JPH0760876B2 - 半導体装置製造用フレームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置製造用フレームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0760876B2 JPH0760876B2 JP21298392A JP21298392A JPH0760876B2 JP H0760876 B2 JPH0760876 B2 JP H0760876B2 JP 21298392 A JP21298392 A JP 21298392A JP 21298392 A JP21298392 A JP 21298392A JP H0760876 B2 JPH0760876 B2 JP H0760876B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- chip
- semiconductor device
- portions
- chip element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本願発明は、半導体装置製造用フ
レームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体製
造方法に関し、詳しくは、少なくとも二端子構造をとる
半導体装置のより一層の小型化および製造コストの低減
を図りうるようになしたものに関する。
レームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体製
造方法に関し、詳しくは、少なくとも二端子構造をとる
半導体装置のより一層の小型化および製造コストの低減
を図りうるようになしたものに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置のなかでも、たとえば、低電
圧発生素子として各種回路に利用される二端子構造を備
えるダイオードは、一定間隔をあけて同一軸線上に配置
された一対のリード線を複数対備えるリードフレームに
対し、一方のリード線側にチップ素子をボンディングす
るダイボンディング工程が行われた後、上記チップ素子
の電極部と他方のリード線とを結線するワイヤボンディ
ング工程を経て、上記チップ素子ないしリード線を樹脂
封止する樹脂モールド工程等の一連の工程を経て作製さ
れることは良く知られている。また、ワイヤボンディン
グのためのワイヤとしては、一般的に金線が用いられて
おり、これがチップ素子の電極部およびリード線にそれ
ぞれ熱圧着される。
圧発生素子として各種回路に利用される二端子構造を備
えるダイオードは、一定間隔をあけて同一軸線上に配置
された一対のリード線を複数対備えるリードフレームに
対し、一方のリード線側にチップ素子をボンディングす
るダイボンディング工程が行われた後、上記チップ素子
の電極部と他方のリード線とを結線するワイヤボンディ
ング工程を経て、上記チップ素子ないしリード線を樹脂
封止する樹脂モールド工程等の一連の工程を経て作製さ
れることは良く知られている。また、ワイヤボンディン
グのためのワイヤとしては、一般的に金線が用いられて
おり、これがチップ素子の電極部およびリード線にそれ
ぞれ熱圧着される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
の通電作動時には、上記チップ素子に熱が発生するが、
この熱によってチップ素子が膨張するなどして歪みが発
生するために、いったん結線したワイヤ(金線)がチッ
プ素子から外れてしまう結線不良が生じることがある。
また、チップ素子に発生した熱は金線および樹脂モール
ド体を介してのみ他方のリード線に放熱することがで
き、チップ素子における熱放散効率が悪いため、特性不
良の原因となる蓄熱状態や、熱応力がチップ素子に生じ
やすいという問題もある。このため、半導体装置が不良
となる原因である上記結線不良を排除し、またチップ素
子における放熱効率を高めることによって製品品位の一
定化およびこれに伴う生産性の向上が望まれていた。
の通電作動時には、上記チップ素子に熱が発生するが、
この熱によってチップ素子が膨張するなどして歪みが発
生するために、いったん結線したワイヤ(金線)がチッ
プ素子から外れてしまう結線不良が生じることがある。
また、チップ素子に発生した熱は金線および樹脂モール
ド体を介してのみ他方のリード線に放熱することがで
き、チップ素子における熱放散効率が悪いため、特性不
良の原因となる蓄熱状態や、熱応力がチップ素子に生じ
やすいという問題もある。このため、半導体装置が不良
となる原因である上記結線不良を排除し、またチップ素
子における放熱効率を高めることによって製品品位の一
定化およびこれに伴う生産性の向上が望まれていた。
