JPH0760810B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0760810B2 JPH0760810B2 JP62105067A JP10506787A JPH0760810B2 JP H0760810 B2 JPH0760810 B2 JP H0760810B2 JP 62105067 A JP62105067 A JP 62105067A JP 10506787 A JP10506787 A JP 10506787A JP H0760810 B2 JPH0760810 B2 JP H0760810B2
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- photoresist film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に選択的イオ
ン注入工程の効率化に関する。
ン注入工程の効率化に関する。
従来、半導体基板にレジストマスクを介して選択的にイ
オン注入を行う工程では、工程終了後のレジスト剥離作
業を通常酸素プラズマによる酸化手段を用いて行う。
オン注入を行う工程では、工程終了後のレジスト剥離作
業を通常酸素プラズマによる酸化手段を用いて行う。
このように不用となったレジスト・パターンを基板上か
ら剥離するのにプラズマ酸化装置が必要となる程作業が
大がかりになるのは注入イオンによりレジスト材そのも
のが変質するからである。特に注入されるイオン元素が
重元素に近くなる程その変質はひどくなり、ウェット系
の剥離液では最早や溶解することができず、酸素プラズ
マを用いて酸化する外仕方ないようになる。従って、注
入イオンによるレジスト材の変質問題を解決しない限り
剥離作業の簡易化を望むことは不可能で製造コストの低
減をはかることはできない。
ら剥離するのにプラズマ酸化装置が必要となる程作業が
大がかりになるのは注入イオンによりレジスト材そのも
のが変質するからである。特に注入されるイオン元素が
重元素に近くなる程その変質はひどくなり、ウェット系
の剥離液では最早や溶解することができず、酸素プラズ
マを用いて酸化する外仕方ないようになる。従って、注
入イオンによるレジスト材の変質問題を解決しない限り
剥離作業の簡易化を望むことは不可能で製造コストの低
減をはかることはできない。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、変質レジスト・パ
ターンの剥離をきわめて容易にした選択的イオン注入工
程を備えた半導体装置の製造方法を提供することであ
る。
ターンの剥離をきわめて容易にした選択的イオン注入工
程を備えた半導体装置の製造方法を提供することであ
る。
本発明によれば、本発明の半導体装置の製造方法は、半
導体基板全面に水溶性高分子非感光薄膜を下地としてフ
ォトレジスト膜を塗布するフォトレジスト膜塗布工程
と、上記フォトレジスト膜をマスク露光し現像するフォ
トレジスト膜および上記水溶性高分子非感光薄膜に対す
るパターニング工程と、上記パターニング工程で形成さ
れるフォトレジスト・パターンをマスクとする選択的イ
オン注入工程と、上記フォトレジスト・パターンを下層
の上記水溶性高分子非感光薄膜と共にリフト・オフする
水洗工程とからなるイオン注入工程を含む。
導体基板全面に水溶性高分子非感光薄膜を下地としてフ
ォトレジスト膜を塗布するフォトレジスト膜塗布工程
と、上記フォトレジスト膜をマスク露光し現像するフォ
トレジスト膜および上記水溶性高分子非感光薄膜に対す
るパターニング工程と、上記パターニング工程で形成さ
れるフォトレジスト・パターンをマスクとする選択的イ
オン注入工程と、上記フォトレジスト・パターンを下層
の上記水溶性高分子非感光薄膜と共にリフト・オフする
水洗工程とからなるイオン注入工程を含む。
本発明によればフォトレジストの下地に水溶性高分子か
らなる非感光薄膜を敷くことにより、用いられたフォト
レジストがポジ型、ネガ型の違いに全く関係なく、イオ
ン注入後変質したフォトジレスト・パターンを水洗作業
のみでリフト・オフ法により容易に剥離することが可能
となる。
らなる非感光薄膜を敷くことにより、用いられたフォト
レジストがポジ型、ネガ型の違いに全く関係なく、イオ
ン注入後変質したフォトジレスト・パターンを水洗作業
のみでリフト・オフ法により容易に剥離することが可能
となる。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す工程順
序図である。本実施例によれば、レジスト膜の塗布に先
立ち半導体基板には水溶性高分子非感光薄膜があらかじ
め下地として一面に塗布される。すなわち第１図（ａ）
に示す如く、半導体基板１の全面には水溶性高分子非感
光薄膜（例えばプルラン）２がまず最初下地として約0.
