JPH11306512A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH11306512A JPH11306512A JP10469298A JP10469298A JPH11306512A JP H11306512 A JPH11306512 A JP H11306512A JP 10469298 A JP10469298 A JP 10469298A JP 10469298 A JP10469298 A JP 10469298A JP H11306512 A JPH11306512 A JP H11306512A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ギャップを挟む磁気コアの位置ずれを解
消して、磁気飽和を低減し、良好な磁気特性を得る。 【解決手段】 磁気ギャップ層２６が予め厚めに形成さ
れる。そして、この磁気ギャップ層２６を、加工後の溝
底幅ＷAが下中間コア１２のトラック幅ＷBと等しくなる
ように、かつ、磁気ギャップ厚みＧtが所定の厚みにな
るように、ＲＩＥなどのドライエッチング方法により加
工し、溝１０４を形成する。溝１０４中に磁性層を埋め
込むことで、上中間コア１０８を形成する。上中間コア
１０８となる磁性膜１０６を予め形成された溝２２に埋
め込むため、上中間コア１０８が細ることもなく、また
コア材の破片が飛び散ってギャップ部分に付着すること
もなく、磁気ギャップを挟む中間コア１８，１０８の位
置やトラック幅を一致させることが可能になり、薄膜磁
気ヘッドの狭トラック化，高密度記録化，高性能化が図
られる。
消して、磁気飽和を低減し、良好な磁気特性を得る。 【解決手段】 磁気ギャップ層２６が予め厚めに形成さ
れる。そして、この磁気ギャップ層２６を、加工後の溝
底幅ＷAが下中間コア１２のトラック幅ＷBと等しくなる
ように、かつ、磁気ギャップ厚みＧtが所定の厚みにな
るように、ＲＩＥなどのドライエッチング方法により加
工し、溝１０４を形成する。溝１０４中に磁性層を埋め
込むことで、上中間コア１０８を形成する。上中間コア
１０８となる磁性膜１０６を予め形成された溝２２に埋
め込むため、上中間コア１０８が細ることもなく、また
コア材の破片が飛び散ってギャップ部分に付着すること
もなく、磁気ギャップを挟む中間コア１８，１０８の位
置やトラック幅を一致させることが可能になり、薄膜磁
気ヘッドの狭トラック化，高密度記録化，高性能化が図
られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置やデ
ィジタルＶＴＲなどの磁気記録装置に搭載される薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
ィジタルＶＴＲなどの磁気記録装置に搭載される薄膜磁
気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術と発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘ
ッドは、一般的に薄膜作製技術，ホトリソグラフィ，エ
ッチング技術などの半導体製造技術を繰り返し応用しな
がらウエハ基板上に積層形成され、例えば図４に示すよ
うな構成となっている。同図（Ａ）は主要部の平面図で
あり、その＃Ａ線に沿って矢印方向に見た断面が（Ｂ）
である。これらの図において、基板１０上の絶縁膜１２
上には、下コア１６，下中間コア１８及び２２，上中間
コア２０及び２４，上コア３２が順に積層形成される。
これらは、磁性膜の形成，絶縁層の形成，そのパターニ
ング，磁性層の露出部分の研磨という工程を繰り返し行
って、絶縁層１４中に所望の形状に形成される。このと
き、中間コア２２，２４を巻回するように、コイル２８
が形成されている。コイル２８は連続しており、両端が
リード線３４，３６にそれぞれ接続されている。そし
て、最上部に保護膜（図示せず）が形成されている。こ
の例では、磁気ギャップ２６は、中間コア１８，２０の
間に形成されている。
ッドは、一般的に薄膜作製技術，ホトリソグラフィ，エ
ッチング技術などの半導体製造技術を繰り返し応用しな
がらウエハ基板上に積層形成され、例えば図４に示すよ
うな構成となっている。同図（Ａ）は主要部の平面図で
あり、その＃Ａ線に沿って矢印方向に見た断面が（Ｂ）
である。これらの図において、基板１０上の絶縁膜１２
上には、下コア１６，下中間コア１８及び２２，上中間
コア２０及び２４，上コア３２が順に積層形成される。
これらは、磁性膜の形成，絶縁層の形成，そのパターニ
ング，磁性層の露出部分の研磨という工程を繰り返し行
って、絶縁層１４中に所望の形状に形成される。このと
き、中間コア２２，２４を巻回するように、コイル２８
が形成されている。コイル２８は連続しており、両端が
リード線３４，３６にそれぞれ接続されている。そし
て、最上部に保護膜（図示せず）が形成されている。こ
の例では、磁気ギャップ２６は、中間コア１８，２０の
間に形成されている。
【０００３】このような薄膜磁気ヘッドによる記録トラ
ック幅は、従来１０数μｍ程度である。しかし、近年に
おける磁気記録の高密度化の進展に伴って挟トラック化
が要求されており、数μｍでトラック幅を形成する必要
が生じてきている。薄膜磁気ヘッドのトラック幅は、磁
気ギャップを挟む二つの磁気コアの幅で規制される。磁
気コアは、一般的に厚みが数μｍからなる磁性層をホト
リソグラフィによりパターンニングし、イオンミリング
などの真空微細加工方法によって加工される。このた
め、上下コアの位置がずれて、結果的にトラック位置も
ずれることは不可避なことである。
ック幅は、従来１０数μｍ程度である。しかし、近年に
おける磁気記録の高密度化の進展に伴って挟トラック化
が要求されており、数μｍでトラック幅を形成する必要
が生じてきている。薄膜磁気ヘッドのトラック幅は、磁
気ギャップを挟む二つの磁気コアの幅で規制される。磁
気コアは、一般的に厚みが数μｍからなる磁性層をホト
リソグラフィによりパターンニングし、イオンミリング
などの真空微細加工方法によって加工される。このた
め、上下コアの位置がずれて、結果的にトラック位置も
ずれることは不可避なことである。
【０００４】図５（Ａ）には、その様子が示されてい
る。この図は、前記図４（Ｂ）を矢印Ｆ方向から見た図
に相当する。上述したように、下中間コア１８，上中間
コア２０は、ホトリソグラフィによるパターンニングに
よって形状が決まる。このため、図５（Ａ）のように上
下で位置ずれが生ずる可能性がある。なお、Ｔｗはトラ
ック幅である。このような上下コアの位置ずれは、狭ト
ラックになるほどクローズアップされ、磁気ギャップ周
辺でフリンジングが生じ、記録再生時にはクロストーク
の原因となる。
る。この図は、前記図４（Ｂ）を矢印Ｆ方向から見た図
に相当する。上述したように、下中間コア１８，上中間
コア２０は、ホトリソグラフィによるパターンニングに
よって形状が決まる。このため、図５（Ａ）のように上
下で位置ずれが生ずる可能性がある。なお、Ｔｗはトラ
ック幅である。このような上下コアの位置ずれは、狭ト
ラックになるほどクローズアップされ、磁気ギャップ周
辺でフリンジングが生じ、記録再生時にはクロストーク
の原因となる。
【０００５】このような不具合を改善するものとして、
特開平５−３３４６２１号に開示された磁気記録ヘッド
及びその製造方法がある。これによれば、図５(Ｂ）に
示すように、下中間コア１８の肩部分１８Ａを上中間コ
ア２０をマスクとしてイオンミリングで削り落とし、ク
ロストークのない狭ギャップを形成している。しかしな
がら、以上のような従来技術には、次のような不都合が
ある。（１）上中間コア２０が細ってしまい、記録再生
時に磁気飽和を起こす可能性がある。（２）ギャップ側
壁にコア材の破片が付着して、磁気ギャップを挟む二つ
の中間コア１８，２０が導通してしまい、磁気特性が劣
化する可能性がある。
特開平５−３３４６２１号に開示された磁気記録ヘッド
及びその製造方法がある。これによれば、図５(Ｂ）に
示すように、下中間コア１８の肩部分１８Ａを上中間コ
ア２０をマスクとしてイオンミリングで削り落とし、ク
ロストークのない狭ギャップを形成している。しかしな
がら、以上のような従来技術には、次のような不都合が
ある。（１）上中間コア２０が細ってしまい、記録再生
時に磁気飽和を起こす可能性がある。（２）ギャップ側
壁にコア材の破片が付着して、磁気ギャップを挟む二つ
の中間コア１８，２０が導通してしまい、磁気特性が劣
化する可能性がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上の点に着
目したもので、磁気回路が少なくとも、上部コア及び下
部コアで構成されており、磁気ギャップ層が前記上部コ
アと下部コアとの間に形成されていている薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記磁気ギャップ層にトラック幅を規制す
る溝が存在することを特徴とする。
目したもので、磁気回路が少なくとも、上部コア及び下
部コアで構成されており、磁気ギャップ層が前記上部コ
アと下部コアとの間に形成されていている薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記磁気ギャップ層にトラック幅を規制す
る溝が存在することを特徴とする。
【０００７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前
記磁気ギャップ層上に絶縁層を形成する第一の工程；こ
の絶縁層を前記上部コアを形成するためにパターニング
するとともに、前記磁気ギャップ層に前記溝を形成する
第２の工程；前記溝を磁性膜で埋めて前記上部コアを形
成する第３の工程；を含むことを特徴とする。主要な形
態によれば、前記絶縁層としてドライエッチングされ易
い材料が使用され、前記磁気ギャップ層としてドライエ
ッチングされ難い材料が使用され、前記第２の工程がド
ライエッチングによって行なわれる。
記磁気ギャップ層上に絶縁層を形成する第一の工程；こ
の絶縁層を前記上部コアを形成するためにパターニング
するとともに、前記磁気ギャップ層に前記溝を形成する
第２の工程；前記溝を磁性膜で埋めて前記上部コアを形
成する第３の工程；を含むことを特徴とする。主要な形
態によれば、前記絶縁層としてドライエッチングされ易
い材料が使用され、前記磁気ギャップ層としてドライエ
ッチングされ難い材料が使用され、前記第２の工程がド
ライエッチングによって行なわれる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。この例は、図４に示したような中間
コア間に磁気ギャップが存在するような場合の例であ
り、対応する部分には同一の符号を用いる。まず、Ａｌ
ＴｉＣ，ＣａＴｉＯ3などの非磁性セラミック基板１０
を用意し、必要であればアライメントマークをＡｌ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｒなどの高反射金属膜で形成する。そし
て、その上に、ＴｉＯ2，ＳｉＯ2などの酸化物によって
絶縁膜１２を形成する。
て詳細に説明する。この例は、図４に示したような中間
コア間に磁気ギャップが存在するような場合の例であ
り、対応する部分には同一の符号を用いる。まず、Ａｌ
ＴｉＣ，ＣａＴｉＯ3などの非磁性セラミック基板１０
を用意し、必要であればアライメントマークをＡｌ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｒなどの高反射金属膜で形成する。そし
て、その上に、ＴｉＯ2，ＳｉＯ2などの酸化物によって
絶縁膜１２を形成する。
【０００９】次に、前記基板の主面上に磁性膜をスパッ
タリング法などにより成膜し、その上にホトレジストを
スピンコートし、ホトリソグラフ工程により下コア形状
にパターンニングする。磁性膜としては、例えばＣｏ系
アモルファス磁性体や窒化鉄系磁性膜などが用いられ
る。ホトレジストとしては、例えばノボラック系樹脂な
どのポジ型ホトレジストが使用される。そして、磁性膜
の露出部分をイオンミリングにより除去し、下コア形状
の磁性層を形成する。その後、バイアススパッタリング
法やＣＶＤ法などによって絶縁層１４を形成するととも
に、凸になった部分を研磨により除去し、下コア１６を
形成する。
タリング法などにより成膜し、その上にホトレジストを
スピンコートし、ホトリソグラフ工程により下コア形状
にパターンニングする。磁性膜としては、例えばＣｏ系
アモルファス磁性体や窒化鉄系磁性膜などが用いられ
る。ホトレジストとしては、例えばノボラック系樹脂な
どのポジ型ホトレジストが使用される。そして、磁性膜
の露出部分をイオンミリングにより除去し、下コア形状
の磁性層を形成する。その後、バイアススパッタリング
法やＣＶＤ法などによって絶縁層１４を形成するととも
に、凸になった部分を研磨により除去し、下コア１６を
形成する。
【００１０】次に、下コア１６が形成された基板の主面
上に再び磁性層を形成し（〜６μｍ）、同様の方法で下
中間コア１８，２２を形成する。その後，下中間コア１
８，２２を形成した基板主面上にホトレジストをスピン
コートするとともに、ホトリソグラフ工程によりコイル
パターンをパターンニングし、更にＣＨＦ3ガスを使用
したＲＩＥ法により所定の深さのコイル溝を形成する。
そしてＣｕ系の導体を真空蒸着法によりコイル溝に充填
し、不要な部分を研磨により除去して、コイル２８を形
成する。
上に再び磁性層を形成し（〜６μｍ）、同様の方法で下
中間コア１８，２２を形成する。その後，下中間コア１
８，２２を形成した基板主面上にホトレジストをスピン
コートするとともに、ホトリソグラフ工程によりコイル
パターンをパターンニングし、更にＣＨＦ3ガスを使用
したＲＩＥ法により所定の深さのコイル溝を形成する。
そしてＣｕ系の導体を真空蒸着法によりコイル溝に充填
し、不要な部分を研磨により除去して、コイル２８を形
成する。
【００１１】次に、前記基板主面上に、磁気ギャップ層
２６をスパッタリング方法などにより例えば０．５μｍ
成膜し、その上にホトレジストを塗布する。磁気ギャッ
プ層としては、ほとんどドライエッチングされないＡＬ
2Ｏ3などの絶縁膜が用いられる。その後、ホトリソグラ
フ工程によりフロントギャップ部，バックギャップ部，
コイル接続部，をそれぞれパターンニングする。そし
て、イオンミリング法により、フロントギャップ部のギ
ャップ層厚みが所定の厚みになるようエッチングする。
その後、更にホトレジストを塗布し、ホトリソグラフ工
程によりバックギャップ部やコイル接続部をパターンニ
ングし、イオンミリング方法によりこれらの部分のギャ
ップ層を除去する。これらの処理により、フロントギャ
ップ部，バックギャップ部，コイル接続部を形成する。
２６をスパッタリング方法などにより例えば０．５μｍ
成膜し、その上にホトレジストを塗布する。磁気ギャッ
プ層としては、ほとんどドライエッチングされないＡＬ
2Ｏ3などの絶縁膜が用いられる。その後、ホトリソグラ
フ工程によりフロントギャップ部，バックギャップ部，
コイル接続部，をそれぞれパターンニングする。そし
て、イオンミリング法により、フロントギャップ部のギ
ャップ層厚みが所定の厚みになるようエッチングする。
その後、更にホトレジストを塗布し、ホトリソグラフ工
程によりバックギャップ部やコイル接続部をパターンニ
ングし、イオンミリング方法によりこれらの部分のギャ
ップ層を除去する。これらの処理により、フロントギャ
ップ部，バックギャップ部，コイル接続部を形成する。
【００１２】図２（Ａ）には、その様子が示されてい
る。この図は、図４（Ｂ）の矢印Ｆから見た図に相当す
るものであり、下コア１６，下中間コア１８が絶縁膜１
４中に形成されており、更に磁気ギャップ層２６が形成
されている。この状態で、基板主面上に絶縁層１００を
ＣＶＤ法やスパッタリング法などにより形成し、更にホ
トレジスト１０２を塗布する。そして、図２（Ｂ）に示
すように、ホトレジスト１０２のフロントギャップ部や
バックギャップ部に相当する部分をホトリソグラフ工程
によりパターンニングする。
る。この図は、図４（Ｂ）の矢印Ｆから見た図に相当す
るものであり、下コア１６，下中間コア１８が絶縁膜１
４中に形成されており、更に磁気ギャップ層２６が形成
されている。この状態で、基板主面上に絶縁層１００を
ＣＶＤ法やスパッタリング法などにより形成し、更にホ
トレジスト１０２を塗布する。そして、図２（Ｂ）に示
すように、ホトレジスト１０２のフロントギャップ部や
バックギャップ部に相当する部分をホトリソグラフ工程
によりパターンニングする。
【００１３】次に、図３（Ａ）に示すように、ＣＨＦ3
ガスを用いたＲＩＥ方法により、上中間コア２０を埋め
込む溝１０４を形成する。このときのエッチングの終点
は、例えばレーザ干渉式膜厚モニタによって検出可能で
あり、この方法を使うことで加工精度が向上する。その
後、図３（Ｂ）に示すように、全面に磁性層１０６をス
パッタリング法などにより４〜５μｍ成膜し、露出して
凸になった部分を研磨により除去する。このようにし
て、図１に示すように上中間コア１０８を形成する。
ガスを用いたＲＩＥ方法により、上中間コア２０を埋め
込む溝１０４を形成する。このときのエッチングの終点
は、例えばレーザ干渉式膜厚モニタによって検出可能で
あり、この方法を使うことで加工精度が向上する。その
後、図３（Ｂ）に示すように、全面に磁性層１０６をス
パッタリング法などにより４〜５μｍ成膜し、露出して
凸になった部分を研磨により除去する。このようにし
て、図１に示すように上中間コア１０８を形成する。
【００１４】このように、本形態によれば、磁気ギャッ
プ層２６が予め厚めに形成される。そして、この磁気ギ
ャップ層２６を、加工後の溝底幅ＷAが下中間コア１２
のトラック幅ＷBと等しくなるように、かつ、磁気ギャ
ップ厚みＧtが所定の厚みになるように、ＲＩＥなどの
ドライエッチング方法により加工する。このとき、絶縁
材料１００としてドライエッチングされ易いものを使用
するとともに、磁気ギャップ材２６としてドライエッチ
ングされ難いものを使用することで、オーバーエッチン
グによるトラック幅ＷAの広がりを防止することができ
る。例えば、ドライエッチングされ易いものとしてＳｉ
Ｏ2膜，され難いものとしてＡｌ2Ｏ3膜との組み合わせ
がある。ＳｉＯ2のエッチングレートは約１０００オン
グストローム／ｍｉｎ，Ａｌ2Ｏ3のエッチングレートは
５０オングストローム／ｍｉｎ以下である。このように
して形成した溝１０４中に磁性層を埋め込むことによ
り、上中間コア１０８を形成する。
プ層２６が予め厚めに形成される。そして、この磁気ギ
ャップ層２６を、加工後の溝底幅ＷAが下中間コア１２
のトラック幅ＷBと等しくなるように、かつ、磁気ギャ
ップ厚みＧtが所定の厚みになるように、ＲＩＥなどの
ドライエッチング方法により加工する。このとき、絶縁
材料１００としてドライエッチングされ易いものを使用
するとともに、磁気ギャップ材２６としてドライエッチ
ングされ難いものを使用することで、オーバーエッチン
グによるトラック幅ＷAの広がりを防止することができ
る。例えば、ドライエッチングされ易いものとしてＳｉ
Ｏ2膜，され難いものとしてＡｌ2Ｏ3膜との組み合わせ
がある。ＳｉＯ2のエッチングレートは約１０００オン
グストローム／ｍｉｎ，Ａｌ2Ｏ3のエッチングレートは
５０オングストローム／ｍｉｎ以下である。このように
して形成した溝１０４中に磁性層を埋め込むことによ
り、上中間コア１０８を形成する。
【００１５】この方法によれば、上中間コア１０８とな
る磁性膜１０６を予め形成された溝２２に埋め込むた
め、上中間コア１０８が細ることもなく、またコア材の
破片が飛び散ってギャップ部分に付着することもなく、
磁気ギャップを挟む中間コア１８，１０８の位置やトラ
ック幅を一致させることが可能になり、薄膜磁気ヘッド
の狭トラック化，高密度記録化，高性能化が図られる。
る磁性膜１０６を予め形成された溝２２に埋め込むた
め、上中間コア１０８が細ることもなく、またコア材の
破片が飛び散ってギャップ部分に付着することもなく、
磁気ギャップを挟む中間コア１８，１０８の位置やトラ
ック幅を一致させることが可能になり、薄膜磁気ヘッド
の狭トラック化，高密度記録化，高性能化が図られる。
【００１６】次に、コイルやコイル接続部を形成すると
ともに、前記下コア１６と同様にして上コア３２を形成
する。その後、リード線，保護膜を順次形成し、所定位
置で切断して切断面を平面仕上することで、媒体と対向
するスライダ面を形成する。図４は、このスライダ面を
形成した状態を示す。これらのコイルや上コアなどの製
造方法は、従来技術と同様である。
ともに、前記下コア１６と同様にして上コア３２を形成
する。その後、リード線，保護膜を順次形成し、所定位
置で切断して切断面を平面仕上することで、媒体と対向
するスライダ面を形成する。図４は、このスライダ面を
形成した状態を示す。これらのコイルや上コアなどの製
造方法は、従来技術と同様である。
【００１７】この発明には数多くの実施形態があり、以
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、前記実施例は、中間コア間に磁気ギャップを設
けたが、下中間コアと下コア，もしくは上中間コアと上
コアの間に磁気ギャップを設けてもよい。
上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。
例えば、前記実施例は、中間コア間に磁気ギャップを設
けたが、下中間コアと下コア，もしくは上中間コアと上
コアの間に磁気ギャップを設けてもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
磁気ギャップ層にトラック幅を規定する溝を形成し、こ
れによって磁気コアの位置を規制することとしたので、
磁気ギャップを挟む上下磁気コアの位置ずれがなく、上
下磁気コアが同一トラック幅となる。このため、記録再
生時における磁気ギャップを挟む磁気コア間でのフリン
ジング現象が防止されるとともに、クロストークも防止
され、狭トラック化，高密度化，高性能化を図ることが
できる。
磁気ギャップ層にトラック幅を規定する溝を形成し、こ
れによって磁気コアの位置を規制することとしたので、
磁気ギャップを挟む上下磁気コアの位置ずれがなく、上
下磁気コアが同一トラック幅となる。このため、記録再
生時における磁気ギャップを挟む磁気コア間でのフリン
ジング現象が防止されるとともに、クロストークも防止
され、狭トラック化，高密度化，高性能化を図ることが
できる。
【図１】本発明における磁気ギャップ付近のコアの様子
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの製造方法の主
要工程を示す図である。
要工程を示す図である。
【図３】本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの製造方法の主
要工程を示す図である。
要工程を示す図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドの一例を示す図である。
【図５】従来技術の問題点を示す図である。
【符号の説明】 １０…基板 １２，１４…絶縁膜 １６…下コア １８，２２…下中間コア ２０，２４…上中間コア ２６…磁気ギャップ層 ２８…コイル ３２…上コア ３４，３６…リード線 １００…絶縁層 １０２…ホトレジスト １０４…溝 １０６…磁性膜 １０８…上中間コア
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気回路が少なくとも、上部コア及び下
部コアで構成されており、磁気ギャップ層が前記上部コ
アと下部コアとの間に形成されていている薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記磁気ギャップ層にトラック幅を規制す
る溝が存在することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、 前記磁気ギャップ層上に絶縁層を形成する第一の工程；
この絶縁層を前記上部コアを形成するためにパターニン
グするとともに、前記磁気ギャップ層に前記溝を形成す
る第２の工程；前記溝を磁性膜で埋めて前記上部コアを
形成する第３の工程；を含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記絶縁層としてドライエッチングされ
易い材料を使用するとともに、前記磁気ギャップ層とし
てドライエッチングされ難い材料を使用し、前記第２の
工程をドライエッチングによって行うことを特徴とする
請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10469298A JPH11306512A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10469298A JPH11306512A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11306512A true JPH11306512A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14387537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10469298A Pending JPH11306512A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11306512A (ja) |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10469298A patent/JPH11306512A/ja active Pending
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