JPH0761434B2 - 物質透過膜 - Google Patents

物質透過膜

Info

Publication number
JPH0761434B2
JPH0761434B2 JP63063195A JP6319588A JPH0761434B2 JP H0761434 B2 JPH0761434 B2 JP H0761434B2 JP 63063195 A JP63063195 A JP 63063195A JP 6319588 A JP6319588 A JP 6319588A JP H0761434 B2 JPH0761434 B2 JP H0761434B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
plasma
compound
fluorine
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63063195A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01240666A (ja
Inventor
訓宏 稲垣
茂 田坂
幸稔 堀川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central Glass Co Ltd
Original Assignee
Central Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Central Glass Co Ltd filed Critical Central Glass Co Ltd
Priority to JP63063195A priority Critical patent/JPH0761434B2/ja
Publication of JPH01240666A publication Critical patent/JPH01240666A/ja
Publication of JPH0761434B2 publication Critical patent/JPH0761434B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、プラズマ重合反応法を用いて固体表面上に重
合体薄膜を形成する方法に関し、特に含フッ素有機化合
物とイオウ化合物を原料成分とすることにより、膜内に
−SO3 -のイオン官能基を付与することができ、電子材料
をはじめ、各種用途に有用な材料を提供するものであ
る。
[従来の技術] 含フッ素有機化合物を用いプラズマ重合法によって含フ
ッ素化合物の薄膜を形成させる方法は公知であり、基材
表面の改質、つまり耐薬品性、撥水撥油性、耐摩耗性、
耐熱性、絶縁性など多くの特徴を目的とした検討が数多
く行われている。その中で、含フッ素有機化合物とほか
の化学物質の2成分系でのプラズマ重合膜に関しては、
パーフルオロ化合物とアンモニアの組み合わせ(特開昭
61−97008号)、含フッ素有機化合物とケイ素含有化合
物の組み合わせ(特開昭60−255111号、特開昭60−2615
28号)などが知られている。一方、含イオン性の含フッ
素高分子を化学的に合成する方法については、里川孝
臣:機能性含フッ素高分子、日刊工業新聞社、P11など
に開示されているとおりである。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、イオン官能基含有のフッ素系化合物を薄
膜化する方法は知られてなく、本発明を用いることによ
り、各種基材の表面改質を効率よく行うことができるた
め、物質透過膜、電子材料、医用材料等への応用が可能
である。
[問題点を解決するための手段] 本発明者らは、含フッ素有機化合物とイオウ化合物から
成る混合ガスをプラズマ重合反応に供することにより、
膜中に−SO3H又は−SO3Fから成るイオン性官能基を効
率よく導入することに成功し本発明を完成するにいたっ
た。すなわち本発明は、含フッ素有機化合物とイオウ化
合物とをプラズマ重合反応に供することにより基材上に
形成された、分子中に−SO3−構造を有する重合体薄膜
からなることを特徴とするイオン交換性を有する物質透
過膜である。
本発明に使用できる含フッ素有機化合物は特に規定はな
いが、化合物中のフッ素含量が多い方が好ましい。ま
た、パーフルオロ化合物でかつ反応性に富む不飽和化合
物がさらに好ましい。すなわち、パーフルオロベンゼン
およびその誘導体、またはテトラフルオロエチレン、ト
リフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、クロロトリフ
ルオロエチレンなどのフロオロオレフィン、またはヘキ
サフルオロプロペン、ヘキサフルオロアセトン、または
フロオロアルキルのアクリル酸エステルおよびメタクリ
ル酸エステル、またはフロオロビニルエステル類または
その他のパーフルオロ化合物や含フッ素有機化合物が使
用できる。また、本発明に使用できるイオン化合物とは
イオウ酸化物が望ましくSO2,SO3などであるが酸素化合
物の存在下であればH2S、SF6やその他のイオウ化合物で
も使用可能である。
含フッ素有機化合物とイオウ化合物の混合比としては、
イオウ化合物が全体の5重量%以上あればよい。イオウ
化合物が5重量%以下になると膜中のイオン性官能基の
量が少なく充分な効果が得られない。特に、膜中の高い
イオン化率を考慮した場合にはイオウ化合物が全体の20
重量%以上が好ましい。
以上のような本発明の原料化合物は常温、大気圧下で気
体、液体、固体と様々の様態をとっているが液体あるい
は固体に関しては減圧下で、必要に応じて加熱によって
気化させて使用される。原料化合物のプラズマ重合反応
系への供給量は、特に限定されないが、0.5〜200cm3(S
TP)/minである。
プラズマの発生に用いられる放電方式は特に限定はなく
一般に用いられる方式が利用できる。すなわち直流放
電、低周波放電、高周波放電、マイクロ波放電などを利
用して、内部電極型、あるいは無電極型のいずれかの反
応装置によりプラズマの発生が実施される。
この際の電極やコイルの形状、マイクロ波放電の場合の
キャビティやアンテナの構造も特に制約はなく一般に用
いられるプラズマ反応装置が用いられる。
本発明におけるプラズマ反応帯域でのプラズマ電子温度
としては5,000〜80,000Kであり、好ましくは、6,000〜5
0,000Kである。プラズマ電子温度が5,000K未満、または
80,000K以上では、反応の効率が著しく低下する欠点が
生じる。前記の範囲のプラズマ電子温度は、反応系への
原料の供給速度、反応系の真空度によって設定すること
ができる。
原料ガスの反応装置への供給は、原料ガスのみでもよい
がヘリウム、アルゴン等の不活性ガスやたとえばCF4
どのような含フッ素ガスをキャリヤーガスとして用いる
こともできる。この場合の系の真空度は、1×10-3〜10
0Torrの範囲に調整することが好ましい。
本発明のプラズマ重合反応を行う場合に使用できる基材
としては特に規定されることはなく、ガラス、石英、金
属、半導体、セラミックあるいはプラスチックなどの平
滑なものあるいはポーラスなものなどである。基材の形
状も板状、球状、筒状などの種々の形態が可能であり、
特に限定されることはない。これらの基材は、冷却また
は加熱されてもよく、好ましくは0℃〜200℃程度で反
応に供する。200℃以上ではプラズマ重合膜の生成速度
が遅くなる欠点がある。なおプラズマ重合膜の生成速度
は0.5〜20Å/sである。
本発明で製造されるプラズマ重合膜の膜厚としては原料
ガスの供給量、真空度あるいは反応時間等によって調整
が可能であり、10Å〜10μmの範囲内で表面性が良く均
一で欠陥のない膜を得ることができる。
以上のようにして得られたプラズマ重合膜は膜中に−SO
3 -のイオン官能基を有している。このことは、生成膜に
アンモニア(NH3)を反応させたのち、赤外吸収スペク
トルを測定することによって、−SO3 -NH4 +(1120cm-1
1400cm-1)の振動の有無から確認することができる。ま
た、本発明のプラズマ重合膜は極性の高い有機溶媒に可
溶であり、膜中に架橋反応が進行していないことがわか
る。さらに、パーフルオロベンゼン誘導体とイオウ酸化
物の系でのプラズマ重合膜は、膜中に不飽和二重結合が
残存する。以上の点は、パーフルオロベンゼンのみのプ
ラズマ重合膜の場合、膜に、不飽和二重結合が残存せず
架橋反応が促進される点と比較すると実に驚くべきこと
である。
また、本発明のプラズマ重合膜は、表面硬度が高く、基
材との密着性も高い。さらに含フッ素化合物の特徴とさ
れる低表面エネルギー、低屈折率、耐熱性、耐候性、耐
薬品性、なども有している。以下、本発明を実施例によ
って説明するがこれらによって限定されるものではな
い。
実施例1〜3 第1図に示す誘導無電極式放電型のプラズマ重合反応装
置を用いた。
反応管1内を排気ポンプ6、7により排気して、1×10
-4Torr以下まで減圧した後アルゴンプラズマ(rf放電電
力25W)で10分間エッチングを行い系内の吸着水を除去
した。再び系内を1×10-4Torrまで減圧しニードルバル
ブ8で原料ガス流量を調整しながら総流量で4.0cm3(ST
P)/minになるように原料ガスを導入した。この際、高
周波発振器(日本高周波(株)製 SKN−05P);13.56MH
Zを用いて外部コイル3により100Wの放電エネルギーを
系内に導入しプラズマ重合反応を行った。
原料ガスはパーフルオロベンゼンとSO2ガスを用い混合
組成がモル比で3/1(実施例1)、1/1(実施例2)、1/
3(実施例3)となるようにした。どの原料組成におい
てもガラス板2上に均一で黄色透明の膜が生成した。得
られた膜の膜厚、表面硬度、表面エネルギー、総イオン
交換容量を測定した。この結果を第1表に示す。なお膜
厚は針圧型の膜厚計により測定し、表面硬度は、JISK54
00に従い鉛筆硬度によって評価した。また、総イオン交
換容量は、KCl溶液中に10日間浸漬しpH変化より算出し
た。
実施例4 実施例1〜3によって生成したプラズマ重合膜をガラス
基材によりはがし取り、KBr錠剤法により赤外吸収スペ
クトルを日本分光製 FT/IR−3により測定した。結果
を第2図に示す。これによると、原料ガスの仕込比3/
1、1/1、1/3の三条件について生成物に大きな差はみら
れないことがわかる。
また、1500cm-1にベンゼン環の吸収、1180cm-1にS=0
の伸縮の振動がそれぞれ確認される。
[発明の効果] 本発明によれば、イオン官能基含有の含フッ素重合体薄
膜が容易に得られ、各種基材の表面を撥水・撥油性、潤
滑性等の物性に優れた面に改質することができ、物質透
過膜、電子材料、医用材料等として有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施するためのプラズマ重合反応装置
の概略図、第2図は本発明により得られた薄膜の赤外吸
収スペクトルを示す。 1…反応管、2…基材 3…外部コイル、4,8…ニードルバルブ 5…冷却トラップ、6…拡散ポンプ 7…ロータリーポンプ、9…原料ガス 10…真空ゲージ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】含フッ素有機化合物とイオウ化合物とをプ
    ラズマ重合反応に供することにより基材上に形成され
    た、分子中に−SO3−構造を有する重合体薄膜からなる
    ことを特徴とするイオン交換性を有する物質透過膜。
JP63063195A 1988-03-18 1988-03-18 物質透過膜 Expired - Lifetime JPH0761434B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63063195A JPH0761434B2 (ja) 1988-03-18 1988-03-18 物質透過膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63063195A JPH0761434B2 (ja) 1988-03-18 1988-03-18 物質透過膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01240666A JPH01240666A (ja) 1989-09-26
JPH0761434B2 true JPH0761434B2 (ja) 1995-07-05

Family

ID=13222196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63063195A Expired - Lifetime JPH0761434B2 (ja) 1988-03-18 1988-03-18 物質透過膜

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0761434B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5082347B2 (ja) * 2006-09-05 2012-11-28 旭硝子株式会社 分離膜の製造方法および水処理用分離膜

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6051505A (ja) * 1983-08-31 1985-03-23 Toshiba Corp ガス選択性複合膜
JPS61198619A (ja) * 1985-02-28 1986-09-03 Canon Inc 堆積膜形成法
DE3509068A1 (de) * 1985-03-14 1986-09-18 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Porenmembranen
JPS6223401A (ja) * 1985-07-22 1987-01-31 Nok Corp 限外ロ過膜
JPS62109965A (ja) * 1985-11-08 1987-05-21 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 耐食性を有する物品

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01240666A (ja) 1989-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4576829A (en) Low temperature growth of silicon dioxide on silicon
JPS582022A (ja) 薄膜形成方法
EP1816231A1 (en) Fluorocarbon film and process for producing the same
JPH0514722B2 (ja)
JPH0761434B2 (ja) 物質透過膜
JP5219457B2 (ja) 燃料電池用のケイ化電解質材料、その調製方法及びそれを使用した燃料電池
JPS62235339A (ja) プラスチツク表面改質方法
JP2723472B2 (ja) 基体上に硼燐化シリカガラスを付着する装置および方法
CN107622949A (zh) 一种基于等离子体浸没注入技术制备黑磷二维材料的方法
US3518134A (en) Gaseous etching of molybdenum
JPH0533265B2 (ja)
JPH0397846A (ja) ケイ素化合物薄膜の形成方法
JPS61238962A (ja) 膜形成装置
JP3482724B2 (ja) 撥水性皮膜の製造方法
JPS63156565A (ja) 有機薄膜の規則構造発現方法
Comyn et al. Inelastic electron tunnelling spectra of some plasma polymers on aluminium oxide
JPH08188663A (ja) 基材の表面処理方法
JPH03134034A (ja) 固体表面の撥水撥油化方法
JP2625154B2 (ja) プラズマ重合による基体表面コーティング法
JPH01223733A (ja) 炭化チタン系膜及び窒化チタン系膜のエッチング方法
JPS63126234A (ja) 発光材料の製造方法
JPH01261214A (ja) ダイヤモンド含有膜または硬質カーボン膜の製造方法
Hu et al. A review of developments in the preparation methods of tantalum pentoxide film
JPS6240377A (ja) 窒化アンチモンの作製方法
JPS61190066A (ja) In↓2 O↓3薄膜の生成方法