【0004】また、従来構造の半導体装置においては、
リード線と、これにボンディングされるチップ素子とさ
らにこのチップ素子とリード線との間をループ状に結線
するワイヤの全てをモールド体によって封止せねばなら
ないため、概して樹脂モールド体の厚みが増大して、製
品の大型化が避けられなかった。
リード線と、これにボンディングされるチップ素子とさ
らにこのチップ素子とリード線との間をループ状に結線
するワイヤの全てをモールド体によって封止せねばなら
ないため、概して樹脂モールド体の厚みが増大して、製
品の大型化が避けられなかった。
【0005】本願発明は、上記のような事情のもとで考
え出されたものであって、上述のダイオードのような半
導体装置において、上記の問題点を簡単な構成により解
決し、生産性の向上、性能の長期安定化、製造コストの
低減、ならびに製品の小型化を達成できるようにするこ
とをその課題としている。
え出されたものであって、上述のダイオードのような半
導体装置において、上記の問題点を簡単な構成により解
決し、生産性の向上、性能の長期安定化、製造コストの
低減、ならびに製品の小型化を達成できるようにするこ
とをその課題としている。
【0006】 上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。すなわち、本願の請
求項1に記載した発明は、左右のサイドフレーム部と、
各サイドフレーム部から同一軸線をもって内向き対向状
に延出するリード部を複数対備える半導体装置製造用フ
レームであって、上記各対をなすリード部の対向部に
は、このリード部の主部に対して屈曲した形状に形成さ
れまたは透孔が形成されることによりリード部の軸線方
向に弾性変形可能とされたチップ挟持部が打ち抜きまた
はエッチングによってフレーム基準平面内に形成されて
いることを特徴としている。
は、次の技術的手段を講じている。すなわち、本願の請
求項1に記載した発明は、左右のサイドフレーム部と、
各サイドフレーム部から同一軸線をもって内向き対向状
に延出するリード部を複数対備える半導体装置製造用フ
レームであって、上記各対をなすリード部の対向部に
は、このリード部の主部に対して屈曲した形状に形成さ
れまたは透孔が形成されることによりリード部の軸線方
向に弾性変形可能とされたチップ挟持部が打ち抜きまた
はエッチングによってフレーム基準平面内に形成されて
いることを特徴としている。
【0007】 本願の請求項2に記載した発明は、同一
軸線上に所定間隔を隔てて相互に対向するように配置さ
れた一対のリード部と、これらリード部に電気的に接続
されるチップ素子とを備える半導体装置であって、上記
一対のリード部の相互に対向する対向部に、これらリー
ド部の主部に対して屈曲した形状に形成されまたは透孔
が形成されることによりリード部の軸線方向に弾性変形
可能とされたチップ挟持部がリード部の主部を含む平面
内において打ち抜きまたはエッチングによって形成され
ており、上記チップ素子は、上記対向部に設けられた各
チップ挟持部間に挟圧支持されていることを特徴として
いる。
軸線上に所定間隔を隔てて相互に対向するように配置さ
れた一対のリード部と、これらリード部に電気的に接続
されるチップ素子とを備える半導体装置であって、上記
一対のリード部の相互に対向する対向部に、これらリー
ド部の主部に対して屈曲した形状に形成されまたは透孔
が形成されることによりリード部の軸線方向に弾性変形
可能とされたチップ挟持部がリード部の主部を含む平面
内において打ち抜きまたはエッチングによって形成され
ており、上記チップ素子は、上記対向部に設けられた各
チップ挟持部間に挟圧支持されていることを特徴として
いる。
【0008】 本願の請求項3に記載した発明は、左右
のサイドフレーム部と、各サイドフレーム部から同一軸
線をもって内向き対向状に延出するリード部を複数対備
え、上記各対をなすリード部の対向部には、このリード
部の主部に対して屈曲した形状に形成されまたは透孔が
形成されることによりリード部の軸線方向に弾性変形可
能とされたチップ挟持部が打ち抜きまたはエッチングに
よってフレーム基準平面内に形成されてなる製造用フレ
ームを用いた半導体装置の製造方法であって、上記チッ
プ挟持部間にチップ素子を押し込むことによってこのチ
ップ素子を両チップ挟持部間に弾性支持させるステッ
プ、上記弾性支持されたチップ素子ないし上記リード部
の一部を樹脂モールドするステップ、上記チップ素子の
支持と樹脂モールドが終了したリード部を上記サイドフ
レームから分離させるステップ、を含むことを特徴とし
ている。
のサイドフレーム部と、各サイドフレーム部から同一軸
線をもって内向き対向状に延出するリード部を複数対備
え、上記各対をなすリード部の対向部には、このリード
部の主部に対して屈曲した形状に形成されまたは透孔が
形成されることによりリード部の軸線方向に弾性変形可