2μｍの膜厚で敷かれ、ついで、ポジ型のフォトレジス
ト膜３が膜厚約1.5μｍの厚さに塗布される。この状態
で露光が行われると、第１図（ｂ）に示すように、フォ
トレジスト膜３は感光した部分４と感光しなかった部分
４′とに分たれ、公知の手法を用いて現像工程を終えれ
ば、感光した部分４は流れ去り感光しなかった部分４′
だけが残る〔第１図（ｃ）参照〕。この際、感光した部
分４直下の水溶性高分子非感光薄膜２も膜質が水溶性で
上層のフォトレジスト膜と共に流れ去るのでフォトレジ
スト膜３は従来と全く同様にパターニングされる。た
だ、従来方法と異なるところはレジスト・パターンが水
溶性高分子非感光薄膜とフォトレジスト膜との積層構造
で形成されていることである。ここで、上面から矢印で
示すようにイオン注入（I/I）を行うと、半導体基板１
の表面には第１図（ｃ）に示すようにイオン注入領域５
が形成される。このとき、レジスト・パターンを形成す
るフォトレジスト膜の感光しなかった部分４′は注入イ
オンのエネルギで変質し剥離が容易でなくなるが、純水
に十分長い時間浸すことによって下層薄膜２の溶解と共
にリフト・オフすることができる。すなわち、従来の如
くプラズマ酸化手法に依らずとも簡単な水洗のみできわ
めて容易に剥離作業を終えることができる。この際フォ
トレジストのパターンニング工程において現像時にフォ
トレジストの感光しなかった部分４′の下層に敷かれた
水溶性高分子非感光薄膜２が若干溶解されることが考え
られるが、イオン注入領域５は常に上層に位置する感光
しなかった部分４′をマスクとして形成されるので全く
問題はない。
序図である。本実施例によれば、レジスト膜の塗布に先
立ち半導体基板には水溶性高分子非感光薄膜があらかじ
め下地として一面に塗布される。すなわち第１図（ａ）
に示す如く、半導体基板１の全面には水溶性高分子非感
光薄膜（例えばプルラン）２がまず最初下地として約0.
2μｍの膜厚で敷かれ、ついで、ポジ型のフォトレジス
ト膜３が膜厚約1.5μｍの厚さに塗布される。この状態
で露光が行われると、第１図（ｂ）に示すように、フォ
トレジスト膜３は感光した部分４と感光しなかった部分
４′とに分たれ、公知の手法を用いて現像工程を終えれ
ば、感光した部分４は流れ去り感光しなかった部分４′
だけが残る〔第１図（ｃ）参照〕。この際、感光した部
分４直下の水溶性高分子非感光薄膜２も膜質が水溶性で
上層のフォトレジスト膜と共に流れ去るのでフォトレジ
スト膜３は従来と全く同様にパターニングされる。た
だ、従来方法と異なるところはレジスト・パターンが水
溶性高分子非感光薄膜とフォトレジスト膜との積層構造
で形成されていることである。ここで、上面から矢印で
示すようにイオン注入（I/I）を行うと、半導体基板１
の表面には第１図（ｃ）に示すようにイオン注入領域５
が形成される。このとき、レジスト・パターンを形成す
るフォトレジスト膜の感光しなかった部分４′は注入イ
オンのエネルギで変質し剥離が容易でなくなるが、純水
に十分長い時間浸すことによって下層薄膜２の溶解と共
にリフト・オフすることができる。すなわち、従来の如
くプラズマ酸化手法に依らずとも簡単な水洗のみできわ
めて容易に剥離作業を終えることができる。この際フォ
トレジストのパターンニング工程において現像時にフォ
トレジストの感光しなかった部分４′の下層に敷かれた
水溶性高分子非感光薄膜２が若干溶解されることが考え
られるが、イオン注入領域５は常に上層に位置する感光
しなかった部分４′をマスクとして形成されるので全く
問題はない。
第２図（ａ）〜（ｂ）は本発明の他の実施例を示す部分
工程図である。本実施例ではネガ型のフォトレジスト膜
を用いた場合が示されているが、露光工程までは前実施
例と全く手法が同一なので図面省略されている。すなわ
ち、第２図（ａ）の如くネガ型のフォトレジスト膜の感
光した部分14と水溶性薄膜２との積層パターンをマスク
としてイオン注入（I/I）を行えば基板面にイオン注入
領域５が形成されるので、前実施例と同様に水洗工程を
ひきつづき行えば、第２図（ｂ）に示す如くレジスト・
パターンは容易に剥離される。
工程図である。本実施例ではネガ型のフォトレジスト膜
を用いた場合が示されているが、露光工程までは前実施
例と全く手法が同一なので図面省略されている。すなわ
ち、第２図（ａ）の如くネガ型のフォトレジスト膜の感
光した部分14と水溶性薄膜２との積層パターンをマスク
としてイオン注入（I/I）を行えば基板面にイオン注入
領域５が形成されるので、前実施例と同様に水洗工程を
ひきつづき行えば、第２図（ｂ）に示す如くレジスト・
パターンは容易に剥離される。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、水溶性高
分子非感光薄膜をフォトレジスト膜の下地に敷くことに
よってイオン注入後の変質したレジスト膜を従来の如く
酸素プラズマなどの大がかりな手法によらず簡易な水洗
手法により容易に剥離することができるので、半導体装
置の生産効率の向上に大きな効果をあげることができ
る。
分子非感光薄膜をフォトレジスト膜の下地に敷くことに
よってイオン注入後の変質したレジスト膜を従来の如く
酸素プラズマなどの大がかりな手法によらず簡易な水洗
手法により容易に剥離することができるので、半導体装
置の生産効率の向上に大きな効果をあげることができ
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す工程順
序図、第２図（ａ）〜（ｂ）は本発明の他の実施例を示
す部分工程図でである。 １……半導体基板、２……水溶性高分子非感光薄膜、３
……ポジ型フォトレジスト膜、4,14……（フォトレジス
ト膜の）感光した部分、４′……（フォトレジスト膜
の）感光しなかった部分、５……イオン注入領域。
序図、第２図（ａ）〜（ｂ）は本発明の他の実施例を示
す部分工程図でである。 １……半導体基板、２……水溶性高分子非感光薄膜、３
……ポジ型フォトレジスト膜、4,14……（フォトレジス
ト膜の）感光した部分、４′……（フォトレジスト膜
の）感光しなかった部分、５……イオン注入領域。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板全面に水溶性高分子非感光薄膜
を下地としてフォトレジスト膜を塗布するフォトレジス
ト膜塗布工程と、前記フォトレジスト膜をマスク露光し
現像するフォトレジスト膜および前記水溶性高分子非感
光薄膜に対するパターニング工程と、前記パターニング
工程で形成されるフォトレジスト・パターンをマスクと
する選択的イオン注入工程と、前記フォトレジスト・パ
ターンを下層の前記水溶性高分子非感光薄膜と共にリフ
ト・オフする水洗工程とからなるイオン注入工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105067A JPH0760810B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105067A JPH0760810B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269516A JPS63269516A (ja) | 1988-11-07 |
| JPH0760810B2 true JPH0760810B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=14397611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62105067A Expired - Lifetime JPH0760810B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760810B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7331370B2 (ja) * | 2019-02-01 | 2023-08-23 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4030942A (en) * | 1975-10-28 | 1977-06-21 | International Business Machines Corporation | Semiconductor masking for device fabrication utilizing ion implantation and other methods |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP62105067A patent/JPH0760810B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63269516A (ja) | 1988-11-07 |
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