JPH0760819B2 - プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH0760819B2 JPH0760819B2 JP62271782A JP27178287A JPH0760819B2 JP H0760819 B2 JPH0760819 B2 JP H0760819B2 JP 62271782 A JP62271782 A JP 62271782A JP 27178287 A JP27178287 A JP 27178287A JP H0760819 B2 JPH0760819 B2 JP H0760819B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum reaction
- cleaning
- wall
- reaction container
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプラズマCVD（Chemical Vapour Deposition）
法により基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置にお
ける構成部品をクリーニングするプラズマCVD装置のク
リーニング方法に関するものである。
法により基板上に薄膜を形成するプラズマCVD装置にお
ける構成部品をクリーニングするプラズマCVD装置のク
リーニング方法に関するものである。
［従来技術］ 近年、半導体や磁気ディスク等において、プラズマCVD
による薄膜の製造技術が普及しつつある。プラズマCVD
法とは、原料ガス（有機モノマーやSiH4，CH4等）を一
定圧力の真空反応容器内に導入し、且つ真空反応容器内
に設けた電極に高周波電力或いは直流電力をかけてプラ
ズマを発生させ、プラズマのエネルギーで化学反応をさ
せて真空反応容器内の基板上に膜を成長させる方法であ
る。
による薄膜の製造技術が普及しつつある。プラズマCVD
法とは、原料ガス（有機モノマーやSiH4，CH4等）を一
定圧力の真空反応容器内に導入し、且つ真空反応容器内
に設けた電極に高周波電力或いは直流電力をかけてプラ
ズマを発生させ、プラズマのエネルギーで化学反応をさ
せて真空反応容器内の基板上に膜を成長させる方法であ
る。
この技術では、基板のみに膜を付けることはできず、真
空反応容器や電極等の構成部品にも膜や粉末が付着する
ことが避けられない。特に、有機物を原料とする場合は
付着物が多い。これらの付着物が電極に付着した場合に
は、電界の分布に影響を与え、プラズマの状態、更には
膜質に変化をもたらす。また、真空反応容器の壁面等に
付着物が付いた場合には、ダストとして製品の品質に多
大の悪影響を及ぼす。
空反応容器や電極等の構成部品にも膜や粉末が付着する
ことが避けられない。特に、有機物を原料とする場合は
付着物が多い。これらの付着物が電極に付着した場合に
は、電界の分布に影響を与え、プラズマの状態、更には
膜質に変化をもたらす。また、真空反応容器の壁面等に
付着物が付いた場合には、ダストとして製品の品質に多
大の悪影響を及ぼす。
そこで最近、第２図に示すようなプラズマCVD装置を用
いて電極をクリーニングことが提案されている。
いて電極をクリーニングことが提案されている。
このプラズマCVD装置１は、真空反応容器２内に原料ガ
スを流出させる原料ガス流出電極３と、基板４を支持す
る基板支持電極５とが相対向して配設され、原料ガス流
出電極３には高周波電源６がマッチングボックス7,給電
線路８を介して接続され、真空反応容器２にはその内部
を真空引きする真空ポンプの如き真空引き装置10が接続
された構造になっている。真空反応容器2,原料ガス流出
電極3,基板支持電極5,原料ガス供給配管９等は、例えば
ステンレススチール等で形成されている。
スを流出させる原料ガス流出電極３と、基板４を支持す
る基板支持電極５とが相対向して配設され、原料ガス流
出電極３には高周波電源６がマッチングボックス7,給電
線路８を介して接続され、真空反応容器２にはその内部
を真空引きする真空ポンプの如き真空引き装置10が接続
された構造になっている。真空反応容器2,原料ガス流出
電極3,基板支持電極5,原料ガス供給配管９等は、例えば
ステンレススチール等で形成されている。
このようにプラズマCVD装置１において、クリーニング
を容易にするため、基板支持電極５にはリード線11が接
続され、該リード線11は真空反応容器２を気密に且つ電
気的に絶縁して貫通して外部に導出されている。また、
給電線路８とリード線11とには、高周波電源６を原料ガ
ス流出電極３に接続するか又は基板支持電極５に接続す
るかの切替えを行う切替スイッチ12が接続されている。
切替スイッチ12には、高周波電源６を原料ガス流出電極