能とされたチップ挟持部が打ち抜きまたはエッチングに
よってフレーム基準平面内に形成されてなる製造用フレ
ームを用いた半導体装置の製造方法であって、上記チッ
プ挟持部間にチップ素子を押し込むことによってこのチ
ップ素子を両チップ挟持部間に弾性支持させるステッ
プ、上記弾性支持されたチップ素子ないし上記リード部
の一部を樹脂モールドするステップ、上記チップ素子の
支持と樹脂モールドが終了したリード部を上記サイドフ
レームから分離させるステップ、を含むことを特徴とし
ている。
【0009】
【発明の作用および効果】本願発明においては、チップ
素子を一対のリード部にそれぞれ設けられた各チップ挟
持部の間に配置してこれらに弾性的な圧力をもって挟圧
支持させることにより、チップ素子をリード部間に保持
させるとともに、チップ挟持部での直接的な接触によっ
てチップ素子とリード部とを電気的に接続させている。
したがって、従来のようなチップ素子とリード部とを結
線するワイヤボンディングが不要となるから、結線不良
といった半導体装置に不良化の要因が解消される。
素子を一対のリード部にそれぞれ設けられた各チップ挟
持部の間に配置してこれらに弾性的な圧力をもって挟圧
支持させることにより、チップ素子をリード部間に保持
させるとともに、チップ挟持部での直接的な接触によっ
てチップ素子とリード部とを電気的に接続させている。
したがって、従来のようなチップ素子とリード部とを結
線するワイヤボンディングが不要となるから、結線不良
といった半導体装置に不良化の要因が解消される。
【0010】また、リード部の軸線上に並んでチップ素
子に圧接する各チップ挟持部に作用する弾性反力は、リ
ード部に対してはその軸線方向において作用することに
なるから、リード部には、上記弾性反力に起因した曲げ
力が作用することがない。したがって、リード部が上記
弾性反力のために変形を受けることがなく、各リード部
ないしそのチップ挟持部どうしの位置関係が常に一定に
維持される。すなわち、各チップ挟持部のチップ素子に
対する保持力を一定化することができるから、チップ素
子とチップ挟持部ないしリード部との間に接触不良が生
じるということがない。
子に圧接する各チップ挟持部に作用する弾性反力は、リ
ード部に対してはその軸線方向において作用することに
なるから、リード部には、上記弾性反力に起因した曲げ
力が作用することがない。したがって、リード部が上記
弾性反力のために変形を受けることがなく、各リード部
ないしそのチップ挟持部どうしの位置関係が常に一定に
維持される。すなわち、各チップ挟持部のチップ素子に
対する保持力を一定化することができるから、チップ素
子とチップ挟持部ないしリード部との間に接触不良が生
じるということがない。
【0011】しかも、通電作動時に発生する熱によって
引き起こされるチップ素子の膨張等をチップ挟持部の弾
性撓みをもって吸収してチップ素子における歪みの発生
を回避できるとともに、上記熱はチップ挟持部ないしリ
ード部に直接的に放熱することができるから、チップ素
子における放熱効率を従来のワイヤボンディングを施す
場合に比較して著しく高めることができる。
引き起こされるチップ素子の膨張等をチップ挟持部の弾
性撓みをもって吸収してチップ素子における歪みの発生
を回避できるとともに、上記熱はチップ挟持部ないしリ
ード部に直接的に放熱することができるから、チップ素
子における放熱効率を従来のワイヤボンディングを施す
場合に比較して著しく高めることができる。
【0012】 さらに、本願発明においてチップ素子を
挟圧状に保持するべく内向き対向状に形成されたリード
部の先端に形成されるチップ挟持部は、リード部の主部
に対して屈曲した形状に形成されまたは透孔が形成され
た形態であり、製造用フレーム形成時に、打ち抜きまた
はエッチングによって簡単に形成することができるため
に、たとえば打ち抜き形成後に曲げ加工を施すような製
造フレーム作製上の煩雑さはない。
挟圧状に保持するべく内向き対向状に形成されたリード
部の先端に形成されるチップ挟持部は、リード部の主部
に対して屈曲した形状に形成されまたは透孔が形成され
た形態であり、製造用フレーム形成時に、打ち抜きまた
はエッチングによって簡単に形成することができるため
に、たとえば打ち抜き形成後に曲げ加工を施すような製
造フレーム作製上の煩雑さはない。
【0013】加えて、上記チップ挟持部は、製造フレー
ムの基準平面内に形成されているので、これらの間に挟
持されるチップ素子を封止するべき樹脂モールド体の厚
みは、チップ素子そのものの厚みよりやや厚いだけの、
全体としてきわめて薄型化したものとすることができる
ので、半導体装置は、とりわけその厚み方向寸法を従来
に比較して著しく減少させた小型のものとすることがで
きる。
ムの基準平面内に形成されているので、これらの間に挟
持されるチップ素子を封止するべき樹脂モールド体の厚
みは、チップ素子そのものの厚みよりやや厚いだけの、
全体としてきわめて薄型化したものとすることができる
ので、半導体装置は、とりわけその厚み方向寸法を従来
に比較して著しく減少させた小型のものとすることがで
きる。
【0014】以上のように、本願発明においては、ワイ
ヤボンディングに起因する不良化の要因をなくし、ま
た、通電作動時に発生する熱によるチップ素子の不良化
を効果的に防止することができ、半導体装置に製品品位
の一定化およびこれに伴う生産性の向上に大きく付与す
ることができる。
ヤボンディングに起因する不良化の要因をなくし、ま
た、通電作動時に発生する熱によるチップ素子の不良化
を効果的に防止することができ、半導体装置に製品品位
の一定化およびこれに伴う生産性の向上に大きく付与す
ることができる。
【0015】また、ワイヤボンディング工程が省略で
き、高価な金線を使用しなくともよいことからコスト面
で非常に有利となるとともに、チップ素子ないしリード
部に併せて金線をも樹脂封止する必要があった従来に比
較して樹脂モールドを小さくすることができるから、半
導体装置のより一層の小型化が可能となる。
き、高価な金線を使用しなくともよいことからコスト面
で非常に有利となるとともに、チップ素子ないしリード
部に併せて金線をも樹脂封止する必要があった従来に比
較して樹脂モールドを小さくすることができるから、半
導体装置のより一層の小型化が可能となる。
【0016】
【実施例の説明】以下、本願発明の好ましい実施例を図
面を参照しながら具体的に説明する。本実施例では、二
端子素子として一般的に知られているダイオードに本願
発明を適用した例を示している。
面を参照しながら具体的に説明する。本実施例では、二
端子素子として一般的に知られているダイオードに本願
発明を適用した例を示している。
【0017】図1に示すように、ダイオードDは、同一
軸線上に所定間隔をあけて配置された一対のリード部
1,1と、これらのリード部1,1に電気的に接続され
るチップ素子2とを備える。また、チップ素子2および
リード部1,1の一部分が樹脂モールド3によって覆わ
れている。
軸線上に所定間隔をあけて配置された一対のリード部
1,1と、これらのリード部1,1に電気的に接続され
るチップ素子2とを備える。また、チップ素子2および
リード部1,1の一部分が樹脂モールド3によって覆わ
れている。
【0018】さて、本願発明においては、上記各リード
部1,1に、それぞれ、他方に対向する部位においてリ
ード部1の軸線方向に弾性変形可能なチップ挟持部4が
設けられている。本実施例の場合、上記チップ挟持部4
は、図1および図2に示すように、リード部1の主部か
ら斜め方向に延出する基部5と、この基部5の先端から
これの延出方向とは反対方向に折れ曲がって斜めに延出
するチップ圧接部6とからなっており、これら基部5お
よびチップ圧接部6は、全体として、リード部1の主部
に対して片持ちビーム状に一体形成されている。
部1,1に、それぞれ、他方に対向する部位においてリ
ード部1の軸線方向に弾性変形可能なチップ挟持部4が
設けられている。本実施例の場合、上記チップ挟持部4
は、図1および図2に示すように、リード部1の主部か
ら斜め方向に延出する基部5と、この基部5の先端から
これの延出方向とは反対方向に折れ曲がって斜めに延出
するチップ圧接部6とからなっており、これら基部5お
よびチップ圧接部6は、全体として、リード部1の主部
に対して片持ちビーム状に一体形成されている。
【0019】また、ダイオードDの作成においては、図
2に示すような一対のリード部1,1を複数組備えたリ
ードフレーム7が利用されるが、本願発明では、保護マ
スク処理およびエッチング液による不要部分の切除処理
等をもってパターン形成が行われ、かつ微細加工を厳密
な加工精度をもって行いうるエッチング処理をもってリ
ードフレーム7を加工し、上記リード部の各対向内端部
におけるチップ挟持部4もまた、リードフレームの上記
のようなエッチング処理加工と同時に形成している。
2に示すような一対のリード部1,1を複数組備えたリ
ードフレーム7が利用されるが、本願発明では、保護マ
スク処理およびエッチング液による不要部分の切除処理
等をもってパターン形成が行われ、かつ微細加工を厳密
な加工精度をもって行いうるエッチング処理をもってリ
ードフレーム7を加工し、上記リード部の各対向内端部
におけるチップ挟持部4もまた、リードフレームの上記
のようなエッチング処理加工と同時に形成している。
【0020】これにより、チップ挟持部4の寸法や、対
になるチップ挟持部4,4間の間隔を厳格に管理するこ
とができ、さらには、チップ挟持部4,4のチップ素子
2に対する保持力を一定化させることができる。なお、
対になるチップ挟持部4,4の各チップ圧接部6,6間
の自然状態での間隔は、チップ素子2の幅よりもやや小
さめに設定される。
になるチップ挟持部4,4間の間隔を厳格に管理するこ
とができ、さらには、チップ挟持部4,4のチップ素子
2に対する保持力を一定化させることができる。なお、
対になるチップ挟持部4,4の各チップ圧接部6,6間
の自然状態での間隔は、チップ素子2の幅よりもやや小
さめに設定される。
【0021】そうして、本願発明では、図1に示すよう
に、上記各チップ挟持部4,4間にチップ素子2を押し
込むことによってこれらの間に弾性的に挟圧保持させ
る。なお、図2に示すように、チップ素子2に対してあ
らかじめその電極部2aの表面にスズメッキ8(Snメ
ッキ)を施すとともに、電極部2aの反対側の面にもス
ズメッキ8を施して、上記電極部2aと同一形状の隆起
部を形成している。これにより、上記のようなチップ素
子の各チップ挟持部4,4間への押し込みの後、上記ス
ズメッキ8を加熱溶着させることにより、チップ素子2
とチップ挟持部4,4間の接合強度をより高めることが
できる。
に、上記各チップ挟持部4,4間にチップ素子2を押し
込むことによってこれらの間に弾性的に挟圧保持させ
る。なお、図2に示すように、チップ素子2に対してあ
らかじめその電極部2aの表面にスズメッキ8(Snメ
ッキ)を施すとともに、電極部2aの反対側の面にもス
ズメッキ8を施して、上記電極部2aと同一形状の隆起
部を形成している。これにより、上記のようなチップ素
子の各チップ挟持部4,4間への押し込みの後、上記ス
ズメッキ8を加熱溶着させることにより、チップ素子2
とチップ挟持部4,4間の接合強度をより高めることが
できる。
【0022】このようにしてチップ素子2をチップ挟持
部4,4間に保持させた後は、樹脂モールド工程、ない
しリードフレーム7からリード部1,1を切除するリー
ドカット工程等を経て、図1に示すようなダイオードD
が完成する。
部4,4間に保持させた後は、樹脂モールド工程、ない
しリードフレーム7からリード部1,1を切除するリー
ドカット工程等を経て、図1に示すようなダイオードD
が完成する。
【0023】以上のように構成されるダイオードDにお
いては、チップ素子2を各チップ圧接部6,6ないしチ
ップ挟持部4,4に直接的に圧接させることにより、チ
ップ素子2とリード部1,1とを電気的に接続している
から、従来のようなチップ装置2とリード部1との間の
ワイヤボンディング工程を行う必要がなくなる。したが
って、従来のように結線不良が生じるといったことがな
くなり、また、チップ素子2からリード部1への直接な
放熱が可能となり、チップ素子2の放熱効率が高まっ
て、ダイオードDの性能を向上させることができる。
いては、チップ素子2を各チップ圧接部6,6ないしチ
ップ挟持部4,4に直接的に圧接させることにより、チ
ップ素子2とリード部1,1とを電気的に接続している
から、従来のようなチップ装置2とリード部1との間の
ワイヤボンディング工程を行う必要がなくなる。したが
って、従来のように結線不良が生じるといったことがな
くなり、また、チップ素子2からリード部1への直接な
放熱が可能となり、チップ素子2の放熱効率が高まっ
て、ダイオードDの性能を向上させることができる。
【0024】しかも、チップ素子2およびチップ挟持部
4,4は、リード部1の軸線上に配置されることにな
り、チップ圧接部6,6がチップ素子2から受ける弾性
反力はリード部1,1に対してはその軸線方向に作用す
るので、リード部1に上記弾性反力に起因する曲げ力が
作用することはない。すなわち、リード部1,1は、上
記弾性反力が原因として変形を受けることがないから、
チップ挟持部4,4の相対位置関係を常に一定化させる
ことができ、チップ挟持部4,4のチップ素子2に対す
る安定した保持力が得られる。
4,4は、リード部1の軸線上に配置されることにな
り、チップ圧接部6,6がチップ素子2から受ける弾性
反力はリード部1,1に対してはその軸線方向に作用す
るので、リード部1に上記弾性反力に起因する曲げ力が
作用することはない。すなわち、リード部1,1は、上
記弾性反力が原因として変形を受けることがないから、
チップ挟持部4,4の相対位置関係を常に一定化させる
ことができ、チップ挟持部4,4のチップ素子2に対す
る安定した保持力が得られる。
【0025】さらに、上記片持ちビーム状のチップ挟持
部4,4は、リードフレームの基準平面内に形成されて
いるから、これらチップ挟持部4,4間に挟圧保持され
るチップ素子2を封止するための樹脂モールド3の厚み
は、上記チップ素子2の厚みに対してやや大きいだけ
の、全体として薄型化されたものとすることができる。
この点、リード部の上にチップ素子をボンディングし、
さらにこのチップ素子の上面と他方のリード部間をルー
プ状にワイヤボンディングする従来例において、これら
リード部、チップ素子、ならびにボンディングワイヤの
全てを過不足なく封止するために一定以上の厚みが必要
であった従来における樹脂モールドに比較して、著しい
薄型化が達成できるといえる。
部4,4は、リードフレームの基準平面内に形成されて
いるから、これらチップ挟持部4,4間に挟圧保持され
るチップ素子2を封止するための樹脂モールド3の厚み
は、上記チップ素子2の厚みに対してやや大きいだけ
の、全体として薄型化されたものとすることができる。
この点、リード部の上にチップ素子をボンディングし、
さらにこのチップ素子の上面と他方のリード部間をルー
プ状にワイヤボンディングする従来例において、これら
リード部、チップ素子、ならびにボンディングワイヤの
全てを過不足なく封止するために一定以上の厚みが必要
であった従来における樹脂モールドに比較して、著しい
薄型化が達成できるといえる。
【0026】本願発明の範囲は、上述した実施例に限定
されない。たとえば、上記図1および図2に示した実施
例において、図3に示すように、チップ挟持部4,4に
おける特にチップ圧接部6,6の上方隅部に面取り部9
を設けるようにすると、チップ素子2をチップ圧接部
6,6間に上方から容易に押し込み保持させることがで
きる。すなわち、チップ素子2の押し込みにあたって
は、これをチップ圧接部6,6の横方向(図2において
矢印A方向)から行わなくてもよくなるから、リードフ
レーム7の長手方向にならぶリード部1…の間隔をより
縮小することができ、これにより、一定長さのリードフ
レーム7から製造しうる半導体装置の個数を多くするこ
とができる。このことは、製品の部留まりの向上、各製
造工程におけるリードフレーム7の送り間隔の縮小を図
って生産効率を向上させることができることを意味す
る。
されない。たとえば、上記図1および図2に示した実施
例において、図3に示すように、チップ挟持部4,4に
おける特にチップ圧接部6,6の上方隅部に面取り部9
を設けるようにすると、チップ素子2をチップ圧接部
6,6間に上方から容易に押し込み保持させることがで
きる。すなわち、チップ素子2の押し込みにあたって
は、これをチップ圧接部6,6の横方向(図2において
矢印A方向)から行わなくてもよくなるから、リードフ
レーム7の長手方向にならぶリード部1…の間隔をより
縮小することができ、これにより、一定長さのリードフ
レーム7から製造しうる半導体装置の個数を多くするこ
とができる。このことは、製品の部留まりの向上、各製
造工程におけるリードフレーム7の送り間隔の縮小を図
って生産効率を向上させることができることを意味す
る。
【0027】また、チップ挟持部4の態様も、上記の他
に種々のものが考えられる。たとえば、図4に示すよう
に、リード部1の端部に、中央部に弾性変形を許容させ
る透孔10を備えた平面視略楕円形状の、いわば両持ち
ビーム状のチップ挟持部4を設けるようにしてもよい。
このようにすると、チップ素子を挟持するべき面が丸み
を帯びているので、よりスムーズにチップ素子を両リー
ド部間に挿入保持させることができるとともに、保持力
を安定させることができる。
に種々のものが考えられる。たとえば、図4に示すよう
に、リード部1の端部に、中央部に弾性変形を許容させ
る透孔10を備えた平面視略楕円形状の、いわば両持ち
ビーム状のチップ挟持部4を設けるようにしてもよい。
このようにすると、チップ素子を挟持するべき面が丸み
を帯びているので、よりスムーズにチップ素子を両リー
ド部間に挿入保持させることができるとともに、保持力
を安定させることができる。
【0028】また、図5に示すように、チップ挟持部4
の基部に切り欠き係合部11,11を設けることによ
り、これらと樹脂モールド3との係合によって各リード
部1,1の相対動を規制することができる。すなわち、
リード部1,1が外部から引っ張り力等を受けた場合に
おいても、各チップ挟持部4,4の相対位置関係を一定
に維持させ、チップ素子2とチップ挟持部4,4ないし
リード部1,1の間の接触状態を常に良好に保つことが
できるようになる。
の基部に切り欠き係合部11,11を設けることによ
り、これらと樹脂モールド3との係合によって各リード
部1,1の相対動を規制することができる。すなわち、
リード部1,1が外部から引っ張り力等を受けた場合に
おいても、各チップ挟持部4,4の相対位置関係を一定
に維持させ、チップ素子2とチップ挟持部4,4ないし
リード部1,1の間の接触状態を常に良好に保つことが
できるようになる。
【0029】また、これら図4および図5に示す実施例
において、チップ挟持部4の幅をリード部の幅と同程度
に形成するようにしてもよく、これにより、部品外形の
小型化をさらに進めることができる。さらに、図4およ
び図5に示す実施例においても、図3の実施例のような
面取りを施し、チップ素子を上方から両リード部間に押
し込み保持させることができるようにしてもよい。
において、チップ挟持部4の幅をリード部の幅と同程度
に形成するようにしてもよく、これにより、部品外形の
小型化をさらに進めることができる。さらに、図4およ
び図5に示す実施例においても、図3の実施例のような
面取りを施し、チップ素子を上方から両リード部間に押
し込み保持させることができるようにしてもよい。
【図1】本願発明の半導体装置の一例であるダイオード
を概略的に示した斜視図である。
を概略的に示した斜視図である。
【図2】図1のダイオードの作製にあたって使用される
製造用フレームの平面図である。
製造用フレームの平面図である。
【図3】製造用フレームの変形例の要部を示す断面図で
あり、図2のIII −III 線拡大断面図に相当する図であ
る。
あり、図2のIII −III 線拡大断面図に相当する図であ
る。
【図4】本願発明の製造用フレームの他の実施例の要部
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図5】本願発明のさらに他の実施例を示す断面図であ
る。
る。
1 リード部 2 チップ素子 4 チップ挟持部 7 製造用フレーム(リードフレーム)
Claims (3)
- 【請求項1】 左右のサイドフレーム部と、各サイドフ
レーム部から同一軸線をもって内向き対向状に延出する
リード部を複数対備える半導体装置製造用フレームであ
って、 上記各対をなすリード部の対向部には、このリード部の
主部に対して屈曲した形状に形成されまたは透孔が形成
されることによりリード部の軸線方向に弾性変形可能と
されたチップ挟持部が打ち抜きまたはエッチングによっ
てフレーム基準平面内に形成されていることを特徴とす
る、半導体装置製造用フレーム。 - 【請求項2】 同一軸線上に所定間隔を隔てて相互に対
向するように配置された一対のリード部と、これらリー
ド部に電気的に接続されるチップ素子とを備える半導体
装置であって、 上記一対のリード部の相互に対向する対向部に、これら
リード部の主部に対して屈曲した形状に形成されまたは
透孔が形成されることによりリード部の軸線方向に弾性
変形可能とされたチップ挟持部がリード部の主部を含む
平面内において打ち抜きまたはエッチングによって形成
されており、 上記チップ素子は、上記対向部に設けられた各チップ挟
持部間に挟圧支持されていることを特徴とする、半導体
装置。 - 【請求項3】 左右のサイドフレーム部と、各サイドフ
レーム部から同一軸線をもって内向き対向状に延出する
リード部を複数対備え、上記各対をなすリード部の対向
部には、このリード部の主部に対して屈曲した形状に形
成されまたは透孔が形成されることによりリード部の軸
線方向に弾性変形可能とされたチップ挟持部が打ち抜き
またはエッチングによってフレーム基準平面内に形成さ
れてなる製造用フレームを用いた半導体装置の製造方法
であって、 上記チップ挟持部間にチップ素子を押し込むことによっ
てこのチップ素子を両チップ挟持部間に弾性支持させる
ステップ、 上記弾性支持されたチップ素子ないし上記リード部の一
部を樹脂モールドするステップ、 上記チップ素子の支持と樹脂モールドが終了したリード
部を上記サイドフレームから分離させるステップ、 を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21298392A JPH0760876B2 (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 半導体装置製造用フレームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21298392A JPH0760876B2 (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 半導体装置製造用フレームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190717A JPH05190717A (ja) | 1993-07-30 |
| JPH0760876B2 true JPH0760876B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16631530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21298392A Expired - Fee Related JPH0760876B2 (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 半導体装置製造用フレームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760876B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110970298B (zh) * | 2019-12-30 | 2023-08-04 | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 一种环氧封装微型二极管及制作工艺 |
-
1992
- 1992-08-10 JP JP21298392A patent/JPH0760876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05190717A (ja) | 1993-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5834691A (en) | Lead frame, its use in the fabrication of resin-encapsulated semiconductor device | |
| US20020037604A1 (en) | Lead frame, semiconductor package having lead frame, and method of manufacturing semiconductor package | |
| US5686361A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device having a heat radiator | |
| KR101054602B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US5646829A (en) | Resin sealing type semiconductor device having fixed inner leads | |
| US4977442A (en) | Lead frame and method of producing electronic components using such improved lead frame | |
| KR20030035952A (ko) | 리드 프레임과 그 제조 방법 및 그 리드 프레임을 이용한반도체 장치의 제조 방법 | |
| US20080122048A1 (en) | Stamped leadframe and method of manufacture thereof | |
| US20030003627A1 (en) | Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
| KR20050043514A (ko) | 리드 프레임 및 이를 적용한 반도체 패키지 제조방법 | |
| JP2981194B2 (ja) | 半導体チップパッケージ | |
| JPH0760876B2 (ja) | 半導体装置製造用フレームおよびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法 | |
| JPH06104364A (ja) | リードフレーム、これを用いた半導体チップのモールド方法及びモールド用金型 | |
| JP4266429B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11233709A (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置 | |
| JP2898694B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2998726B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3127104B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の封止用金型およびこれを用いた製造方法 | |
| JP2630686B2 (ja) | 電子部品製造用フレーム、およびこれを用いた電子部品製造方法、ならびにこの製造方法により製造された電子部品 | |
| JP2707153B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JP2006049682A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3434633B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH1050913A (ja) | リードフレームの熱処理方法及びそれに用いる熱処理用治具 | |
| JPH09129803A (ja) | ホール素子及びその製造方法 | |
| JPH07193179A (ja) | リードフレーム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |