また、主磁極を基板上に形成し、後に補助磁極を形成す
る場合を示したが、逆に補助磁極を基板上に形成し、後
に主磁極を形成する場合にも適用できることは言う迄も
ない。
したが、Au、Al、Ag等を用いても同様の効果を奏する。
また、主磁極を基板上に形成し、後に補助磁極を形成す
る場合を示したが、逆に補助磁極を基板上に形成し、後
に主磁極を形成する場合にも適用できることは言う迄も
ない。
さらに、垂直薄膜磁気ヘッドを例にとつて説明したが、
従来の長手記録用薄膜磁気ヘツドに適用しても同様の効
果を奏する。
従来の長手記録用薄膜磁気ヘツドに適用しても同様の効
果を奏する。
以上のように、この発明によれば、磁極シヤント部の穴
あけ部分をAl2O3絶縁膜よりもエツチング速度の大きい
導電材からなるコイル材で形成し、これをエツチングす
るようにしたので、穴あけに要する時間が大幅に短縮さ
れ、また、穴あけ精度が向上し、さらにコイル積層数を
多くできるなどの効果がある。
あけ部分をAl2O3絶縁膜よりもエツチング速度の大きい
導電材からなるコイル材で形成し、これをエツチングす
るようにしたので、穴あけに要する時間が大幅に短縮さ
れ、また、穴あけ精度が向上し、さらにコイル積層数を
多くできるなどの効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を工程順に説明するための
垂直薄膜磁気ヘツドの一部断面図、第２図は従来の垂直
薄膜磁気ヘツドの一部断面図、第３図は従来の薄膜磁気
ヘツドの製造方法を工程順に説明するための垂直薄膜磁
気ヘツドの一部断面図である。 （１）は基板、（２）は主磁極、（３）はコイル、
（４）は補助磁極、（５）はAl2O3絶縁膜、（６）は磁
極シヤント部、（７）はコイル接続部、（８）はフオト
レジスト。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
垂直薄膜磁気ヘツドの一部断面図、第２図は従来の垂直
薄膜磁気ヘツドの一部断面図、第３図は従来の薄膜磁気
ヘツドの製造方法を工程順に説明するための垂直薄膜磁
気ヘツドの一部断面図である。 （１）は基板、（２）は主磁極、（３）はコイル、
（４）は補助磁極、（５）はAl2O3絶縁膜、（６）は磁
極シヤント部、（７）はコイル接続部、（８）はフオト
レジスト。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】上部磁極と下部磁極の間にAl2O3絶縁膜を
介して、このAl2O3絶縁膜よりもエツチング速度の大き
い導電材からなるコイルが配置されている薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法において、前記コイル形成時に両磁極シャ
ント予定部位に前記導電材でパターンを形成し、この導
電材をイオンビームエツチング除去することにより、両
磁極シャント用スルーホールを形成することを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】スルーホール形成後、Al2O3膜を形成し、
前記スルーホール内の下部磁極上のAl2O3膜を再度イオ
ンビームエツチングする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】イオンビームエツチング用マスク開口部を
導電材よりも大きくした特許請求の範囲第１項記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19435787A JPH0758528B2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19435787A JPH0758528B2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6439614A JPS6439614A (en) | 1989-02-09 |
| JPH0758528B2 true JPH0758528B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=16323233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19435787A Expired - Lifetime JPH0758528B2 (ja) | 1987-08-05 | 1987-08-05 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758528B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7120988B2 (en) | 2003-09-26 | 2006-10-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for forming a write head having air bearing surface (ABS) |
| US7296337B2 (en) | 2004-05-25 | 2007-11-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Notched trailing shield for perpendicular write head |
| US7523550B2 (en) | 2006-04-25 | 2009-04-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Process to open connection vias on a planarized surface |
-
1987
- 1987-08-05 JP JP19435787A patent/JPH0758528B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6439614A (en) | 1989-02-09 |
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