３にリード線８を介して接続するための固定接点12A
と、高周波電源６を基板支持電極５にリード線11を介し
て接続するための固定接点12Bとが設けられている。真
空反応容器２と給電線路８との間にはスイッチ13が接続
され、給電線路８とリード線11との間にはスイッチ14が
接続され、リード線11と真空反応容器２との間にはスイ
ッチ15が接続されている。原料ガス流出電極３と原料ガ
ス供給配管９とは絶縁物16で絶縁されている。
を容易にするため、基板支持電極５にはリード線11が接
続され、該リード線11は真空反応容器２を気密に且つ電
気的に絶縁して貫通して外部に導出されている。また、
給電線路８とリード線11とには、高周波電源６を原料ガ
ス流出電極３に接続するか又は基板支持電極５に接続す
るかの切替えを行う切替スイッチ12が接続されている。
切替スイッチ12には、高周波電源６を原料ガス流出電極
３にリード線８を介して接続するための固定接点12A
と、高周波電源６を基板支持電極５にリード線11を介し
て接続するための固定接点12Bとが設けられている。真
空反応容器２と給電線路８との間にはスイッチ13が接続
され、給電線路８とリード線11との間にはスイッチ14が
接続され、リード線11と真空反応容器２との間にはスイ
ッチ15が接続されている。原料ガス流出電極３と原料ガ
ス供給配管９とは絶縁物16で絶縁されている。
このようなプラズマCVD装置１で、基板４上に膜を形成
するには、切替スイッチ12の固定接点12Aをオンとし、
スイッチ13をオフとし、スイッチ14をオフとし、スイッ
チ15をオンとする。真空反応容器２内を真空にし、原料
ガスを原料ガス流出電極３に供給して、基板４にシャワ
ー状に供給する。このとき、原料ガス流出電極３に高周
波電力を印加し、該原料ガス流出電極３と基板支持電極
５との間にプラズマを発生させる。これにより、該プラ
ズマで原料ガスを活性化し、反応させて基板４上に膜を
形成させる。
するには、切替スイッチ12の固定接点12Aをオンとし、
スイッチ13をオフとし、スイッチ14をオフとし、スイッ
チ15をオンとする。真空反応容器２内を真空にし、原料
ガスを原料ガス流出電極３に供給して、基板４にシャワ
ー状に供給する。このとき、原料ガス流出電極３に高周
波電力を印加し、該原料ガス流出電極３と基板支持電極
５との間にプラズマを発生させる。これにより、該プラ
ズマで原料ガスを活性化し、反応させて基板４上に膜を
形成させる。
このとき、原料ガス流出電極３や基板支持電極５等側に
もハイドロカーボン系の膜が形成される。この膜は、異
状放電の原因となるため、基板４を除去した状態で不活
性ガス例えばAr及びO2雰囲気中で原料ガス流出電極３と
基板支持電極５とのクリーニングをプラズマエッチング
により行う。酸素雰囲気中でプラズマエッチングする
と、ハイドロカーボン系の付着物がCO2はH2Oなどに酸化
され且つエッチング効果により除去される。
もハイドロカーボン系の膜が形成される。この膜は、異
状放電の原因となるため、基板４を除去した状態で不活
性ガス例えばAr及びO2雰囲気中で原料ガス流出電極３と
基板支持電極５とのクリーニングをプラズマエッチング
により行う。酸素雰囲気中でプラズマエッチングする
と、ハイドロカーボン系の付着物がCO2はH2Oなどに酸化
され且つエッチング効果により除去される。
原料ガス流出電極３のクリーニングは、切替スイッチ12
の固定接点12Aをオンとして原料ガス流出電極３をマッ
チングボックス７を介して高周波電源６に接続し、且つ
スイッチ13,14をオフとし、スイッチ15をオンとして基
板支持電極５及び真空反応容器２を接地し、原料ガスの
供給を停止した状態で原料ガス流出電極３に高周波電力
を印加し、該原料ガス流出電極３と接地状態にある基板
支持電極５及び真空反応容器２との間にプラズマを発生
させ、プラズマエッチングにより原料ガス流出電極３の
膜を除去することにより行う。
の固定接点12Aをオンとして原料ガス流出電極３をマッ
チングボックス７を介して高周波電源６に接続し、且つ
スイッチ13,14をオフとし、スイッチ15をオンとして基
板支持電極５及び真空反応容器２を接地し、原料ガスの
供給を停止した状態で原料ガス流出電極３に高周波電力
を印加し、該原料ガス流出電極３と接地状態にある基板
支持電極５及び真空反応容器２との間にプラズマを発生
させ、プラズマエッチングにより原料ガス流出電極３の
膜を除去することにより行う。
基板支持電極５のクリーニングは、切替スイッチ12の固
定接点12Bをオンとして基板支持電極５をマッチングボ
ックス７を介して高周波電源６に接続し、且つスイッチ
13をオン，スイッチ14,15をオフとして原料ガス流出電
極３及び真空反応容器２を接地し、原料ガスの供給を停
止した状態で基板支持電極５に高周波電力を印加し、該
基板支持電極５と接地状態にある原料ガス流出電極３及
び真空反応容器２との間にプラズマを発生させ、プラズ
マエッチングにより基板支持電極５の膜を除去すること
により行う。
定接点12Bをオンとして基板支持電極５をマッチングボ
ックス７を介して高周波電源６に接続し、且つスイッチ
13をオン，スイッチ14,15をオフとして原料ガス流出電
極３及び真空反応容器２を接地し、原料ガスの供給を停
止した状態で基板支持電極５に高周波電力を印加し、該
基板支持電極５と接地状態にある原料ガス流出電極３及
び真空反応容器２との間にプラズマを発生させ、プラズ
マエッチングにより基板支持電極５の膜を除去すること
により行う。
ところで、プラズマCVD装置の場合、高周波電源６に接
続されている側の構成部品は、接地されている側の構成
部品に対して負の電位にバイアスされるようになってい
る。このような高周波電源６を用いてプラズマエッチン
グを行う場合には、高周波電源６に接続されている構成
部品の近傍の電位変化が、接地される側の構成部品に比
べて大きく、質量の大きな正イオンが高周波電源６に接
続されている構成部品に向かって加速されて該構成部品
に衝突し、効率の良いプラズマエッチングが行われる。
続されている側の構成部品は、接地されている側の構成
部品に対して負の電位にバイアスされるようになってい
る。このような高周波電源６を用いてプラズマエッチン
グを行う場合には、高周波電源６に接続されている構成
部品の近傍の電位変化が、接地される側の構成部品に比
べて大きく、質量の大きな正イオンが高周波電源６に接
続されている構成部品に向かって加速されて該構成部品
に衝突し、効率の良いプラズマエッチングが行われる。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、このような従来の構造のプラズマCVD装
置では、作業時の安全性のため真空反応容器２は接地さ
れている関係で、その内壁に対する付着物のクリーニン
グを行うことができず、この付着物が製品に付いた場合
には、ダストとして該製品の品質に多大な悪影響を及ぼ
す問題点がある。
置では、作業時の安全性のため真空反応容器２は接地さ
れている関係で、その内壁に対する付着物のクリーニン
グを行うことができず、この付着物が製品に付いた場合
には、ダストとして該製品の品質に多大な悪影響を及ぼ
す問題点がある。
本発明の目的は、真空反応容器の内壁のクリーニングが
行えるプラズマCVD装置のクリーニング方法を提供する
ことにある。
行えるプラズマCVD装置のクリーニング方法を提供する
ことにある。
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本発明の手段を説明する。
本願の第１の発明に係るプラズマCVD装置のクリーニン
グ方法は、プラズマCVD装置の真空反応容器内に該真空
反応容器から電気的に絶縁してクリーニング用内壁を設
け、該クリーニング用内壁を高周波電源或いは直流電源
に接続し、該クリーニング用内壁を除いた前記真空反応
容器と該真空反応容器内の他の構成部品とを接地し、前
記真空反応容器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状
態で前記クリーニング用内壁と接地状態にある前記各構
成部品との間に課電をしてプラズマを発生させ、前記ク
リーニング用内壁をプラズマエッチングによりクリーニ
ングすることを特徴とする。
グ方法は、プラズマCVD装置の真空反応容器内に該真空
反応容器から電気的に絶縁してクリーニング用内壁を設
け、該クリーニング用内壁を高周波電源或いは直流電源
に接続し、該クリーニング用内壁を除いた前記真空反応
容器と該真空反応容器内の他の構成部品とを接地し、前
記真空反応容器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状
態で前記クリーニング用内壁と接地状態にある前記各構
成部品との間に課電をしてプラズマを発生させ、前記ク
リーニング用内壁をプラズマエッチングによりクリーニ
ングすることを特徴とする。
本願の第２の発明に係るプラズマCVD装置のクリーニン
グ方法は、プラズマCVD装置の真空反応容器内に該真空
反応容器から電気的に絶縁して複数分割型のクリーニン
グ用内壁を設け、該クリーニング用内壁の所望の分割内
壁部を高周波電源或いは直流電源に接続し、該所望の分
割内壁部を除いた残りの分割内壁部と前記真空反応容器
と該真空反応容器内の他の構成部品とを接地し、前記真
空反応容器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状態で
前記所望の分割内壁部と接地状態にある前記各構成部品
との間に課電をしてプラズマを発生させ、前記所望の分
割内壁部をプラズマエッチングによりクリーニングする
ことを特徴とする。
グ方法は、プラズマCVD装置の真空反応容器内に該真空
反応容器から電気的に絶縁して複数分割型のクリーニン
グ用内壁を設け、該クリーニング用内壁の所望の分割内
壁部を高周波電源或いは直流電源に接続し、該所望の分
割内壁部を除いた残りの分割内壁部と前記真空反応容器
と該真空反応容器内の他の構成部品とを接地し、前記真
空反応容器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状態で
前記所望の分割内壁部と接地状態にある前記各構成部品
との間に課電をしてプラズマを発生させ、前記所望の分
割内壁部をプラズマエッチングによりクリーニングする
ことを特徴とする。
［作用］ 第１の発明のように、真空反応容器内に該真空反応容器
か電気的に絶縁してクリーニング用内壁を設けて、該ク
リーニング用内壁を高周波電源或いは直流電源に接続
し、該クリーニング用内壁を除いた該真空反応容器と該
真空反応容器内の他の構成部品とを接地し、該真空反応
容器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状態で該クリ
ーニング用内壁と接地状態にある各構成部品との間に課
電をしてプラズマを発生させると、該クリーニング用内
壁をプラズマエッチングによりクリーニングすることが
できる。この場合、真空反応容器は接地しているので、
クリーニング時の安全を確保することができる。
か電気的に絶縁してクリーニング用内壁を設けて、該ク
リーニング用内壁を高周波電源或いは直流電源に接続
し、該クリーニング用内壁を除いた該真空反応容器と該
真空反応容器内の他の構成部品とを接地し、該真空反応
容器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状態で該クリ
ーニング用内壁と接地状態にある各構成部品との間に課
電をしてプラズマを発生させると、該クリーニング用内
壁をプラズマエッチングによりクリーニングすることが
できる。この場合、真空反応容器は接地しているので、
クリーニング時の安全を確保することができる。
第２の発明のように、真空反応容器内に該真空反応容器
から電気的に絶縁して複数分割型のクリーニング用内壁
を設けて、該クリーニング用内壁の所望の分割内壁部を
高周波電源或いは直流電源に接続し、該所望の分割内壁
部を除いた残りの分割内壁部と該真空反応容器と該真空
反応容器内の他の構成部品とを接地し、該真空反応容器
内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状態で該所望の分
割内壁部と接地状態にある各構成部品との間に課電をし
てプラズマを発生させると、該所望の分割内壁部をプラ
ズマエッチングによりクリーニングすることができる。
他の分割内壁部も同様にしてプラズマエッチングにより
クリーニングすることができる。
から電気的に絶縁して複数分割型のクリーニング用内壁
を設けて、該クリーニング用内壁の所望の分割内壁部を
高周波電源或いは直流電源に接続し、該所望の分割内壁
部を除いた残りの分割内壁部と該真空反応容器と該真空
反応容器内の他の構成部品とを接地し、該真空反応容器
内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状態で該所望の分
割内壁部と接地状態にある各構成部品との間に課電をし
てプラズマを発生させると、該所望の分割内壁部をプラ
ズマエッチングによりクリーニングすることができる。
他の分割内壁部も同様にしてプラズマエッチングにより
クリーニングすることができる。
このようにクリーニング用内壁を複数の分割内壁部に分
割して、個々にクリーニングできるいようにすると、ク
リーニング用内壁の全体を一括してクリーニングする場
合よりも、容量の小さい電源を用いてクリーニングする
ことができる。また、汚れ易い分割内壁部だけ他の分割
内壁部より頻繁にクリーニングすることもできる。
割して、個々にクリーニングできるいようにすると、ク
リーニング用内壁の全体を一括してクリーニングする場
合よりも、容量の小さい電源を用いてクリーニングする
ことができる。また、汚れ易い分割内壁部だけ他の分割
内壁部より頻繁にクリーニングすることもできる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を第１図を参照して詳細に説明す
る。なお、前述した第２図と対応する部分には、同一符
号を付けて示している。
る。なお、前述した第２図と対応する部分には、同一符
号を付けて示している。
本実施例では、真空反応容器２内に数mmの隙間（電子の
平均自由行程以下）を明けて電気的に絶縁してクリーニ
ング用内壁21が設けられている。該クリーニング用内壁
21は、分割内壁部21a,21bに２分割されている。各分割
内壁部21a,21bにはリード線17,18がそれぞれ接続され、
これらリード線17,18は真空反応容器２を気密且つ電気
的に絶縁して貫通して外部に導出されている。切替スイ
ッチ12には、固定接点12A,12Bのほかに、高周波電源６
を分割内壁部21a,21bにリード線17,18を介して接続する
ための固定接点12C,12Dが設けられている。真空反応容
器２とリード線17との間にはスイッチ19が設けられ、真
空反応容器２とリード線18との間にはスイッチ20が設け
られている。その他の構成は第２図と同様になってい
る。
平均自由行程以下）を明けて電気的に絶縁してクリーニ
ング用内壁21が設けられている。該クリーニング用内壁
21は、分割内壁部21a,21bに２分割されている。各分割
内壁部21a,21bにはリード線17,18がそれぞれ接続され、
これらリード線17,18は真空反応容器２を気密且つ電気
的に絶縁して貫通して外部に導出されている。切替スイ
ッチ12には、固定接点12A,12Bのほかに、高周波電源６
を分割内壁部21a,21bにリード線17,18を介して接続する
ための固定接点12C,12Dが設けられている。真空反応容
器２とリード線17との間にはスイッチ19が設けられ、真
空反応容器２とリード線18との間にはスイッチ20が設け
られている。その他の構成は第２図と同様になってい
る。
このようなプラズマCVD装置で、成膜速度を５オングス
トローム/Sを50〜500オングストローム/Sとするため、
原料ガス量を100ccmにしたところ、真空反応容器２の分
割内壁部21a,21bにも成膜が生じ、成膜の安定性が非常
に悪くなった。
トローム/Sを50〜500オングストローム/Sとするため、
原料ガス量を100ccmにしたところ、真空反応容器２の分
割内壁部21a,21bにも成膜が生じ、成膜の安定性が非常
に悪くなった。
そこで、これら分割内壁部21a,21bのクリーニングを、
次のようにして行った。
次のようにして行った。
まず、分割内壁部21aのクリーニングについて説明す
る。この場合には、切替スイッチ12の固定接点12Cをオ
ンにして分割内壁部21aをマッチングボックス７を介し
て高周波電源６に接続し、且つそれ以外の分割内壁部21
b,電極3,5及び真空反応容器２の接地（スイッチ13,15,2
0をオン、スイッチ19をオフ）し、原料ガスの供給を停
止した状態で分割内壁部21aに高周波電源６から高周波
電力を印加し、該分割内壁部21aと接地状態にある分割
内壁部21b,電極3,5及び真空反応容器２との間にプラズ
マを発生させ、プラズマエッチングにより該分割内壁部
21aの膜を除去する。
る。この場合には、切替スイッチ12の固定接点12Cをオ
ンにして分割内壁部21aをマッチングボックス７を介し
て高周波電源６に接続し、且つそれ以外の分割内壁部21
b,電極3,5及び真空反応容器２の接地（スイッチ13,15,2
0をオン、スイッチ19をオフ）し、原料ガスの供給を停
止した状態で分割内壁部21aに高周波電源６から高周波
電力を印加し、該分割内壁部21aと接地状態にある分割
内壁部21b,電極3,5及び真空反応容器２との間にプラズ
マを発生させ、プラズマエッチングにより該分割内壁部
21aの膜を除去する。
次に、分割内壁部21bのクリーニングについて説明す
る。この場合には、切替スイッチ12の固定接点12Dをオ
ンにして分割内壁部21bをマッチングボックス７を介し
て高周波電源６に接続し、且つそれ以外の分割内壁部21
a,電極3,5及び真空反応容器２を接地（スイッチ13,15,1
9をオン、スイッチ20をオフ）し、原料ガスの供給を停
止した状態で分割内壁部21bに高周波電源６から高周波
電力を印加し、該分割内壁部21bと接地状態にある分割
内壁部21a,電極3,5及び真空反応容器２との間にプラズ
マを発生させ、プラズマエッチングにより該分割内壁部
21bの膜を除去する。
る。この場合には、切替スイッチ12の固定接点12Dをオ
ンにして分割内壁部21bをマッチングボックス７を介し
て高周波電源６に接続し、且つそれ以外の分割内壁部21
a,電極3,5及び真空反応容器２を接地（スイッチ13,15,1
9をオン、スイッチ20をオフ）し、原料ガスの供給を停
止した状態で分割内壁部21bに高周波電源６から高周波
電力を印加し、該分割内壁部21bと接地状態にある分割
内壁部21a,電極3,5及び真空反応容器２との間にプラズ
マを発生させ、プラズマエッチングにより該分割内壁部
21bの膜を除去する。
このようにクリーニング用内壁21を複数の分割内壁部21
a,21bに分割して、個々にクリーニングできるようにす
ると、クリーニング用内壁21の全体を一括してクリーニ
ングする場合よりも、容量の小さい電源６を用いてクリ
ーニングすることができる。また、汚れ易い分割内壁部
だけ他の分割内壁部より頻繁にクリーニングすることも
できる。
a,21bに分割して、個々にクリーニングできるようにす
ると、クリーニング用内壁21の全体を一括してクリーニ
ングする場合よりも、容量の小さい電源６を用いてクリ
ーニングすることができる。また、汚れ易い分割内壁部
だけ他の分割内壁部より頻繁にクリーニングすることも
できる。
両電極3,5を高周波電源６に接続してクリーニングする
場合には、切替スイッチ12の固定接点12A及びスイッチ1
4をオン、スイッチ19,20をオン、それ以外のスイッチを
オフとする。
場合には、切替スイッチ12の固定接点12A及びスイッチ1
4をオン、スイッチ19,20をオン、それ以外のスイッチを
オフとする。
これにより主なクリーニング用内壁及び電極上にプラズ
マを発生させることができ、それぞれ２分の計６分で真
空反応容器２内の構成部品をクリーニングすることが可
能になった。更に、今までは成膜処理の５回毎に３〜４
時間かけて分解クリーニングしていたものを、５回毎に
６分間のプラズマエッチング・クリーニングを入れるこ
とにより、少なくとも100回は分解クリーニングせずに
成膜できるようになった。
マを発生させることができ、それぞれ２分の計６分で真
空反応容器２内の構成部品をクリーニングすることが可
能になった。更に、今までは成膜処理の５回毎に３〜４
時間かけて分解クリーニングしていたものを、５回毎に
６分間のプラズマエッチング・クリーニングを入れるこ
とにより、少なくとも100回は分解クリーニングせずに
成膜できるようになった。
なお、プラズマエッチングは、直流電源からの給電によ
り行ってもよいことは勿論である。
り行ってもよいことは勿論である。
［発明の効果］ 以上説明したように本願の第１の発明では、真空反応容
器内に該真空反応容器から電気的に絶縁してクリーニン
グ用内壁を設けて、該クリーニング用内壁を高周波電源
或いは直流電源に接続し、該クリーニング用内壁を除い
た該真空反応容器と該真空反応容器内の他の構成部品と
を接地し、該真空反応容器内を不活性ガス及び酸素雰囲
気にした状態で該クリーニング用内壁と接地状態にある
各構成部品との間に課電をしてプラズマを発生させるの
で、該クリーニング用内壁をプラズマエッチングにより
クリーニングすることができる。この場合、真空反応容
器は接地しているので、クリーニング時の安全を確保す
ることができる。
器内に該真空反応容器から電気的に絶縁してクリーニン
グ用内壁を設けて、該クリーニング用内壁を高周波電源
或いは直流電源に接続し、該クリーニング用内壁を除い
た該真空反応容器と該真空反応容器内の他の構成部品と
を接地し、該真空反応容器内を不活性ガス及び酸素雰囲
気にした状態で該クリーニング用内壁と接地状態にある
各構成部品との間に課電をしてプラズマを発生させるの
で、該クリーニング用内壁をプラズマエッチングにより
クリーニングすることができる。この場合、真空反応容
器は接地しているので、クリーニング時の安全を確保す
ることができる。
本願の第２の発明では、真空反応容器内に該真空反応容
器から電気的に絶縁して複数分割型のクリーニング用内
壁を設けて、該クリーニング用内壁の所望の分割内壁部
を高周波電源或いは直流電源に接続し、該所望の分割内
壁部を除いた残りの分割内壁部と該真空反応容器と該真
空反応容器内の他の構成部品とを接地し、該真空反応容
器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状態で該所望の
分割内壁部と接地状態にある各構成部品との間に課電を
してプラズマを発生させるので、該所望の分割内壁部を
プラズマエッチングによりクリーニングすることができ
る。また、他の分割内壁部も同様にしてプラズマエッチ
ングによりクリーニングすることができる。
器から電気的に絶縁して複数分割型のクリーニング用内
壁を設けて、該クリーニング用内壁の所望の分割内壁部
を高周波電源或いは直流電源に接続し、該所望の分割内
壁部を除いた残りの分割内壁部と該真空反応容器と該真
空反応容器内の他の構成部品とを接地し、該真空反応容
器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状態で該所望の
分割内壁部と接地状態にある各構成部品との間に課電を
してプラズマを発生させるので、該所望の分割内壁部を
プラズマエッチングによりクリーニングすることができ
る。また、他の分割内壁部も同様にしてプラズマエッチ
ングによりクリーニングすることができる。
このようにクリーニング用内壁を複数の分割内壁部に分
割して、個々にクリーニングできるようにすると、クリ
ーニング用内壁の全体を一括してクリーニングする場合
よりも、容量の小さい電源を用いてクリーニングするこ
とができる。また、汚れ易い分割内壁部だけ他の分割内
壁部より頻繁にクリーニングすることもできる。
割して、個々にクリーニングできるようにすると、クリ
ーニング用内壁の全体を一括してクリーニングする場合
よりも、容量の小さい電源を用いてクリーニングするこ
とができる。また、汚れ易い分割内壁部だけ他の分割内
壁部より頻繁にクリーニングすることもできる。
第１図は本発明の方法を実施するプラズマCVD装置の一
実施例を示す概略縦断面図、第２図は従来のプラズマCV
D装置を示す概略縦断面図である。 １……プラズマCVD装置、２……真空反応容器、３……
原料ガス流出電極、４……基板、基板支持電極、６……
高周波電源、８……給電線路、９……原料ガス供給配
管、11,17,18……リード線、12……切替スイッチ、12A,
12D……固定接点、13〜15,19,20……スイッチ、21……
クリーニング用内壁、21a,21b……分割内壁部。
実施例を示す概略縦断面図、第２図は従来のプラズマCV
D装置を示す概略縦断面図である。 １……プラズマCVD装置、２……真空反応容器、３……
原料ガス流出電極、４……基板、基板支持電極、６……
高周波電源、８……給電線路、９……原料ガス供給配
管、11,17,18……リード線、12……切替スイッチ、12A,
12D……固定接点、13〜15,19,20……スイッチ、21……
クリーニング用内壁、21a,21b……分割内壁部。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−171821（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−125840（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−76434（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】プラズマCVD装置の真空反応容器内に該真
空反応容器から電気的に絶縁してクリーニング用内壁を
設け、該クリーニング用内壁を高周波電源或いは直流電
源に接続し、該クリーニング用内壁を除いた前記真空反
応容器と該真空反応容器内の他の構成部品とを接地し、
前記真空反応容器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした
状態で前記クリーニング用内壁と接地状態の前記各構成
部品との間に課電をしてプラズマを発生させ、前記クリ
ーニング用内壁をプラズマエッチングによりクリーニン
グすることを特徴とするプラズマCVD装置のクリーニン
グ方法。 - 【請求項２】プラズマCVD装置の真空反応容器内に該真
空反応容器から電気的に絶縁して複数分割型のクリーニ
ング用内壁を設け、該クリーニング用内壁の所望の分割
内壁部を高周波電源或いは直流電源に接続し、該所望の
分割内壁部を除いた残りの分割内壁部と前記真空反応容
器と該真空反応容器内の他の構成部品とを接地し、前記
真空反応容器内を不活性ガス及び酸素雰囲気にした状態
で前記所望の分割内壁部と接地状態の前記各構成部品と
の間に課電をしてプラズマを発生させ、前記所望の分割
内壁部をプラズマエッチングによりクリーニングするこ
とを特徴とするプラズマCVD装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62271782A JPH0760819B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62271782A JPH0760819B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01115123A JPH01115123A (ja) | 1989-05-08 |
| JPH0760819B2 true JPH0760819B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17504776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62271782A Expired - Fee Related JPH0760819B2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760819B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2745895B2 (ja) * | 1991-10-04 | 1998-04-28 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ装置 |
| TW371776B (en) * | 1995-10-15 | 1999-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Laser irradiation apparatus and method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56125840A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Fujitsu Ltd | Cleaning method of dry etching device |
| JPS58171821A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理における汚染度又は清浄度検知方法およびその装置 |
| JPS6376434A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP62271782A patent/JPH0760819B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01115123A (ja) | 1989-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101369131B1 (ko) | 웨이퍼의 베벨 에지 및 이면상의 필름들을 제거하는 장치 및 방법들 | |
| CN102209426B (zh) | 等离子体处理方法和等离子体处理装置 | |
| JP5154124B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20080142481A1 (en) | In-situ particle collector | |
| KR100674736B1 (ko) | 기판반송장치와 그 세정방법 및 기판처리 시스템과 그세정방법 | |
| JP2003155569A (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法 | |
| JPH0760819B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置のクリーニング方法 | |
| JP2000328248A (ja) | 薄膜形成装置のクリーニング方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH0776781A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPH04316325A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0533816B2 (ja) | ||
| JPS61216327A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH0423823B2 (ja) | ||
| JP2669249B2 (ja) | プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法 | |
| JPH043927A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JP4090841B2 (ja) | プラズマｃｖｄ用電極 | |
| JP3310875B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP7017832B1 (ja) | バイアス印加装置 | |
| JPH10177993A (ja) | 平行平板狭電極型のプラズマ処理装置 | |
| JP2745549B2 (ja) | 半導体製造装置の洗浄方法 | |
| JPH03173124A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPH04315797A (ja) | プラズマ処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法 | |
| JPH0849080A (ja) | プラズマｃｖｄ装置に於けるガスクリーニング方法 | |
| JPS61172335A (ja) | プラズマ装置 | |
| JPH09237779A (ja) | プラズマリアクターの内部表面上の導電性堆積物の有害な影響を抑制する方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |